Wyniki wyszukiwania dla: MESFET

• Magnetic field microsensor based on GaAs MESFET

  Publikacja

  • W. Kordalski
  • B. Boratyński
  • M. Panek
  • B. Ściana
  • I. Zborowska-Lindert
  • M. Tłaczała

  - Rok 2007

  A novel concept of the drain separation design in a horizontally-split-drain GaAs MAGFET sensor, based on epitaxial layer growth, was developed. Proper choice of GaAs/AlAs/GaAs epitaxial layer sequence provided good electrical isolation between the drain regions. The measured leakage current between the drain regions was in the range of nA for up to 2V drain voltage bias difference. Performed analytical and numerical calculations...

• Pomiary szumów m.cz. tranzystorów MESFET z węglika krzemu

  Publikacja

  • A. Konczakowska
  • J. A. Cichosz

  - Rok 2010

  Tranzystory MESFET z węglika krzemu typu CRF24010 (CRREE) są przyrządami mocy przeznaczonymi do pracy w zakresie wysokich częstotliwości. Ze względu na możliwość oceny technologii tych przyrządów, a także ich jakości celowe jest określenie ich właściwości szumowych w zakresie małych częstotliwości. Przedstawiono wyniki badań wykonanych w celu oceny właściowści szumowych tranzystorów MESFET z SiC oraz zaproponowano schemat szumowy...

• MESTER

  Czasopisma

  ISSN: 0160-2764

• Metszet

  Czasopisma

  ISSN: 2061-2710

• The Low-frequency Noise of SiC MESFETs

  Publikacja

  • J. A. Cichosz
  • A. Konczakowska

  - Rok 2009

  Przedstawiono system do pomiaru szumów małoczestotliwościowych tranzystorów SiC MESFET oraz przykładowe wyniki pomiarów.

• The Low Frequency Noise Behaviour of SiC MESFETs

  Publikacja

  • A. Konczakowska
  • J. A. Cichosz
  • D. Dokupil
  • P. Flisikowski
  • A. Szewczyk
  • B. Stawarz-Graczyk

  - Rok 2011

• A quasi-2D small-signal MOSFET model - main results

  Publikacja

  • W. Kordalski

  - Rok 2014

  Main results stemming from a new quasi 2D non-quasi-static small-signal four-terminal model of the MOSFET are presented in this work. The model is experimentally verified up to 30 GHz.

• A Quasi-2D MOSFET Model — 2D-to-Quasi-2D Transformation

  Publikacja

  • W. Kordalski

  - Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania - Rok 2013

  A quasi-two-dimensional (quasi-2D) representation of the MOSFET channel is proposed in this work. The representation lays the foundations for a quasi 2D MOSFET model. The quasi 2D model is a result of a 2D into quasi 2D transformation. The basis for the transformation are an analysis of a current density vector field and such phenomena as Gradual Channel Detachment Effect (GCDE), Channel Thickness Modulation Effect (CTME), and...

  Pełny tekst do pobrania w serwisie zewnętrznym

• A quasi-2D small-signal MOSFET model - main results

  Publikacja

  • W. Kordalski

  - Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania - Rok 2014

  Dynamic properties of the MOS transistor under small-signal excitation are determined by kinetic parameters of the carriers injected into the channel, i.e., the low-field mobility, velocity saturation, mobility at the quiescent-point (Q-point), longitudinal electric field in the channel, by dynamic properties of the channel, as well as by an electrical coupling between the perturbed carrier concentration in the channel and the...

• Oszacowanie korelacji między źródłami prądowymi zlokalizowanymi w bramce i drenie tranzystora MESFET SiC

  Publikacja

  • J. A. Cichosz
  • B. Stawarz-Graczyk
  • A. Szewczyk

  - Zeszyty Naukowe Wydziału ETI Politechniki Gdańskiej. Technologie Informacyjne - Rok 2010

  Przedstawiono metodę umożliwiającą szybką ocenę korelacji między szumami generowanymi w bramce oraz w drenie tranzystorów MESFET SiC. Badania przeprowadzono dla tranzystorów CRF-24010 firmy CREE. Korelację oszacowano z przebiegów czasowych szumów w zakresie małych częstotliwości (od 2 Hz do 2 kHz), przy trzech różnych wartościach prądu drenu: Id = 1; 5; 10 mA. Porównano wynik oszacowania korelacji (dziedzina czasu) z wyznaczoną...