Wyniki wyszukiwania dla: tranzystory polowe

• Organiczne tranzystory polowe jako czujniki gazów

  Publikacja

  • M. Franz
  • J. Godlewski

  - Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania - Rok 2017

  Artykuł przedstawia zasadę działania, podstawowe parametry oraz charakterystyki prądowo-napięciowe organicznych tranzystorów polowych (OFET) oraz możliwości wykorzystania tych urządzeń jako czujników gazów. Przedstawiono zasadę działania czujników gazów wykorzystujących OFET, a także potencjalne możliwości aplikacyjne tych urządzeń. Praca przedstawia ponadto przegląd najnowszych doniesień literaturowych dotyczących organicznych...

  Pełny tekst do pobrania w serwisie zewnętrznym

• A current-controlled FET

  Publikacja

  • W. Kordalski

  - Zeszyty Naukowe Wydziału ETI Politechniki Gdańskiej. Technologie Informacyjne - Rok 2007

  A novel semiconductor device, viz., Horizontally-Split-Drain Current-Controlled Field-Effect Transistor (HSDCCFET) with two control electrodes is proposed in this works. For the sake of brevity, the device can be called a CCFET. Operating principle of the proposed transistor is based on one of the galvanomagnetic phenomena, the Biot-Savart-Laplace law and a Gradual Channel Detachment Effect (GCDE). The transistor is dedicated...

• Tranzystory organiczne

  Publikacja

  • M. Polowczyk
  • E. Klugmann

  - Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania - Rok 2003

  W artykule przedstawiono budowę, zasady działania i niektóre podstawowe charakterystyki organicznych tranzystorów polowych w oparciu o przegląd najnowszych publikacji naukowych dotyczących tematu. Omówiono tranzystory cienkowarstwowe TFT i typu SIT wykonane uproszczoną technologią z elastycznych i częściowo uporządkowanych materiałów organicznych. Zwrócono uwagę na koncepcję tranzystora molekularnego.

• Organic filed effect transistor with zinc phthalocyanine.

  Publikacja

  • E. Metel
  • G. Jarosz

  - Scientific Bulletin. Physics / Technical University of Łódź - Rok 2006

  W pracy przedstawiono wyniki badań doświadczalnych organicznego tranzystora polowego z warstwą ftalocyjaniny cynku. Jako podłoże zastosowano wysoko domieszkowane wafle krzemu pokryte warstwą tlenku krzemu (IV) o grubości 100 nm, na którą techniką fotolitograficzną była naniesiona struktura elektrod (tzw. geometria dolnych kontaktów). Złote elektrody źródła i drenu tworzyły kanał o długości 5 m (jest to odległość między elektrodą...

• Behawioralny model tranzystora IGBT

  Publikacja

  • M. Turzyński
  • P. Chrzan

  - Przegląd Elektrotechniczny - Rok 2010

  W artykule przedstawiono rezultaty prac nad uniwersalnym modelem tranzystora bipolarnego z izolowaną bramką (IGBT), przydatnym w symulacjach układów energoelektronicznych wymagających odwzorowania stanów ustalonych i dynamicznych. Rozważono behawioralny model IGBT w układzie klasycznym z nieliniowymi aproksymacjami pojemności pasożytniczych. Eksperymentalne testy modelu modułu IGBT typu CM200DY-24A (Mitsubishi) przeprowadzono w...

• Małosygnałowy model tranzystora typu MAGFET

  Publikacja

  • W. Kordalski
  • L. Damaszk
  • B. Boratyński
  • M. Panek
  • J. Woźniak
  • I. Zborowska-Lindert
  • B. Ściana

  - Zeszyty Naukowe Wydziału ETI Politechniki Gdańskiej. Technologie Informacyjne - Rok 2008

  Wyprowadzono małosygnałowy model tranzystora typu MAGFET pracującego jako czujnik pola magnetycznego, w którym uwzględniono wzajemne oddziaływanie napięć drenów. Wykorzystując nowoopracowany model obliczono czułość napięciową typowego układu pracy MAGFET-a na pole magnetyczne.

• Stałoprądowy model tranzystora typu HSD MAGFET

  Publikacja

  • W. Kordalski
  • B. Boratyński
  • M. Panek
  • M. Polowczyk
  • I. Zborowska-Lindert
  • B. Ściana
  • K. Szymański
  • J. Woźniak

  - Zeszyty Naukowe Wydziału ETI Politechniki Gdańskiej. Technologie Informacyjne - Rok 2007

  Zaproponowano stałoprądowy model dwudrenowego tranzystora polowego typu HSD MAGFET, wykorzystywanego jako czujnik pola magnetycznego o dużej czułości na zmiany pola magnetycznego i dużej geometrycznej rozdzielczości pomiarowej. Zaprezentowany model odzwierciedla zjawisko podziału prądu płynącego w kanale tranzystora na prądy drenów i uwzględnia wzajemne oddziaływanie napięć drenów VDS1 i VDS2 na prady drenów ID1 i ID2 poprzez wprowadzenie...

• Weryfikacja stałoprądowego modelu tranzystora typu MAGFET

  Publikacja

  • W. Kordalski
  • M. Pribbenow
  • B. Boratyński
  • M. Panek
  • J. Woźniak
  • I. Zborowska-Lindert
  • B. Ściana

  - Zeszyty Naukowe Wydziału ETI Politechniki Gdańskiej. Technologie Informacyjne - Rok 2008

  Zaproponowano kompletny, stałoprĄdowy model tranzystora typu MAGFET wykorzystywanego jako czujnik pola magnetycznego. Zaprezentowany model odzwierciedla zależnoŚć podziału prĄdu płynącego w kanale tranzystora na prądy drenów od napięć drenów.

• Tranzystorowy czujnik pola magnetycznego.

  Publikacja

  • W. Kordalski
  • M. Polowczyk

  - Rok 2004

  Przedstawiono nową konstrukcję tranzystora polowego typu MOS, który może być wykorzystany do pomiaru lub detekcji pola magnetycznego. Zasada działania nowego czujnika oparta jest na jednym ze zjawisk galwanomagnetycznych i nie różni się od zasady działania znanego z literatury przedmiotu tranzystora SD MAGFET. Jednak dzięki oryginalnej konstrukcji, przewidywana czułość nowego tranzystora na zmianę wartości indukcji magnetycznej...

• Właściwości nie-quasi-statycznego modelu tranzystora wewnętrznego MOS

  Publikacja

  • W. Kordalski

  - Zeszyty Naukowe Wydziału ETI Politechniki Gdańskiej. Technologie Informacyjne - Rok 2008

  Przedstawiono założenia i właściwości oryginalnego nie-quasi-statycznego modelu małosygnałowego tranzystora wewnętrznego MOS oraz dokonano przeglądu i podziału znanych w literaturze przedmiotu małosygnałowych modeli tranzystora polowego.