Wyszukiwarka
Filtry
wszystkich: 8
Wyniki wyszukiwania dla: KONDUKTANCJA
-
Analysis of the grain boundary conductivity for nanocrystalline doped ceria using the brick layer model.
PublikacjaW pracy przedstawiono wyniki badań elektrycznych i mikrostrukturalnych ceru domieszkowanego itrem. Gęste i nanokrystaliczne filmy przygotowane zostały z użyciem prekursorów polimerowych na szafirze. Konduktancja elektryczna była badana w funkcji temperatury syntezy, która jest skorelowana z wielkością ziaren. Otrzymano mniejszą konduktancję nanokrystalicznego filmu ceru w porównaniu z próbkami ceramicznymi.
-
Electrical conductivity of nanocrystalline Sm-doped CeO2 thin film.
PublikacjaGęste i nanokrystaliczne filmy tlenku ceru domieszkowane 20% samarem przygotowane na szafirze oraz próbki ceramiczne zostały przygotowane z prekursorów polimerowych. Ich konduktacja elektryczna była badana w funkcji temperatury i skorelowana z wielkością krystalitów. Model blokowo-warstwowy przewiduje mniejszą konduktacje próbki gdy wielkości krystalitów są mniejsze, w przypadku gdy rezystancja obszarów międzyziarnowych jest większa...
-
Nanocrystalline undoped ceria oxygen sensor.
PublikacjaW pracy przedstawiono wyniki badań struktury i elektrycznych właściwości nanokrystalicznego czujnika na bazie niedomieszkowanego tlenku ceru. Zbadano wpływ ciśnienia parcjalnego tlenu na rezystancję cienkowarstwowego tlenku ceru. Konduktancja tlenku ceru w zakresie stężeń tlenu od 10ppm do 100% ma charakter eksponecjalny z parametrem -0.25. Zbadano szybkość odpowiedzi oraz wpływ dwutlenku azotu oraz dwutlenku siarki na odpowiedź...
-
Porównanie różnych metod pomiarów wysokości barier potencjału w strukturach MOS.
PublikacjaW referacie omówiono sposoby eliminacji problemów upływności bramki przy pomiarach charakterystyk C(V) kondnsatorów z ultra-cienkim tlenkiem bramki. Przedstawiono sposoby wykorzystania trójelementowego schematu zastępczego kondensatora MOS i przykład analizy pojemności, konduktancji tlenku i rezystancji szeregowej, zmierzonych przy pomocy miernika impedancji Agilent 4294A.
-
Stałokonduktancyjny układ pracy dla czujników ISFET
PublikacjaOpracowano stałokonduktancyjny układ pracy dla czujników ISFET. Proponowany układ utrzymuje właściwy punkt pracy czujnika poprzez ustalenie konduktancji stałoprądowej dren źródło. Poprzez zastosowanie mostka rezystancyjnego oraz odjęcie połowy napięcia dren-źródło od napięcia bramka-źródło osiągnięto niewrażliwość układu na niestabilność źródeł prądowych czy napięciowych. Zbędne stało się stosowanie precyzyjnych źródeł prądowych...
-
Optical and electrical properties of Pr0.8Sr0.2MnO3 thin films.
PublikacjaPrzedstawiono preparatykę, strukturę oraz optyczne i elektryczne właściwości cienkowarstwowego Pr0.8Sr0.2MnO3. Gęste filmy o grubości 50-70nm zostały naniesione na monokrystaliczne podłoże szafirowe metodą odwirowania prekursora polimerowego. Wyniki optycznych pomiarów zostały skorelowane z temperaturą syntezy filmów. Pokazano, że optyczne spektra zmieniają kształt wraz ze zmianą struktury filmu z amorficznej do krystalicznej....
-
The optical and electrical properties of nanocrystalline La0.4Sr0.6TiO3 thin films.
PublikacjaW pracy badano wpływ mikrostruktury cienkich filmów La0.8Sr0.6TiO3 na właściwości optyczne. Gęste filmy o grubości około 200nm były przygotowane na szafirze z prekursorów polimerowych metodą wirową. Filmy były wypalone w temperaturze 500-800 stC. Badania rentgenowskie wskazały utworzenie kubicznej struktury perowskitowej podobnej do niedomieszkowanego SrTiO3. Wielkość ziaren zależała od temperatury wypalenia osiągając 30nm w 800stC....
-
Organic filed effect transistor with zinc phthalocyanine.
PublikacjaW pracy przedstawiono wyniki badań doświadczalnych organicznego tranzystora polowego z warstwą ftalocyjaniny cynku. Jako podłoże zastosowano wysoko domieszkowane wafle krzemu pokryte warstwą tlenku krzemu (IV) o grubości 100 nm, na którą techniką fotolitograficzną była naniesiona struktura elektrod (tzw. geometria dolnych kontaktów). Złote elektrody źródła i drenu tworzyły kanał o długości 5 m (jest to odległość między elektrodą...