Wyniki wyszukiwania dla: BRAMKA TRANZYSTORA

• Rezystancja rozproszona bramki tranzystora MOS w zakresie b. w. cz.

  Publikacja

  • W. Kordalski
  • A. Mika

  - Zeszyty Naukowe Wydziału ETI Politechniki Gdańskiej. Technologie Informacyjne - Rok 2008

  Zaproponowano małosygnałowy schemat zastępczy tranzystora MOS z uwzględnieniem rezystancji rozproszonej bramki w zakresie częstotliwości radiowych i mikrofalowych. Na podstawie wyników pomiarowych dokonano identyfikacji wartości rezystancji rozproszonej. Przeprowadzono analizę rozkładu nośników nadmiarowych wzdłuż kanału tranzystora i na jej bazie podano interpretację fizyczną zależności rezystancji rozproszonej od częstotliwości...

• Oszacowanie korelacji między źródłami prądowymi zlokalizowanymi w bramce i drenie tranzystora MESFET SiC

  Publikacja

  • J. A. Cichosz
  • B. Stawarz-Graczyk
  • A. Szewczyk

  - Zeszyty Naukowe Wydziału ETI Politechniki Gdańskiej. Technologie Informacyjne - Rok 2010

  Przedstawiono metodę umożliwiającą szybką ocenę korelacji między szumami generowanymi w bramce oraz w drenie tranzystorów MESFET SiC. Badania przeprowadzono dla tranzystorów CRF-24010 firmy CREE. Korelację oszacowano z przebiegów czasowych szumów w zakresie małych częstotliwości (od 2 Hz do 2 kHz), przy trzech różnych wartościach prądu drenu: Id = 1; 5; 10 mA. Porównano wynik oszacowania korelacji (dziedzina czasu) z wyznaczoną...

• Tranzystory organiczne

  Publikacja

  • M. Polowczyk
  • E. Klugmann

  - Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania - Rok 2003

  W artykule przedstawiono budowę, zasady działania i niektóre podstawowe charakterystyki organicznych tranzystorów polowych w oparciu o przegląd najnowszych publikacji naukowych dotyczących tematu. Omówiono tranzystory cienkowarstwowe TFT i typu SIT wykonane uproszczoną technologią z elastycznych i częściowo uporządkowanych materiałów organicznych. Zwrócono uwagę na koncepcję tranzystora molekularnego.

• Behawioralny model tranzystora IGBT

  Publikacja

  • M. Turzyński
  • P. Chrzan

  - Przegląd Elektrotechniczny - Rok 2010

  W artykule przedstawiono rezultaty prac nad uniwersalnym modelem tranzystora bipolarnego z izolowaną bramką (IGBT), przydatnym w symulacjach układów energoelektronicznych wymagających odwzorowania stanów ustalonych i dynamicznych. Rozważono behawioralny model IGBT w układzie klasycznym z nieliniowymi aproksymacjami pojemności pasożytniczych. Eksperymentalne testy modelu modułu IGBT typu CM200DY-24A (Mitsubishi) przeprowadzono w...

• BRAMKI KWANTOWE

  Publikacja

  • R. Romaniuk
  • R. S. Romaniuk

  - Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania - Rok 2021

  Pełny tekst do pobrania w serwisie zewnętrznym

• Małosygnałowy model tranzystora typu MAGFET

  Publikacja

  • W. Kordalski
  • L. Damaszk
  • B. Boratyński
  • M. Panek
  • J. Woźniak
  • I. Zborowska-Lindert
  • B. Ściana

  - Zeszyty Naukowe Wydziału ETI Politechniki Gdańskiej. Technologie Informacyjne - Rok 2008

  Wyprowadzono małosygnałowy model tranzystora typu MAGFET pracującego jako czujnik pola magnetycznego, w którym uwzględniono wzajemne oddziaływanie napięć drenów. Wykorzystując nowoopracowany model obliczono czułość napięciową typowego układu pracy MAGFET-a na pole magnetyczne.

• Weryfikacja stałoprądowego modelu tranzystora typu MAGFET

  Publikacja

  • W. Kordalski
  • M. Pribbenow
  • B. Boratyński
  • M. Panek
  • J. Woźniak
  • I. Zborowska-Lindert
  • B. Ściana

  - Zeszyty Naukowe Wydziału ETI Politechniki Gdańskiej. Technologie Informacyjne - Rok 2008

  Zaproponowano kompletny, stałoprĄdowy model tranzystora typu MAGFET wykorzystywanego jako czujnik pola magnetycznego. Zaprezentowany model odzwierciedla zależnoŚć podziału prĄdu płynącego w kanale tranzystora na prądy drenów od napięć drenów.

• Stałoprądowy model tranzystora typu HSD MAGFET

  Publikacja

  • W. Kordalski
  • B. Boratyński
  • M. Panek
  • M. Polowczyk
  • I. Zborowska-Lindert
  • B. Ściana
  • K. Szymański
  • J. Woźniak

  - Zeszyty Naukowe Wydziału ETI Politechniki Gdańskiej. Technologie Informacyjne - Rok 2007

  Zaproponowano stałoprądowy model dwudrenowego tranzystora polowego typu HSD MAGFET, wykorzystywanego jako czujnik pola magnetycznego o dużej czułości na zmiany pola magnetycznego i dużej geometrycznej rozdzielczości pomiarowej. Zaprezentowany model odzwierciedla zjawisko podziału prądu płynącego w kanale tranzystora na prądy drenów i uwzględnia wzajemne oddziaływanie napięć drenów VDS1 i VDS2 na prady drenów ID1 i ID2 poprzez wprowadzenie...

• Właściwości nie-quasi-statycznego modelu tranzystora wewnętrznego MOS

  Publikacja

  • W. Kordalski

  - Zeszyty Naukowe Wydziału ETI Politechniki Gdańskiej. Technologie Informacyjne - Rok 2008

  Przedstawiono założenia i właściwości oryginalnego nie-quasi-statycznego modelu małosygnałowego tranzystora wewnętrznego MOS oraz dokonano przeglądu i podziału znanych w literaturze przedmiotu małosygnałowych modeli tranzystora polowego.

• Jednosekwencyjny statyczny model prądowo-napięciowo-temperaturowy tranzystora MOS.

  Publikacja

  • W. Kordalski
  • R. Rynkiewicz

  - Rok 2004

  Zaprezentowano i zweryfikowano eksperymentalnie nowy jednosekcyjny statyczny model pradowo-napięciowo-temperaturowy tranzystora MOS. Nowy model jest spójny fizycznie i zawiera dużo mniej parametrów niż powszechnie znane modele.