Wyniki wyszukiwania dla: WEGLIKI TIC

• 3C Tic

  Czasopisma

  ISSN: 2254-6529

• Układy sterowania bramkowego tranzystorów z węglika krzemu SiC JFET w falownikach napięcia

  Publikacja

  • M. Adamowicz
  • J. Pietryka
  • S. Giziewski
  • M. Rutkowski
  • Z. Krzemiński

  - Przegląd Elektrotechniczny - Rok 2012

  Zastosowanie technologii węglika krzemu (SiC) w falownikach napięcia pozwala na zwiększenie częstotliwości przełączeń oraz temperatury pracy przyrządów półprzewodnikowych. W celu zapewnienia minimalizacji strat oraz określonych właściwości dynamicznych tranzystorów z węglika krzemu wymagane jest stosowanie zaawansowanych układów sterowania bramkowego. W referacie przedstawiono analizę teoretyczną, wyniki badań symulacyjnych oraz...

  Pełny tekst do pobrania w serwisie zewnętrznym

• Projektowanie i badania wysokosprawnej ładowarki dwukierunkowej z tranzystorami z węglika krzemu (SiC)

  Publikacja

  • P. Banach
  • P. Milewski

  - Rok 2019

• A novel (Ti/Ce)UiO-X MOFs@TiO2 heterojunction for enhanced photocatalytic performance: Boosting via Ce4+/Ce3+ and Ti4+/Ti3+ redox mediators

  Publikacja

  • P. Parnicka
  • W. Lisowski
  • T. Klimczuk
  • A. Mikolajczyk
  • A. Zaleska-Medynska

  - APPLIED CATALYSIS B-ENVIRONMENTAL - Rok 2022

  Titanium-substituted cerium-oxo-based UiO MOFs with terephthalate linkers modified by various groups (–Br, –NH2, –NO2) or their derivatives (N-heterocyclic or biphenyl groups) were combined with titanium dioxide in a multistep route to obtain a core-shell-like architecture. DFT simulations showed that Ce- and bimetallic Ti/Ce- MOFs exhibited different charge compensation. Extended characterization revealed the formation of heterojunctions between...

  Pełny tekst do pobrania w serwisie zewnętrznym

• Problemy pomiarów szumów diod z węglika krzemu

  Publikacja

  • A. Szewczyk

  - Rok 2009

  Przedstawiono system do pomiaru szumów m.cz. diod Schottky'ego wykonanych z węglika krzemu (SiC) spolaryzowanych w kierunku przewodzenia i zaporowym, z uwzględnieniem specyfiki pomiaru szumów wybuchowych (RTS). Badane diody charakteryzują się wysokim prądem przewodzenia (do 12A) i wysokim napięciem zaporowym (typowo 600V i 1200V). Omówiono zagadnienia związane ze sposobami polaryzacji badanych diod i ich wpływ na wyniki pomiarów....

• Characterization of the c-BN/TiC, Ti3SiC2 systems by element selectivespectroscopy.

  Publikacja

  • E. Piskorska
  • K. Ławniczak-Jabłońska
  • I. Demchenko
  • R. Minikayev
  • E. Benko
  • P. Klimczyk
  • A. Witkowska
  • E. Welter
  • M. Heinonen

  - Rok 2004

  Pomimo dużego technologicznego zainteresowania tytanowymi kompozytami bazującymi na c-BN daje się zauważyć wyraźny brak danych dotyczących lokalnego otoczenia atomów Ti w tego typu materiałach. Główna przyczyna tego stanu rzeczy tkwi w trudności związanej z analizą układu wielofazowego o dużej twardości za pomocą konwencjonalnych metod. Praca poświęcona jest analizie składu i struktury tytanowych kompozytów za pomocą atomowo-selektywnych...

• Tec Empresarial

  Czasopisma

  eISSN: 1659-2395

• Silicon carbide application issues

  Publikacja

  • A. Konczakowska
  • A. Szewczyk
  • R. Barlik
  • M. Nowak
  • J. Rąbkowski

  - Rok 2007

  The main goals of Task 3 and Task 4 of the ordered project ''New technologies based on silicon carbide and their application in HF, high power and high temperature electronics'' are presented

• Charakterystyka tranzystorów z węglika krzemu w wysokosprawnych przekształtnikach

  Publikacja

  • M. Adamowicz

  - Automatyka Elektryka Zakłócenia - Rok 2014

  Półprzewodnikowe przyrządy mocy z węglika krzemu (SiC) osiągnęły poziom technologiczny umożliwiający powszechne stosowanie w układach przekształtnikowych. W artykule omówiono ostatnie osiągnięcia dotyczące układów przekształtnikowych z przyrządami z węglika krzemu oraz wybrane wyniki badań realizowane na Politechnice Gdańskiej. W artykule opisano właściwości statyczne i dynamiczne tranzystorów MOSFET i JFET z węglika krzemu oraz...

• Pomiary szumów m.cz. tranzystorów MESFET z węglika krzemu

  Publikacja

  • A. Konczakowska
  • J. A. Cichosz

  - Rok 2010

  Tranzystory MESFET z węglika krzemu typu CRF24010 (CRREE) są przyrządami mocy przeznaczonymi do pracy w zakresie wysokich częstotliwości. Ze względu na możliwość oceny technologii tych przyrządów, a także ich jakości celowe jest określenie ich właściwości szumowych w zakresie małych częstotliwości. Przedstawiono wyniki badań wykonanych w celu oceny właściowści szumowych tranzystorów MESFET z SiC oraz zaproponowano schemat szumowy...