Filtry
wszystkich: 7193
-
Katalog
- Publikacje 6241 wyników po odfiltrowaniu
- Czasopisma 98 wyników po odfiltrowaniu
- Konferencje 39 wyników po odfiltrowaniu
- Osoby 180 wyników po odfiltrowaniu
- Wynalazki 6 wyników po odfiltrowaniu
- Projekty 13 wyników po odfiltrowaniu
- Laboratoria 2 wyników po odfiltrowaniu
- Zespoły Badawcze 6 wyników po odfiltrowaniu
- Kursy Online 127 wyników po odfiltrowaniu
- Wydarzenia 21 wyników po odfiltrowaniu
- Dane Badawcze 460 wyników po odfiltrowaniu
wyświetlamy 1000 najlepszych wyników Pomoc
Wyniki wyszukiwania dla: MOSFET MODELING
-
JOURNAL OF MOLECULAR MODELING
Czasopisma -
Journal of Chemical Information and Modeling
Czasopisma -
APPLIED MATHEMATICAL MODELLING
Czasopisma -
Dependence Modeling
Czasopisma -
Multidiscipline Modeling in Materials and Structures
Czasopisma -
Selection of the most adequate trip-modelling tool for integrated transport planning system
Publikacja -
A quasi-2D small-signal MOSFET model - main results
PublikacjaDynamic properties of the MOS transistor under small-signal excitation are determined by kinetic parameters of the carriers injected into the channel, i.e., the low-field mobility, velocity saturation, mobility at the quiescent-point (Q-point), longitudinal electric field in the channel, by dynamic properties of the channel, as well as by an electrical coupling between the perturbed carrier concentration in the channel and the...
-
A Quasi-2D MOSFET Model — 2D-to-Quasi-2D Transformation
PublikacjaA quasi-two-dimensional (quasi-2D) representation of the MOSFET channel is proposed in this work. The representation lays the foundations for a quasi 2D MOSFET model. The quasi 2D model is a result of a 2D into quasi 2D transformation. The basis for the transformation are an analysis of a current density vector field and such phenomena as Gradual Channel Detachment Effect (GCDE), Channel Thickness Modulation Effect (CTME), and...
-
A quasi-2D small-signal MOSFET model - main results
PublikacjaMain results stemming from a new quasi 2D non-quasi-static small-signal four-terminal model of the MOSFET are presented in this work. The model is experimentally verified up to 30 GHz.
-
Modeling pragmatics for visual modeling language evaluation
PublikacjaPodczas oceny użyteczności języków modelowania wizualnego istnieje potrzeba uwzględnienia ich pragmatyki. Języki modelowania wizualnego mogą być stosowane w różnym kontekście, co powoduje różnice w wymaganiach, które są im stawiane. Jawny opis kontekstu użycia ułatwia precyzyjną ocenę. Pragmatyka składa się ze zbioru profili, które opisują konkretne konteksty użycia. W referacie podjęto próbę zastosowania modeli zadań do opisu...
-
JOURNAL OF MOLECULAR GRAPHICS & MODELLING
Czasopisma -
Multi-Transformer Flyback Converter for Supplying Isolated IGBT and MOSFET Drivers
PublikacjaA multi transformer flyback converter topology for supplying transistor drivers is presented. The topology presents some advantages over typical multi output single transformer, as reduction of effective leakage inductance, equal magnetic coupling between primary and secondary circuits and better isolation between outputs. Simulation study carried out in the LTSpice IV program and preliminary experimental results indicate high...
-
A simplified behavioral MOSFET model based on parameters extraction for circuit simulations.
PublikacjaThe paper presents results on behavior modeling of general purpose Metal-Oxide Semiconductor Field-Effect Transistor (MOSFET) for simulation of power electronics systems requiring accuracy both in steady-state and in switching conditions. Methods of parameters extraction including nonlinearity of parasitic capacitances and steady-state characteristics are based on manufacturer data sheet and externally measurable characteristics....
-
TIME- AND FREQUENCY-DOMAIN QUASI-2D SMALL-SIGNAL MOSFET MODELS
PublikacjaA novel approach to small-signal MOSFET modeling is presented in this book. As a result, time- and frequency-domain physics-based quasi-2D NQS four-terminal small-signal MOSFET models are proposed. The time-domain model provides the background to a novel DIBL-included quasi‑2D NQS four-terminal frequency-domain small-signal MOSFET model. Parameters and electrical quantities of the frequency-domain model are described by explicit...
-
Journal of Multiscale Modeling
Czasopisma -
ENVIRONMENTAL MODELING & ASSESSMENT
Czasopisma -
Journal of Mathematical Modeling
Czasopisma -
Statistics & Risk Modeling
Czasopisma -
Computer Research and Modeling
Czasopisma -
Computational Mathematics and Modeling
Czasopisma -
Mathematical Modeling and Computing
Czasopisma -
NATURAL RESOURCE MODELING
Czasopisma -
Journal for Modeling in Ophthalmology
Czasopisma -
MODELING IDENTIFICATION AND CONTROL
Czasopisma -
Software and Systems Modeling
Czasopisma -
Scientific Modeling and Simulations
Czasopisma -
ECONOMIC MODELLING
Czasopisma -
STATISTICAL MODELLING
Czasopisma -
Magnetic field microsensor based on GaAs MESFET
PublikacjaA novel concept of the drain separation design in a horizontally-split-drain GaAs MAGFET sensor, based on epitaxial layer growth, was developed. Proper choice of GaAs/AlAs/GaAs epitaxial layer sequence provided good electrical isolation between the drain regions. The measured leakage current between the drain regions was in the range of nA for up to 2V drain voltage bias difference. Performed analytical and numerical calculations...
-
Compatible DC and small-signal MOSFET models for radio and microwave frequency simulation
PublikacjaZaprezentowano nowy model stałoprądowy tranzystora MOS i kompatybilny z nim uogólniony nie-quasi-statyczny model małosygnałowy. Model stałoprądowy został eksperymentalnie zweryfikowany dla tranzystorów MOS o długości kanału od 75 nm do kilkunastu mikrometrów, a model małosygnałowy od zera herców do 30 GHz.
-
A Model for Low Frequency Noise Generation in MOSFETs.
PublikacjaPrzedstawiono model generacji szumów małoczęstotliwosciowych tranzystora MOS. Model został użyty do symulacji szumów cienkotlenkowych tranzystorów MOS. Wyniki symulacji porównano z danymi pomiarowymi. Zaprezentowano sposób wykorzystania pomiarów szumów m.cz. do wyznaczania niektórych parametrów charakteryzujących tranzystory MOS.
-
Systems Analysis Modelling Simulation
Czasopisma -
Sparse autoregressive modeling
PublikacjaIn the paper the comparison of the popular pitch determination (PD) algorithms for thepurpose of elimination of clicks from archive audio signals using sparse autoregressive (SAR)modeling is presented. The SAR signal representation has been widely used in code-excitedlinear prediction (CELP) systems. The appropriate construction of the SAR model is requiredto guarantee model stability. For this reason the signal representation...
-
MULTISCALE MODELING & SIMULATION
Czasopisma -
Chemical Product and Process Modeling
Czasopisma -
Journal of Computational Simulation and Modeling
Czasopisma -
Journal of Water Management Modeling
Czasopisma -
Complex Adaptive Systems Modeling
Czasopisma -
Advances in Modeling and Analysis C
Czasopisma -
Journal of Peridynamics and Nonlocal Modeling
Czasopisma -
Journal of Nonlinear Modeling and Analysis
Czasopisma -
Multi-transformer primary-side regulated flyback converter for supplying isolated IGBT and MOSFET drivers
PublikacjaThis paper presents primary-side voltage regulated multi-transformer quasi-resonant flyback converter (MTFC) for supplying isolated power switch drivers. The proposed topology offers distinct advantages over frequently used flyback converter possessing one high frequency transformer with isolated multiple outputs. Particularly, when a large number of separate dc supply units is required, then MTFC enables improved regular distribution...
-
A non-quasi-static small-signal model of the four-terminal MOSFET for radio and microwave frequencies.
PublikacjaW pracy zaprezentowano nowy małosygnałowy model tranzystora MOS, w którymuwzględnia się efekt nasycenia prędkości nośników. Model jest spójny fizycznie i może być stosowany w analizie dowolnej konfiguracji włączenia tranzystora.
-
Device characteristics extraction by low frequency noise measurements; Someresults on the state-of-the-art MOSFET´s
PublikacjaPrzedstawiono wyniki pomiarów i analizy szumów tranzystorów MOSFET z izolatorem bramki wykonanym z SiO2 i HfO2. Wyniki pomiarów wykorzystano do oszacowania gęstości aktywnych stanów na powierzchni użytego tlenku i porównano z wynikami otrzymanymi metodą charge-pumping.
-
Cezary Orłowski prof. dr hab. inż.
Osoby -
COMBUSTION THEORY AND MODELLING
Czasopisma -
Journal of Modelling in Management
Czasopisma -
Journal of Choice Modelling
Czasopisma -
Journal of Language Modelling
Czasopisma -
Modelling, Measurement and Control A
Czasopisma