Wyniki wyszukiwania dla: MODELE IGBT

• Behawioralny model tranzystora IGBT

  Publikacja

  • M. Turzyński
  • P. Chrzan

  - Przegląd Elektrotechniczny - Rok 2010

  W artykule przedstawiono rezultaty prac nad uniwersalnym modelem tranzystora bipolarnego z izolowaną bramką (IGBT), przydatnym w symulacjach układów energoelektronicznych wymagających odwzorowania stanów ustalonych i dynamicznych. Rozważono behawioralny model IGBT w układzie klasycznym z nieliniowymi aproksymacjami pojemności pasożytniczych. Eksperymentalne testy modelu modułu IGBT typu CM200DY-24A (Mitsubishi) przeprowadzono w...

• The PWM current source inverter with IGBT transistors and multiscalar model control system

  Publikacja

  • M. Włas
  • M. Morawiec
  • Z. Krzemiński

  - Rok 2005

  W niniejszym artykule przedstawiono struktury układów sterowania maszyny indukcyjnej zasilanej z falownika prądu. Przedstawiono metodę modulacji szerokości impulsów dla falownika prądu. Pokazano modele matematyczne maszyny indukcyjnej klatkowej zasilanej z falownika prądu. Przedstawiono trzy układy regulacji sterowania multiskalarnego z czego dwa są nowe. Rozważania teoretyczne zweryfikowano za pomocą badań symulacyjnych.

  Pełny tekst do pobrania w serwisie zewnętrznym

• Accurate Computation of IGBT Junction Temperature in PLECS

  Publikacja

  • P. Górecki
  • D. Wojciechowski

  - IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES - Rok 2020

  In the article, a new method to improve the accuracy of the insulated-gate bipolar transistor (IGBT) junction temperature computations in the piecewise linear electrical circuit simulation (PLECS) software is proposed and described in detail. This method allows computing the IGBT junction temperature using a nonlinear compact thermal model of this device in PLECS. In the method, a nonlinear compact thermal model of the IGBT is...

  Pełny tekst do pobrania w serwisie zewnętrznym

• Behawioralne modelowanie i symulacja tranzystorów IGBT w układach energoelektronicznych = Behavioural modeling and simulation of IGBT transistors in power electronics systems

  Publikacja

  • M. Turzyński
  • P. Chrzan

  - Rok 2006

  W referacie przedstawiono rezultaty prac nad modelem tranzystora bipolarnego z izolowaną bramką (IGBT), przydatnym w symulacjach układów energoelektronicznych wymagających odwzorowania zarówno stanów ustalonych jak i dynamicznych przy przełączaniu. Rozważono behawioralny model IGBT o reprezentacji za pomocą równań stanu przy wykorzystaniu katalogowych charakterystyk statycznych oraz nieliniowych aproksymacji pojemności pasożytniczych....

• Zastosowanie tranzystorów IGBT w napędach maszyn wibracyjnych

  Publikacja

  • T. Kucharski
  • P. Jakubowski

  - Rok 2005

  Przedstawiono układ elektroniczny stopnia mocy maszyny wibracyjnej i przetwarzanie cyfrowe sygnałów sterujących. W rozwiązaniu tym zastosowano układ mostka tranzystorów IGBT sterowany mikroprocesorowo przy użyciu generatora PWM, który wytwarza sygnał o przebiegu prostokątnym z cyfrowo regulowanym wypełnieniu oraz z możliwością zmiany częstotliwości w dużym zakresie. Wykonany stopień mocy zastosowano do zasilania wzbudnika drgań...

• Behawioralne modelowanie tranzystorów IGBT do symulacji układów energoelektronicznych

  Publikacja

  • M. Turzyński

  - Rok 2012

  W monografii dokonano syntezy behawioralnego modelu tranzystora IGBT o strukturze klasycznej, odzwierciedlającego właściwości statyczne oraz dynamiczne IGBT. Zaproponowane metody identyfikacji parametrów modelu bazują na danych katalogowych oraz wynikach eksperymentalnych. Do zaproponowanych metod identyfikacji parametrów modelu wymagane są dane katalogowe, tj. charakterystyki statyczne: iC(uGE), uC(uCE) oraz charakterystyka dynamiczna...

• Multi-Transformer Flyback Converter for Supplying Isolated IGBT and MOSFET Drivers

  Publikacja

  • M. Kolincio
  • P. Chrzan
  • P. Musznicki

  - Rok 2016

  A multi transformer flyback converter topology for supplying transistor drivers is presented. The topology presents some advantages over typical multi output single transformer, as reduction of effective leakage inductance, equal magnetic coupling between primary and secondary circuits and better isolation between outputs. Simulation study carried out in the LTSpice IV program and preliminary experimental results indicate high...

  Pełny tekst do pobrania w serwisie zewnętrznym

• Current commutation process in a ultra-fast fuse-IGBT hybrid circuit breaker.

  Publikacja

  • J. Czucha

  - Rok 2004

  Układ hybrydowy bezpiecznika topikowego i tranzystora IGBT umożliwia bardzo szybkie włączenie do obwodu zwarciowego impedancji ograniczającej wartość prądu. Po eksplozji krótkiego topika bezpiecznika wywołanej narastającym prądem zwarciowym wywołuje w czasie poniżej 2 ms wzrost napięcia na topiku do wartości ok.20 - 25V, po czym prąd jest komutowany do gałęzi z przyrządem półprzewodnikowym typu GTO lub IGBT. Ostateczne wyłączenie...

• LGBT Health

  Czasopisma

  ISSN: 2325-8292 , eISSN: 2325-8306

• Wyznaczanie wartości wskaźników diagnostycznych w celu monitorowania zużycia tranzystorów IGBT dużej mocy

  Publikacja

  • W. Śleszyński
  • J. Nieznański
  • A. Cichowski
  • J. Łuszcz
  • A. Wojewódka

  - Przegląd Elektrotechniczny - Rok 2010

  Przedstawiono nową metodę monitorowania zużycia tranzystorów bipolarnych z izolowaną bramką (IGBT) bezpośrednio w układzie napędowym. Proponowana metoda przeznaczona jest do śledzenia dwóch istotnych objawów starzenia modułów IGBT: rozwarstwiania struktury modułu na skutek termomechanicznego zmęczenia stopu lutowniczego oraz uszkodzeń połączeń drutowych wewnątrz modułu. Monitorowana jest rezystancja cieplna między półprzewodnikiem...