Wyniki wyszukiwania dla: MODELOWANIE TRANZYSTORÓW POLOWYCH

• Detekcja materiałów przy użyciu organicznych tranzystorów polowych

  Publikacja

  • M. Franz

  - Rok 2017

  W ciągu ostatnich dwudziestu lat nastąpił rozwój elektroniki organicznej, która stała się ważnym obszarem badań naukowych i technologicznych. Organiczne ogniwa fotowoltaiczne i organiczne diody elektroluminescencyjne zostały wykorzystane w urządzeniach komercyjnych, a jednym z najbardziej obiecujących zastosowań dla organicznych tranzystorów polowych są czujniki chemiczne i biologiczne. Postęp w tej dziedzinie jest tematem tego...

  Pełny tekst do pobrania w portalu

• Behawioralne modelowanie tranzystorów IGBT do symulacji układów energoelektronicznych

  Publikacja

  • M. Turzyński

  - Rok 2012

  W monografii dokonano syntezy behawioralnego modelu tranzystora IGBT o strukturze klasycznej, odzwierciedlającego właściwości statyczne oraz dynamiczne IGBT. Zaproponowane metody identyfikacji parametrów modelu bazują na danych katalogowych oraz wynikach eksperymentalnych. Do zaproponowanych metod identyfikacji parametrów modelu wymagane są dane katalogowe, tj. charakterystyki statyczne: iC(uGE), uC(uCE) oraz charakterystyka dynamiczna...

• Modelowanie układu przetwornicy rezonansowej dc-dc z miękką komutacją tranzystorów.

  Publikacja

  • K. Kowalewski
  • A. Lewicki

  - Rok 2004

  W referacie zaprezentowano model matematyczny przetwornicy DC-DC, który umożliwia przeprowadzenie badań symulacyjnych układu przetwornicy oraz dobór parametrów głównych jej elementów.

• Behawioralne modelowanie i symulacja tranzystorów IGBT w układach energoelektronicznych = Behavioural modeling and simulation of IGBT transistors in power electronics systems

  Publikacja

  • M. Turzyński
  • P. Chrzan

  - Rok 2006

  W referacie przedstawiono rezultaty prac nad modelem tranzystora bipolarnego z izolowaną bramką (IGBT), przydatnym w symulacjach układów energoelektronicznych wymagających odwzorowania zarówno stanów ustalonych jak i dynamicznych przy przełączaniu. Rozważono behawioralny model IGBT o reprezentacji za pomocą równań stanu przy wykorzystaniu katalogowych charakterystyk statycznych oraz nieliniowych aproksymacji pojemności pasożytniczych....

• Organiczne tranzystory polowe jako czujniki gazów

  Publikacja

  • M. Franz
  • J. Godlewski

  - Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania - Rok 2017

  Artykuł przedstawia zasadę działania, podstawowe parametry oraz charakterystyki prądowo-napięciowe organicznych tranzystorów polowych (OFET) oraz możliwości wykorzystania tych urządzeń jako czujników gazów. Przedstawiono zasadę działania czujników gazów wykorzystujących OFET, a także potencjalne możliwości aplikacyjne tych urządzeń. Praca przedstawia ponadto przegląd najnowszych doniesień literaturowych dotyczących organicznych...

  Pełny tekst do pobrania w serwisie zewnętrznym

• Tranzystory organiczne

  Publikacja

  • M. Polowczyk
  • E. Klugmann

  - Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania - Rok 2003

  W artykule przedstawiono budowę, zasady działania i niektóre podstawowe charakterystyki organicznych tranzystorów polowych w oparciu o przegląd najnowszych publikacji naukowych dotyczących tematu. Omówiono tranzystory cienkowarstwowe TFT i typu SIT wykonane uproszczoną technologią z elastycznych i częściowo uporządkowanych materiałów organicznych. Zwrócono uwagę na koncepcję tranzystora molekularnego.

• Jakub Konkol dr inż.

  Osoby

  Katedra Geotechniki i Inżynierii Wodnej

• Modelowanie Inżynierskie

  Czasopisma

  ISSN: 1896-771X

• RECENT ADVANCES IN GRAPHENE APPLICATION FOR ELECTRONIC SENSING

  Publikacja

  • M. Łuszczek
  • D. Świsulski

  - Zeszyty Naukowe Wydziału Elektrotechniki i Automatyki Politechniki Gdańskiej - Rok 2015

  The great interest in graphene is caused by its potential for constructing various sensors exhibiting excellent parameters. The high carrier mobility and the unique band structure of graphene makes it promising especially in the field-effect transistors (GFET) applications. In this article, recent advances of the selected graphene-based sensor applications were presented and the possible directions for further investigations were...

  Pełny tekst do pobrania w portalu

• Metody usuwania zakłóceń podczas pomiarów polowych widm Ramana

  Publikacja

  • A. Kwiatkowski
  • J. Smulko

  - Rok 2013

  W pracy zostały scharakteryzowane źródła zakłóceń występujące podczas pomiarów widm Ramana w warunkach polowych. Zaprezentowano wpływ czasu integracji na jakość rejestrowanych widm w przypadkach, gdy szumy własne spektrometru mają składową typu 1/f, dominującą w zakresie małych częstotliwości. Przedstawiono także wyniki uzyskane podczas pomiarów z detekcją synchroniczną, stosowaną w przenośnych spektrometrach Ramana, w pomiarach...