Filtry
wszystkich: 878
wybranych: 453
-
Katalog
- Publikacje 453 wyników po odfiltrowaniu
- Czasopisma 7 wyników po odfiltrowaniu
- Wydawnictwa 4 wyników po odfiltrowaniu
- Osoby 22 wyników po odfiltrowaniu
- Projekty 4 wyników po odfiltrowaniu
- Laboratoria 2 wyników po odfiltrowaniu
- Zespoły Badawcze 2 wyników po odfiltrowaniu
- Aparatura Badawcza 5 wyników po odfiltrowaniu
- Kursy Online 94 wyników po odfiltrowaniu
- Wydarzenia 1 wyników po odfiltrowaniu
- Dane Badawcze 284 wyników po odfiltrowaniu
Filtry wybranego katalogu
Wyniki wyszukiwania dla: SQC
-
Evaluation of SiC JFETs and SiC Schottky diodes for wind generation systems
Publikacja -
SVC and power transformers controllers coordination
PublikacjaThe use of shunt compensators such as FACTS (for example SVC) in power systems gives possibility of fast and flexible control of voltage or reactive power. An efficient cooperation between a transformer and compensator connected to busbars, or transformer’s tertiary winding, requires a proper coordination of controls. The article contains theoretical considerations and simulation results which indicate that such co-ordination is...
-
The Low-frequency Noise of SiC MESFETs
PublikacjaPrzedstawiono system do pomiaru szumów małoczestotliwościowych tranzystorów SiC MESFET oraz przykładowe wyniki pomiarów.
-
The influence of SVC on the progress of voltage collapse
PublikacjaThe article presents the simulation concerning the cooperation of SVC circuit with a generative set in time, when of power system reaches low values which may lead to the fall-out of generator from the synchronous operation.
-
Resonant Conditions in a Node with an SVC Compensator
PublikacjaThe primary purpose of installing static shunt compensators in power grids is to improve the voltage conditions. Additional reactive power sources increase the system’s voltage stability and enable faster system recovery after a voltage failure. This paper presents the impact of an SVC device’s structure and settings on impedance change in the supply system, and hence on the frequencies at which resonance phenomena can develop.
-
The Low Frequency Noise Behaviour of SiC MESFETs
Publikacja -
KQL as Application of SQL Rationale for Knowledge Bases
PublikacjaW ramach inicjatywy Semantic Web rozwijane są systemy wnioskowania z wiedzy. Ciągle otwartym problemem są również języki dostępu do takich systemów. W artykule zaproponowano nowy język dostępu do zmodularyzowanych baz wiedzy, o cechach umożliwiających jego kompleksowe wykorzystaniew systemach zarządzania wiedzą, w sposób analogiczny do wykorzystania języka SQL w systemach relacyjnych baz danych.
-
DFT modelling of the edge dislocation in 4H-SiC
Publikacja -
A SPC strategy for decision making in manufacturing processes
Publikacja -
Przeciwdziałanie układów SVC rozwojowi awarii napięciowej
PublikacjaArtykuł prezentuje wyniki badań modelowych mających na celu analizy zachowania się kompensatorów statycznych SVC w systemie elektroenergetycznym. Podstawowym stanem, który analizowano, było zachowanie się kompensatorów zainstalowanych w wybranych węzłach systemu w czasie awarii napięciowej. W artykule zaprezentowano wybrane wyniki przeprowadzonych badań w ramach realizacji prac związanych z projektem badawczym zamawianym nr PBZ-MEIN-1/2/2006...
-
Przeciwdziałanie układów SVC rozwojowi awarii napięciowej
PublikacjaArtykuł prezentuje wyniki badań modelowych mających na celu analizy zachowania się kompensatorów statycznych SVC w systemie elektroenergetycznym. Podstawowym stanem, który analizowano, było zachowanie się kompensatorów zainstalowanych w wybranych węzłach systemu w czasie awarii napięciowej. W artykule zaprezentowano wybrane wyniki przeprowadzonych badań w ramach realizacji prac związanych z projektem badawczym zamawianym nr PBZ-MEIN-1/2/2006...
-
Wysokoczęstotliwościowy przekształtnik z tranzystorami SiC JFET
PublikacjaW referacie przedstawiono konstrukcję oraz wyniki badań trójfazowego falownika napięcia zbudowanego z wykorzystaniem diod Schottky oraz tranzystorów JFET z węglika krzemu (SiC). Znacznie krótsze czasy przełączeń tych elementów w porównaniu z tranzystorami IGBT i diodami na bazie krzemu (Si) umożliwiają pracę układu z częstotliwością 100 kHz i wyższą. Duża stromość narastania napięcia rzędu dziesiątek kV/µs powoduje problemy EMC...
-
Emotions Embodied in the SVC of an Autonomous Driver System
PublikacjaA concept of embodied intelligence (EI) is considered. None of such implementations can be fully identified with artificial intelligence. Projects that dare to approach AI and EI should be based on both the AI concepts (symbolic and sub-symbolic), in solving real problems of perception and decision-making. Therefore, the EI, in this paper, is understood as a methodology that uses all available resources and algorithms from the...
-
Beton nowej generacji - beton samozagęszczalny (SCC).
PublikacjaW referacie przedstawiono charakterystyka betonu samozagęszczalnego (SCC) i jego właściwości. Wykazano że, skład i zasady projektowania betonu samozagęszczalnego różnią się od betonu zwykłego.Przedstawiono metody projektowania SCC, podstawowe właściwości oraz dotychczasowe zastosowania w praktyce.
-
Effect of SiC on the corrosion behaviour of chromium coatings
PublikacjaWarstwy kompozytowe Cr-SiC osadzono z kąpieli zawierającej Cr(VI) oraz zielony proszek SiC. Zawartość SiC w warstwie chromowej wynosiła od 0,1-0,9% wag. Badania XPS wykazały iż SiC pokrywała warstwa SiO2, która powstała w wyniku utleniania SiC za pomocą Cr(VI). Przeprowadzono badania potencjodynamiczne i badania za pomocą spektroskopii impedancyjnej w celu określenia właściwości korozyjnych warstw Cr-SiC w środowisku kwaśnym....
-
Wpływ układów SVC na rozwój awarii napięciowej
PublikacjaArtykuł prezentuje badania symulacyjne dotyczące wspłpracy układu SVC z zespołem wytwórczym w czasie, gdy napięcie systemu elektroenergetycznego osiąka niskie wartości mogące prowadzić do utraty synchronizmu przez generator synchroniczny.
-
Ocena parametrów statycznych diod Schottky'ego z SiC
PublikacjaPrzedstawiono wyniki pomiarów parametrów statycznych 3 prób diod Schottky'ego produkcji CREE i 2 prób diod Schottky'ego produkcji INFINEON. Stwierdzono, że charakterystyki przy polaryzacji diod w kierunku przewodzenia są w zasadzie identyczne, natomiast przy polaryzacji w kierunku zaporowym wykazują istotne różnice, szczególnie w zakresie napięć w kierunku zaporowym powyżej 600 V
-
ASIC Design Example of Complex SoC with FPGA Prototyping
PublikacjaThe paper presents an example of the System on a Chip design, where the FPGA prototyping has been used. Two FPGA prototypes have been realized. The first FPGA prototype uses AVNET board containing Xilinx Virtex4 device accompanied by custom board with required devices. The second FPGA prototype has been built using the custom PCB with Xilinx Virtex-4 XC4VLX60 FPGA accompanied by all needed external components. The final system...
-
Koordynacja działania regulatorów transformatorów oraz kompensatora SVC
PublikacjaStosowanie kompensatorów bocznikowych typu FACTS (np. SVC, STATCOM) w systemach elektroenergetycznych związane jest między innymi z takimi ich zaletami, jakimi są szybkość i płynność regulacji. Efektywność współpracy podłączonych do wspólnych szyn kompensatora z transformatorem, lub kompensatora zainstalowanego w trzecim uzwojeniu transformatora wymaga właściwej koordynacji sterowań. W artykule zawarto rozważania teoretyczne oraz...
-
Trójfazowy falownik napięcia z tranzystorami SiC JFET
PublikacjaW referacie przedstawiono konstrukcję oraz wyniki badań trójfazowego falownika napięcia zbudowanego z wykorzystaniem diod Schottky oraz tranzystorów JFET z węglika krzemu (SiC). Znacznie krótsze czasy przełączeń tych elementów w porównaniu z tranzystorami IGBT i diodami na bazie krzemu (Si) umożliwiają pracę układu z częstotliwością 100 kHz i wyższą. Małe energie przełączeń oraz mała rezystancja drenu tranzystorów SiC JFET pozwalają...