Wyszukiwarka
Filtry
wszystkich: 22
wybranych: 18
-
Katalog
Filtry wybranego katalogu
Wyniki wyszukiwania dla: TRANZYSTORY FET, PHEMT
-
Tranzystory organiczne
PublikacjaW artykule przedstawiono budowę, zasady działania i niektóre podstawowe charakterystyki organicznych tranzystorów polowych w oparciu o przegląd najnowszych publikacji naukowych dotyczących tematu. Omówiono tranzystory cienkowarstwowe TFT i typu SIT wykonane uproszczoną technologią z elastycznych i częściowo uporządkowanych materiałów organicznych. Zwrócono uwagę na koncepcję tranzystora molekularnego.
-
A current-controlled FET
PublikacjaA novel semiconductor device, viz., Horizontally-Split-Drain Current-Controlled Field-Effect Transistor (HSDCCFET) with two control electrodes is proposed in this works. For the sake of brevity, the device can be called a CCFET. Operating principle of the proposed transistor is based on one of the galvanomagnetic phenomena, the Biot-Savart-Laplace law and a Gradual Channel Detachment Effect (GCDE). The transistor is dedicated...
-
Organiczne tranzystory polowe jako czujniki gazów
PublikacjaArtykuł przedstawia zasadę działania, podstawowe parametry oraz charakterystyki prądowo-napięciowe organicznych tranzystorów polowych (OFET) oraz możliwości wykorzystania tych urządzeń jako czujników gazów. Przedstawiono zasadę działania czujników gazów wykorzystujących OFET, a także potencjalne możliwości aplikacyjne tych urządzeń. Praca przedstawia ponadto przegląd najnowszych doniesień literaturowych dotyczących organicznych...
-
Power devices in Polish National Silicon Carbide Program
PublikacjaArtykuł zawiera informacje o polskim rządowym programie ''Nowe technologie na bazie węglika krzemu i ich zastosowania w elektronice wielkich częstotliwości, dużych mocy i wysokich temperatur''. Program zawiera trzy główne zadania zawierające następujące cele: wytworzenie podłoży z SiC, wytworzenie przyrządów z SiC oraz ocenę działania wybranych przyrządów w układach aplikacyjnych. Omówiono zastosowane metody wytwarzania podłoży,...
-
Zastosowanie tranzystorów GaN w wysokoczęstotliwościowych przekształtnikach DC/DC
PublikacjaW artykule przedstawiono tranzystory mocy z azotku galu (GaN) jako przyrządy, umożliwiające budowanie wysokoczęstotliwościowych przekształtników energoelektronicznych. Opisano tranzystory GaN HEMT SSFET, przedstawiono sposób ich sterowania i czasy przełączeń. Podano wyniki badań eksperymentalnych przekształtnika obniżającego napięcie o sprawności 96,5%, pracującego z częstotliwością przełączeń 500 kHz. Zaprezentowano metodę doboru...
-
Dual polarization antennas for UHF RFID readers
PublikacjaThis paper presents various concepts of switching polarization in patch antenna dedicated for UHF RFID readers. Proposed designs allow for switching between linear and circular polarization. The first design does not require electronic switching as the polarization can be changed by choosing one of two available feeding terminals. Two remaining designs use PIN diode or FET SPDT switch.
-
A Model for Low Frequency Noise Generation in MOSFETs.
PublikacjaPrzedstawiono model generacji szumów małoczęstotliwosciowych tranzystora MOS. Model został użyty do symulacji szumów cienkotlenkowych tranzystorów MOS. Wyniki symulacji porównano z danymi pomiarowymi. Zaprezentowano sposób wykorzystania pomiarów szumów m.cz. do wyznaczania niektórych parametrów charakteryzujących tranzystory MOS.
-
Fluctuation - enchanced chemical sensing
PublikacjaCzułość i selektywność sensorów gazu może ulec poprawie jednocześnie gdy wykorzysta się informację zawartą w szumach występujących w sensorze. W pracy opisano szczegółowo kilka metod stosowanych do analizy szumów sensorów gazu. Przedstawiono wyniki ostatnich eksperymentów przeprowadzonych na komercyjnych sensorach gazu Taguchi, sensorach SAW oraz MOS-FET.
-
Design of a 3.3V four-quadrant analog CMOS multiplier
PublikacjaW pracy przedstawiono dwa czterokwadrantowe mnożniki analogowe CMOS pracujące przy napięciu zasilania 3.3V. Układy wykorzystują tranzystory MOS pracujące zarówno w zakresie nasycenia jak i w zakresie triodowym. Wyniki symulacji komputerowych pokazują, że współczynnik zawartości harmonicznych (THD) sygnału wyjściowego jest mniejszy niż 0.75% dla sygnału wejściowego o amplitudzie 1V o częstotliwości 10MHz. Pasmo 3dB układu wynosi...
-
Pomiary szumów m.cz. tranzystorów MESFET z węglika krzemu
PublikacjaTranzystory MESFET z węglika krzemu typu CRF24010 (CRREE) są przyrządami mocy przeznaczonymi do pracy w zakresie wysokich częstotliwości. Ze względu na możliwość oceny technologii tych przyrządów, a także ich jakości celowe jest określenie ich właściwości szumowych w zakresie małych częstotliwości. Przedstawiono wyniki badań wykonanych w celu oceny właściowści szumowych tranzystorów MESFET z SiC oraz zaproponowano schemat szumowy...
-
Pulsed UV-irradiated Graphene Sensors for Ethanol Detection at Room Temperature
PublikacjaA graphene-based gas sensor fabricated in a FET (GFET) configuration and its sensitivity towards ethanol and methane is reported. Detection of ethanol at the level of 100 ppm was observed under pulsed UV irradiation and after cleaning by UV light in the N2 ambient. Reduction of the frequency of UV irradiation pulses resulted in increased changes in sensor resistance in the presence of ethanol. Improved sensing behavior was ascribed...
-
Algorytmy ewolucyjne o wielowarswowych chromosomach i ich zastosowania w elektronice
PublikacjaW artykule przedstawiono koncepcje chromosomów wielowarstwowych w algorytmach ewolucyjnych. Ukazano strukturę chromosomu wielowarstwowego oraz opisano możliwe zastosowania algorytmów ewolucyjnych z jego wykorzystaniem. Omówiono zastosowanie algorytmu ewolucyjnego z wielowarstwowym chromosomem do: projektowania i optymalizacji kombinacyjnych układów cyfrowych budowanych zarówno w oparciu o bramki napięciowe jak i bramki prądowe,...
-
Organic Vapor Sensing Mechanisms by Large-Area Graphene Back-Gated Field-Effect Transistors under UV Irradiation
PublikacjaThe gas sensing properties of graphene back-gated field-effect transistor (GFET) sensors toward acetonitrile, tetrahydrofuran, and chloroform vapors were investigated with the focus on unfolding possible gas detection mechanisms. The FET configuration of the sensor device enabled gate voltage tuning for enhanced measurements of changes in DC electrical characteristics. Electrical measurements were combined with a fluctuation-enhanced...
-
Oddziaływanie wybranych elementów przekształtnika energoelektronicznego nagenerację zaburzeń przewodzonych.**2002, 134 s. 125 rys. bibliogr. 102 poz. Rozprawa doktorska /17.12.2002/. PG, Wydz. Elektrotech. Automat. Promotor: dr hab. inż. Piotr J. Chrzan, prof. nadzw. PG
PublikacjaW rozprawie przedstawiono sposób obliczania generowanych zaburzeń elektroma-gnetycznych przewodzonych z układu przekształtnika do sieci zasilającej. Ce-lem pracy było opracowanie, w oparciu o symulację komputerową i badania eks-perymentalne, modeli wybranych elementów układu przekształtnika energoelek-tronicznego, pozwalających na określanie poziomów zaburzeń elektromagnetycz-nych przewodzonych w układach symulacyjnych. Zakres...
-
GaAs ballistic and tunneling nanodevices for terahertz electronics and medical applications
PublikacjaPrzy użyciu selektywnej epitaksji warstw molekularnych (MLE) wytworzono w GaAs balistyczne i tunelowe tranzystory o indukcji elektrostatycznej (SIT), z kanałami w skali 10 nm. Szacowany czas przelotu elektronów jest krótszy od 2×10-14 s. Metoda MLE została również wykorzystana do wykonania diod generacyjnych TUNNETT działających w oparciu o czas przelotu i tunelowe wstrzykiwanie elektronów. Z użyciem diod TUNNETT wygenerowano częstotliwość...
-
EFEKTYWNOŚĆ EKONOMICZNA HYBRYDOWEJ MIKROINSTALACJI OZE
PublikacjaW artykule przedstawiono warunki pracy mikroelektrowni hybrydowej zainstalowanej w małej firmie mieszczącej się na terenie przemysłowym. Pokazano strukturę i parametry elektrowni składającej się z paneli fotowoltaicznych i elektrowni wiatrowej. Przeanalizowano odbiorniki energii oraz warunki pobierania mocy biernej. Dla wybranego okresu czasu pokazano zużycie oraz produkcję energii elektrycznej i energię zużytą na potrzeby firmy...
-
The effects of gas exposure on the graphene/AlGaN/GaN heterostructure under UV irradiation
PublikacjaThis work demonstrates a graphene/AlGaN/GaN sensing device with two-dimensional electron gas (2DEG) toward nitrogen dioxide (NO2), tetrahydrofuran, and acetone detection under UV light irradiation. We propose combining measurements of the DC characteristics with a fluctuation-enhanced sensing method to provide insight into the gas detection mechanisms in the synergistic structure of highly stable GaN and gas-sensitive graphene....
-
Active Linear Tunable Resistance Element and Application to Feedforward Linearization of CMOS Transconductance Amplifier
PublikacjaW pracy przedstawiono koncepcję układową przestrajalnego rezystora liniowego MOS wykorzystującego tranzystory pracujące w zakresie triodowym. Opracowana struktura, jak wykazały symulacje komputerowe, charakteryzuje się dobrymi właściwościami zarówno jeżeli chodzi o zakres przestrajania jak i liniowość charakterystyk przejściowych. Pozwoliło to efektywnie wykorzystać prezentowany element do linearyzacji operacyjnego wzmacniacza...