Rok 2007

• Horizontally-split-drain MAGFET - a highly sensitive magnetic field sensor

  Publikacja

  • W. Kordalski
  • M. Polowczyk
  • M. Panek

  - Bulletin of the Polish Academy of Sciences-Technical Sciences - Rok 2007

  We propose a novel magnetic field sensitive semiconductor device, viz., Horizontally-Split-Drain Magnetic-Field Sensitive Field-Effect Transistor (HSDMAGFET) which can be used to measure or detect steady or variable magnetic fields. Operating principle of the transistor is based on one of the galvanomagnetic phenomena and a Gradual Channel Detachment Effect (GCDE) and is very similar to that of Popovic and Baltes's SDMAGFET. The...

  Pełny tekst do pobrania w portalu

• Stałoprądowy model tranzystora typu HSD MAGFET

  Publikacja

  • W. Kordalski
  • B. Boratyński
  • M. Panek
  • M. Polowczyk
  • I. Zborowska-Lindert
  • B. Ściana
  • K. Szymański
  • J. Woźniak

  - Zeszyty Naukowe Wydziału ETI Politechniki Gdańskiej. Technologie Informacyjne - Rok 2007

  Zaproponowano stałoprądowy model dwudrenowego tranzystora polowego typu HSD MAGFET, wykorzystywanego jako czujnik pola magnetycznego o dużej czułości na zmiany pola magnetycznego i dużej geometrycznej rozdzielczości pomiarowej. Zaprezentowany model odzwierciedla zjawisko podziału prądu płynącego w kanale tranzystora na prądy drenów i uwzględnia wzajemne oddziaływanie napięć drenów VDS1 i VDS2 na prady drenów ID1 i ID2 poprzez wprowadzenie...

Rok 2006

• Sterowane elektrycznie pojemności stosowane w mikroelektronice

  Publikacja

  • M. Polowczyk
  • W. Kordalski

  - Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania - Rok 2006

  Praca prezentuje aktualny stan wiedzy o stosowanych w mikroelektronice elektrycznie sterowanych zmiennych pojemnościach. Omawiana jest budowa i podstawowe charakterystyki trzech rodzajów takich pojemności: diodowych (złączowych), MEMS i BST na podstawie przeglądu publikacji naukowych z lat 1964-2004.

• XLVII-lecie pracy naukowo-dydaktycznej profesora Rromualda Zielonko

  Publikacja

  • M. Polowczyk

  - Zeszyty Naukowe Wydziału ETI Politechniki Gdańskiej. Technologie Informacyjne - Rok 2006

  Przedstawiono biografię naukową oraz przegląd dorobku dydaktycznego i organizacyjnego Profesora Romualda Zielonko, profesora zwyczajnego, byłego Prodziekana ds. Naukowych, aktualnie Kierownika Katedry Metrologii i Systemów Elektronicznych, którego cała działalność zawodowa związana jest z Wydziałem Elektroniki, Telekomunikacji i Informatyki Politechniki Gdańskiej.

Rok 2004

• Nowy dwudrenowy tranzystor MOS jako czujnik pola magnetycznego.

  Publikacja

  • W. Kordalski
  • M. Polowczyk
  • J. Czerwiński
  • J. Dzierżko
  • L. Dobrzański

  - Rok 2004

  W artykule zaprezentowano nową koncepcję tranzystora typu MOS z dwoma poziomo usytuowanymi drenami, który może być wykorzystany jako czujnik pola magnetycznego. Zasada działania nowego czujnika oparta jest na jednym ze zjawisk galwanomagnetycznych.

• Tranzystorowy czujnik pola magnetycznego.

  Publikacja

  • W. Kordalski
  • M. Polowczyk

  - Rok 2004

  Przedstawiono nową konstrukcję tranzystora polowego typu MOS, który może być wykorzystany do pomiaru lub detekcji pola magnetycznego. Zasada działania nowego czujnika oparta jest na jednym ze zjawisk galwanomagnetycznych i nie różni się od zasady działania znanego z literatury przedmiotu tranzystora SD MAGFET. Jednak dzięki oryginalnej konstrukcji, przewidywana czułość nowego tranzystora na zmianę wartości indukcji magnetycznej...

Rok 2003

• Tranzystory organiczne

  Publikacja

  • M. Polowczyk
  • E. Klugmann

  - Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania - Rok 2003

  W artykule przedstawiono budowę, zasady działania i niektóre podstawowe charakterystyki organicznych tranzystorów polowych w oparciu o przegląd najnowszych publikacji naukowych dotyczących tematu. Omówiono tranzystory cienkowarstwowe TFT i typu SIT wykonane uproszczoną technologią z elastycznych i częściowo uporządkowanych materiałów organicznych. Zwrócono uwagę na koncepcję tranzystora molekularnego.

Rok 2002

• Internal friction in FePd alloy during ordering

  Publikacja

  • E. Klugmann
  • M. Polowczyk

  - TRIBOLOGIA - Rok 2002

  Stwierdzono występowanie wysokiego poziomu tarcia wewnętrznego w zahartowanym stopie FePd (50% at. Pd). Zbadano proces uporządkowania atomowego w korelacji ze zmianami tarcia wewnętrznego defektu modułu i relaksacji magnetycznej stopu porządkującego się podczas nagrzewania do 900 K. Zaobserwowano efekt prędkości nagrzewania na punkt Curie.

• Półprzewodniki organiczne

  Publikacja

  • M. Polowczyk
  • E. Klugmann

  - Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania - Rok 2002

  W artykule przedstawiono zwięzły podział półprzewodników organicznych oraz opis zasadniczych właściwości i parametrów elektrycznych istotnych dla zastosowań elektronicznych. Omówiono koncepcje przewodnictwa elektrycznego i fotoprzewodnictwa półprzewodników organicznych.