Filtry
wszystkich: 191
wybranych: 159
Wyniki wyszukiwania dla: SEMICONDUCTOR
-
Noise in semiconductor devices
PublikacjaOmówiono typowe źródła szumów występujące w przyrządach pólprzewodnikowych, a mianowicie: cieplne, śrutowe, generacyjno-rekombinacyjne, 1/f, 1/f2, wybuchowe (RTS), lawinowe. Przedstawiono szumowe schematy zastępcze tranzystora bipolarnego, JFET i MOSFET oraz opisano wydajności poszczególnych źródeł szumów. Zasugerowano jak dobierać przyrządy półprzewodnikowe do małoszumowych układów w zakresie małych częstotliwości.
-
Fluctuation phenomena in semiconductor gas sensors
PublikacjaCzujniki gazu mogą być wytwarzane z cienkiej warstwy półprzewodnika, która po podgrzaniu do odpowiedniej temperatury staje się czuła na gaz. Zjawisko to jest dobrze znane i szeroko opisane w literaturze. Jako wskaźnik detekcji gazu wykorzystuje się zmianę rezystancji stałoprądowej czujnika. Zwiększenie czułości i, co najważniejsze z praktycznego punktu widzenia, selektywności dyskryminacji można uzyskać jeśli warstwa półprzewodnika...
-
On the selectivity of nanostructured semiconductor gas sensors
Publikacja.
-
Surface properties and photocatalytic activity of KTaO3, CdS, MoS2 semiconductors and their binary and ternary semiconductor composites
PublikacjaSingle semiconductors such as KTaO3, CdS MoS2 or their precursor solutions were combined to form novel binary and ternary semiconductor nanocomposites by the calcination or by the hydro/solvothermal mixed solutions methods, respectively. The aim of this work was to study the influence of preparation method as well as type and amount of the composite components on the surface properties and photocatalytic activity of the new semiconducting...
-
Surface Properties and Photocatalytic Activity of KTaO3, CdS, MoS2 Semiconductors and Their Binary and Ternary Semiconductor Composites
Publikacja -
Gas sampling system for matrix of semiconductor gas sensors
PublikacjaSemiconductor gas sensors are popular commercial sensors applied in numerous gas detection systems. They are reliable, small, rugged and inexpensive. However, there are a few problem limiting the wider use of such sensors. Semiconductor gas sensor usually exhibits a low selectivity, low repeatability, drift of response, strong temperature and moisture influence on sensor properties. Sample flow rate is one of the parameters that...
-
A new nethod for RTS noise of semiconductor devices identification
PublikacjaIn the paper, a new method, called the noise scatterin pattern method (NSP method), for random telegraph signal noise identyfication in the inherent noise of semiconductor devices is described. A block diagram of a noise measurement system based on the NSP method is presented. Examples of patterns of the NSP method are presented.
-
Methodology of semiconductor devices classification into groups of differentiated quality
PublikacjaZaproponowano klasyfikację przyrządów półprzewodnikowych do grup o zróżnicowanej jakości na podstawie ich szumów własnych z zakresu małych częstotliwości. Przedstawiono metodologię umożliwiającą stwierdzenie, czy zaproponowany parametr szumowy X dla danego typu przyrządu półprzewodnikowego może być stosowany do określenia jakości. Sprecyzowano przebieg badań wstępnych bazujących na ocenie wyników pomiarów szumów własnych z zakresu...
-
Gas detection in semiconductor sensors using fluctuation phenomena
PublikacjaRozpatrzono problemy pomiaru szumów, kóre należy rozwiązać, gdy szumy traktuje się jako dodatkowe źródło informacji o gazach. Metoda szumowa (spektroskopia szumów rezystancyjnych, widma wyższych rzędów) daje więcej informacji polepszając czułość i seleKtywność czujnika.
-
Identification of inherent noise components of semiconductor devices on an example of optocouplers
PublikacjaIn the paper, a method of estimation of parameters of Gaussian and non-Gaussian components in the noise signal of semiconductor devices in a frequency domain is proposed. The method is based on composing estimators of two spectra, corresponding to noise (Gaussian component) and two-level RTS noise (non-Gaussian component). The proposed method can be applied for precise evaluation of the corner RTS frequency fRTS in the noise...
-
Investigation of the temperature modulation parameters on semiconductor gas sensor response
PublikacjaIn this work we present the results of the investigation of the sensing properties of semiconductor gas sensors with a sinusoidally modulated temperature in the presence of synthetic air (SA) and three volatile air pollutants, i.e. NH3, NO2 and SO2. The measurements were performed for different average sensor heater temperatures and the amplitude of the modulation signal. In addition, the extraction of features from the sensor...
-
Single and Three -Phase PWM AC/AC Converters as Semiconductor Transformers
PublikacjaAC voltage transformation circuits contain pure or reactance PWM AC/AC converters. These circuits can be treated as AC/AC semiconductor transformers. This paper reviews single-phase and three-phase topologies: both non-isolated and isolated, single as well as two quadrant structure. Additionally, this paper present selected examples of their applications.
-
Low-frequency noise in ZrS3 van der Waals semiconductor nanoribbons
PublikacjaWe report the results of the investigation of low-frequency electronic noise in ZrS3 van der Waals semiconductor nanoribbons. The test structures were of the back-gated field-effect-transistor type with a normally off n-channel and an on-to-off ratio of up to four orders of magnitude. The current–voltage transfer characteristics revealed significant hysteresis owing to the presence of deep levels. The noise in ZrS3 nanoribbons...
-
Optical theorem helps understand thresholds of lasing in open semiconductor microcavities
Publikacja -
Operation of an ultra short fuse shunted by a semiconductor device: simulation and experiments.
PublikacjaW artykule przedstawiono ideę działania i wymagane cechy ultraszybkiego bezpiecznika w ograniczniku hybrydowym z równoległym elementem półprzewodnikowym. Eksperyment i modelowanie działanie bezpiecznika przeprowadzono dla spodziewanego prądu zwarciowego 2 kA. Symulacje wykonano przy użyciu programu polowego FLUX. Jego zastosowanie do modelowania ultrakrótkich bezpieczników zostało również przedstawione.
-
Noise Scattering Patterns Method for Recognition of RTS Noise in Semiconductor Components
PublikacjaOpisano nową metodę identyfikacji i wizualizacji szumów RTS. Metoda ta oparta na graficznym przedstawieniu przebiegu szumowego jest szczególnie użyteczna do szybkiej selekcji elektronicznych elementów półprzewodnikowych. Przedstawiono także rezultaty filtacji medianowej szumu zawierającego składową RTS. Filtrację medianową zastosowano do poprawienia obrazu szumu uzyskanego w wyniku zastosowania metody NSP.
-
Effect of Semiconductor Element Substitution on the Electric Properties of Barium Titanate Ceramics
PublikacjaThe investigated ceramics were prepared by a solid-state reaction from simple oxides and carbonates with the use of a mixed oxide method (MOM). The morphology of BaTi0.96Si0.04O3 (BTSi04) ceramics was characterised by means of a scanning electron microscopy (SEM). It was found that Si+4 ion substitution supported the grain growth process in BT-based ceramics. The EDS results confirmed the high purity and expected quantitative composition...
-
Determination of chlorine concentration using single temperature modulated semiconductor gas sensor
PublikacjaA periodic temperature modulation using sinusoidal heater voltage was applied to a commercial SnO2 semiconductor gas sensor. Resulting resistance response of the sensor was analyzed using a feature extraction method based on Fast Fourier Transformation (FFT). The amplitudes of the higher harmonics of the FFT from the dynamic nonlinear responses of measured gas were further utilized as an input for Artificial Neural...
-
Tunable semiconductor laser application for interferometric optical fibersensors.Optical and Electronic Sensors V.
PublikacjaW pracy przedstawiono metody stabilizacji punktu pracy światłowodowych sensorów interferometrycznych. W metodach tych wykorzystuje się układy regulacji sterujące długością fali przestrajalnego lasera półprzewodnikowego. Przedstawiono tryby pracy układów regulacji oraz problemy związane z ich projektowaniem i realizacją. Przeanalizowano ograniczenia sensorów wykorzystujących powyższe układy. Dokonano weryfikacji eksperymentalnej...
-
Descriptors to Predict Dye‐Sensitized Semiconductor Based Photocatalyst for Hydrogen Evolution Reaction
Publikacja