Filtry
wszystkich: 591
-
Katalog
- Publikacje 392 wyników po odfiltrowaniu
- Czasopisma 1 wyników po odfiltrowaniu
- Wydawnictwa 3 wyników po odfiltrowaniu
- Osoby 39 wyników po odfiltrowaniu
- Wynalazki 1 wyników po odfiltrowaniu
- Projekty 22 wyników po odfiltrowaniu
- Zespoły Badawcze 4 wyników po odfiltrowaniu
- Kursy Online 56 wyników po odfiltrowaniu
- Wydarzenia 5 wyników po odfiltrowaniu
- Dane Badawcze 68 wyników po odfiltrowaniu
Wyniki wyszukiwania dla: TRANZYSTOR MOLEKULARNY
-
Beata Krawczyk dr hab.
Osobydr hab. Beata Krawczyk, prof. uczelni Stopnie naukowe, wykształcenie, kwalifikacje Beata Krawczyk uzyskała tytuł magistra biologii na Wydziale Biologii (wówczas: Wydział Biologii i Nauk o Ziemi), Uniwersytetu Gdańskiego w 1986 roku, a doktorat z biologii molekularnej na Wydziale Biologii (wówczas: Wydział Biologii, Geografii i Oceanologii) Uniwersytetu Gdańskiego w 1996 roku. Stopień doktora habilitowanego w zakresie nauk biologicznych...
-
Tranzystory organiczne
PublikacjaW artykule przedstawiono budowę, zasady działania i niektóre podstawowe charakterystyki organicznych tranzystorów polowych w oparciu o przegląd najnowszych publikacji naukowych dotyczących tematu. Omówiono tranzystory cienkowarstwowe TFT i typu SIT wykonane uproszczoną technologią z elastycznych i częściowo uporządkowanych materiałów organicznych. Zwrócono uwagę na koncepcję tranzystora molekularnego.
-
Behawioralny model tranzystora IGBT
PublikacjaW artykule przedstawiono rezultaty prac nad uniwersalnym modelem tranzystora bipolarnego z izolowaną bramką (IGBT), przydatnym w symulacjach układów energoelektronicznych wymagających odwzorowania stanów ustalonych i dynamicznych. Rozważono behawioralny model IGBT w układzie klasycznym z nieliniowymi aproksymacjami pojemności pasożytniczych. Eksperymentalne testy modelu modułu IGBT typu CM200DY-24A (Mitsubishi) przeprowadzono w...
-
Małosygnałowy model tranzystora typu MAGFET
PublikacjaWyprowadzono małosygnałowy model tranzystora typu MAGFET pracującego jako czujnik pola magnetycznego, w którym uwzględniono wzajemne oddziaływanie napięć drenów. Wykorzystując nowoopracowany model obliczono czułość napięciową typowego układu pracy MAGFET-a na pole magnetyczne.
-
Uspehi Molekularnoj Onkologii
Czasopisma -
A current-controlled FET
PublikacjaA novel semiconductor device, viz., Horizontally-Split-Drain Current-Controlled Field-Effect Transistor (HSDCCFET) with two control electrodes is proposed in this works. For the sake of brevity, the device can be called a CCFET. Operating principle of the proposed transistor is based on one of the galvanomagnetic phenomena, the Biot-Savart-Laplace law and a Gradual Channel Detachment Effect (GCDE). The transistor is dedicated...
-
Nowy dwudrenowy tranzystor MOS jako czujnik pola magnetycznego.
PublikacjaW artykule zaprezentowano nową koncepcję tranzystora typu MOS z dwoma poziomo usytuowanymi drenami, który może być wykorzystany jako czujnik pola magnetycznego. Zasada działania nowego czujnika oparta jest na jednym ze zjawisk galwanomagnetycznych.
-
Stałoprądowy model tranzystora typu HSD MAGFET
PublikacjaZaproponowano stałoprądowy model dwudrenowego tranzystora polowego typu HSD MAGFET, wykorzystywanego jako czujnik pola magnetycznego o dużej czułości na zmiany pola magnetycznego i dużej geometrycznej rozdzielczości pomiarowej. Zaprezentowany model odzwierciedla zjawisko podziału prądu płynącego w kanale tranzystora na prądy drenów i uwzględnia wzajemne oddziaływanie napięć drenów VDS1 i VDS2 na prady drenów ID1 i ID2 poprzez wprowadzenie...
-
Weryfikacja stałoprądowego modelu tranzystora typu MAGFET
PublikacjaZaproponowano kompletny, stałoprĄdowy model tranzystora typu MAGFET wykorzystywanego jako czujnik pola magnetycznego. Zaprezentowany model odzwierciedla zależnoŚć podziału prĄdu płynącego w kanale tranzystora na prądy drenów od napięć drenów.
-
Organiczne tranzystory polowe jako czujniki gazów
PublikacjaArtykuł przedstawia zasadę działania, podstawowe parametry oraz charakterystyki prądowo-napięciowe organicznych tranzystorów polowych (OFET) oraz możliwości wykorzystania tych urządzeń jako czujników gazów. Przedstawiono zasadę działania czujników gazów wykorzystujących OFET, a także potencjalne możliwości aplikacyjne tych urządzeń. Praca przedstawia ponadto przegląd najnowszych doniesień literaturowych dotyczących organicznych...
-
Diagnostyka molekularna w zakażeniach szpitalnych
PublikacjaOpisano najczęściej wykorzystywane techniki genotypowania w badaniach zakażeń szpitalnych z uwzględnieniem ich powtarzalności i potencjału różnicującego oraz problemów technicznych i ponoszonych kosztów. Makrorestrykcyjna analiza genomowego DNA z wykorzystaniem PFGE (ang. Pulsed Field Gel Electrophoresis)jest uważana za ''złoty standard'' w typowaniu molekularnym. Jednak jest ona czasochłonna, pracochłonna i dlatego nie nadaje...
-
Symulacje dynamiczno-molekularne ultraprecyzyjnego skrawania metali.
PublikacjaW pracy krótko przedstawiono powstałe w latach 1995-2001 algorytmy MD specjalizowane do symulacji przebiegu skrawania w skali nanometrycznej (ARMD iLRMD). W świetle tych algorytmów zaprezentowano opracowany przez autorów nowy algorytm i program do symulacji nanociencia, nano MD, oraz pokazano wybrane wyniki uzyskane za jego pomocą.
-
Wstęp do elektroniki molekularnej
PublikacjaZastosowanie pojedynczych molekuł lub układów molekularnych do budowy elementów elektronicznych jest poważnym wyzwaniem dla inżynierów i naukowców, w chwili obecnej i w najbliższej przyszłości. celem tego skryptu jest przybliżenie czytelnikowi podstawowych zagadnień dotyczących elektroniki molekularnej, opartej zarówno na układach zbudowanych z wielu molekuł, jak i jednej molekuły. Jest ona przeznaczona dla studentów i pracowników...
-
Właściwości nie-quasi-statycznego modelu tranzystora wewnętrznego MOS
PublikacjaPrzedstawiono założenia i właściwości oryginalnego nie-quasi-statycznego modelu małosygnałowego tranzystora wewnętrznego MOS oraz dokonano przeglądu i podziału znanych w literaturze przedmiotu małosygnałowych modeli tranzystora polowego.
-
Jednosekwencyjny statyczny model prądowo-napięciowo-temperaturowy tranzystora MOS.
PublikacjaZaprezentowano i zweryfikowano eksperymentalnie nowy jednosekcyjny statyczny model pradowo-napięciowo-temperaturowy tranzystora MOS. Nowy model jest spójny fizycznie i zawiera dużo mniej parametrów niż powszechnie znane modele.
-
Rozkład gęstości ruchomego ładunku wzdłuż kanału tranzystora MOS
PublikacjaPrzedyskutowano i dokonano analizy ilościowej rozkładu gęstości ruchomego ładunku wzdłuż kanału tranzystora MOS - jednej z podstawowych wielkości definiujących prąd kanału (drenu). Zwrócono uwagę na konsekwencje jakie implikuje stosowanie przybliżenia łagodnego kanału w modelowaniu stałoprądowych charakterystyk tranzystora polowego. Zaprezentowano wyniki analizy dwuwymiarowej określającej w formie analitycznej wielkość ładunku...
-
Molekularny mechanizm biogenezy fimbrii Dr uropatogennych szczepów Escherichia coli.
Publikacja.
-
Modelowanie molekularne w projektowaniu nowych chemoterapeutyków przeciwgrzybowych
PublikacjaGwałtowny wzrost inwazyjnych zakażeń typu grzybowego jest jednym z największych problemów współczesnej medycyny, a mimo to na rynku leków przeciwgrzybicznych dostępnych jest zaledwie kilka chemoterapeutyków. Dzieje się tak, gdyż duże podobieństwo komórek ludzkich i grzybowych jak dotąd uniemożliwiało opracowanie w pełni skutecznych a zarazem nietoksycznych dla człowieka leków. Obecnie prowadzone badania najczęściej skupiają się...
-
Metody molekularne w dochodzeniach epidemiologicznych zakażeń szpitalnych
PublikacjaW dochodzeniu epidemiologicznym wykorzystuje się zmienność genetyczną mikroorganizmów do tzw. typowania genetycznego drobnoustrojów. W pracy omówiono metody genotypowe wykorzystujące podstawowe narzędzia molekularne, ukazano możliwości wykorzystania typowania drobnoustrojów w różnych aspektach badań mikrobiologicznych.
-
Organic filed effect transistor with zinc phthalocyanine.
PublikacjaW pracy przedstawiono wyniki badań doświadczalnych organicznego tranzystora polowego z warstwą ftalocyjaniny cynku. Jako podłoże zastosowano wysoko domieszkowane wafle krzemu pokryte warstwą tlenku krzemu (IV) o grubości 100 nm, na którą techniką fotolitograficzną była naniesiona struktura elektrod (tzw. geometria dolnych kontaktów). Złote elektrody źródła i drenu tworzyły kanał o długości 5 m (jest to odległość między elektrodą...