Wyniki wyszukiwania dla: SZUMY MAŁOCZESTOTLIWOŚCIOWE

• Systemy do pomiaru szumów własnych przyrządów półprzewodnikowych w zakresie małych częstotliwości

  Publikacja

  • J. A. Cichosz
  • A. Szewczyk
  • B. Stawarz-Graczyk

  - Rok 2009

  Przedstawiono schemat blokowy systemu do pomiaru szumów z zakresu małych częstotliwości przyrządów półprzewodnikowych. Opisano najważniejsze podzespoły takiego systemu oraz ich wpływ na wyniki pomiaru szumów.

• The Low-frequency Noise of SiC MESFETs

  Publikacja

  • J. A. Cichosz
  • A. Konczakowska

  - Rok 2009

  Przedstawiono system do pomiaru szumów małoczestotliwościowych tranzystorów SiC MESFET oraz przykładowe wyniki pomiarów.

• Factors determining the production testing of high reliability interference supressor capacitors.

  Publikacja

  • L. Hasse
  • K. Rogala
  • L. Spiralski
  • J. Turczyński

  - Rok 2004

  Przyjęto nieliniowości i właściwości szumowe kondensatora jako kryteria selekcji kondensatorów przeciwzakłóceniowych na klasy o zróżnicowanej niezawodności. Poprawia to proces oceny jakości kondensatorów o podwyższonej niezawodności. Przedstawiono zastosowanie technik pomiaru nieliniowości i szumów w systemie do produkcyjnego testowania kondensatorów przeciwzakłóceniowych o podwyższonej niezawodności. Przytoczono wybrane wyniki...

• A Model for Low Frequency Noise Generation in MOSFETs.

  Publikacja

  • A. Szewczyk
  • J. A. Chroboczek

  - Rok 2004

  Przedstawiono model generacji szumów małoczęstotliwosciowych tranzystora MOS. Model został użyty do symulacji szumów cienkotlenkowych tranzystorów MOS. Wyniki symulacji porównano z danymi pomiarowymi. Zaprezentowano sposób wykorzystania pomiarów szumów m.cz. do wyznaczania niektórych parametrów charakteryzujących tranzystory MOS.

• Low frequency noise and reliability properties of 0.12um CMOS devices with Ta2O5 as gate dielectrics

  Publikacja

  • M. Fadlallah
  • A. Szewczyk
  • C. Giannakopoulos
  • B. Cretu
  • F. Monsieur
  • T. Devoivre
  • J. Jomaah
  • G. Ghibaudo

  - MICROELECTRONICS RELIABILITY - Rok 2002

  W artykule przedstawiono wyniki badań jakości tranzystorów CMOS 0.12um z Ta2O5 użytym jako dielektryk bramki. Przedstawione są charakterystyki statyczne elementów oraz wyniki pomiarów szumów prowadzonych w celu określenia jakości warstwy dielektrycznej Ta2O5, a także wyniki badań przeciążeniowych elementów.

• Ocena niezawodności elementów półprzewodnikowych.

  Publikacja

  • L. Spiralski
  • A. Konczakowska

  - Elektronizacja: podzespoły i zastosowania elektroniki - Rok 2003

  Omówiono metody oceny niezawodności elementów półprzewodnikowych, w szczególności w oparciu o badania przyspieszone. Badania te powiązano ściśle z procesem technologii wytwarzania przyrządów półprzewodnikowych. Szerzej omówiono przyczyny uszkodzeń elementów półprzewodnikowych. Przedstawiono predykcję niezawodności opartą na badaniach przyspieszonych. Wskazano na coraz szersze zainteresowanie badaniami niezawodności na...