Search
Search results for: SILICON
-
Silicon
Journals -
PHOSPHORUS SULFUR AND SILICON AND THE RELATED ELEMENTS
Journals -
Silicon Semiconductor
Journals -
Positron Annihilation Studies of Silicon Oxides and Oxygen Precipitates in Silicon
PublicationTechniki pozytonowe dają możliwości badania defektów i zmian strukturalnych nie obserwowanych innymi metodami. W tej pracy zastosowano 3 różne techniki pozytonowe do badania zmian strukturalnych i tworzenia wydzieleń SiOx w krzemie.
-
Alkyl Monolayers on Silicon Prepared from 1-Alkenes and Hydrogen-Terminated Silicon
Publication -
Silicon carbide application issues
PublicationThe main goals of Task 3 and Task 4 of the ordered project ''New technologies based on silicon carbide and their application in HF, high power and high temperature electronics'' are presented
-
Studies of Silicon Podand Solvents
Publication -
Chemical treatment of crystalline silicon solar cells as a method of recovering pure silicon from photovoltaic modules
PublicationProducenci modułów PV stosują ogniwa krzemowe, wyprodukowane w różnej technologii, w efekcie czego różnią się one między sobą. Różnorodność dotyczy zarówno modułów PV, wykonanych z ogniw polikrystalicznych jak i monokrystalicznych. Różnice widoczne są zwłaszcza dla kontaktów elektrycznych. Producenci ogniw wykonują metalizację z zastosowaniem past Al, Ag lub przy jednoczesnym użyciu Al/Ag. Proces recyklingu krzemowych ogniw PV...
-
Ultrasonic spectroscopy of silicon single crystal
PublicationSpecimens of Si single crystals with different crystal orientation [100] and [110] were studied by the electro-ultrasonic spectroscopy (EUS) and Resonant Ultrasonic Spectroscopy (RUS). A silicon single crystal is an anisotropic crystal, so its properties are different in different directions in the material relative to the crystal orientation. EUS is based on interaction of two signals: electric AC signal and ultrasonic signal,...
-
Effect of illumination on noise of silicon solar cells
PublicationTransport and noise properties of silicon solar cells in darkness and under illumination have been studied. The measurements were carried out for both reverse and forward bias of the device. The changes in the sample behaviour are due to the variation of PN junction dynamic resistance and, also, the occurence of both 1/f and generation-recombination noise components
-
Lack of magnetoacoustic emission in iron with 6.5% silicon
PublicationZjawisko emisji magnetoakustycznej (EMA) na ogół tłumaczy się dwoma przyczynami: ruchem nie 180-cio stopniowych granic domenowych (1) lub kreacją i anihilacją domen magnetycznych. Artykuł prezentuje silne dowody na poparcie faktu, że to właśnie ruch granic nie 180-cio stopniowych odpowiada za powstawanie efektu EMA. Wynika to z wyników pomiarów dających zerowe natężenie efektu EMA przeprowadzonych dla szerokiego zakresu naprężeń...
-
Pure silicon recovering from photovoltaic modules
PublicationOdzyskiwanie krzemu ze zużytych lub uszkodzonych modułów fotowoltaicznych może mieć znaczenie nie tylko ekonomiczne, ale również ekologiczne. Etap obejmujący procesy chemiczne wymaga optymalizacji z punktu widzenia wymaganej czystości odzyskiwanego krzemu. W pracy przedstawiono wyniki przeprowadzonych prób trawienia poszczególnych warstw ogniw PV: warstwy antyodblaskowej, metalizacji (kontaktów), złącza p-n. Skład roztworów trawiących...
-
Surface diffusion and cluster formation of gold on the silicon (111)
PublicationPurpose: Investigation of the gold atoms behaviour on the surface of silicon by molecular dynamics simulation method. The studies were performed for the case of one, two and four atoms, as well as incomplete and complete filling of gold atoms on the silicon surface. Design/methodology/approach: Investigations were performed by the method of molecular dynamics simulation using the Large-scale Atomic/Molecular Massively Parallel...
-
The influence oil additives on spread cracks in silicon nitride
PublicationThe paper presents an experimental study of the influence of oil additives (Cl, S, P, cerium dioxide (CeO2)) on spread cracks in silicon nitride. The additives Cl, S, P are bound in molecules in liquid form soluble in the base oil. The CeO2 is purely in powder form in suspension. The use of CeO2 powder was made based on the good results of polishing of silicon nitride. A ceramic angular contact ball bearing was modelled using a...
-
Wear of the tool in double-disc lapping of silicon wafers
PublicationPrzedstawiono założenia modelowe do określania zużycia narzędzia w docieraniu krzemowych płytek półprzewodnikowych. Obliczenia zostały wykonane dla różnych parametrów kinematycznych, wpływających na zużycie narzędzia w określonych jego obszarach.
-
Power devices in Polish National Silicon Carbide Program
PublicationArtykuł zawiera informacje o polskim rządowym programie ''Nowe technologie na bazie węglika krzemu i ich zastosowania w elektronice wielkich częstotliwości, dużych mocy i wysokich temperatur''. Program zawiera trzy główne zadania zawierające następujące cele: wytworzenie podłoży z SiC, wytworzenie przyrządów z SiC oraz ocenę działania wybranych przyrządów w układach aplikacyjnych. Omówiono zastosowane metody wytwarzania podłoży,...
-
Recovery of silver metallization from damaged silicon cells
PublicationMetallization is one of the key process steps to fabricate solar cells with high performance in a cost-effective way. Majority of photovoltaic solar cell manufacturing uses thick film screen print metallization with Ag containing paste to produce solar cells. The average lifetime of PV modules can be expected to be more than 25 years. The disposal of PV systems will become a problem in view of the continually increasing production...
-
Thermally affected parameters of the current-voltage characteristics of silicon photocell
PublicationW pracy wykazano: zależność wzrostu prądu zwarcia wskutek absorpcji dodatkowych fotonów ze wzrostem temperatury, spadek napięcia wbudowanego złącza p-n wraz ze wzrostem temperatury, wpływ temperatury na zmianę napięcia otwartego obwodu. Dodatkowo wyznaczone odpowiednie współczynniki temperaturowe porównano z wartościami wynikającymi z rozważań teoretycznych. Badano parametry elektryczne następujących elementów wykonanych z amorficznego...
-
The effect of temperature on the power drop in crystalline silicon solar cells
PublicationPrzedstawiono wpływ temperatury i długości fali zaabsorbowanego promieniowania na parametry elektryczne krzemowych ogniw i modułów fotowoltaicznych. Zaobserwowano spadek mocy wyjściowej (-0.65%/K), współczynnika wypełnienia charakterystyki FF (-0.2%/K) i sprawności konwersji (-0.08%/K) ze wzrostem temperatury. Zaprezentowano również charakterystykę spektralną napięcia otwartego obwodu dla ogniw krzemowych.
-
Laser surface treatment of aluminium-silicon alloy at cryogenic conditions
PublicationW artykule przedstawiono wpływ laserowego, powierzchniowego przetapiania w warunkach kriogenicznych na mikrostrukturę, mikrotwardość, zużycie na skutek tarcia oraz korozję stopu aluminium AlSi13Mg1CuNi. Stwierdzono zwiększenie mikrotwardości, odporności na ścieranie i korozję odlewniczego stopu AlSi13Mg1CuNi stosowanego w produkcji tłoków silników spalinowych.
-
Dark current characteristics of single crystalline silicon solar cells.
PublicationW pracy przedstawiono wpływ szkodliwych rezystancji na parametry pracy krzemowych ogniw fotowoltaicznych. W tym celu wyznaczono ciemne charakterystyki prądowo-napięciowe. W celu opisu własności elektrycznych ogniw zastosowano model jedno- i dwu-diodowy. Wyznaczono współczynniki nieidealności charakterystyki i rezystancję szeregową w całym zakresie temperatur pracy ogniw fotowoltaicznych dla zastosowań naziemnych. Wyznaczona za...
-
Alignment of the CMS silicon tracker during commissioning with cosmic rays
Publication -
Experimental Validation of the Chemical Recycling of Crystalline Silicon Solar Cells
PublicationW ostatnich latach systemy fotowoltaiczne stają się bardzo popularne na całym świecie jako korzystne dla środowiska rozwiązanie problemów energetycznych. Zagadnienie zagospodarowania zużytych elementów systemów fotowoltaicznych, których ilość w przyszłości może być znaczna, nie zostało do tej pory opracowane. Konieczne jest znalezienie optymalnej metody recyklingu i ponownego wykorzystania wycofanych z użycia elementów składowych...
-
The author's technology for the recovery of materials from the silicon photovoltaic cells
PublicationOdzyskanie czystego krzemu z uszkodzonych lub wycofanych z eksploatacji modułów PV może prowadzić do korzyści ekonomicznych i ekologicznych. Ze względu na wysokie wymagania jakościowe, dotyczące odzyskiwanego krzemu, procesy chemiczne są najważniejszym etapem w recyklingu ogniw PV. W artykule przedstawiono przykłady i możliwości odzyskania materiałów ze zużytych lub uszkodzonych ogniw fotowoltaicznych z krystalicznego krzemu oraz...
-
Tunneling in Systems of Coupled Dopant-Atoms in Silicon Nano-devices
Publication -
Potentiometric and AM1d studies of silicon podands—silver(I) complexes
Publication -
Low-temperature synthesis of silicon carbide powder using shungite
Publication -
Investigation of the outdoor illuminated and air-cooled silicon solar cell
PublicationPrzedstawiono metodę wyznaczania współczynnika nieidealności ogniwa słonecznego w oparciu o zmiany napięcia otwartego obwodu w funkcji nasłonecznienia. Zastosowano chłodzenie ogniwa przy użyciu radiatora i strumienia powietrza celem utrzymania jego temperatury na stałym poziomie podczas eksperymentu. Omówiono wpływ nasłonecznienia i temperatury ogniwa na kształt charakterystyki i położenie punktu maksymalnej mocy.
-
Recovery and re-use of photovoltaic solar cells from crystalline silicon
PublicationCrystalline silicon-type PV modules consist, in order of mass, of glass, an aluminium frame, an EVA coating, solar cells, a terminal box, back film and tapping screws. From the economic point of view, pure silicon, recoverable from spent cells, is the most important material owing to its cost and shortage. For crystalline, silicon-based PV cells, the following chemical treatments were performed: removal of the metal coating, followed...
-
Investigation of RTS Noise in Reverse Polarized Silicon Carbide Schottky Diodes
PublicationOne of the method of electronic device quality and reliability evaluation is observation of its inherent noise. The RTS phenomena usually indicates the presence of large defects in the structure of the material of the device, therefore it can be treated as an indicator of technology quality. In the paper authors present results of RTS investigations in reverse polarized Silicon Carbide Schottky diodes. Devices being studied are...
-
Silicon Oxycarbide (SiOC) Ceramic Materials as Anodes for Lithium Ion Batteries
PublicationPolymer derived ceramics (PDCs) have attracted attention as alternative anode material for Li-ion batteries. It has been found that ternary SiOC and SiCN ceramics obtained through pyrolysis of various preceramic polymers display high reversible capacities of 500 – 650 mAh/g. In this work we try to correlate the electrochemical performance of polymer derived silicon oxycarbide with its chemical composition and microstructural features....
-
Silicon Oxycarbide-Graphite Electrodes for High-Power Energy Storage Devices
PublicationHerein we present a study on polymer-derived silicon oxycarbide (SiOC)/graphite composites for a potential application as an electrode in high power energy storage devices, such as Lithium-Ion Capacitor (LIC). The composites were processed using high power ultrasound-assisted sol-gel synthesis followed by pyrolysis. The intensive sonication enhances gelation and drying process, improving the homogenous distribution of the graphitic...
-
Low frequency noise and DLTS as silicon solar cell characterization tools
PublicationPraca zawiera wyniki pomiarów DLTS próbek o powierzchni 1 mm2 krzemowych baterii słonecznych wykazujących znaczne niejednorodności wykryte za pomocą metody LBIV (Light Beam Induced Voltage). Wyniki pomiarów charakterystyk stałoprądowych oraz szumowych tych próbek zostały także przedstawione.
-
Effect of temperature on dark current characteristics of silicon solar cells and diodes
PublicationW artykule przedstawiono analizę wpływu zmian temperatury na ciemne charakterystyki prądowo-napięciowe ogniw fotowoltaicznych i diod z monokrystalicznego krzemu. Badania eksperymentalne przeprowadzono w zakresie temperatur od 295 do 373 K. W celu wyznaczenia wartości rezystancji szeregowej wyznaczono szereg ciemnych charakterystyk I-U. Stwierdzono, że rezystancja szeregowa rośnie wraz ze wzrostem temperatury 0,65% /K i dlatego...
-
Commissioning and performance of the CMS silicon strip tracker with cosmic ray muons
Publication -
Measurement of rare probes with the silicon tracking system of the CBM experiment at FAIR
Publication -
Doped Two-Dimensional Silicon Nanostructures as a Platform for Next-Generation Sensors
Publication -
Potentiometric and AM1d studies of silicon and phosphorous podands-silver (I) complexes
Publication -
Potentiometric and AM1d studies of silicon and boron podands—silver (I) complexes
Publication -
Influence of Silicon Additives on Tribological and Rheological Test Results for Vegetable Lubricants
Publication -
An integrated periodic structure in Silicon technology to improve power amplifier parameters
PublicationNowa zintegrowana struktura periodyczna wykonana w technologii krzemowej została wprowadzona do międzystopniowego układu dopasowania wzmacniacza mocy. Dzięki temu stwiedzono poprawę większości charakterystyk wzmacniacza, jak również własności filtrujących (tłumienie harmonicznych).
-
Outdoor I-V measurements of air-cooled silicon solar cell
PublicationStosując radiator aluminiowy i przpływ powietrza z obu stron krystalicznego krzemowego ogniwa słonecznego osiągnięto skuteczne odprowadzanie ciepła i schłodzenie do temperatury otoczenia. Nową metodą (przy oświetleniu ogniwa i mniejszym napięciu) wyznaczono rezystancję szeregową i współczynnik nieidealności mierzonej charakterystyki I-V.
-
Composite Materials Based on Silicon Oxycarbide as Anodes for Lithium-Ion Batteries
PublicationIn this work, the properties of binary SiOC/graphite and SiOC/tin, as well as ternary SiOC/graphite/tin obtained from various preceramic precursors are described. During the first step, the materials were synthesized using various techniques such as sol-gel and hydrosilylation. To prevent sedimentation and agglomeration of graphite particles during the gelation stage without using surfactants and thickeners, a new gelation technique...
-
Chemical, thermal and laser processes in recycling of photovoltaic silicon solar cells and modules
PublicationIn recent years, photovoltaic power generation systems have been gaining unprecedented attention as an environmentally beneficial method to solve the energy problem. From the economic point of view the pure silicon, which can be recapture from the used cells, is the most important material due to its cost and shortage. In the paper selected methods of used or damaged module and cells recycling and experimental results are presented....
-
Enhanced gas sensing by graphene-silicon Schottky diodes under UV irradiation
PublicationThe effect of ultraviolet (UV) or blue irradiation on graphene/n-doped silicon Schottky junctions toward gas sensing was investigated. Schottky diodes were subjected to oxidizing nitrogen dioxide (NO2, 1–3 ppm) and reducing tetrahydrofuran (THF, 50–200 ppm), showing significantly different responses observed on the currentvoltage (I-V) characteristics, especially under UV light (275 nm). NO2 affected the resistive part of the forward region...
-
Temperature effect on the current-voltage characteristic fill factor for the silicon solar cells
PublicationW pracy przedstawiono badania wpływu temperatury pracy krzemowych ogniw fotowoltaicznych na wartość współczynnika wypełnienia charakterystyki prądowo- napięciowej (FF). Efekty dyfuzyjne w obszarze złącza oraz rekombinacja nośników ładunku ograniczają wartość współczynnika wypełnienia charakterystyki. Spadek tej wartości wynika głównie ze wzrostu wartości rezystancji szeregowej rs. Na rezystancję szeregową składają się: opór emitera...
-
Low Frequency Noise Measurement of Reverse Polarized Silicon Carbide Schottky Diodes
PublicationW artykule przedstawiono wyniki pomiaró szumów cz. wstecznie spolaryzowanych diod Schottky'ego.
-
Performance comparison of SiC Schottky diodes and silicon ultra fast recovery diodes
Publication -
Modeling of TiO2-Based Electron-Selective Contacts for Crystalline Silicon Solar Cells
Publication -
Generation and stability of N-phenacyl-4-R-pyridinium ylides in silicon polypodands
Publication