Search
Search results for: WEGLIK KRZEMU SIC
-
Układy sterowania bramkowego tranzystorów z węglika krzemu SiC JFET w falownikach napięcia
PublicationZastosowanie technologii węglika krzemu (SiC) w falownikach napięcia pozwala na zwiększenie częstotliwości przełączeń oraz temperatury pracy przyrządów półprzewodnikowych. W celu zapewnienia minimalizacji strat oraz określonych właściwości dynamicznych tranzystorów z węglika krzemu wymagane jest stosowanie zaawansowanych układów sterowania bramkowego. W referacie przedstawiono analizę teoretyczną, wyniki badań symulacyjnych oraz...
-
Marek Adamowicz dr hab. inż.
PeopleStopień naukowy doktora uzyskał w 2008 r. na Wydziale Elektrotechniki i Automatyki Politechniki Gdańskiej. W latach 2005 – 2011 pracował na Akademii Morskiej w Gdyni. W 2010 r. jako laureat programu NCBR LIDER wybrał Wydział Elektrotechniki i Automatyki Politechniki Gdańskiej jako jednostkę realizującą swój projekt z zakresu szerokopasmowych przyrządów półprzewodnikowych i ich zastosowań w elektrowniach wiatrowych. Od 2011 roku...
-
Charakterystyka tranzystorów z węglika krzemu w wysokosprawnych przekształtnikach
PublicationPółprzewodnikowe przyrządy mocy z węglika krzemu (SiC) osiągnęły poziom technologiczny umożliwiający powszechne stosowanie w układach przekształtnikowych. W artykule omówiono ostatnie osiągnięcia dotyczące układów przekształtnikowych z przyrządami z węglika krzemu oraz wybrane wyniki badań realizowane na Politechnice Gdańskiej. W artykule opisano właściwości statyczne i dynamiczne tranzystorów MOSFET i JFET z węglika krzemu oraz...
-
Trójfazowy falownik napięcia z tranzystorami SiC JFET
PublicationW referacie przedstawiono konstrukcję oraz wyniki badań trójfazowego falownika napięcia zbudowanego z wykorzystaniem diod Schottky oraz tranzystorów JFET z węglika krzemu (SiC). Znacznie krótsze czasy przełączeń tych elementów w porównaniu z tranzystorami IGBT i diodami na bazie krzemu (Si) umożliwiają pracę układu z częstotliwością 100 kHz i wyższą. Małe energie przełączeń oraz mała rezystancja drenu tranzystorów SiC JFET pozwalają...
-
Badanie właściwości elementów mocy z węglika krzemu w zastosowaniach układowych
PublicationW artykule prezentowane są wyniki badania właściwości elementów SiC w zastosowaniach układowych. Do celów pomiarowych zaprojektowano układ przetwornicy realizujący konfigurację buck oraz boost z elementami aktywnymi z SiC oraz z krzemu, jako elementami referencyjnymi. Układ przetwornicy był badany dla różnych zestawów elementów, konfiguracji i parametrów pracy.
-
Wysokoczęstotliwościowy przekształtnik z tranzystorami SiC JFET
PublicationW referacie przedstawiono konstrukcję oraz wyniki badań trójfazowego falownika napięcia zbudowanego z wykorzystaniem diod Schottky oraz tranzystorów JFET z węglika krzemu (SiC). Znacznie krótsze czasy przełączeń tych elementów w porównaniu z tranzystorami IGBT i diodami na bazie krzemu (Si) umożliwiają pracę układu z częstotliwością 100 kHz i wyższą. Duża stromość narastania napięcia rzędu dziesiątek kV/µs powoduje problemy EMC...
-
Effect of SiC on the corrosion behaviour of chromium coatings
PublicationWarstwy kompozytowe Cr-SiC osadzono z kąpieli zawierającej Cr(VI) oraz zielony proszek SiC. Zawartość SiC w warstwie chromowej wynosiła od 0,1-0,9% wag. Badania XPS wykazały iż SiC pokrywała warstwa SiO2, która powstała w wyniku utleniania SiC za pomocą Cr(VI). Przeprowadzono badania potencjodynamiczne i badania za pomocą spektroskopii impedancyjnej w celu określenia właściwości korozyjnych warstw Cr-SiC w środowisku kwaśnym....
-
Wysokoczęstotliwościowy falownik napięcia z tranzystorami SiC JFET do zasilania silnika wysokoobrotowego
PublicationW referacie przedstawiono konstrukcję oraz wyniki badań trójfazowego falownika napięcia zbudowanego z wykorzystaniem diod Schottky oraz tranzystorów JFET z węglika krzemu (SiC). Znacznie krótsze czasy przełączeń tych elementów w porównaniu z tranzystorami IGBT i diodami na bazie krzemu (Si) umożliwiają pracę układu z częstotliwością 100 kHz i wyższą. Duża stromość narastania napięcia rzędu dziesiątek kV/µs powoduje problemy EMC...
-
Pomiary szumów m.cz. tranzystorów MESFET z węglika krzemu
PublicationTranzystory MESFET z węglika krzemu typu CRF24010 (CRREE) są przyrządami mocy przeznaczonymi do pracy w zakresie wysokich częstotliwości. Ze względu na możliwość oceny technologii tych przyrządów, a także ich jakości celowe jest określenie ich właściwości szumowych w zakresie małych częstotliwości. Przedstawiono wyniki badań wykonanych w celu oceny właściowści szumowych tranzystorów MESFET z SiC oraz zaproponowano schemat szumowy...
-
Problemy pomiarów szumów diod z węglika krzemu
PublicationPrzedstawiono system do pomiaru szumów m.cz. diod Schottky'ego wykonanych z węglika krzemu (SiC) spolaryzowanych w kierunku przewodzenia i zaporowym, z uwzględnieniem specyfiki pomiaru szumów wybuchowych (RTS). Badane diody charakteryzują się wysokim prądem przewodzenia (do 12A) i wysokim napięciem zaporowym (typowo 600V i 1200V). Omówiono zagadnienia związane ze sposobami polaryzacji badanych diod i ich wpływ na wyniki pomiarów....
-
SiC-based phase-shift dual half bridge DC-DC converter as a key component of multilevel cascaded MV converters
PublicationThe paper describes SiC-based dual half bridge (DHB) DC-DC converter considered as a key component of high frequency isolated multilevel cascaded medium voltage converters. Two topologies of bi-directional DC-DC converters: the resonant half-bridge DC-DC converter and the phase-shift DHB converter are compared in the paper. Experimental results of SiC-based 50 kHz DHB DC-DC converter are presented in the paper.
-
Przeprowadzenie prób obejmujących miernictwo i charakteryzację opracowanych elementów, przyrządów i prototypowych podukładów funkcjonalnych zgodnie z obowiązującymi normami - zadanie 4. projektu ''Nowe technologie na bazie węglika krzemu i ich zastosowania w elektronice wielkich częstotliwości, dużych mocy i wysokich temperatur''
PublicationPrzedstawionmo główne cele zadania 4. projektu zamawianego nt. ''Nowe technologie na bazie węglika krzemu i ich zastosowania w elektronice wielkich częstotliwości dużych mocy i wysokich temperatur. Są to: analiza właściwości produkowanych obecnie komercyjnych elementów i przyrządów półprzewodnikowych z SiC oraz przygotowanie stanowisk laboratoryjnych do pomiarów parametrów i chrakterystyk tych przyrządów.Przewidywane jest opracowanie...
-
Hybrid high-frequency-SiC and line-frequency-Si based PEBB for MV modular power converters
PublicationIzolowane przekształtniki DC-DC o sterowanym kącie przesunięcia napięć strony pierwotnej i wtórnej są kluczowymi elementami współczesnych modułowych przekształtników energoelektronicznych średniego napięcia (SN). W porównaniu do konwencjonalnych przekształtników SN, przekształtniki modułowe z izolowanymi przetwornicami DC-DC nie wymagają izolacji w postaci wielkogabarytowych transformatorów o częstotliwości sieci. Zastosowanie...
-
Budowa i badania prototypowych podukładów funkcjonanych elektronicznych i energoelektronicznych, w tym wysokotemperaturowych, wykorzystujących opracowane elementy i przyrządy - zadanie 3. projektu ''Nowe technologie na bazie węglika krzemu i ich zastosowania w elektronice wielkich częstotliwości, dużych mocy i wysokich temperatur''
PublicationPrzedstawiono główne cele zadania 3. projektu zamawianego nt. ''Nowe technologie na bazie węglika krzemu i ich zastosowania w elektronice wielkich częstotliwości dużych mocy i wysokich temperatur''. Są to: badania typowych układów elektronicznych i energoelektronicznych z zastosowaniem kompercyjnych elementów i przyrządów z SiC w celu opracowania rozwiązań, które będą mogły być stosowane w praktyce i będą korzystniejsze niż zastosowane...
-
Power devices in Polish National Silicon Carbide Program
PublicationArtykuł zawiera informacje o polskim rządowym programie ''Nowe technologie na bazie węglika krzemu i ich zastosowania w elektronice wielkich częstotliwości, dużych mocy i wysokich temperatur''. Program zawiera trzy główne zadania zawierające następujące cele: wytworzenie podłoży z SiC, wytworzenie przyrządów z SiC oraz ocenę działania wybranych przyrządów w układach aplikacyjnych. Omówiono zastosowane metody wytwarzania podłoży,...
-
Diamond surface modification following thermal etching of Si supported hydrogenated diamond films by DBr
PublicationZbadano, wykorzystując spektroskopię oscylacyjną (HREELS - High Resolution Electron Energy Loss Spectroscopy) modyfikacje chemiczne powierzchni wodorowanego diamentu, umieszczonego na podkładzie krzemowym i wystawionego na działanie DBr a następnie podgrzanego do temp. powyżej 600 st.K. Przedstawiona procedura powoduje tworzenie się węglika krzemu SiC na powierzchni warstwy diamentowej, co jest widoczne na widmie HREEL jako dwa...
-
Wysokosprawne układy aktywnej filtracji wyjściowej w przekształtnikach elektrowni wiatrowych
PublicationCzęstotliwość pracy tranzystorów w przekształtnikach elektrowni wiatrowych średniej mocy jest ograniczona (1kHz-10kHz), co wymaga stosowania od strony sieci filtrów pasywnych o znacznych gabarytach. W referacie omówiono możliwość zastosowania wysokosprawnego wspomagającego filtra aktywnego z przyrządami z węglika krzemu zapewniającego eliminację wysokoczęstotliwościowych zmian prądu sieciowego (tzw. rippli) przy jednoczesnym zmniejszeniu...
-
Recykling krzemu w przemyśle fotowoltaicznym
PublicationKrzem jest obecnie materiałem najchętniej używanym do produkcji urządzeń fotowoltaicznych, będących w stanie przetwarzać energię promieniowania słonecznego w sposób bezpośredni na energię elektryczną. Problemem są jednak nadal wysokie koszty wytwarzania krzemu, odpowiedniego do zastosowań w przemyśle fotowoltaicznym. Opracowanie efektywnych metod, umożliwiających skuteczne zagospodarowanie powstających na każdym etapie produkcji...
-
The Low-frequency Noise of SiC MESFETs
PublicationPrzedstawiono system do pomiaru szumów małoczestotliwościowych tranzystorów SiC MESFET oraz przykładowe wyniki pomiarów.
-
Wpływ pęknięć kolistych na wytrzymałość zmęczeniową azotku krzemu.
PublicationAzotek krzemu posiada kombinację optymalnych własności, które są niezbędne w zastosowaniach na elementy łożysk tocznych. Podstawowym problemem związanym z wytrzymałością zmęczeniową kulek łożyskowych są pęknięcia koliste będące efektem procesu wytwarzania. Przedstawiono badania doświadczalne azotku krzemu ze sztucznie wprowadzonymi pęknięciami kolistymi oraz wpływ wybranych dodatków olejowych na propagacje tych pęknięć.
-
Nowa metoda regeneracji modułów fotowoltaicznych z amorficznego krzemu
PublicationEfekt degradacyjny Staeblera-Wrońskiego powoduje spadek sprawności ogniw fotowoltaicznych z amorficznego krzemu do 40% wartości początkowej. Stosunkowo skuteczną metodą regeneracji modułów z amorficznego krzemu jest metoda termiczna, polegająca na podgrzewaniu czynnej substancji fotowoltaicznej modułu do określonej temperatury w ciągu określonego czasu. Oba te ostatnie parametry nie zostały jak dotąd zoptymalizowane zarówno z racji...
-
Wielopoziomowy przekształtnik trakcyjny SiC z izolacją od sieci 3kV DC realizowaną za pomocą transformatorów 30kHz do napędów EZT
PublicationW referacie przedstawiono wielopoziomowy izolowany kaskadowy przekształtnik DC-AC z tranzystorami SiC MOSFET 1,2kV, przeznaczony do napędów elektrycznych zespołów trakcyjnych (EZT). Zaproponowana konstrukcja przekształtnika, przeznaczonego do pracy przy zasilaniu z sieci trakcyjnej 3kV DC, spełnia założenia energoelektronicznego transformatora trakcyjnego (z ang. Power Electronic Traction Transformer). Budowa modułowa z niskonapięciowych...
-
Napęd z silnikiem indukcyjnym i 4-gałęziowym falownikiem SiC do turbosprężarek powietrza ogniw paliwowych dużej mocy
PublicationWysoka cena ogniw paliwowych utrudnia ich szerokie zastosowanie w transporcie i przemyśle. Należy szukać możliwości obniżenia ich kosztu również poprzez obniżenie kosztu i zwiększenie wydajności urządzeń pomocniczych ogniwa paliwowego (Balance of the Plant). Autorzy proponują aby w napędzie sprężarki powietrza, zastosować wysokoobrotowy silnik indukcyjny, który jest tańszy od stosowanych obecnie silników PMSM. W referacie zaproponowano...
-
SiC-based T-type modules for multi-pulse inverter with coupled inductors
PublicationThe paper presents SiC-based three-level T-type modules designed for a high-performance 30kVA DC/AC inverter operating at high frequency 85 kHz with low THD of the output voltage. This inverter system consists of two integrated parts. The first part is active and contains three parallelconnected three-phase T-type modules built with fast-switching SiC power transistors. The second, passive part of the system is a set of inductors...
-
Metody badania właściwości szumowych elementów mocy z SiC
PublicationW artykule przedstawiono metody i układy pomiarowe do pomiarów szumów z zakresu małych częstotliwości diod mocy wykonanych z węglika krzemu. Pomiary prowadzone były przy polaryzacji badanych elementów w kierunku przewodzenia i zaporowym. Opracowano układ automatycznej kompensacji składowej stałoprądowej, który umożliwia obserwację i rejestrację szumów wybuchowych.
-
Pomiary szumów m.cz. diod Schottky'ego z węglika krzemu spolaryzowanych w kierunku przewodzenia
PublicationPrzedstawiono wyniki pomiarów szumów małej częstotliwości diod Schottky'ego wykonanych z węglika krzemu polaryzowanych w kierunku przewodzenia. Badania przeprowadzono dla diod o nominalnym prądzie przewodzenia IF od 2 A do 12 A.
-
Evaluation of SiC JFETs and SiC Schottky diodes for wind generation systems
Publication -
SiC-Based Power Electronic Traction Transformer (PETT) for 3 kV DC Rail Traction
PublicationThe design of rolling stock plays a key role in the attractiveness of the rail transport. Train design must strictly meet the requirements of rail operators to ensure high quality and cost-eective services. Semiconductor power devices made from silicon carbide (SiC) have reached a level of technology enabling their widespread use in traction power converters. SiC transistors oering energy savings, quieter operation, improved reliability...
-
Ewolucja od węgla do krzemu
PublicationFelieton popularnonaukowy dotyczący filozofii techniki.
-
Pure silicon recovering from photovoltaic modules
PublicationOdzyskiwanie krzemu ze zużytych lub uszkodzonych modułów fotowoltaicznych może mieć znaczenie nie tylko ekonomiczne, ale również ekologiczne. Etap obejmujący procesy chemiczne wymaga optymalizacji z punktu widzenia wymaganej czystości odzyskiwanego krzemu. W pracy przedstawiono wyniki przeprowadzonych prób trawienia poszczególnych warstw ogniw PV: warstwy antyodblaskowej, metalizacji (kontaktów), złącza p-n. Skład roztworów trawiących...
-
Applying molecular dynamics simulation to take the fracture fingerprint of polycrystalline SiC nanosheets
PublicationGraphene-like nanosheets are the key elements of advanced materials and systems. The mechanical behavior of the structurally perfect 2D nanostructures is well documented, but that of polycrystalline ones is less understood. Herein, we applied molecular dynamics simulation (MDS) to take the fracture fingerprint of polycrystalline SiC nanosheets (PSiCNS), where monocrystalline SiC nanosheets (MSiCNS) was the reference nanosheet....
-
Pomiary parametrów i charakterystyk statycznych, dynamicznych, szumowych i termicznych przyrządów z SiC
PublicationW artykule przedstawiono podsumowanie wyników projektu pt. Pomiary parametrów i charakterystyk statycznych, dynamicznych, szumowych i termicznych przyrządów z SiC.
-
Trójfazowy 4-gałęziowy falownik SiC w napędzie z wysokoobrotowym silnikiem indukcyjnym
PublicationZastosowanie tranzystorów SiC w falownikach napędów wysokoobrotowych powoduje nowe wyzwania, szczególnie odnośnie generowanego w falowniku napięcia common mode (CM) o wysokiej częstotliwości. Wysokoczęstotliwościowe napięcie CM wchodzi w interakcję z pojemnościami pasożytniczymi falownika, kabla i silnika wymuszając przepływ prądów CM, które są źródłem strat w filtrach pasywnych oraz powodują zakłócenia pomiarów prądów, nieakceptowalne...
-
Trójfazowy 4-gałęziowy falownik SiC w napędzie z wysokoobrotowym silnikiem indukcyjnym
PublicationZastosowanie tranzystorów SiC w falownikach napędów wysokoobrotowych powoduje nowe wyzwania,szczególnie odnośnie generowanego w falowniku napięcia common mode (CM) o wysokiej częstotliwości. Wysokoczęstotliwościowe napięcie CM wchodzi w interakcję z pojemnościami pasożytniczymi falownika, kabla i silnika wymuszając przepływ prądów CM, które są źródłem strat w filtrach pasywnych oraz powodują zakłócenia pomiarów prądów, nieakceptowalne...
-
Ocena jakości elementów z węglika krzemu metodą pomiaru szumów z zakresu małych częstotliwości
PublicationPrzedstawiono zagadnienie powiązania parametrów szumowych elementów elektronicznych z jakością ich wykonania. Przedstawiono stan badań intensywności metod oceny jakości elementów elektronicznych przez pomiar ich parametrów szumowych oraz propozycję ich zastosowania do oceny jakości elementów z węglika krzemu.
-
Hybrydowa koncepcja łagodzenia stromości zmian napięcia du/dt dla wielopoziomowych przekształtników kaskadowych SiC
PublicationW referacie zaproponowano nową hybrydową koncepcję łagodzenia stromości zmian napięcia du/dt w wielopoziomowych przekształtnikach kaskadowych SiC. Proponoana koncepcja polega na wykorzystaniu nietłumionego filtra du/dt, podatnego na rezonans oraz zastosowaniu w algorytmie sterowania PWM dodatkowych impulsów sterujących tranzystorami SiC MOSFET, wymuszających rezonansowe przełączanie napięcia na wyjściu filtra. Efekt zmniejszenia...
-
Hybrydowa koncepcja łagodzenia stromości zmian napięcia du/dt dla wielopoziomowych przekształtników kaskadowych SiC
PublicationW referacie zaproponowano nową hybrydową koncepcję łagodzenia stromości zmian napięcia du/dt w wielopoziomowych przekształtnikach kaskadowych SiC. Proponowana koncepcja polega na wykorzystaniu nietłumionego filtra du/dt, podatnego na rezonans oraz zastosowaniu w algorytmie sterowania PWM dodatkowych impulsów sterujących tranzystorami SiC MOSFET, wymuszających rezonansowe przełączanie napięcia na wyjściu filtra. Efekt zmniejszenia...
-
Design of a SiC based triple active bridge ceil for a multi-megawatt DC-DC converter
PublicationThe paper describes the design methodology of a novel Triple Active Bridge cell used as the building block for modular DC-DC converters. The intended application is for Medium Voltage Direct Current grids, such as the DC collector for offshore wind farms. The latest generation of SiC MOSFET semiconductors is utilized to operate in the medium frequency range while optimizing the efficiency. The dimensioning of the main cell components,...
-
SiC coating in ring-on-ring sliding with distlled water lubrication 5MPa, 0.1m/s specimn. #B34/#A33
Open Research DataWear tests in sliding friction of SiC coating on 1.4021 (EN 10088-1) heat treated stainless steel. Ring - on - ring contact in unidirectional sliding, SiC over SiC. Mean contact stress: 5MPa. Sliding velocity: 0,1 m/s. Mean friction radius: 9.5mm. Lubricant: DISTILLED WATER. Tribometer: PT-3. Overall test time till coating penetration 3 min. The test...
-
SiC coating in ring-on-ring sliding with distlled water lubrication 5MPa, 0.1m/s specimn. #A33/#B34
Open Research DataWear tests in sliding friction of SiC coating on 1.4021 (EN 10088-1) heat treated stainless steel. Ring - on - ring contact in unidirectional sliding, SiC over SiC. Mean contact stress: 5MPa. Sliding velocity: 0,1 m/s. Mean friction radius: 9.5mm. Lubricant: DISTILLED WATER. Tribometer: PT-3. Overall test time till coating penetration 3 min. The test...
-
SiC coating in ring-on-ring sliding with saline solution (0.9%) lubrication 5MPa, 0.1m/s specimn. #B37/#A35
Open Research DataWear tests in sliding friction of SiC coating on 1.4021 (EN 10088-1) heat treated stainless steel. Ring - on - ring contact in unidirectional sliding, SiC over SiC . Mean contact stress: 5MPa. Sliding velocity: 0,1 m/s. Mean friction radius: 9.5mm. Lubricant: SALINE SOLUTION (0.9%). Tribometer: PT-3. Overall test time till coating penetration 3 min.Secimen...
-
SiC coating in ring-on-ring sliding with saline solution (0.9%) lubrication 5MPa, 0.1m/s specimn. #A35/#B37
Open Research DataWear tests in sliding friction of SiC coating on 1.4021 (EN 10088-1) heat treated stainless steel. Ring - on - ring contact in unidirectional sliding, SiC over SiC . Mean contact stress: 5MPa. Sliding velocity: 0,1 m/s. Mean friction radius: 9.5mm. Lubricant: SALINE SOLUTION (0.9%). Tribometer: PT-3. Overall test time till coating penetration 3 min.Secimen...
-
Improvement of microstructure and mechanical properties of high dense sic ceramics manufactured by high-speed hot pressing
PublicationNon-oxide ceramics possess high physical-mechanical properties, corrosion and radiation resistance, which can be used as a protective materials for radioactive wastes disposal. The aim of the present study was the manufacturing of high density SiC ceramics with advanced physical and mechanical parameters. The high performance on the properties of produced ceramics was determined by the dense and monolithic structure. The densified...
-
Oszacowanie korelacji między źródłami prądowymi zlokalizowanymi w bramce i drenie tranzystora MESFET SiC
PublicationPrzedstawiono metodę umożliwiającą szybką ocenę korelacji między szumami generowanymi w bramce oraz w drenie tranzystorów MESFET SiC. Badania przeprowadzono dla tranzystorów CRF-24010 firmy CREE. Korelację oszacowano z przebiegów czasowych szumów w zakresie małych częstotliwości (od 2 Hz do 2 kHz), przy trzech różnych wartościach prądu drenu: Id = 1; 5; 10 mA. Porównano wynik oszacowania korelacji (dziedzina czasu) z wyznaczoną...
-
DFT modelling of the edge dislocation in 4H-SiC
Publication -
The Low Frequency Noise Behaviour of SiC MESFETs
Publication -
Procesy termiczne i chemiczne w recyklingu ogniw i modułów fotowoltaicznych z krystalicznego krzemu
PublicationW pracy przedstawiono opracowaną technologię kompleksowego recyklingu wyeksploatowanych, zużytych lub uszkodzonych ogniw fotowoltaicznych (PV) z krystalicznego krzemu. Opracowano szereg technik i procesów technologicznych, odmiennych dla etapu delaminacji (separacji) i oczyszczania. Przedstawiono opracowane koncepcje, metody badawcze oraz rezultaty badań nad recyklingiem krzemowych ogniw i modułów fotowoltaicznych. Zaproponowano...
-
Przekształtnik SiC DC-DC z transformatorem macierzowym do pokładowych ładowarek baterii akumulatorów taboru 3kV DC
PublicationBaterie akumulatorów pojazdów trakcyjnych zapewniają zasilanie krytycznych systemów, takich jak sterowanie i oświetlenie. Zgodnie z wymaganiami przemysłu kolejowego, pokładowa ładowarka baterii akumulatorów powinna być urządzeniem kompaktowym, wysokosprawnym, a jednocześnie wysoce niezawodnym. W referacie, do pokładowego ładowania akumulatorów pociągu zaproponowano kompaktowy przekształtnik SiC DC-DC z transformatorem macierzowym...
-
Przekształtnik SiC DC-DC z transformatorem macierzowym do pokładowych ładowarek baterii akumulatorów taboru 3kV DC
PublicationBaterie akumulatorów pojazdów trakcyjnych zapewniają zasilanie krytycznych systemów, takich jak sterowanie i oświetlenie. Zgodnie z wymaganiami przemysłu kolejowego, pokładowa ładowarka baterii akumulatorów powinna być urządzeniem kompaktowym, wysokosprawnym, a jednocześnie wysoce niezawodnym. W referacie, do pokładowego ładowania akumulatorów pociągu zaproponowano kompaktowy przekształtnik SiC DC-DC z transformatorem macierzowym...
-
Ocena parametrów statycznych diod Schottky'ego z SiC
PublicationPrzedstawiono wyniki pomiarów parametrów statycznych 3 prób diod Schottky'ego produkcji CREE i 2 prób diod Schottky'ego produkcji INFINEON. Stwierdzono, że charakterystyki przy polaryzacji diod w kierunku przewodzenia są w zasadzie identyczne, natomiast przy polaryzacji w kierunku zaporowym wykazują istotne różnice, szczególnie w zakresie napięć w kierunku zaporowym powyżej 600 V