Wyniki wyszukiwania dla: SILICON
-
Silicon
Czasopisma -
PHOSPHORUS SULFUR AND SILICON AND THE RELATED ELEMENTS
Czasopisma -
Silicon Semiconductor
Czasopisma -
Positron Annihilation Studies of Silicon Oxides and Oxygen Precipitates in Silicon
PublikacjaTechniki pozytonowe dają możliwości badania defektów i zmian strukturalnych nie obserwowanych innymi metodami. W tej pracy zastosowano 3 różne techniki pozytonowe do badania zmian strukturalnych i tworzenia wydzieleń SiOx w krzemie.
-
Alkyl Monolayers on Silicon Prepared from 1-Alkenes and Hydrogen-Terminated Silicon
Publikacja -
Silicon carbide application issues
PublikacjaThe main goals of Task 3 and Task 4 of the ordered project ''New technologies based on silicon carbide and their application in HF, high power and high temperature electronics'' are presented
-
Studies of Silicon Podand Solvents
Publikacja -
Chemical treatment of crystalline silicon solar cells as a method of recovering pure silicon from photovoltaic modules
PublikacjaProducenci modułów PV stosują ogniwa krzemowe, wyprodukowane w różnej technologii, w efekcie czego różnią się one między sobą. Różnorodność dotyczy zarówno modułów PV, wykonanych z ogniw polikrystalicznych jak i monokrystalicznych. Różnice widoczne są zwłaszcza dla kontaktów elektrycznych. Producenci ogniw wykonują metalizację z zastosowaniem past Al, Ag lub przy jednoczesnym użyciu Al/Ag. Proces recyklingu krzemowych ogniw PV...
-
Ultrasonic spectroscopy of silicon single crystal
PublikacjaSpecimens of Si single crystals with different crystal orientation [100] and [110] were studied by the electro-ultrasonic spectroscopy (EUS) and Resonant Ultrasonic Spectroscopy (RUS). A silicon single crystal is an anisotropic crystal, so its properties are different in different directions in the material relative to the crystal orientation. EUS is based on interaction of two signals: electric AC signal and ultrasonic signal,...
-
Effect of illumination on noise of silicon solar cells
PublikacjaTransport and noise properties of silicon solar cells in darkness and under illumination have been studied. The measurements were carried out for both reverse and forward bias of the device. The changes in the sample behaviour are due to the variation of PN junction dynamic resistance and, also, the occurence of both 1/f and generation-recombination noise components
-
Lack of magnetoacoustic emission in iron with 6.5% silicon
PublikacjaZjawisko emisji magnetoakustycznej (EMA) na ogół tłumaczy się dwoma przyczynami: ruchem nie 180-cio stopniowych granic domenowych (1) lub kreacją i anihilacją domen magnetycznych. Artykuł prezentuje silne dowody na poparcie faktu, że to właśnie ruch granic nie 180-cio stopniowych odpowiada za powstawanie efektu EMA. Wynika to z wyników pomiarów dających zerowe natężenie efektu EMA przeprowadzonych dla szerokiego zakresu naprężeń...
-
Pure silicon recovering from photovoltaic modules
PublikacjaOdzyskiwanie krzemu ze zużytych lub uszkodzonych modułów fotowoltaicznych może mieć znaczenie nie tylko ekonomiczne, ale również ekologiczne. Etap obejmujący procesy chemiczne wymaga optymalizacji z punktu widzenia wymaganej czystości odzyskiwanego krzemu. W pracy przedstawiono wyniki przeprowadzonych prób trawienia poszczególnych warstw ogniw PV: warstwy antyodblaskowej, metalizacji (kontaktów), złącza p-n. Skład roztworów trawiących...
-
Surface diffusion and cluster formation of gold on the silicon (111)
PublikacjaPurpose: Investigation of the gold atoms behaviour on the surface of silicon by molecular dynamics simulation method. The studies were performed for the case of one, two and four atoms, as well as incomplete and complete filling of gold atoms on the silicon surface. Design/methodology/approach: Investigations were performed by the method of molecular dynamics simulation using the Large-scale Atomic/Molecular Massively Parallel...
-
The influence oil additives on spread cracks in silicon nitride
PublikacjaThe paper presents an experimental study of the influence of oil additives (Cl, S, P, cerium dioxide (CeO2)) on spread cracks in silicon nitride. The additives Cl, S, P are bound in molecules in liquid form soluble in the base oil. The CeO2 is purely in powder form in suspension. The use of CeO2 powder was made based on the good results of polishing of silicon nitride. A ceramic angular contact ball bearing was modelled using a...
-
Recovery of silver metallization from damaged silicon cells
PublikacjaMetallization is one of the key process steps to fabricate solar cells with high performance in a cost-effective way. Majority of photovoltaic solar cell manufacturing uses thick film screen print metallization with Ag containing paste to produce solar cells. The average lifetime of PV modules can be expected to be more than 25 years. The disposal of PV systems will become a problem in view of the continually increasing production...
-
Wear of the tool in double-disc lapping of silicon wafers
PublikacjaPrzedstawiono założenia modelowe do określania zużycia narzędzia w docieraniu krzemowych płytek półprzewodnikowych. Obliczenia zostały wykonane dla różnych parametrów kinematycznych, wpływających na zużycie narzędzia w określonych jego obszarach.
-
Power devices in Polish National Silicon Carbide Program
PublikacjaArtykuł zawiera informacje o polskim rządowym programie ''Nowe technologie na bazie węglika krzemu i ich zastosowania w elektronice wielkich częstotliwości, dużych mocy i wysokich temperatur''. Program zawiera trzy główne zadania zawierające następujące cele: wytworzenie podłoży z SiC, wytworzenie przyrządów z SiC oraz ocenę działania wybranych przyrządów w układach aplikacyjnych. Omówiono zastosowane metody wytwarzania podłoży,...
-
Laser surface treatment of aluminium-silicon alloy at cryogenic conditions
PublikacjaW artykule przedstawiono wpływ laserowego, powierzchniowego przetapiania w warunkach kriogenicznych na mikrostrukturę, mikrotwardość, zużycie na skutek tarcia oraz korozję stopu aluminium AlSi13Mg1CuNi. Stwierdzono zwiększenie mikrotwardości, odporności na ścieranie i korozję odlewniczego stopu AlSi13Mg1CuNi stosowanego w produkcji tłoków silników spalinowych.
-
Dark current characteristics of single crystalline silicon solar cells.
PublikacjaW pracy przedstawiono wpływ szkodliwych rezystancji na parametry pracy krzemowych ogniw fotowoltaicznych. W tym celu wyznaczono ciemne charakterystyki prądowo-napięciowe. W celu opisu własności elektrycznych ogniw zastosowano model jedno- i dwu-diodowy. Wyznaczono współczynniki nieidealności charakterystyki i rezystancję szeregową w całym zakresie temperatur pracy ogniw fotowoltaicznych dla zastosowań naziemnych. Wyznaczona za...
-
Thermally affected parameters of the current-voltage characteristics of silicon photocell
PublikacjaW pracy wykazano: zależność wzrostu prądu zwarcia wskutek absorpcji dodatkowych fotonów ze wzrostem temperatury, spadek napięcia wbudowanego złącza p-n wraz ze wzrostem temperatury, wpływ temperatury na zmianę napięcia otwartego obwodu. Dodatkowo wyznaczone odpowiednie współczynniki temperaturowe porównano z wartościami wynikającymi z rozważań teoretycznych. Badano parametry elektryczne następujących elementów wykonanych z amorficznego...