Wyszukiwarka
Nie znaleźliśmy wyników w zadanych kryteriach!
Ale mamy wyniki w innych katalogach.Filtry
wszystkich: 970
-
Katalog
- Publikacje 865 wyników po odfiltrowaniu
- Osoby 45 wyników po odfiltrowaniu
- Wynalazki 3 wyników po odfiltrowaniu
- Projekty 6 wyników po odfiltrowaniu
- Laboratoria 5 wyników po odfiltrowaniu
- Zespoły Badawcze 2 wyników po odfiltrowaniu
- Aparatura Badawcza 11 wyników po odfiltrowaniu
- Kursy Online 31 wyników po odfiltrowaniu
- Wydarzenia 2 wyników po odfiltrowaniu
Wyniki wyszukiwania dla: TRANZYSTORY MOSFET MOCY
-
Tranzystory organiczne
PublikacjaW artykule przedstawiono budowę, zasady działania i niektóre podstawowe charakterystyki organicznych tranzystorów polowych w oparciu o przegląd najnowszych publikacji naukowych dotyczących tematu. Omówiono tranzystory cienkowarstwowe TFT i typu SIT wykonane uproszczoną technologią z elastycznych i częściowo uporządkowanych materiałów organicznych. Zwrócono uwagę na koncepcję tranzystora molekularnego.
-
A simplified behavioral MOSFET model based on parameters extraction for circuit simulations.
PublikacjaThe paper presents results on behavior modeling of general purpose Metal-Oxide Semiconductor Field-Effect Transistor (MOSFET) for simulation of power electronics systems requiring accuracy both in steady-state and in switching conditions. Methods of parameters extraction including nonlinearity of parasitic capacitances and steady-state characteristics are based on manufacturer data sheet and externally measurable characteristics....
-
TIME- AND FREQUENCY-DOMAIN QUASI-2D SMALL-SIGNAL MOSFET MODELS
PublikacjaA novel approach to small-signal MOSFET modeling is presented in this book. As a result, time- and frequency-domain physics-based quasi-2D NQS four-terminal small-signal MOSFET models are proposed. The time-domain model provides the background to a novel DIBL-included quasi‑2D NQS four-terminal frequency-domain small-signal MOSFET model. Parameters and electrical quantities of the frequency-domain model are described by explicit...
-
A Quasi-2D MOSFET Model — 2D-to-Quasi-2D Transformation
PublikacjaA quasi-two-dimensional (quasi-2D) representation of the MOSFET channel is proposed in this work. The representation lays the foundations for a quasi 2D MOSFET model. The quasi 2D model is a result of a 2D into quasi 2D transformation. The basis for the transformation are an analysis of a current density vector field and such phenomena as Gradual Channel Detachment Effect (GCDE), Channel Thickness Modulation Effect (CTME), and...
-
A quasi-2D small-signal MOSFET model - main results
PublikacjaMain results stemming from a new quasi 2D non-quasi-static small-signal four-terminal model of the MOSFET are presented in this work. The model is experimentally verified up to 30 GHz.
-
A quasi-2D small-signal MOSFET model - main results
PublikacjaDynamic properties of the MOS transistor under small-signal excitation are determined by kinetic parameters of the carriers injected into the channel, i.e., the low-field mobility, velocity saturation, mobility at the quiescent-point (Q-point), longitudinal electric field in the channel, by dynamic properties of the channel, as well as by an electrical coupling between the perturbed carrier concentration in the channel and the...
-
Organiczne tranzystory polowe jako czujniki gazów
PublikacjaArtykuł przedstawia zasadę działania, podstawowe parametry oraz charakterystyki prądowo-napięciowe organicznych tranzystorów polowych (OFET) oraz możliwości wykorzystania tych urządzeń jako czujników gazów. Przedstawiono zasadę działania czujników gazów wykorzystujących OFET, a także potencjalne możliwości aplikacyjne tych urządzeń. Praca przedstawia ponadto przegląd najnowszych doniesień literaturowych dotyczących organicznych...
-
Konwertery mocy
Kursy OnlineKurs składa się z 30 godzinnego wykładu oraz 15 godzinnego laboratorium. Przedstawiane są informacje o układach zasilających realizowanych w formie przetwornic impulsowych. Na wykładzie omawiane są podstawowe konfiguracje przetwornic, zasada działania, ważniejsze parametry oraz sposób analizowania i projektowania. W laboratorium w sposób praktyczny ćwiczy się symulacje działania przetwornic oraz wyznaczanie charakterystyk i podstawowych...
-
Device characteristics extraction by low frequency noise measurements; Someresults on the state-of-the-art MOSFET´s
PublikacjaPrzedstawiono wyniki pomiarów i analizy szumów tranzystorów MOSFET z izolatorem bramki wykonanym z SiO2 i HfO2. Wyniki pomiarów wykorzystano do oszacowania gęstości aktywnych stanów na powierzchni użytego tlenku i porównano z wynikami otrzymanymi metodą charge-pumping.
-
Konwertery mocy 24
Kursy OnlineKurs składa się z 15 godzinnego wykładu oraz 15 godzinnego laboratorium. Omawiane są najważniejsze zagadnienia dotyczące zasilaczy systemów elektronicznych. Na wykładzie prezentowane są podstawowe konfiguracje przetwornic impulsowych oraz stabilizatorów napięcia o działaniu ciągłym. Omawiana jest zasada działania, ważniejsze parametry oraz sposób analizowania i projektowania zasilaczy. W laboratorium wykonywane są dwa rodzaje ćwiczeń....