Rok 2012

• Trójfazowy falownik napięcia z tranzystorami SiC JFET

  Publikacja

  • S. Giziewski

  - Przegląd Elektrotechniczny - Rok 2012

  W referacie przedstawiono konstrukcję oraz wyniki badań trójfazowego falownika napięcia zbudowanego z wykorzystaniem diod Schottky oraz tranzystorów JFET z węglika krzemu (SiC). Znacznie krótsze czasy przełączeń tych elementów w porównaniu z tranzystorami IGBT i diodami na bazie krzemu (Si) umożliwiają pracę układu z częstotliwością 100 kHz i wyższą. Małe energie przełączeń oraz mała rezystancja drenu tranzystorów SiC JFET pozwalają...

  Pełny tekst do pobrania w serwisie zewnętrznym

• Układy sterowania bramkowego tranzystorów z węglika krzemu SiC JFET w falownikach napięcia

  Publikacja

  • M. Adamowicz
  • J. Pietryka
  • S. Giziewski
  • M. Rutkowski
  • Z. Krzemiński

  - Przegląd Elektrotechniczny - Rok 2012

  Zastosowanie technologii węglika krzemu (SiC) w falownikach napięcia pozwala na zwiększenie częstotliwości przełączeń oraz temperatury pracy przyrządów półprzewodnikowych. W celu zapewnienia minimalizacji strat oraz określonych właściwości dynamicznych tranzystorów z węglika krzemu wymagane jest stosowanie zaawansowanych układów sterowania bramkowego. W referacie przedstawiono analizę teoretyczną, wyniki badań symulacyjnych oraz...

  Pełny tekst do pobrania w serwisie zewnętrznym

• Wysokoczęstotliwościowy falownik napięcia z tranzystorami SiC JFET do zasilania silnika wysokoobrotowego

  Publikacja

  • S. Giziewski

  - Rok 2012

  W referacie przedstawiono konstrukcję oraz wyniki badań trójfazowego falownika napięcia zbudowanego z wykorzystaniem diod Schottky oraz tranzystorów JFET z węglika krzemu (SiC). Znacznie krótsze czasy przełączeń tych elementów w porównaniu z tranzystorami IGBT i diodami na bazie krzemu (Si) umożliwiają pracę układu z częstotliwością 100 kHz i wyższą. Duża stromość narastania napięcia rzędu dziesiątek kV/µs powoduje problemy EMC...

• Wysokoczęstotliwościowy przekształtnik z tranzystorami SiC JFET

  Publikacja

  • S. Giziewski

  - Przegląd Elektrotechniczny - Rok 2012

  W referacie przedstawiono konstrukcję oraz wyniki badań trójfazowego falownika napięcia zbudowanego z wykorzystaniem diod Schottky oraz tranzystorów JFET z węglika krzemu (SiC). Znacznie krótsze czasy przełączeń tych elementów w porównaniu z tranzystorami IGBT i diodami na bazie krzemu (Si) umożliwiają pracę układu z częstotliwością 100 kHz i wyższą. Duża stromość narastania napięcia rzędu dziesiątek kV/µs powoduje problemy EMC...

  Pełny tekst do pobrania w serwisie zewnętrznym