Search
Filters
total: 5293
filtered: 1696
-
Catalog
- Publications 1696 available results
- Journals 44 available results
- Conferences 9 available results
- Publishing Houses 6 available results
- People 442 available results
- Inventions 50 available results
- Projects 41 available results
- Laboratories 8 available results
- Research Teams 32 available results
- Research Equipment 7 available results
- e-Learning Courses 841 available results
- Events 506 available results
- Open Research Data 1611 available results
Chosen catalog filters
displaying 1000 best results Help
Search results for: SIC MESFETS
-
The Low-frequency Noise of SiC MESFETs
PublicationPrzedstawiono system do pomiaru szumów małoczestotliwościowych tranzystorów SiC MESFET oraz przykładowe wyniki pomiarów.
-
The Low Frequency Noise Behaviour of SiC MESFETs
Publication -
Oszacowanie korelacji między źródłami prądowymi zlokalizowanymi w bramce i drenie tranzystora MESFET SiC
PublicationPrzedstawiono metodę umożliwiającą szybką ocenę korelacji między szumami generowanymi w bramce oraz w drenie tranzystorów MESFET SiC. Badania przeprowadzono dla tranzystorów CRF-24010 firmy CREE. Korelację oszacowano z przebiegów czasowych szumów w zakresie małych częstotliwości (od 2 Hz do 2 kHz), przy trzech różnych wartościach prądu drenu: Id = 1; 5; 10 mA. Porównano wynik oszacowania korelacji (dziedzina czasu) z wyznaczoną...
-
NPC assessment in insulated DC/DC converter topologies using SiC MOSFETs for Power Electronic Traction Transformer
Publication -
Experimental EMI study of a 3-phase 100kW 1200V Dual Active Bridge Converter using SiC MOSFETs
Publication -
A Model for Low Frequency Noise Generation in MOSFETs.
PublicationPrzedstawiono model generacji szumów małoczęstotliwosciowych tranzystora MOS. Model został użyty do symulacji szumów cienkotlenkowych tranzystorów MOS. Wyniki symulacji porównano z danymi pomiarowymi. Zaprezentowano sposób wykorzystania pomiarów szumów m.cz. do wyznaczania niektórych parametrów charakteryzujących tranzystory MOS.
-
ASIC Design Example of Complex SoC with FPGA Prototyping
PublicationThe paper presents an example of the System on a Chip design, where the FPGA prototyping has been used. Two FPGA prototypes have been realized. The first FPGA prototype uses AVNET board containing Xilinx Virtex4 device accompanied by custom board with required devices. The second FPGA prototype has been built using the custom PCB with Xilinx Virtex-4 XC4VLX60 FPGA accompanied by all needed external components. The final system...
-
ASIC Design Example of Complex SoC with FPGA Prototyping
PublicationThe paper presents an example of the System on a Chip design, where the FPGA prototyping has been used. Two FPGA prototypes have been realized. The first FPGA prototype uses AVNET board containing Xilinx Virtex4 device accompanied by custom board with required devices. The second FPGA prototype has been built using the custom PCB with Xilinx Virtex-4 XC4VLX60 FPGA accompanied by all needed external components. The final system...
-
Magnetic field microsensor based on GaAs MESFET
PublicationA novel concept of the drain separation design in a horizontally-split-drain GaAs MAGFET sensor, based on epitaxial layer growth, was developed. Proper choice of GaAs/AlAs/GaAs epitaxial layer sequence provided good electrical isolation between the drain regions. The measured leakage current between the drain regions was in the range of nA for up to 2V drain voltage bias difference. Performed analytical and numerical calculations...
-
Evaluation of SiC JFETs and SiC Schottky diodes for wind generation systems
Publication -
Pomiary szumów m.cz. tranzystorów MESFET z węglika krzemu
PublicationTranzystory MESFET z węglika krzemu typu CRF24010 (CRREE) są przyrządami mocy przeznaczonymi do pracy w zakresie wysokich częstotliwości. Ze względu na możliwość oceny technologii tych przyrządów, a także ich jakości celowe jest określenie ich właściwości szumowych w zakresie małych częstotliwości. Przedstawiono wyniki badań wykonanych w celu oceny właściowści szumowych tranzystorów MESFET z SiC oraz zaproponowano schemat szumowy...
-
Hybrid high-frequency-SiC and line-frequency-Si based PEBB for MV modular power converters
PublicationIzolowane przekształtniki DC-DC o sterowanym kącie przesunięcia napięć strony pierwotnej i wtórnej są kluczowymi elementami współczesnych modułowych przekształtników energoelektronicznych średniego napięcia (SN). W porównaniu do konwencjonalnych przekształtników SN, przekształtniki modułowe z izolowanymi przetwornicami DC-DC nie wymagają izolacji w postaci wielkogabarytowych transformatorów o częstotliwości sieci. Zastosowanie...
-
Experimental validation and comparison of a SiC MOSFET based 100 kW 1.2 kV 20 kHz three-phase dual active bridge converter using two vector groups
Publication -
Processing and thermal characterization of polymer derived SiCN(O) and SiOC reticulated foams
Publication -
(Invited) Effect of Individual Dopants in Nano-SOI-MOSFETs and Nano-pn-Diodes
Publication -
DFT modelling of the edge dislocation in 4H-SiC
Publication -
Effect of SiC on the corrosion behaviour of chromium coatings
PublicationWarstwy kompozytowe Cr-SiC osadzono z kąpieli zawierającej Cr(VI) oraz zielony proszek SiC. Zawartość SiC w warstwie chromowej wynosiła od 0,1-0,9% wag. Badania XPS wykazały iż SiC pokrywała warstwa SiO2, która powstała w wyniku utleniania SiC za pomocą Cr(VI). Przeprowadzono badania potencjodynamiczne i badania za pomocą spektroskopii impedancyjnej w celu określenia właściwości korozyjnych warstw Cr-SiC w środowisku kwaśnym....
-
Wysokoczęstotliwościowy przekształtnik z tranzystorami SiC JFET
PublicationW referacie przedstawiono konstrukcję oraz wyniki badań trójfazowego falownika napięcia zbudowanego z wykorzystaniem diod Schottky oraz tranzystorów JFET z węglika krzemu (SiC). Znacznie krótsze czasy przełączeń tych elementów w porównaniu z tranzystorami IGBT i diodami na bazie krzemu (Si) umożliwiają pracę układu z częstotliwością 100 kHz i wyższą. Duża stromość narastania napięcia rzędu dziesiątek kV/µs powoduje problemy EMC...
-
Where science meets business...
PublicationArtykuł opisujący integrację środowisk naukowo-biznesowych za pośrednictwem Uniwersyteckiego Centrum Kompetencyjnego Technologii Oprogramowania na Wydziale Zarządzania i Ekonomii.
-
Potential of silicon carbide MOSFETs in the DC/DC converters for future HVDC offshore wind farms
Publication -
A Comparative Study of Fuzzy SMC with Adaptive Fuzzy PID for Sensorless Speed Control of Six-Phase Induction Motor
PublicationMulti-phase motors have recently replaced three-phase induction motors in a variety of applications due to the numerous benefits they provide, and the absence of speed sensors promotes induction motors with variable speed drives. Sensorless speed control minimizes unnecessary speed encoder cost, reduces maintenance, and improves the motor drive’s reliability. The performance comparison of the fuzzy sliding mode controller (FSMC)...
-
A Comparative Study of Fuzzy SMC with Adaptive Fuzzy PID for Sensorless Speed Control of Six-Phase Induction Motor
PublicationMulti-phase motors have recently replaced three-phase induction motors in a variety of applications due to the numerous benefits they provide, and the absence of speed sensors promotes induction motors with variable speed drives. Sensorless speed control minimizes unnecessary speed encoder cost, reduces maintenance, and improves the motor drive’s reliability. The performance comparison of the fuzzy sliding mode controller (FSMC)...
-
Ocena parametrów statycznych diod Schottky'ego z SiC
PublicationPrzedstawiono wyniki pomiarów parametrów statycznych 3 prób diod Schottky'ego produkcji CREE i 2 prób diod Schottky'ego produkcji INFINEON. Stwierdzono, że charakterystyki przy polaryzacji diod w kierunku przewodzenia są w zasadzie identyczne, natomiast przy polaryzacji w kierunku zaporowym wykazują istotne różnice, szczególnie w zakresie napięć w kierunku zaporowym powyżej 600 V
-
Hydrogen activated axial inter-conversion in SiC nanowires
Publication -
Trójfazowy falownik napięcia z tranzystorami SiC JFET
PublicationW referacie przedstawiono konstrukcję oraz wyniki badań trójfazowego falownika napięcia zbudowanego z wykorzystaniem diod Schottky oraz tranzystorów JFET z węglika krzemu (SiC). Znacznie krótsze czasy przełączeń tych elementów w porównaniu z tranzystorami IGBT i diodami na bazie krzemu (Si) umożliwiają pracę układu z częstotliwością 100 kHz i wyższą. Małe energie przełączeń oraz mała rezystancja drenu tranzystorów SiC JFET pozwalają...
-
Biobearings: where mechanics meets biology
PublicationStawy człowieka z punktu widzenia mechaniki są łożyskami ślizgowymi, jednak posiadają zupełnie inne właściwości niż łożyska przemysłowe. Artykuł omawia sposoby implementacji znanych zasad zachowania łożysk ślizgowych dla biołożysk z punktu widzenia materiałowego, uwzględniając te osiągnięcia w zakresie tribologii, biologii, chemii organicznej oraz inżynierii hodowli chrząstek, które są związane z łożyskami synowialnymi.
-
Modification of SiC based nanorods via a hydrogenated annealing process
Publication -
Thermally Induced Templated Synthesis for the Formation of SiC Nanotubes and more
Publication -
Metody badania właściwości szumowych elementów mocy z SiC
PublicationW artykule przedstawiono metody i układy pomiarowe do pomiarów szumów z zakresu małych częstotliwości diod mocy wykonanych z węglika krzemu. Pomiary prowadzone były przy polaryzacji badanych elementów w kierunku przewodzenia i zaporowym. Opracowano układ automatycznej kompensacji składowej stałoprądowej, który umożliwia obserwację i rejestrację szumów wybuchowych.
-
Metody badania właściwości szumowych elementów mocy z SIC
Publication..
-
A Quasi-2D MOSFET Model — 2D-to-Quasi-2D Transformation
PublicationA quasi-two-dimensional (quasi-2D) representation of the MOSFET channel is proposed in this work. The representation lays the foundations for a quasi 2D MOSFET model. The quasi 2D model is a result of a 2D into quasi 2D transformation. The basis for the transformation are an analysis of a current density vector field and such phenomena as Gradual Channel Detachment Effect (GCDE), Channel Thickness Modulation Effect (CTME), and...
-
A quasi-2D small-signal MOSFET model - main results
PublicationMain results stemming from a new quasi 2D non-quasi-static small-signal four-terminal model of the MOSFET are presented in this work. The model is experimentally verified up to 30 GHz.
-
A quasi-2D small-signal MOSFET model - main results
PublicationDynamic properties of the MOS transistor under small-signal excitation are determined by kinetic parameters of the carriers injected into the channel, i.e., the low-field mobility, velocity saturation, mobility at the quiescent-point (Q-point), longitudinal electric field in the channel, by dynamic properties of the channel, as well as by an electrical coupling between the perturbed carrier concentration in the channel and the...
-
Starzejący się pracownik, starzejący się przedsiębiorca, „starzejąca się polityka”
PublicationZmiany demograficzne we współczesnym świecie są nieuniknione, starzenie się społeczeństwa sprawia, że z jednej strony przybywa osób, które oczekują godziwie zapracowanej emerytury, z drugiej strony systemy emerytalne wielu krajów przestają być wydolne, coraz więcej emerytów jest finansowanych ze składek coraz mniejszej liczby pracowników w wieku produkcyjnym. Jest jeszcze jednak jeden aspekt tych zmian – niektóre osoby w wieku...
-
Multi-Transformer Flyback Converter for Supplying Isolated IGBT and MOSFET Drivers
PublicationA multi transformer flyback converter topology for supplying transistor drivers is presented. The topology presents some advantages over typical multi output single transformer, as reduction of effective leakage inductance, equal magnetic coupling between primary and secondary circuits and better isolation between outputs. Simulation study carried out in the LTSpice IV program and preliminary experimental results indicate high...
-
A simplified behavioral MOSFET model based on parameters extraction for circuit simulations.
PublicationThe paper presents results on behavior modeling of general purpose Metal-Oxide Semiconductor Field-Effect Transistor (MOSFET) for simulation of power electronics systems requiring accuracy both in steady-state and in switching conditions. Methods of parameters extraction including nonlinearity of parasitic capacitances and steady-state characteristics are based on manufacturer data sheet and externally measurable characteristics....
-
TIME- AND FREQUENCY-DOMAIN QUASI-2D SMALL-SIGNAL MOSFET MODELS
PublicationA novel approach to small-signal MOSFET modeling is presented in this book. As a result, time- and frequency-domain physics-based quasi-2D NQS four-terminal small-signal MOSFET models are proposed. The time-domain model provides the background to a novel DIBL-included quasi‑2D NQS four-terminal frequency-domain small-signal MOSFET model. Parameters and electrical quantities of the frequency-domain model are described by explicit...
-
Enhancement of second harmonic generation in nanocrystalline SiC films based natural microcavities
Publication -
Performance comparison of SiC Schottky diodes and silicon ultra fast recovery diodes
Publication -
Ru/Al2O3 on Polymer-Derived SiC Foams as Structured Catalysts for CO2 Methanation
Publication -
Processing of polymer‐derived, aerogel‐filled, SiC foams for high‐temperature insulation
Publication -
SiC-based T-type modules for multi-pulse inverter with coupled inductors
PublicationThe paper presents SiC-based three-level T-type modules designed for a high-performance 30kVA DC/AC inverter operating at high frequency 85 kHz with low THD of the output voltage. This inverter system consists of two integrated parts. The first part is active and contains three parallelconnected three-phase T-type modules built with fast-switching SiC power transistors. The second, passive part of the system is a set of inductors...
-
Applying molecular dynamics simulation to take the fracture fingerprint of polycrystalline SiC nanosheets
PublicationGraphene-like nanosheets are the key elements of advanced materials and systems. The mechanical behavior of the structurally perfect 2D nanostructures is well documented, but that of polycrystalline ones is less understood. Herein, we applied molecular dynamics simulation (MDS) to take the fracture fingerprint of polycrystalline SiC nanosheets (PSiCNS), where monocrystalline SiC nanosheets (MSiCNS) was the reference nanosheet....
-
Nic nowego
Publicationfelieton
-
Compatible DC and small-signal MOSFET models for radio and microwave frequency simulation
PublicationZaprezentowano nowy model stałoprądowy tranzystora MOS i kompatybilny z nim uogólniony nie-quasi-statyczny model małosygnałowy. Model stałoprądowy został eksperymentalnie zweryfikowany dla tranzystorów MOS o długości kanału od 75 nm do kilkunastu mikrometrów, a model małosygnałowy od zera herców do 30 GHz.
-
Effets de variabilite d'adhesion et de viellissement en collage structural
PublicationDivers essais peuvent etre employes afin d'evaluer la resistance a la fracture des joints adhesifes. Generalement, ces essais sont symetriques: les substrats sont identiques. Nous avons utilise une version asymetrique, ou un adherend flexible est colle a aderend rigide. Nous discutons ici du comportement d'un joint d'adhesion variable. Des resultats assez surprenants font le sujet prinicpal de cet article.
-
Wild oscillations in a nonlinear neuron model with resets: (II) Mixed-mode oscillations
PublicationThis work continues the analysis of complex dynamics in a class of bidimensional nonlinear hybrid dynamical systems with resets modeling neuronal voltage dynamics with adaptation and spike emission. We show that these models can generically display a form of mixed-mode oscillations (MMOs), which are trajectories featuring an alternation of small oscillations with spikes or bursts (multiple consecutive spikes). The mechanism by...
-
Dual Active Bridge (DAB) DC-DC converter for multilevel propulsion converters for electrical multiple units (EMU)
PublicationSemiconductor power devices made from silicon carbide (SiC) reached a level of technology enabling their widespread use in power converters. Two different approaches to implementation of modern traction converters in electric multiple units (EMU) have been presented in recent years: (i) 3.3-kV SiC MOSFET-based three-level PWM inverter with regenerative braking and (ii) 6.5-kV IGBT-based four-quadrant power electronic traction transformer...
-
SIE Country Summary: Polska (SIE Country Summary: Poland)
Publication -
Trójfazowy 4-gałęziowy falownik SiC w napędzie z wysokoobrotowym silnikiem indukcyjnym
PublicationZastosowanie tranzystorów SiC w falownikach napędów wysokoobrotowych powoduje nowe wyzwania,szczególnie odnośnie generowanego w falowniku napięcia common mode (CM) o wysokiej częstotliwości. Wysokoczęstotliwościowe napięcie CM wchodzi w interakcję z pojemnościami pasożytniczymi falownika, kabla i silnika wymuszając przepływ prądów CM, które są źródłem strat w filtrach pasywnych oraz powodują zakłócenia pomiarów prądów, nieakceptowalne...