Wyszukiwarka
Filtry
wszystkich: 38
Wyniki wyszukiwania dla: IGBT
-
Behawioralny model tranzystora IGBT
PublikacjaW artykule przedstawiono rezultaty prac nad uniwersalnym modelem tranzystora bipolarnego z izolowaną bramką (IGBT), przydatnym w symulacjach układów energoelektronicznych wymagających odwzorowania stanów ustalonych i dynamicznych. Rozważono behawioralny model IGBT w układzie klasycznym z nieliniowymi aproksymacjami pojemności pasożytniczych. Eksperymentalne testy modelu modułu IGBT typu CM200DY-24A (Mitsubishi) przeprowadzono w...
-
Accurate Computation of IGBT Junction Temperature in PLECS
PublikacjaIn the article, a new method to improve the accuracy of the insulated-gate bipolar transistor (IGBT) junction temperature computations in the piecewise linear electrical circuit simulation (PLECS) software is proposed and described in detail. This method allows computing the IGBT junction temperature using a nonlinear compact thermal model of this device in PLECS. In the method, a nonlinear compact thermal model of the IGBT is...
-
Behawioralne modelowanie i symulacja tranzystorów IGBT w układach energoelektronicznych = Behavioural modeling and simulation of IGBT transistors in power electronics systems
PublikacjaW referacie przedstawiono rezultaty prac nad modelem tranzystora bipolarnego z izolowaną bramką (IGBT), przydatnym w symulacjach układów energoelektronicznych wymagających odwzorowania zarówno stanów ustalonych jak i dynamicznych przy przełączaniu. Rozważono behawioralny model IGBT o reprezentacji za pomocą równań stanu przy wykorzystaniu katalogowych charakterystyk statycznych oraz nieliniowych aproksymacji pojemności pasożytniczych....
-
Zastosowanie tranzystorów IGBT w napędach maszyn wibracyjnych
PublikacjaPrzedstawiono układ elektroniczny stopnia mocy maszyny wibracyjnej i przetwarzanie cyfrowe sygnałów sterujących. W rozwiązaniu tym zastosowano układ mostka tranzystorów IGBT sterowany mikroprocesorowo przy użyciu generatora PWM, który wytwarza sygnał o przebiegu prostokątnym z cyfrowo regulowanym wypełnieniu oraz z możliwością zmiany częstotliwości w dużym zakresie. Wykonany stopień mocy zastosowano do zasilania wzbudnika drgań...
-
Behawioralne modelowanie tranzystorów IGBT do symulacji układów energoelektronicznych
PublikacjaW monografii dokonano syntezy behawioralnego modelu tranzystora IGBT o strukturze klasycznej, odzwierciedlającego właściwości statyczne oraz dynamiczne IGBT. Zaproponowane metody identyfikacji parametrów modelu bazują na danych katalogowych oraz wynikach eksperymentalnych. Do zaproponowanych metod identyfikacji parametrów modelu wymagane są dane katalogowe, tj. charakterystyki statyczne: iC(uGE), uC(uCE) oraz charakterystyka dynamiczna...
-
Multi-Transformer Flyback Converter for Supplying Isolated IGBT and MOSFET Drivers
PublikacjaA multi transformer flyback converter topology for supplying transistor drivers is presented. The topology presents some advantages over typical multi output single transformer, as reduction of effective leakage inductance, equal magnetic coupling between primary and secondary circuits and better isolation between outputs. Simulation study carried out in the LTSpice IV program and preliminary experimental results indicate high...
-
Current commutation process in a ultra-fast fuse-IGBT hybrid circuit breaker.
PublikacjaUkład hybrydowy bezpiecznika topikowego i tranzystora IGBT umożliwia bardzo szybkie włączenie do obwodu zwarciowego impedancji ograniczającej wartość prądu. Po eksplozji krótkiego topika bezpiecznika wywołanej narastającym prądem zwarciowym wywołuje w czasie poniżej 2 ms wzrost napięcia na topiku do wartości ok.20 - 25V, po czym prąd jest komutowany do gałęzi z przyrządem półprzewodnikowym typu GTO lub IGBT. Ostateczne wyłączenie...
-
The PWM current source inverter with IGBT transistors and multiscalar model control system
PublikacjaW niniejszym artykule przedstawiono struktury układów sterowania maszyny indukcyjnej zasilanej z falownika prądu. Przedstawiono metodę modulacji szerokości impulsów dla falownika prądu. Pokazano modele matematyczne maszyny indukcyjnej klatkowej zasilanej z falownika prądu. Przedstawiono trzy układy regulacji sterowania multiskalarnego z czego dwa są nowe. Rozważania teoretyczne zweryfikowano za pomocą badań symulacyjnych.
-
Wyznaczanie wartości wskaźników diagnostycznych w celu monitorowania zużycia tranzystorów IGBT dużej mocy
PublikacjaPrzedstawiono nową metodę monitorowania zużycia tranzystorów bipolarnych z izolowaną bramką (IGBT) bezpośrednio w układzie napędowym. Proponowana metoda przeznaczona jest do śledzenia dwóch istotnych objawów starzenia modułów IGBT: rozwarstwiania struktury modułu na skutek termomechanicznego zmęczenia stopu lutowniczego oraz uszkodzeń połączeń drutowych wewnątrz modułu. Monitorowana jest rezystancja cieplna między półprzewodnikiem...
-
Multi-transformer primary-side regulated flyback converter for supplying isolated IGBT and MOSFET drivers
PublikacjaThis paper presents primary-side voltage regulated multi-transformer quasi-resonant flyback converter (MTFC) for supplying isolated power switch drivers. The proposed topology offers distinct advantages over frequently used flyback converter possessing one high frequency transformer with isolated multiple outputs. Particularly, when a large number of separate dc supply units is required, then MTFC enables improved regular distribution...
-
Evaluation of selected diagnostic variables for the purpose of assessing the ageing effects in high-power IGBTs
PublikacjaPrzedstawiono metodę wyznaczania dwóch wskaźników diagnostycznych, które mogą być używane do oceny zużycia modułów IGBT dużej mocy. Proponowane podejście jest próbą zaadaptowania znanej z literatury metody laboratoryjnej do pracy bezpośrednio w układzie napędowym pojazdu trakcyjnego. Rozważane wskaźniki diagnostyczne to rezystancja cieplna między półprzewodnikiem a podstawą modułu oraz napięcie nasycenia kolektor-emiter IGBT....
-
Accurate electrothermal modelling of high frequency DC-DC converters with discrete IGBTs in PLECS software
PublikacjaIn the paper, a novel, improved method of the IGBT junction temperature computations in the PLECS simulation software is presented. The developed method aims at accuracy of the junction temperature computations in PLECS by utilising a more sophisticated model of transistor losses, and by taking into account variability of transistor thermal resistance as a function of its temperature. A detailed description of the proposed method,...
-
Dielectric strenght of the ultra - short fuse
PublikacjaW referacie omówiono współpracę ultraszybkiego bezpiecznika z bezstykowymhybrydowym ogranicznikiem prądów. Przeanalizowano wytrzymałość kanału połukowego bezpiecznika w zależności od długości topika oraz czasu działania tranzystora IGBT. Omówiono warunki i wyniki badań eksperymentalnych.
-
Szerokopasmowy model uogólnionego łącznika energoelektronicznego
PublikacjaPrzedstawiono rezultat wstępnych prac nad modelem IGBT przydatnym do symulacji wymagających odwzorowania stanów dynamicznych tranzystora. Zrezygnowano z metody potencjałów węzłowych na rzecz metody zmiennych stanu. Sprawdzono zachowanie klasycznego modelu z nieliniowymi pojemnościami zaciskowymi, których charakterystyki dobrano na podstawie danych katalogowych. Przedstawiono przykład rozszerzenia modelu.
-
Dynamiczny model uogólnionego łącznika energoelektronicznego do symulacji układów przekształtnikowych
PublikacjaZaproponowano strategię modelowania, w której po określeniu postaci modelu dobiera się numeryczne metody obliczeniowe stosowane w symulacji. Przedstawiono opracowany uogólniony, nieliniowy model tranzystora mocy IGBT. Przyjęto, że do określenia parametrów tego modelu powinna wystarczać znajomość standardowych, katalogowych para-metrów i charakterystyk. Przedstawiono model zaciskowy o klasycznej strukturze, odwzorowujący z wystarczającą...
-
EMC disturbances in connection of driving system
PublikacjaIt is known the steep voltage changes caused by IGBT frequency inverters may cause some electromagnetic problems in driving system. Special dU/dt type as well as sinusoidal filters are used in order to limit the level of the disturbances. The paper presents investigation results of EMC disturbances in inverter supplied induction motor. Experiments have proved that disturbances in current connection differ essentially. Important...
-
Influence of ci rcuit parameters on the procces of current transfer in thehybrid circuit breaker.
PublikacjaW artykule przedstawiono działanie hybrydowego bezstykowego ogranicznika prądów zwarciowych w oparciu o symulację komputerową oraz porównanie eksperymentu z symulacją komputerową przy pomocy programu MATLAB i PSPICE. Przedstawiono również wady i zalety obliczeń numerycznych przeprowadzonych z zastosowaniem komercyjnych programów na analizę działania łącznika hybrydowego.W analizie uwzględniono model hybrydowego ogranicznika...
-
Dual Active Bridge (DAB) DC-DC converter for multilevel propulsion converters for electrical multiple units (EMU)
PublikacjaSemiconductor power devices made from silicon carbide (SiC) reached a level of technology enabling their widespread use in power converters. Two different approaches to implementation of modern traction converters in electric multiple units (EMU) have been presented in recent years: (i) 3.3-kV SiC MOSFET-based three-level PWM inverter with regenerative braking and (ii) 6.5-kV IGBT-based four-quadrant power electronic traction transformer...
-
Komutacja prądu w gałęziach wybranych wyłączników hybrydowych.
PublikacjaW wyłącznikach hybrydowych funkcje przewodzenia prądu w stanach ustalonych i przejściowych łączeniowych przejmują kolejne gałęzie w biegunie łącznika. Opisano warunki komutacji prądu między gałęziami łącznika hybrydowego z przyrządem półprzewodnikowym (GTO i IGBT) z zestykiem z elektrodynamicznym napędem styku ruchomego i z beznapędowym łącznikiem topikowym. Czas komutacji prądu między gałęziami w obu typach łączników do chwili...
-
Trójfazowy falownik napięcia z tranzystorami SiC JFET
PublikacjaW referacie przedstawiono konstrukcję oraz wyniki badań trójfazowego falownika napięcia zbudowanego z wykorzystaniem diod Schottky oraz tranzystorów JFET z węglika krzemu (SiC). Znacznie krótsze czasy przełączeń tych elementów w porównaniu z tranzystorami IGBT i diodami na bazie krzemu (Si) umożliwiają pracę układu z częstotliwością 100 kHz i wyższą. Małe energie przełączeń oraz mała rezystancja drenu tranzystorów SiC JFET pozwalają...