Search results for: BULK-DRIVEN MOS
-
A 0.5-V bulk-driven voltage follower / DC level shifter and its application in class AB output stage
PublicationA simple realization of a 0.5-V bulk-driven voltage follower/DC level shifter, designed in a 0.18um CMOS technology is presented in the paper. The circuit is characterized by large input and output voltage swings, and a DC voltage gain close to unity. The DC voltage shift between input and output terminals can be regulated in a certain interval around zero, by means of biasing current sinks. An application of the proposed voltage...
-
Multiple output differential OTA with linearizing bulk-driven active-error feedback loop for continuous-time filter applications
PublicationA CMOS circuit realization of a highly linear multiple-output differential operational transconductance amplifier (OTA) has been proposed. The presented approach exploits a differential pair as an input stage with both the gate and the bulk terminals as signal ports. For the proposed OTA, improved linearity is obtained by means of the active-error feedback loop operating at the bulk terminals of the input stage. SPICE simulations...
-
Bulk linearized CMOS differential pair transconductor for continuous-time OTA-C filter design
PublicationIn this paper, the MOS differential pair driven simultaneously from gates and bulk terminals is described. An approximated analytical solution of the voltage to current transfer function has been found for the proposed circuit. Four possible combinations of gate and bulk connections of the input signal are presented. Basing on the configuration giving the best linearity, the operational transconductance amplifier (OTA) has been designed...
-
Electric Field-Driven Assembly of Sulfonated Polystyrene Microspheres
PublicationA designed assembly of particles at liquid interfaces offers many advantages for development of materials, and can be performed by various means. Electric fields provide a flexible method for structuring particles on drops, utilizing electrohydrodynamic circulation flows, and dielectrophoretic and electrophoretic interactions. In addition to the properties of the applied electric field, the manipulation of particles often depends...
-
Study of Integer Spin S = 1 in the Polar Magnet β-Ni(IO3)2
PublicationPolar magnetic materials exhibiting appreciable asymmetric exchange interactions can potentially host new topological states of matter such as vortex-like spin textures; however, realizations have been mostly limited to half-integer spins due to rare numbers of integer spin systems with broken spatial inversion lattice symmetries. Here, we studied the structure and magnetic properties of the S = 1 integer spin polar magnet β-Ni(IO3)2...
-
A Method of MOS Evaluation for Video Based Services
PublicationThis paper deals with a method for QoE evaluation for the services transmitting large amount of data perceived by the end user in relatively short time periods, e.g. streaming video in mobile operator...
-
Bile salts in digestion and transport of lipids
PublicationBecause of their unusual chemical structure, bile salts (BS) play a fundamental role in intestinal lipid digestion and transport. BS have a planar arrangement of hydrophobic and hydrophilic moieties, which enables the BS molecules to form peculiar self-assembled structures in aqueous solutions. This molecular arrangement also has an influence on specific interactions of BS with lipid molecules and other compounds of ingested food...
-
Deciphering the Molecular Mechanism of Substrate-Induced Assembly of Gold Nanocube Arrays toward an Accelerated Electrocatalytic Effect Employing Heterogeneous Diffusion Field Confinement
PublicationThe complex electrocatalytic performance of gold nanocubes (AuNCs) is the focus of this work. The faceted shapes of AuNCs and the individual assembly processes at the electrode surfaces define the heterogeneous conditions for the purpose of electrocatalytic processes. Topographic and electron imaging demonstrated slightly rounded AuNC (average of 38 nm) assemblies with sizes of ≤1 μm, where the dominating patterns are (111) and...
-
Wykorzystanie metody Neldera-Meada do identyfikacji wartości parametrów niequasi-statycznego modelu małosygnałowego tranzystora MOS
PublicationW artykule zaprezentowano wyniki zastosowania metody sympleksu Neldera-Meada do ekstrakcji wartości parametrów niequasi-stycznego modelu małosygnałowego tranzystora MOS. Przedstawiono równoważny elektryczny schemat zastępczy i model matematyczny nowego modelu małosygnałowego MOSFETa dla częstotliwości mikrofalowych. Opisano zaimplementowany algorytm i otrzymane rezultaty badań.
-
Właściwości nie-quasi-statycznego modelu tranzystora wewnętrznego MOS
PublicationPrzedstawiono założenia i właściwości oryginalnego nie-quasi-statycznego modelu małosygnałowego tranzystora wewnętrznego MOS oraz dokonano przeglądu i podziału znanych w literaturze przedmiotu małosygnałowych modeli tranzystora polowego.
-
Jednosekwencyjny statyczny model prądowo-napięciowo-temperaturowy tranzystora MOS.
PublicationZaprezentowano i zweryfikowano eksperymentalnie nowy jednosekcyjny statyczny model pradowo-napięciowo-temperaturowy tranzystora MOS. Nowy model jest spójny fizycznie i zawiera dużo mniej parametrów niż powszechnie znane modele.
-
Nowy dwudrenowy tranzystor MOS jako czujnik pola magnetycznego.
PublicationW artykule zaprezentowano nową koncepcję tranzystora typu MOS z dwoma poziomo usytuowanymi drenami, który może być wykorzystany jako czujnik pola magnetycznego. Zasada działania nowego czujnika oparta jest na jednym ze zjawisk galwanomagnetycznych.
-
Dwuwymiarowy obraz zjawisk w tranzystorze MOS - badania numeryczne
PublicationZaprezentowano wyniki badań numerycznych, z których wynika, że w tranzystorze MOS występuje zjawisko łagodnego odrywania się kanału i zjawisko powiększania grubości kanału. Obydwa zjawiska można uwzględnić w quasi-dwuwymiarowym modelowaniu pracy tranzystora polowego, dzięki czemu można opracowywać dokładniejsze modele analityczne takiego przyrządu półprzewodnikowego.
-
Wysokoczestotliwościowy model małosygnałowy tranzystora MOS uwzgledniający efekt nasycenia prędkosci nośników.
PublicationZaproponowano nowy małosygnałowy model wysokoczęstotliwościowy tranzystora MOS oraz przedstawiono wyniki jego weryfikacji eksperymentalnej w zakresie częstotliwości aż do 30 GHz.
-
Rozkład gęstości ruchomego ładunku wzdłuż kanału tranzystora MOS
PublicationPrzedyskutowano i dokonano analizy ilościowej rozkładu gęstości ruchomego ładunku wzdłuż kanału tranzystora MOS - jednej z podstawowych wielkości definiujących prąd kanału (drenu). Zwrócono uwagę na konsekwencje jakie implikuje stosowanie przybliżenia łagodnego kanału w modelowaniu stałoprądowych charakterystyk tranzystora polowego. Zaprezentowano wyniki analizy dwuwymiarowej określającej w formie analitycznej wielkość ładunku...
-
Stałoprądowy model tranzystora mos dla zakresu przed- i nadprogowego
PublicationZaprezentowano spójny fizycznie, stałoprądowy, jednosekcyjny model opisujący pracę tranzystora MOS zarówno w zakresie przed- i nadprogowym, jak również w zakresie liniowym (triodowym) i nasycenia (pentodowym). Przedstawiono założenia modelu fizycznego w przestrzeni 2-D i jego transformację do modelu quasi-dwuwymiarowego praz zademonstrowano wyniki weryfikacji eksperymentalnej modelu. Model spełnia warunek symetrii Gummel'a
-
Porównanie różnych metod pomiarów wysokości barier potencjału w strukturach MOS.
PublicationW referacie omówiono sposoby eliminacji problemów upływności bramki przy pomiarach charakterystyk C(V) kondnsatorów z ultra-cienkim tlenkiem bramki. Przedstawiono sposoby wykorzystania trójelementowego schematu zastępczego kondensatora MOS i przykład analizy pojemności, konduktancji tlenku i rezystancji szeregowej, zmierzonych przy pomocy miernika impedancji Agilent 4294A.
-
Stałoprądowy model tranzystora MOS z kanałem dłuzszym niż 10 nm
PublicationW artykule zaprezentowano spójny fizycznie, stałoprądowy jednosekcyjny model tranzystora MOS i wyniki jego eksperymentalnej weryfikacji dla szerokiego spektrum długości kanałów badanych tranzystorów - od kanałów długich aż do 10-nanometrowych. Przedstawiono założenia modelu fizycznego w przestrzeni 2-D i jego transformację do modelu quasi-dwuwymiarowego. Model spełnia warunek symetrii Gummel'a.
-
Zależność parametrów quasi-dwuwymiarowego modelu małosygnałowego tranzystora MOS od punktu pracy
PublicationW artykule zaprezentowano wyniki optymalizacji zagadnień wielowymiarowych, zastosowanej do ekstrakcji wartości parametrów nie-quasi-statycznego modelu małosygnałowego tranzystora MOS dla różnych punktów pracy. Opisano zaimplementowany algorytm i otrzymane rezultaty badań.
-
Zależność parametrów quasi-dwuwymiarowego modelu małosygnałowego tranzystora MOS od punktu pracy
PublicationW artykule zaprezentowano wyniki optymalizacji zagadnień wielowymiarowych, zastosowanej do ekstrakcji wartości parametrów nie-quasi-statycznego modelu małosygnałowego tranzystora MOS dla różnych punktów pracy. Opisano zaimplementowany algorytm i otrzymane rezultaty badań.