Search
Filters
total: 160
filtered: 130
Search results for: PRZYRZĄDY Z WĘGLIKA KRZEMU
-
Problemy pomiarów szumów diod z węglika krzemu
PublicationPrzedstawiono system do pomiaru szumów m.cz. diod Schottky'ego wykonanych z węglika krzemu (SiC) spolaryzowanych w kierunku przewodzenia i zaporowym, z uwzględnieniem specyfiki pomiaru szumów wybuchowych (RTS). Badane diody charakteryzują się wysokim prądem przewodzenia (do 12A) i wysokim napięciem zaporowym (typowo 600V i 1200V). Omówiono zagadnienia związane ze sposobami polaryzacji badanych diod i ich wpływ na wyniki pomiarów....
-
Charakterystyka tranzystorów z węglika krzemu w wysokosprawnych przekształtnikach
PublicationPółprzewodnikowe przyrządy mocy z węglika krzemu (SiC) osiągnęły poziom technologiczny umożliwiający powszechne stosowanie w układach przekształtnikowych. W artykule omówiono ostatnie osiągnięcia dotyczące układów przekształtnikowych z przyrządami z węglika krzemu oraz wybrane wyniki badań realizowane na Politechnice Gdańskiej. W artykule opisano właściwości statyczne i dynamiczne tranzystorów MOSFET i JFET z węglika krzemu oraz...
-
Pomiary szumów m.cz. tranzystorów MESFET z węglika krzemu
PublicationTranzystory MESFET z węglika krzemu typu CRF24010 (CRREE) są przyrządami mocy przeznaczonymi do pracy w zakresie wysokich częstotliwości. Ze względu na możliwość oceny technologii tych przyrządów, a także ich jakości celowe jest określenie ich właściwości szumowych w zakresie małych częstotliwości. Przedstawiono wyniki badań wykonanych w celu oceny właściowści szumowych tranzystorów MESFET z SiC oraz zaproponowano schemat szumowy...
-
Badanie właściwości elementów mocy z węglika krzemu w zastosowaniach układowych
PublicationW artykule prezentowane są wyniki badania właściwości elementów SiC w zastosowaniach układowych. Do celów pomiarowych zaprojektowano układ przetwornicy realizujący konfigurację buck oraz boost z elementami aktywnymi z SiC oraz z krzemu, jako elementami referencyjnymi. Układ przetwornicy był badany dla różnych zestawów elementów, konfiguracji i parametrów pracy.
-
Silicon carbide application issues
PublicationThe main goals of Task 3 and Task 4 of the ordered project ''New technologies based on silicon carbide and their application in HF, high power and high temperature electronics'' are presented
-
Ocena jakości elementów z węglika krzemu metodą pomiaru szumów z zakresu małych częstotliwości
PublicationPrzedstawiono zagadnienie powiązania parametrów szumowych elementów elektronicznych z jakością ich wykonania. Przedstawiono stan badań intensywności metod oceny jakości elementów elektronicznych przez pomiar ich parametrów szumowych oraz propozycję ich zastosowania do oceny jakości elementów z węglika krzemu.
-
Układy sterowania bramkowego tranzystorów z węglika krzemu SiC JFET w falownikach napięcia
PublicationZastosowanie technologii węglika krzemu (SiC) w falownikach napięcia pozwala na zwiększenie częstotliwości przełączeń oraz temperatury pracy przyrządów półprzewodnikowych. W celu zapewnienia minimalizacji strat oraz określonych właściwości dynamicznych tranzystorów z węglika krzemu wymagane jest stosowanie zaawansowanych układów sterowania bramkowego. W referacie przedstawiono analizę teoretyczną, wyniki badań symulacyjnych oraz...
-
Pomiary szumów m.cz. diod Schottky'ego z węglika krzemu spolaryzowanych w kierunku przewodzenia
PublicationPrzedstawiono wyniki pomiarów szumów małej częstotliwości diod Schottky'ego wykonanych z węglika krzemu polaryzowanych w kierunku przewodzenia. Badania przeprowadzono dla diod o nominalnym prądzie przewodzenia IF od 2 A do 12 A.
-
Budowa i badania prototypowych podukładów funkcjonanych elektronicznych i energoelektronicznych, w tym wysokotemperaturowych, wykorzystujących opracowane elementy i przyrządy - zadanie 3. projektu ''Nowe technologie na bazie węglika krzemu i ich zastosowania w elektronice wielkich częstotliwości, dużych mocy i wysokich temperatur''
PublicationPrzedstawiono główne cele zadania 3. projektu zamawianego nt. ''Nowe technologie na bazie węglika krzemu i ich zastosowania w elektronice wielkich częstotliwości dużych mocy i wysokich temperatur''. Są to: badania typowych układów elektronicznych i energoelektronicznych z zastosowaniem kompercyjnych elementów i przyrządów z SiC w celu opracowania rozwiązań, które będą mogły być stosowane w praktyce i będą korzystniejsze niż zastosowane...
-
Przeprowadzenie prób obejmujących miernictwo i charakteryzację opracowanych elementów, przyrządów i prototypowych podukładów funkcjonalnych zgodnie z obowiązującymi normami - zadanie 4. projektu ''Nowe technologie na bazie węglika krzemu i ich zastosowania w elektronice wielkich częstotliwości, dużych mocy i wysokich temperatur''
PublicationPrzedstawionmo główne cele zadania 4. projektu zamawianego nt. ''Nowe technologie na bazie węglika krzemu i ich zastosowania w elektronice wielkich częstotliwości dużych mocy i wysokich temperatur. Są to: analiza właściwości produkowanych obecnie komercyjnych elementów i przyrządów półprzewodnikowych z SiC oraz przygotowanie stanowisk laboratoryjnych do pomiarów parametrów i chrakterystyk tych przyrządów.Przewidywane jest opracowanie...
-
Analysis of size and shape of abrasive micrograins in lapping of assembly joints
PublicationPrzedstawiono skomputeryzowana analizę wielkości i kształtu mikroziaren ściernych. W badaniach mikroziaren węglika boru, węglika krzemu i elektrokorundu zastosowano mikroskopie optyczna oraz specjalistyczne oprogramowanie MultiScan v.6.08
-
Komputerowa analiza wielkości mikroziaren ściernych.
PublicationPrzedstawiono wyniki badań wielkości mikroziaren ściernych węglika krzemu, elektrokorundu i węglika boru. W badaniach wykorzystano analizator laserowy firmy Fritsch Gmbh. Wyznaczono rozkład prawdopodobieństwa wielkości mikroziaren oraz liczności skumulowanej szeregów rozdzielczych. Scharakteryzowano zasady pomiaru oraz porównano znane metody badania wielkości ziaren.
-
Study of abrasive slurry dosage in flat surfaces lapping process
PublicationPrzedstawiono wyniki badań dozowania pasty i zawiesiny ściernej w procesach docierania powierzchni płaskich. Badano wpływ wielkości dawki ścierniwa na podstawowe parametry chropowatości powierzchni elementów miedzianych i ceramicznych. Docierano miedź betlenową MOOB oraz ceramikę Al2O3 i Al2O3-ZrO2 mikroziarnami węglika krzemu i węglika boru.
-
Analiza czasochłonności docierania technologicznego powierzchni płaskich w operacjach montażowych.
PublicationPrzedstawiono wyniki analiz docierania i mikroszlifowania elementów płaskich na docierarce jednotarczowej mikroziarnami węglika krzemu. Obrabiano elementy ze stali 100Cr oraz z tlenkowej ceramiki technicznej Al2O3. Analizowano czas obróbki i koszty operacji.
-
Wpływ zawiesiny ściernej dawkowanej w sposób wymuszony na wydajność docierania jednotarczowego elementów ceramicznych
PublicationPrzedstawiono zagadnienia związane z przygotowywaniem zawiesiny ściernej w docieraniu maszynowym powierzchni płaskich. W badaniach zastosowano wymuszony sposób dozowania zawiesiny na docierak żeliwny. Badano docieranie elementów z ceramiki tlenkowej zawiesiną na bazie mikroziaren węglika krzemu.
-
Charging of the cast iron lapping tools.
PublicationPrzedstawiono technikę i technologię zbrojenia wymuszonego powierzchni docieraków tarczowych. Omówiono konstrukcję przyrządu oraz wyniki badań intensywności zbrojenia docieraków mikroziarnami węglika krzemu. Analizowano docieraki z żeliwa szarego i sferoidalnego oraz mikroziaren o numerze 320 i 300.
-
Badania temperatury elementów układu wykonawczego docierarki jednotarczowej
PublicationPrzedstawiono wyniki badań własnych wpływu parametrów obróbki na wzrost temperatury docieraka żeliwnego. Badano docieranie powierzchni płaskich na docierarce jednotarczowej. Określono wpływ nacisku jednostkowego i wielkości mikroziaren węglika krzemu i węglika boru na przyrost temperatury maksymalnej po 180 i 300 min. obróbki. Przeprowadzono analizę statystyczną wyników badań i określono współczynniki istotności F.
-
Badania temperatury elementów układu wykonawczego docierarki jednotarczowej
PublicationPrzedstawiono wyniki badań własnych wpływu parametrów obróbki na wzrost temperatury docieraka żeliwnego. Badano docieranie powierzchni płaskich na docierarce jednotarczowej. Określono wpływ nacisku jednostkowego i wielkości mikroziaren węglika krzemu i węglika boru na przyrost temperatury maksymalnej po 180 i 300 min. obróbki. Przeprowadzono analizę statystyczną wynikow badań i określono współczynniki istotności F.
-
Pomiary i analiza wielkości mikroziaren ściernych.
PublicationOmówiono skomputeryzowana analizę wielkości i kształtu mikroziaren ściernych. W badaniach mikroziaren węglika boru, czarnego i zielonego weglika krzemu oraz elektrokorundu zwykłego i szlachetnego stosowano mikroskopię optyczną oraz oprogramowanie MultiScan.
-
Analiza wielkości mikroziaren ściernych
PublicationPrzedstawiono skomputeryzowana analizę wielkości i kształtu mikroziaren ściernych. W badaniach mikroziaren czarnego węglika krzemu oraz elektrokorundu zwykłego i szlachetnego stosowano stereoskopową mikroskopię optyczną oraz oprogramowanie Scopelmage DynamicPro i Scopelmage Advanced
-
Hybrid high-frequency-SiC and line-frequency-Si based PEBB for MV modular power converters
PublicationIzolowane przekształtniki DC-DC o sterowanym kącie przesunięcia napięć strony pierwotnej i wtórnej są kluczowymi elementami współczesnych modułowych przekształtników energoelektronicznych średniego napięcia (SN). W porównaniu do konwencjonalnych przekształtników SN, przekształtniki modułowe z izolowanymi przetwornicami DC-DC nie wymagają izolacji w postaci wielkogabarytowych transformatorów o częstotliwości sieci. Zastosowanie...
-
Metody badania właściwości szumowych elementów mocy z SiC
PublicationW artykule przedstawiono metody i układy pomiarowe do pomiarów szumów z zakresu małych częstotliwości diod mocy wykonanych z węglika krzemu. Pomiary prowadzone były przy polaryzacji badanych elementów w kierunku przewodzenia i zaporowym. Opracowano układ automatycznej kompensacji składowej stałoprądowej, który umożliwia obserwację i rejestrację szumów wybuchowych.
-
Surface contamination after lapping by abrasive material
PublicationPrzedstawiono wyniki badań skażenia powierzchni żeliwa sferoidalnego mikroziarnami węglika krzemu po docieraniu. Określowo wpływ współczynnika upakowania mikroziaren w strefie docierania na intensywność skażenia powierzchni ścierniwem. W badaniach wykorzystano powierzchniową mikroanalizę rentgenowską.
-
Komputerowa analiza wielkości mikroziaren ściernych
PublicationPrzedstawiono skomputeryzowaną analizę wielkości i kształtu mikroziaren ściernych przy użyciu specjalnego oprogramowania MultiScan v.6.08 oraz zautomatyzowane pomiary z wykorzystaniem analizatora laserowego Analysette 22 Micro Tec mikroziaren czarnego węglika krzemu o numerze F32/29. Dokonano przeglądu konstrukcji najnowszych analizatorów czołowych producentów światowych.
-
Trójfazowy falownik napięcia z tranzystorami SiC JFET
PublicationW referacie przedstawiono konstrukcję oraz wyniki badań trójfazowego falownika napięcia zbudowanego z wykorzystaniem diod Schottky oraz tranzystorów JFET z węglika krzemu (SiC). Znacznie krótsze czasy przełączeń tych elementów w porównaniu z tranzystorami IGBT i diodami na bazie krzemu (Si) umożliwiają pracę układu z częstotliwością 100 kHz i wyższą. Małe energie przełączeń oraz mała rezystancja drenu tranzystorów SiC JFET pozwalają...
-
Pomiary i analiza wielkości mikroziaren ściernych w operacjach docierania
PublicationPrzedstawiono wyniki badań wielkości i kształtu mikroziaren ściernych węglika boru, elektrokorundu i węglika krzemu. Analizowano rozkłady długości i szerokości oraz pola powierzchni obrazów mikroziaren w rzucie na płaszczyznę równoległą do płaszczyzny obserwacji. W pomiarach wykorzystano skomputeryzowane stanowisko do badań mikroskopowych oraz oprogramowanie MultiScan. Wyniki eksperymentów mogą być wykorzystane w procesie przygotowania...
-
Badania jakości docierania elementów z ceramiki technicznej i węglików spiekanych na docierarce jednotarczowej.
PublicationPrzedstawiono wyniki badań docierania elementów płaskich na docierarce jednotarczowej zawiesiną z węglika krzemu. Docierano elementy z tlenkowej ceramiki technicznej Al2O3 i Al2O3-ZrO2 oraz węgliki spiekane SM25, H15X i H20S. Badano wydajność obróbki oraz chropowatość powierzchni po docieraniu. Czynnikami zmiennymi badań była prędkość docierania, nacisk jednostkowy i czas docierania.
-
Tarcze docierające z żeliwa sferoidalnego. Właściwości i badania
PublicationW pracy zamieszczono modelowe ujęcie penetracji mikroziaren ściernych węglika krzemu w wydzielaniu grafitu w żeliwie sferoidalnym. Skuteczność zbrojenia docieraków ścierniwem wymaga określenia korzystnych parametrów struktury żeliwa w aspekcie rozmiarów stosowanych mikroziaren ściernych w procesie docierania.
-
Wysokosprawne układy aktywnej filtracji wyjściowej w przekształtnikach elektrowni wiatrowych
PublicationCzęstotliwość pracy tranzystorów w przekształtnikach elektrowni wiatrowych średniej mocy jest ograniczona (1kHz-10kHz), co wymaga stosowania od strony sieci filtrów pasywnych o znacznych gabarytach. W referacie omówiono możliwość zastosowania wysokosprawnego wspomagającego filtra aktywnego z przyrządami z węglika krzemu zapewniającego eliminację wysokoczęstotliwościowych zmian prądu sieciowego (tzw. rippli) przy jednoczesnym zmniejszeniu...
-
SiC-based phase-shift dual half bridge DC-DC converter as a key component of multilevel cascaded MV converters
PublicationThe paper describes SiC-based dual half bridge (DHB) DC-DC converter considered as a key component of high frequency isolated multilevel cascaded medium voltage converters. Two topologies of bi-directional DC-DC converters: the resonant half-bridge DC-DC converter and the phase-shift DHB converter are compared in the paper. Experimental results of SiC-based 50 kHz DHB DC-DC converter are presented in the paper.
-
Wysokoczęstotliwościowy falownik napięcia z tranzystorami SiC JFET do zasilania silnika wysokoobrotowego
PublicationW referacie przedstawiono konstrukcję oraz wyniki badań trójfazowego falownika napięcia zbudowanego z wykorzystaniem diod Schottky oraz tranzystorów JFET z węglika krzemu (SiC). Znacznie krótsze czasy przełączeń tych elementów w porównaniu z tranzystorami IGBT i diodami na bazie krzemu (Si) umożliwiają pracę układu z częstotliwością 100 kHz i wyższą. Duża stromość narastania napięcia rzędu dziesiątek kV/µs powoduje problemy EMC...
-
Wysokoczęstotliwościowy przekształtnik z tranzystorami SiC JFET
PublicationW referacie przedstawiono konstrukcję oraz wyniki badań trójfazowego falownika napięcia zbudowanego z wykorzystaniem diod Schottky oraz tranzystorów JFET z węglika krzemu (SiC). Znacznie krótsze czasy przełączeń tych elementów w porównaniu z tranzystorami IGBT i diodami na bazie krzemu (Si) umożliwiają pracę układu z częstotliwością 100 kHz i wyższą. Duża stromość narastania napięcia rzędu dziesiątek kV/µs powoduje problemy EMC...
-
Analiza modelu matematycznego opisującego wzrost temperatury podczas docierania jednostronnego powierzchni płaskich
PublicationPrzedstawiono weryfikację modelu matematycznego opisującego temperaturę elementów układu wykonawczego docierarki jednotarczowej od podstawowych warunków procesu docierania. Analizowano obróbkę na docierarce Abralap 380, określając wpływ nacisku jednostkowego, prędkości i czasu docierania elementów stalowych mikroziarnami węglika krzemu o numerze F600/9. W badaniach wykorzystano kamerę termograficzną z serii V-20 II firmy Vigo System...
-
Badania wpływu twardości materiału obrabianego na temperaturę docieraka podczas docierania powierzchni płaskich
PublicationPrzedstawiono wyniki badań wpływu twardości materiału obrabianego na wzrost temperatury docieraka. Obrabiano elementy ze stali C45 na docierarce jednotarczowej. Porównano obróbkę elementów walcowych o średnicy 17 mm i twardości 160 i 650 HV mikroziarnami węglika krzemu F400/17. W badaniach wykorzystano kamerę termowizyjną.
-
Determining the conditions for temperature measurements during flat lapping
PublicationPrzedstawiono pomiary temperatury układu wykonawczego docierarki jednotarczowej ABRALAP 380. Badano wpływ liczby stosowanych pierścieni prowadzących przy docieraniu elementów ceramicznych mikroziarnami węglika krzemu. Analizowano przyrost temperatury układu w czasie do trzech godzin. W badaniach zastosowano kamerę termowizyjną V-20II firmy VIGO System S.A.
-
Diamond surface modification following thermal etching of Si supported hydrogenated diamond films by DBr
PublicationZbadano, wykorzystując spektroskopię oscylacyjną (HREELS - High Resolution Electron Energy Loss Spectroscopy) modyfikacje chemiczne powierzchni wodorowanego diamentu, umieszczonego na podkładzie krzemowym i wystawionego na działanie DBr a następnie podgrzanego do temp. powyżej 600 st.K. Przedstawiona procedura powoduje tworzenie się węglika krzemu SiC na powierzchni warstwy diamentowej, co jest widoczne na widmie HREEL jako dwa...
-
Analiza rozdrabniania mikroziaren ściernych w docieraniu powierzchni płaskich.
PublicationPrzedstawiono analizę porównawczą mikroziaren przed i po docieraniu. Badania przeprowadzono na skomputeryzowanym stanowisku do automatycznej analizy obrazu mikroskopowego wyposażonego w oprogramowanie Multi Scan. Docierano elementy stalowe w stanie miękkim i po ulepszeniu cieplnym o przekroju kołowym i trójkątnym. Stosowano mikroziarna elektrokorundu i węglika krzemu o różnej ziarnistości. Badano rozdrobnienie mikroziaren przy...
-
Power devices in Polish National Silicon Carbide Program
PublicationArtykuł zawiera informacje o polskim rządowym programie ''Nowe technologie na bazie węglika krzemu i ich zastosowania w elektronice wielkich częstotliwości, dużych mocy i wysokich temperatur''. Program zawiera trzy główne zadania zawierające następujące cele: wytworzenie podłoży z SiC, wytworzenie przyrządów z SiC oraz ocenę działania wybranych przyrządów w układach aplikacyjnych. Omówiono zastosowane metody wytwarzania podłoży,...
-
Effect of SiC on the corrosion behaviour of chromium coatings
PublicationWarstwy kompozytowe Cr-SiC osadzono z kąpieli zawierającej Cr(VI) oraz zielony proszek SiC. Zawartość SiC w warstwie chromowej wynosiła od 0,1-0,9% wag. Badania XPS wykazały iż SiC pokrywała warstwa SiO2, która powstała w wyniku utleniania SiC za pomocą Cr(VI). Przeprowadzono badania potencjodynamiczne i badania za pomocą spektroskopii impedancyjnej w celu określenia właściwości korozyjnych warstw Cr-SiC w środowisku kwaśnym....
-
Przyrządy wirtualne w nauczaniu Cyfrowego Przetwarzania Sygnałów
PublicationArtykuł rozpoczyna się wyjaśnieniem pojęcia przyrządu wirtualnego oraz opisem narzędzi do przygotowania takich przyrządów. Następnie przedstawiono szereg przykładów przyrządów wirtualnych, pozwalających w prosty sposób na zapoznanie z działaniem algorytmów przetwarzania sygnałów. Opisano przyrządy wirtualne do zapoznania ze zjawiskiem aliasingu, oknami czasowymi i wygładzającymi, działaniem filtrów w dziedzinie czasu i częstotliwości...
-
Recykling krzemu w przemyśle fotowoltaicznym
PublicationKrzem jest obecnie materiałem najchętniej używanym do produkcji urządzeń fotowoltaicznych, będących w stanie przetwarzać energię promieniowania słonecznego w sposób bezpośredni na energię elektryczną. Problemem są jednak nadal wysokie koszty wytwarzania krzemu, odpowiedniego do zastosowań w przemyśle fotowoltaicznym. Opracowanie efektywnych metod, umożliwiających skuteczne zagospodarowanie powstających na każdym etapie produkcji...
-
Wpływ pęknięć kolistych na wytrzymałość zmęczeniową azotku krzemu.
PublicationAzotek krzemu posiada kombinację optymalnych własności, które są niezbędne w zastosowaniach na elementy łożysk tocznych. Podstawowym problemem związanym z wytrzymałością zmęczeniową kulek łożyskowych są pęknięcia koliste będące efektem procesu wytwarzania. Przedstawiono badania doświadczalne azotku krzemu ze sztucznie wprowadzonymi pęknięciami kolistymi oraz wpływ wybranych dodatków olejowych na propagacje tych pęknięć.
-
Nowa metoda regeneracji modułów fotowoltaicznych z amorficznego krzemu
PublicationEfekt degradacyjny Staeblera-Wrońskiego powoduje spadek sprawności ogniw fotowoltaicznych z amorficznego krzemu do 40% wartości początkowej. Stosunkowo skuteczną metodą regeneracji modułów z amorficznego krzemu jest metoda termiczna, polegająca na podgrzewaniu czynnej substancji fotowoltaicznej modułu do określonej temperatury w ciągu określonego czasu. Oba te ostatnie parametry nie zostały jak dotąd zoptymalizowane zarówno z racji...
-
Przyrządy do pomiaru parametrów uziemnień.
PublicationOmówiono metody pomiarowe stosowane najczęściej w miernikach parametrów uziemnień przeznaczonych do pracy przy częstotliwościach przemysłowych oraz uziemnień odgromowych. Oprócz metod statycznych (niskoczęstotliwościowych) i udarowych zaprezentowano metody wysokoczęstotliwościowe wykorzystywane w miernikach. Przedstawiono ograniczenia omawianych metod i niebezpieczeństwo powstania nadmiernych błędów wynikających z niedokładnej...
-
Ewolucja od węgla do krzemu
PublicationFelieton popularnonaukowy dotyczący filozofii techniki.
-
Pure silicon recovering from photovoltaic modules
PublicationOdzyskiwanie krzemu ze zużytych lub uszkodzonych modułów fotowoltaicznych może mieć znaczenie nie tylko ekonomiczne, ale również ekologiczne. Etap obejmujący procesy chemiczne wymaga optymalizacji z punktu widzenia wymaganej czystości odzyskiwanego krzemu. W pracy przedstawiono wyniki przeprowadzonych prób trawienia poszczególnych warstw ogniw PV: warstwy antyodblaskowej, metalizacji (kontaktów), złącza p-n. Skład roztworów trawiących...
-
Przyrządy do oceny jakości energii elektrycznej na przyykładzie elspec g4500
PublicationW artykule opisano przyrząd nowej generacji w dziedzinie pomiarów jakości energii elektrycznej typu ELSPEC G4500. Urządzenie pracujące w klasie A wprowadza nowy standard pomiarów polegający na wykonywaniu ciągłej rejestracji wszystkich interesujących użyt-kownika sygnałów. Zastosowane rozmiary pamięci i sposoby kompresji danych umożliwiają zapis na-wet wieloletniej obserwacji zjawisk zachodzących w sieci elektrycznej. Dane te...
-
Procesy termiczne i chemiczne w recyklingu ogniw i modułów fotowoltaicznych z krystalicznego krzemu
PublicationW pracy przedstawiono opracowaną technologię kompleksowego recyklingu wyeksploatowanych, zużytych lub uszkodzonych ogniw fotowoltaicznych (PV) z krystalicznego krzemu. Opracowano szereg technik i procesów technologicznych, odmiennych dla etapu delaminacji (separacji) i oczyszczania. Przedstawiono opracowane koncepcje, metody badawcze oraz rezultaty badań nad recyklingiem krzemowych ogniw i modułów fotowoltaicznych. Zaproponowano...
-
Znaczenie krzemu dla wybranych gatunków roślin o znanych właściwościach cytotoksycznych
Publication -
Vom siliciumdisulfid zu einem neuen Gebiet chemischer Verbindungen - Chemie der Orthothiokieselsäure-Derivate und ihre Molekülstrukturen
PublicationOtrzymany przez syntezę żelazo-krzemu z siarką techniczny dwusiarczek krzemu wykazuje wysoką reaktywność i w reakcjach z alkoholami daje produkty zawierające wiązanie Si-S. Otrzymane trialkoksysilanotiole (RO)3SiSH są stosunkowo kwaśnymi i trwałymi związkami. Sole silanotioli metali grup głównych oraz metali przejściowych mają różne struktury molekularne, np.: monomeryczne, dimeryczne czy tetrameryczne.