Wyniki wyszukiwania dla: PRZYRZĄDY PÓŁPRZEWODNIKOWE Z WĘGLIKA KRZEMU
-
Charakterystyka tranzystorów z węglika krzemu w wysokosprawnych przekształtnikach
PublikacjaPółprzewodnikowe przyrządy mocy z węglika krzemu (SiC) osiągnęły poziom technologiczny umożliwiający powszechne stosowanie w układach przekształtnikowych. W artykule omówiono ostatnie osiągnięcia dotyczące układów przekształtnikowych z przyrządami z węglika krzemu oraz wybrane wyniki badań realizowane na Politechnice Gdańskiej. W artykule opisano właściwości statyczne i dynamiczne tranzystorów MOSFET i JFET z węglika krzemu oraz...
-
Budowa i badania prototypowych podukładów funkcjonanych elektronicznych i energoelektronicznych, w tym wysokotemperaturowych, wykorzystujących opracowane elementy i przyrządy - zadanie 3. projektu ''Nowe technologie na bazie węglika krzemu i ich zastosowania w elektronice wielkich częstotliwości, dużych mocy i wysokich temperatur''
PublikacjaPrzedstawiono główne cele zadania 3. projektu zamawianego nt. ''Nowe technologie na bazie węglika krzemu i ich zastosowania w elektronice wielkich częstotliwości dużych mocy i wysokich temperatur''. Są to: badania typowych układów elektronicznych i energoelektronicznych z zastosowaniem kompercyjnych elementów i przyrządów z SiC w celu opracowania rozwiązań, które będą mogły być stosowane w praktyce i będą korzystniejsze niż zastosowane...
-
Układy sterowania bramkowego tranzystorów z węglika krzemu SiC JFET w falownikach napięcia
PublikacjaZastosowanie technologii węglika krzemu (SiC) w falownikach napięcia pozwala na zwiększenie częstotliwości przełączeń oraz temperatury pracy przyrządów półprzewodnikowych. W celu zapewnienia minimalizacji strat oraz określonych właściwości dynamicznych tranzystorów z węglika krzemu wymagane jest stosowanie zaawansowanych układów sterowania bramkowego. W referacie przedstawiono analizę teoretyczną, wyniki badań symulacyjnych oraz...
-
Problemy pomiarów szumów diod z węglika krzemu
PublikacjaPrzedstawiono system do pomiaru szumów m.cz. diod Schottky'ego wykonanych z węglika krzemu (SiC) spolaryzowanych w kierunku przewodzenia i zaporowym, z uwzględnieniem specyfiki pomiaru szumów wybuchowych (RTS). Badane diody charakteryzują się wysokim prądem przewodzenia (do 12A) i wysokim napięciem zaporowym (typowo 600V i 1200V). Omówiono zagadnienia związane ze sposobami polaryzacji badanych diod i ich wpływ na wyniki pomiarów....
-
Pomiary szumów m.cz. tranzystorów MESFET z węglika krzemu
PublikacjaTranzystory MESFET z węglika krzemu typu CRF24010 (CRREE) są przyrządami mocy przeznaczonymi do pracy w zakresie wysokich częstotliwości. Ze względu na możliwość oceny technologii tych przyrządów, a także ich jakości celowe jest określenie ich właściwości szumowych w zakresie małych częstotliwości. Przedstawiono wyniki badań wykonanych w celu oceny właściowści szumowych tranzystorów MESFET z SiC oraz zaproponowano schemat szumowy...
-
Pomiary szumów m.cz. diod Schottky'ego z węglika krzemu spolaryzowanych w kierunku przewodzenia
PublikacjaPrzedstawiono wyniki pomiarów szumów małej częstotliwości diod Schottky'ego wykonanych z węglika krzemu polaryzowanych w kierunku przewodzenia. Badania przeprowadzono dla diod o nominalnym prądzie przewodzenia IF od 2 A do 12 A.
-
Przyrządy Półprzewodnikowe 2023 - ACiR, IBM - sem. 2
Kursy OnlinePrzyrządy Półprzewodnikowe - wykład 2023 dla studentów I stopnia, 2 sem. kierunków ACiR i IBM na WETI
-
Przyrządy Półprzewodnikowe 2022 - ACiR, IBM - sem. 2
Kursy OnlinePrzyrządy Półprzewodnikowe - wykład 2022 dla studentów I stopnia, 1 sem. kierunków ACiR i IBM na WETI
-
Przyrządy Półprzewodnikowe 2024 - ACiR, IBM - sem. 2
Kursy OnlinePrzyrządy Półprzewodnikowe - wykład 2024 dla studentów I stopnia, 2 sem. kierunków ACiR i IBM na WETI
-
Ocena jakości elementów z węglika krzemu metodą pomiaru szumów z zakresu małych częstotliwości
PublikacjaPrzedstawiono zagadnienie powiązania parametrów szumowych elementów elektronicznych z jakością ich wykonania. Przedstawiono stan badań intensywności metod oceny jakości elementów elektronicznych przez pomiar ich parametrów szumowych oraz propozycję ich zastosowania do oceny jakości elementów z węglika krzemu.
-
Przyrządy półprzewodnikowe - laboratorium 2021/22zima
Kursy Online -
Silicon carbide application issues
PublikacjaThe main goals of Task 3 and Task 4 of the ordered project ''New technologies based on silicon carbide and their application in HF, high power and high temperature electronics'' are presented
-
Badanie właściwości elementów mocy z węglika krzemu w zastosowaniach układowych
PublikacjaW artykule prezentowane są wyniki badania właściwości elementów SiC w zastosowaniach układowych. Do celów pomiarowych zaprojektowano układ przetwornicy realizujący konfigurację buck oraz boost z elementami aktywnymi z SiC oraz z krzemu, jako elementami referencyjnymi. Układ przetwornicy był badany dla różnych zestawów elementów, konfiguracji i parametrów pracy.
-
Przyrządy Półprzewodnikowe - laboratorium 2022/23 - Zima
Kursy Online -
Przyrządy Półprzewodnikowe - lab - 23/24 zima
Kursy Online -
Marek Adamowicz dr hab. inż.
OsobyStopień naukowy doktora uzyskał w 2008 r. na Wydziale Elektrotechniki i Automatyki Politechniki Gdańskiej. W latach 2005 – 2011 pracował na Akademii Morskiej w Gdyni. W 2010 r. jako laureat programu NCBR LIDER wybrał Wydział Elektrotechniki i Automatyki Politechniki Gdańskiej jako jednostkę realizującą swój projekt z zakresu szerokopasmowych przyrządów półprzewodnikowych i ich zastosowań w elektrowniach wiatrowych. Od 2011 roku...
-
Przeprowadzenie prób obejmujących miernictwo i charakteryzację opracowanych elementów, przyrządów i prototypowych podukładów funkcjonalnych zgodnie z obowiązującymi normami - zadanie 4. projektu ''Nowe technologie na bazie węglika krzemu i ich zastosowania w elektronice wielkich częstotliwości, dużych mocy i wysokich temperatur''
PublikacjaPrzedstawionmo główne cele zadania 4. projektu zamawianego nt. ''Nowe technologie na bazie węglika krzemu i ich zastosowania w elektronice wielkich częstotliwości dużych mocy i wysokich temperatur. Są to: analiza właściwości produkowanych obecnie komercyjnych elementów i przyrządów półprzewodnikowych z SiC oraz przygotowanie stanowisk laboratoryjnych do pomiarów parametrów i chrakterystyk tych przyrządów.Przewidywane jest opracowanie...
-
Analysis of size and shape of abrasive micrograins in lapping of assembly joints
PublikacjaPrzedstawiono skomputeryzowana analizę wielkości i kształtu mikroziaren ściernych. W badaniach mikroziaren węglika boru, węglika krzemu i elektrokorundu zastosowano mikroskopie optyczna oraz specjalistyczne oprogramowanie MultiScan v.6.08
-
Noise in semiconductor devices
PublikacjaOmówiono typowe źródła szumów występujące w przyrządach pólprzewodnikowych, a mianowicie: cieplne, śrutowe, generacyjno-rekombinacyjne, 1/f, 1/f2, wybuchowe (RTS), lawinowe. Przedstawiono szumowe schematy zastępcze tranzystora bipolarnego, JFET i MOSFET oraz opisano wydajności poszczególnych źródeł szumów. Zasugerowano jak dobierać przyrządy półprzewodnikowe do małoszumowych układów w zakresie małych częstotliwości.
-
Komputerowa analiza wielkości mikroziaren ściernych.
PublikacjaPrzedstawiono wyniki badań wielkości mikroziaren ściernych węglika krzemu, elektrokorundu i węglika boru. W badaniach wykorzystano analizator laserowy firmy Fritsch Gmbh. Wyznaczono rozkład prawdopodobieństwa wielkości mikroziaren oraz liczności skumulowanej szeregów rozdzielczych. Scharakteryzowano zasady pomiaru oraz porównano znane metody badania wielkości ziaren.