Wyniki wyszukiwania dla: sic
-
Evaluation of SiC JFETs and SiC Schottky diodes for wind generation systems
Publikacja -
The Low-frequency Noise of SiC MESFETs
PublikacjaPrzedstawiono system do pomiaru szumów małoczestotliwościowych tranzystorów SiC MESFET oraz przykładowe wyniki pomiarów.
-
Wysokoczęstotliwościowy przekształtnik z tranzystorami SiC JFET
PublikacjaW referacie przedstawiono konstrukcję oraz wyniki badań trójfazowego falownika napięcia zbudowanego z wykorzystaniem diod Schottky oraz tranzystorów JFET z węglika krzemu (SiC). Znacznie krótsze czasy przełączeń tych elementów w porównaniu z tranzystorami IGBT i diodami na bazie krzemu (Si) umożliwiają pracę układu z częstotliwością 100 kHz i wyższą. Duża stromość narastania napięcia rzędu dziesiątek kV/µs powoduje problemy EMC...
-
Effect of SiC on the corrosion behaviour of chromium coatings
PublikacjaWarstwy kompozytowe Cr-SiC osadzono z kąpieli zawierającej Cr(VI) oraz zielony proszek SiC. Zawartość SiC w warstwie chromowej wynosiła od 0,1-0,9% wag. Badania XPS wykazały iż SiC pokrywała warstwa SiO2, która powstała w wyniku utleniania SiC za pomocą Cr(VI). Przeprowadzono badania potencjodynamiczne i badania za pomocą spektroskopii impedancyjnej w celu określenia właściwości korozyjnych warstw Cr-SiC w środowisku kwaśnym....
-
DFT modelling of the edge dislocation in 4H-SiC
Publikacja -
The Low Frequency Noise Behaviour of SiC MESFETs
Publikacja -
Trójfazowy falownik napięcia z tranzystorami SiC JFET
PublikacjaW referacie przedstawiono konstrukcję oraz wyniki badań trójfazowego falownika napięcia zbudowanego z wykorzystaniem diod Schottky oraz tranzystorów JFET z węglika krzemu (SiC). Znacznie krótsze czasy przełączeń tych elementów w porównaniu z tranzystorami IGBT i diodami na bazie krzemu (Si) umożliwiają pracę układu z częstotliwością 100 kHz i wyższą. Małe energie przełączeń oraz mała rezystancja drenu tranzystorów SiC JFET pozwalają...
-
Ocena parametrów statycznych diod Schottky'ego z SiC
PublikacjaPrzedstawiono wyniki pomiarów parametrów statycznych 3 prób diod Schottky'ego produkcji CREE i 2 prób diod Schottky'ego produkcji INFINEON. Stwierdzono, że charakterystyki przy polaryzacji diod w kierunku przewodzenia są w zasadzie identyczne, natomiast przy polaryzacji w kierunku zaporowym wykazują istotne różnice, szczególnie w zakresie napięć w kierunku zaporowym powyżej 600 V
-
Hydrogen activated axial inter-conversion in SiC nanowires
Publikacja -
Sic-A Journal of Literature Culture and Literary Translation
Czasopisma -
Modification of SiC based nanorods via a hydrogenated annealing process
Publikacja -
Thermally Induced Templated Synthesis for the Formation of SiC Nanotubes and more
Publikacja -
Metody badania właściwości szumowych elementów mocy z SiC
PublikacjaW artykule przedstawiono metody i układy pomiarowe do pomiarów szumów z zakresu małych częstotliwości diod mocy wykonanych z węglika krzemu. Pomiary prowadzone były przy polaryzacji badanych elementów w kierunku przewodzenia i zaporowym. Opracowano układ automatycznej kompensacji składowej stałoprądowej, który umożliwia obserwację i rejestrację szumów wybuchowych.
-
Metody badania właściwości szumowych elementów mocy z SIC
Publikacja..
-
SiC-based T-type modules for multi-pulse inverter with coupled inductors
PublikacjaThe paper presents SiC-based three-level T-type modules designed for a high-performance 30kVA DC/AC inverter operating at high frequency 85 kHz with low THD of the output voltage. This inverter system consists of two integrated parts. The first part is active and contains three parallelconnected three-phase T-type modules built with fast-switching SiC power transistors. The second, passive part of the system is a set of inductors...
-
Applying molecular dynamics simulation to take the fracture fingerprint of polycrystalline SiC nanosheets
PublikacjaGraphene-like nanosheets are the key elements of advanced materials and systems. The mechanical behavior of the structurally perfect 2D nanostructures is well documented, but that of polycrystalline ones is less understood. Herein, we applied molecular dynamics simulation (MDS) to take the fracture fingerprint of polycrystalline SiC nanosheets (PSiCNS), where monocrystalline SiC nanosheets (MSiCNS) was the reference nanosheet....
-
Performance comparison of SiC Schottky diodes and silicon ultra fast recovery diodes
Publikacja -
Ru/Al2O3 on Polymer-Derived SiC Foams as Structured Catalysts for CO2 Methanation
Publikacja -
Processing of polymer‐derived, aerogel‐filled, SiC foams for high‐temperature insulation
Publikacja -
Enhancement of second harmonic generation in nanocrystalline SiC films based natural microcavities
Publikacja