Wyszukiwarka
Nie znaleźliśmy wyników w zadanych kryteriach!
Ale mamy wyniki w innych katalogach.Filtry
wszystkich: 177
-
Katalog
Wyniki wyszukiwania dla: TRANZYSTORY CIENKOWARSTWOWE
-
Chromatografia cienkowarstwowa.
PublikacjaZasada procesu chromatograficznego w układach cienkowarstwowych. Wpływ fazy gazowej na parametry retencji. Porównanie konwencjonalnej warstwy i wysokosprawnej - wady - zalety. Sposoby rozwijania chromatogramu, rodzaje faz stacjonarnych i ruchomych. Zastosowanie TLC do wstępnej oceny składu mieszaniny.
-
Tranzystory organiczne
PublikacjaW artykule przedstawiono budowę, zasady działania i niektóre podstawowe charakterystyki organicznych tranzystorów polowych w oparciu o przegląd najnowszych publikacji naukowych dotyczących tematu. Omówiono tranzystory cienkowarstwowe TFT i typu SIT wykonane uproszczoną technologią z elastycznych i częściowo uporządkowanych materiałów organicznych. Zwrócono uwagę na koncepcję tranzystora molekularnego.
-
Niskokoherencyjne czujniki światłowodowe wykorzystujące cienkowarstwowe struktury nanodiamentowe
PublikacjaZnaczny rozwój technologii wytwarzania czujników światłowodowych spowodował, że są one powszechnie dostępne i stosowane w wielu gałęziach przemysłu, nauki oraz medycyny. Zastosowanie nowych materiałów w konstrukcji takich czujników niesie za sobą duży potencjał. Celem rozprawy jest przedstawienie możliwości wykorzystania cienkowarstwowych struktur nanodiamentowych w niskokoherencyjnych czujnikach światłowodowych, które poprawią...
-
Badanie cienkowarstwowego bolometru z LSFO
PublikacjaW artykule przedstawiono wyniki badania procesów starzeniowych warstw z niestechiometrycznych tlenków Lantanowo-strontowo-żelazowych. Zaprezentowano wyniki pomiaru termicznej stałej czasowej bolometrów wykorzystujących badane warstwy. Przedstawiono wyniki bezkontaktowego pomiaru temperatury ciała czarnego o temperaturze 38 stopni Celcjusza.
-
Behawioralny model tranzystora IGBT
PublikacjaW artykule przedstawiono rezultaty prac nad uniwersalnym modelem tranzystora bipolarnego z izolowaną bramką (IGBT), przydatnym w symulacjach układów energoelektronicznych wymagających odwzorowania stanów ustalonych i dynamicznych. Rozważono behawioralny model IGBT w układzie klasycznym z nieliniowymi aproksymacjami pojemności pasożytniczych. Eksperymentalne testy modelu modułu IGBT typu CM200DY-24A (Mitsubishi) przeprowadzono w...
-
Organiczne tranzystory polowe jako czujniki gazów
PublikacjaArtykuł przedstawia zasadę działania, podstawowe parametry oraz charakterystyki prądowo-napięciowe organicznych tranzystorów polowych (OFET) oraz możliwości wykorzystania tych urządzeń jako czujników gazów. Przedstawiono zasadę działania czujników gazów wykorzystujących OFET, a także potencjalne możliwości aplikacyjne tych urządzeń. Praca przedstawia ponadto przegląd najnowszych doniesień literaturowych dotyczących organicznych...
-
Małosygnałowy model tranzystora typu MAGFET
PublikacjaWyprowadzono małosygnałowy model tranzystora typu MAGFET pracującego jako czujnik pola magnetycznego, w którym uwzględniono wzajemne oddziaływanie napięć drenów. Wykorzystując nowoopracowany model obliczono czułość napięciową typowego układu pracy MAGFET-a na pole magnetyczne.
-
Stałoprądowy model tranzystora typu HSD MAGFET
PublikacjaZaproponowano stałoprądowy model dwudrenowego tranzystora polowego typu HSD MAGFET, wykorzystywanego jako czujnik pola magnetycznego o dużej czułości na zmiany pola magnetycznego i dużej geometrycznej rozdzielczości pomiarowej. Zaprezentowany model odzwierciedla zjawisko podziału prądu płynącego w kanale tranzystora na prądy drenów i uwzględnia wzajemne oddziaływanie napięć drenów VDS1 i VDS2 na prady drenów ID1 i ID2 poprzez wprowadzenie...
-
Weryfikacja stałoprądowego modelu tranzystora typu MAGFET
PublikacjaZaproponowano kompletny, stałoprĄdowy model tranzystora typu MAGFET wykorzystywanego jako czujnik pola magnetycznego. Zaprezentowany model odzwierciedla zależnoŚć podziału prĄdu płynącego w kanale tranzystora na prądy drenów od napięć drenów.
-
Tranzystorowy czujnik pola magnetycznego.
PublikacjaPrzedstawiono nową konstrukcję tranzystora polowego typu MOS, który może być wykorzystany do pomiaru lub detekcji pola magnetycznego. Zasada działania nowego czujnika oparta jest na jednym ze zjawisk galwanomagnetycznych i nie różni się od zasady działania znanego z literatury przedmiotu tranzystora SD MAGFET. Jednak dzięki oryginalnej konstrukcji, przewidywana czułość nowego tranzystora na zmianę wartości indukcji magnetycznej...