Wyszukiwarka
Wyniki wyszukiwania dla: rezystory
-
Rezystor aktywny CMOS oraz jego zastosowanie do budowy wzmacniacza transkonduktancyjnego.
PublikacjaRezystory aktywne są szeroko stosowane w układach analogowych. Jednym z bardzo ważnych zastosowań jest ich użycie jako elementu linearyzującego stałoprądowe charakterystyki przejściowe wzmacniacza różnicowego wykonanego w postaci pary tranzystorów MOS. W niniejszym artykule przedstawiono w pełni różnicowy, aktywny rezystor MOS. Składa się on z dwóch tranzystorów MOS oraz dwóch nieuziemionych źródeł napięciowych. Jako wykorzystanie...
-
Nowe podejście do projektowania i realizacji korekcji laserowej rezystorów warstwowych.
PublikacjaW pracy zaproponowano i przeanalizowano nowe podejście do projektowania i realizacji korekcji laserowej rezystorów warstwowych polegające na zastępowaniu rezystorów 2-kontaktowych strukturami 3-kontaktowymi, które następnie poddawane są korekcji. Ma to wpływ na zwiększenie zakresu korekcji i zmianę czułościowych charakterystyk strojenia.
-
Nowe struktury korygowanych laserem rezystorów warstwowych zapewniające poprawę dokładności strojenia i stabilność.
PublikacjaW pracy przedstawiono i przeanalizowano nowe struktury typu ''kapelusza'' i ''U'' ze zwora przewodzącą zapewniające poprawę dokładności strojenia i wzrost stabilności rezystorów dzięki eliminacji tzw. ''gorących punktów'' występujących na końcu cięcia laserowego.
-
Programowalny zlinearyzowany wejściowy stopieńwzmacniacza transkonduktancyjnego CMOS
PublikacjaW artykule przedstawiono zlinearyzowany wejściowy stopień wzmacniacza transkonduktancyjnego CMOS. W jego skład wchodzi para różnicowa, prosty jednostopniowy wzmacniacz operacyjny o szerokim paśmie oraz rezystor. Elementy te pracują objęte pętlą ujemnego sprzężenia zwrotnego a linearyzacja osiągana jest przez powielenie liniowych charakterystyk rezystora. W rezultacie otrzymujemy wejściowy stopień wzmacniacza transkonduktancyjnego...
-
Programowalny zlinearyzowany wejściowy stopień wzmacniacza transkonduktancyjnego cmos
PublikacjaW artykule przedstawiono zlinearyzowany wejściowy stopień wzmacniacza transkonduktancyjnego CMOS. W jego skład wchodzi para różnicowa, prosty jednostopniowy wzmacniacz operacyjny o szerokim paśmie oraz rezystor. Elementy te pracują objęte pętlą ujemnego sprzężenia zwrotnego a linearyzacja osiągana jest przez powielenie liniowych charakterystyk rezystora. W rezultacie otrzymujemy wejściowy stopień wzmacniacza transkonduktancyjnego...
-
Improved top hat and ushaped resistors for huigh precision laser trimming.
PublikacjaPrzedstawiono nowe podejście do poprawy charakterystyk strojenia rezystorów warstwowych typu ''kapelusza'' i typu ''U'' z cięciem prostym pośrodku struktury polegająca na wprowadzeniu zaworki przewodzącej w górnej części rezystora. Umożliwia to eliminację lokalnych przegrzewów oraz zwiększenia dokładności strojenia i wzrostu stabilności.
-
New trim configurations for laser trimmed thick-film resistors - theoretical analysis, numerical simulation and experimential verification
PublikacjaW pracy przedstawiono nowe podejście do korekcji rezystorów warstwowych polegające na wytwarzaniu dodatkowego kontaktu w celu rozszerzenia zakresu korekcji i uproszczenia projektowania. Ponadto zaprezentowano nową szybką metodę wyznaczania charakterystyk korekcyjnych a także weryfikację eksperymentalną. Przedstawiono wyniki w postaci zakresów korekcji i względnych przyrostów rezystancji w funkcji kształtu dodatkowego kontaktu oraz...
-
Investigation of the double isolator using three-strip Ferrite Coupled Line
PublikacjaArtykuł prezentuje badania izolatora skonstruowanego z sekcji trój-paskowej ferrytowej linii sprzężonej. Element został zaprojektowany na dwa sposoby: jako kaskadowe połączenie dwóch cyrkulatorów oraz jako struktura planarna zawierająca rezystory. Izolator zbadano teoretycznie i eksperymentalnie.
-
The current amplifier in low frequency noise measurements; Absolute calibration and rigorous 1/f noise extraction for MOSFET´s
PublikacjaPrzedstawiono budowę wzmacniacza prądowego i sposób obliczania szumów wyjściowych przy dołączonym do wejścia rezystorze wzorcowym. Przedstawiono wyniki eksperymentów potwierdzających prawidłowość przyjętego sposobu postępowania. Zaproponowano metodę wyznaczania składowej 1/f szumów drenu tranzystora MOSFET.
-
Nonlinear modeling of traction transformer with coiled iron core for dynamic simulation
PublikacjaW referacie przedstawiono wyprowadzenie zastępczego modelu obwodowego transformatora trakcyjnego o rdzeniu zwijanym do analiz zachowania sie transformatora w układzie napedowym jednostki trakcyjnej. Model zakłada nieliniowa charakterystyke magnesowania B-H i anizotropowe właściwosci magnetyczne i elektryczne zwijanego rdzenia. Wyprowadzenie modelu oparto na metodzie energetycznej Lagrange'a. Uzwojenia zostały zamodelowanie jako...
-
Programmable linearized CMOS OTA for fully differential continuous-time filter design
PublikacjaW artykule przedstawiono metodę linearyzacji wzmacniacza wykorzystującą sprzężenie w przód. Wzmacniacz składa się z par różnicowych i referencyjnego rezystora. W wyniku uzyskano skuteczną metodę linearyzacji charakterystyk przejściowych wzmacniacza. Programowalność wartości transkonduktancji wzmacniacza realizowana jest poprzez lustro prądowe. Wykonane symulacje komputerowe SPICE z użyciem modeli dla technologii 0.35um AMS CMOS...
-
[Komentarz do artykułu] Yin, W.-Y., Wu, B., Miao, M., Doi, L.B., Li, L.-W., and Kooi, P.-S.: Experimental characterisation and modelling of on-chip capacitors and resistors on GaAs substrates.
PublikacjaDokonano krytycznej oceny wartości elementów schematu zastępczego rezystorów monolitycznych wykonanych na podłożu GaAs przedstawionych w pracy: Yin, W.-Y., Wu, B., Miao, M., Doi, L.B., Li, L.-W., and Kooi, P.-S.: Experimental characterisation and modelling of on-chip capacitors and resistors on GaAs substrates, IEE Proc. Microw. Antennas and Propag., 2002,149, (1), pp.50-52.
-
The influence of parameters of input probe on the error of high impedance measurement
PublikacjaW artykule przedstawiono sondę do pomiaru wysokich impedancji w zakresie 1kohm<|Zx|<100Gohm przeznaczoną do dołączenia do analizatorów typu gain-phase. Przeanalizowano wpływ parametrów sondy (pojemności pasożytnicze, toleranca rezystorów określających wzmocnienie wzmacniacza) na dokładność wyznaczenia modułu i argumentu zespolonego stosunku sygnałów wydzielonych w sondzie. Zamieszczono wyniki symulacji i pomiarów, pozwalające na...
-
Active Linear Tunable Resistance Element and Application to Feedforward Linearization of CMOS Transconductance Amplifier
PublikacjaW pracy przedstawiono koncepcję układową przestrajalnego rezystora liniowego MOS wykorzystującego tranzystory pracujące w zakresie triodowym. Opracowana struktura, jak wykazały symulacje komputerowe, charakteryzuje się dobrymi właściwościami zarówno jeżeli chodzi o zakres przestrajania jak i liniowość charakterystyk przejściowych. Pozwoliło to efektywnie wykorzystać prezentowany element do linearyzacji operacyjnego wzmacniacza...
-
Stałokonduktancyjny układ pracy dla czujników ISFET
PublikacjaOpracowano stałokonduktancyjny układ pracy dla czujników ISFET. Proponowany układ utrzymuje właściwy punkt pracy czujnika poprzez ustalenie konduktancji stałoprądowej dren źródło. Poprzez zastosowanie mostka rezystancyjnego oraz odjęcie połowy napięcia dren-źródło od napięcia bramka-źródło osiągnięto niewrażliwość układu na niestabilność źródeł prądowych czy napięciowych. Zbędne stało się stosowanie precyzyjnych źródeł prądowych...
-
Programowalny zlinearyzowany wzmacniacz transkonduktancyjny CMOS
PublikacjaW artykule przedstawiono metodę linearyzacji wzmacniacza transkonduktancyjnego CMOS wykorzystującą sprzężenie w przód. Zaproponowany wzmacniacz składa się ze wzmacniaczy różnicowych MOS oraz rezystora służącego jako odniesienie. W rezultacie otrzymujemy efektywną metodę linearyzacji charakterystyk przejściowych wzmacniacza transkonduktancyjnego. Programowanie wartości transkonduktancji wzmacniacza realizowane jest z zastosowaniem...
-
Investigations of the isolators containing microstrip FCL section
PublikacjaW pracy opisany został projekt układu izolatora zawierającego podłużnie magnesowane ferrytowe sprzężone linie mikropaskowe (FCL). W warstwowej strukturze układu ferryt został wprowadzony jako nakładka. Obciążenie w układzie izolatora zostało zrealizowane na dwa sposoby: jako obciążenie współosiowe oraz jako mikopaskowy układ planarny zawierający skupiony rezystor. Uzyskane z symulacji wyniki zostały zweryfikowane eksperymentalnie....
-
Przyrządy półprzewodnikowe Zima 2024/2025 - lab
Kursy OnlineCelem kursu jest zapoznanie studentów z podstawowymi elementami elektronicznymi, takimi jak diody i rezystory, oraz z nauką praktycznego montażu i testowania układów elektronicznych. Struktura kursu: Wprowadzenie do elementów elektronicznych: Omówienie podstawowych elementów elektronicznych, takich jak diody i rezystory, ich charakterystyk i zastosowań. Praktyczne ćwiczenia z montażu: Studenci będą montować różne układy z diodami...
-
An analysis of a measurement probe for a high impedance spectroscopy analyzer
PublikacjaW artykule przedstawiono sondę będącą obwodem wejściowym analizatora do spektroskopii wysokoimpedancyjnej. Sonda umożliwia pomiar impedancji jednym zaciskiem uziemnionej w zakresie od 100ohm do 100Gohm. Sonda umożliwia wydzielenie dwóch sygnałów proporcjonalnych do prądu i napięcia na impedancji mierzonej w szerokim zakresie częstotliwości od 100uHz do 100MHz.Przeprowadzono analizę sondy w której uwzględniono najważniejsze czynniki...
-
An analysis of a measurement probe for a high impedance spectroscopy analyzer
PublikacjaW artykule przedstawiono sondę będącą obwodem wejściowym analizatora do spektroskopii wysokoimpedancyjnej. Sonda umożliwia pomiar impedancji jednym zaciskiem uziemnionej w zakresie od 100ohm do 100Gohm. Sonda umożliwia wydzielenie dwóch sygnałów proporcjonalnych do prądu i napięcia na impedancji mierzonej w szerokim zakresie częstotliwosci od 100uHz do 100MHz.Przeprowadzono analizę sondy w której uwzględniono najważniejsze czynniki...
-
A microcontroller system for measurement of three independent components in impedance sensors using a single square pulse
PublikacjaOpracowano nową metodę pomiaru w dziedzinie czasu i wyznaczania trzech składowych elementów modelu czujnika impedancyjnego oraz zaimplementowano ją w inteligentnym czujniku impedancji sterowanym 8-bitowym mikrokontrolerem. Metoda bazuje na pobudzeniu dzielnika napięciowego składającego się z rezystora pełniącego funkcję konwertera prąd na napięcie i z czujnika impedancji pojedynczym impulsem prostokątnym o czasie trwania T bezpośrednio...
-
Sposób korekcji wartości rezystancji rezystorów warstwowych
Wynalazki -
Techniczne i ekonomiczne aspekty wykorzystania przekształtników dwukierunkowych w praktyce
PublikacjaNowoczesne napędy z silniami indukcyjnymi klatkowymi i przemiennikami częstotliwości stanowią blisko 90% napędów elektrycznych z regulowana prędkością kątową. Dzięki zastosowaniu nowych typów silników, przekładni oraz nowych generacji tranzystorów IGBT w przekształtnikach napędy te są energooszczędne, zaś koszt ich instalacji zwraca się średnio w ciągu kilkudziesięciu miesięcy od chwili zainstalowania. W 95% są to napędy z jednokierunkowym...
-
Active-Error Feedforward Technique for Linearization of CMOS Transconductance Amplifier
PublikacjaW pracy przedstawiono koncepcję układową operacyjnego wzmacniacza transkonduktancyjnego CMOS o zwiększonej liniowości charakterystyk przejściowych. Proponowana struktura wzmacniacza transkonduktancyjnego opiera się na wykorzystaniu prostych transkonduktorów realizowanych za pomocą par różnicowych. Linearyzacja charakterystyki przejściowej układu następuje dzięki zastosowaniu w ścieżce "feedforward" wzmacniacza błędu. Wzmacniacz...