Wyszukiwarka
Wyniki wyszukiwania dla: PRZYRZĄDY PÓŁPRZEWODNIKOWE Z WĘGLIKA KRZEMU
-
Charakterystyka tranzystorów z węglika krzemu w wysokosprawnych przekształtnikach
PublikacjaPółprzewodnikowe przyrządy mocy z węglika krzemu (SiC) osiągnęły poziom technologiczny umożliwiający powszechne stosowanie w układach przekształtnikowych. W artykule omówiono ostatnie osiągnięcia dotyczące układów przekształtnikowych z przyrządami z węglika krzemu oraz wybrane wyniki badań realizowane na Politechnice Gdańskiej. W artykule opisano właściwości statyczne i dynamiczne tranzystorów MOSFET i JFET z węglika krzemu oraz...
-
Budowa i badania prototypowych podukładów funkcjonanych elektronicznych i energoelektronicznych, w tym wysokotemperaturowych, wykorzystujących opracowane elementy i przyrządy - zadanie 3. projektu ''Nowe technologie na bazie węglika krzemu i ich zastosowania w elektronice wielkich częstotliwości, dużych mocy i wysokich temperatur''
PublikacjaPrzedstawiono główne cele zadania 3. projektu zamawianego nt. ''Nowe technologie na bazie węglika krzemu i ich zastosowania w elektronice wielkich częstotliwości dużych mocy i wysokich temperatur''. Są to: badania typowych układów elektronicznych i energoelektronicznych z zastosowaniem kompercyjnych elementów i przyrządów z SiC w celu opracowania rozwiązań, które będą mogły być stosowane w praktyce i będą korzystniejsze niż zastosowane...
-
Układy sterowania bramkowego tranzystorów z węglika krzemu SiC JFET w falownikach napięcia
PublikacjaZastosowanie technologii węglika krzemu (SiC) w falownikach napięcia pozwala na zwiększenie częstotliwości przełączeń oraz temperatury pracy przyrządów półprzewodnikowych. W celu zapewnienia minimalizacji strat oraz określonych właściwości dynamicznych tranzystorów z węglika krzemu wymagane jest stosowanie zaawansowanych układów sterowania bramkowego. W referacie przedstawiono analizę teoretyczną, wyniki badań symulacyjnych oraz...
-
Problemy pomiarów szumów diod z węglika krzemu
PublikacjaPrzedstawiono system do pomiaru szumów m.cz. diod Schottky'ego wykonanych z węglika krzemu (SiC) spolaryzowanych w kierunku przewodzenia i zaporowym, z uwzględnieniem specyfiki pomiaru szumów wybuchowych (RTS). Badane diody charakteryzują się wysokim prądem przewodzenia (do 12A) i wysokim napięciem zaporowym (typowo 600V i 1200V). Omówiono zagadnienia związane ze sposobami polaryzacji badanych diod i ich wpływ na wyniki pomiarów....
-
Pomiary szumów m.cz. tranzystorów MESFET z węglika krzemu
PublikacjaTranzystory MESFET z węglika krzemu typu CRF24010 (CRREE) są przyrządami mocy przeznaczonymi do pracy w zakresie wysokich częstotliwości. Ze względu na możliwość oceny technologii tych przyrządów, a także ich jakości celowe jest określenie ich właściwości szumowych w zakresie małych częstotliwości. Przedstawiono wyniki badań wykonanych w celu oceny właściowści szumowych tranzystorów MESFET z SiC oraz zaproponowano schemat szumowy...
-
Pomiary szumów m.cz. diod Schottky'ego z węglika krzemu spolaryzowanych w kierunku przewodzenia
PublikacjaPrzedstawiono wyniki pomiarów szumów małej częstotliwości diod Schottky'ego wykonanych z węglika krzemu polaryzowanych w kierunku przewodzenia. Badania przeprowadzono dla diod o nominalnym prądzie przewodzenia IF od 2 A do 12 A.
-
Przyrządy Półprzewodnikowe 2023 - ACiR, IBM - sem. 2
Kursy OnlinePrzyrządy Półprzewodnikowe - wykład 2023 dla studentów I stopnia, 2 sem. kierunków ACiR i IBM na WETI
-
Przyrządy Półprzewodnikowe 2022 - ACiR, IBM - sem. 2
Kursy OnlinePrzyrządy Półprzewodnikowe - wykład 2022 dla studentów I stopnia, 1 sem. kierunków ACiR i IBM na WETI
-
Przyrządy Półprzewodnikowe 2024 - ACiR, IBM - sem. 2
Kursy OnlinePrzyrządy Półprzewodnikowe - wykład 2024 dla studentów I stopnia, 2 sem. kierunków ACiR i IBM na WETI
-
Ocena jakości elementów z węglika krzemu metodą pomiaru szumów z zakresu małych częstotliwości
PublikacjaPrzedstawiono zagadnienie powiązania parametrów szumowych elementów elektronicznych z jakością ich wykonania. Przedstawiono stan badań intensywności metod oceny jakości elementów elektronicznych przez pomiar ich parametrów szumowych oraz propozycję ich zastosowania do oceny jakości elementów z węglika krzemu.
-
Przyrządy półprzewodnikowe - laboratorium 2021/22zima
Kursy Online -
Silicon carbide application issues
PublikacjaThe main goals of Task 3 and Task 4 of the ordered project ''New technologies based on silicon carbide and their application in HF, high power and high temperature electronics'' are presented
-
Badanie właściwości elementów mocy z węglika krzemu w zastosowaniach układowych
PublikacjaW artykule prezentowane są wyniki badania właściwości elementów SiC w zastosowaniach układowych. Do celów pomiarowych zaprojektowano układ przetwornicy realizujący konfigurację buck oraz boost z elementami aktywnymi z SiC oraz z krzemu, jako elementami referencyjnymi. Układ przetwornicy był badany dla różnych zestawów elementów, konfiguracji i parametrów pracy.
-
Przyrządy Półprzewodnikowe - laboratorium 2022/23 - Zima
Kursy Online -
Przyrządy Półprzewodnikowe - lab - 23/24 zima
Kursy Online -
Marek Adamowicz dr hab. inż.
OsobyStopień naukowy doktora uzyskał w 2008 r. na Wydziale Elektrotechniki i Automatyki Politechniki Gdańskiej. W latach 2005 – 2011 pracował na Akademii Morskiej w Gdyni. W 2010 r. jako laureat programu NCBR LIDER wybrał Wydział Elektrotechniki i Automatyki Politechniki Gdańskiej jako jednostkę realizującą swój projekt z zakresu szerokopasmowych przyrządów półprzewodnikowych i ich zastosowań w elektrowniach wiatrowych. Od 2011 roku...
-
Przeprowadzenie prób obejmujących miernictwo i charakteryzację opracowanych elementów, przyrządów i prototypowych podukładów funkcjonalnych zgodnie z obowiązującymi normami - zadanie 4. projektu ''Nowe technologie na bazie węglika krzemu i ich zastosowania w elektronice wielkich częstotliwości, dużych mocy i wysokich temperatur''
PublikacjaPrzedstawionmo główne cele zadania 4. projektu zamawianego nt. ''Nowe technologie na bazie węglika krzemu i ich zastosowania w elektronice wielkich częstotliwości dużych mocy i wysokich temperatur. Są to: analiza właściwości produkowanych obecnie komercyjnych elementów i przyrządów półprzewodnikowych z SiC oraz przygotowanie stanowisk laboratoryjnych do pomiarów parametrów i chrakterystyk tych przyrządów.Przewidywane jest opracowanie...
-
Analysis of size and shape of abrasive micrograins in lapping of assembly joints
PublikacjaPrzedstawiono skomputeryzowana analizę wielkości i kształtu mikroziaren ściernych. W badaniach mikroziaren węglika boru, węglika krzemu i elektrokorundu zastosowano mikroskopie optyczna oraz specjalistyczne oprogramowanie MultiScan v.6.08
-
Noise in semiconductor devices
PublikacjaOmówiono typowe źródła szumów występujące w przyrządach pólprzewodnikowych, a mianowicie: cieplne, śrutowe, generacyjno-rekombinacyjne, 1/f, 1/f2, wybuchowe (RTS), lawinowe. Przedstawiono szumowe schematy zastępcze tranzystora bipolarnego, JFET i MOSFET oraz opisano wydajności poszczególnych źródeł szumów. Zasugerowano jak dobierać przyrządy półprzewodnikowe do małoszumowych układów w zakresie małych częstotliwości.
-
Komputerowa analiza wielkości mikroziaren ściernych.
PublikacjaPrzedstawiono wyniki badań wielkości mikroziaren ściernych węglika krzemu, elektrokorundu i węglika boru. W badaniach wykorzystano analizator laserowy firmy Fritsch Gmbh. Wyznaczono rozkład prawdopodobieństwa wielkości mikroziaren oraz liczności skumulowanej szeregów rozdzielczych. Scharakteryzowano zasady pomiaru oraz porównano znane metody badania wielkości ziaren.
-
Study of abrasive slurry dosage in flat surfaces lapping process
PublikacjaPrzedstawiono wyniki badań dozowania pasty i zawiesiny ściernej w procesach docierania powierzchni płaskich. Badano wpływ wielkości dawki ścierniwa na podstawowe parametry chropowatości powierzchni elementów miedzianych i ceramicznych. Docierano miedź betlenową MOOB oraz ceramikę Al2O3 i Al2O3-ZrO2 mikroziarnami węglika krzemu i węglika boru.
-
Semiconductor Devices
Kursy Onlinewesja angielskojęzyczna przedmiotu Przyrządy Półprzewodnikowe dla studentów z programu Erasmus
-
Badania temperatury elementów układu wykonawczego docierarki jednotarczowej
PublikacjaPrzedstawiono wyniki badań własnych wpływu parametrów obróbki na wzrost temperatury docieraka żeliwnego. Badano docieranie powierzchni płaskich na docierarce jednotarczowej. Określono wpływ nacisku jednostkowego i wielkości mikroziaren węglika krzemu i węglika boru na przyrost temperatury maksymalnej po 180 i 300 min. obróbki. Przeprowadzono analizę statystyczną wyników badań i określono współczynniki istotności F.
-
Badania temperatury elementów układu wykonawczego docierarki jednotarczowej
PublikacjaPrzedstawiono wyniki badań własnych wpływu parametrów obróbki na wzrost temperatury docieraka żeliwnego. Badano docieranie powierzchni płaskich na docierarce jednotarczowej. Określono wpływ nacisku jednostkowego i wielkości mikroziaren węglika krzemu i węglika boru na przyrost temperatury maksymalnej po 180 i 300 min. obróbki. Przeprowadzono analizę statystyczną wynikow badań i określono współczynniki istotności F.
-
Pomiary i analiza wielkości mikroziaren ściernych.
PublikacjaOmówiono skomputeryzowana analizę wielkości i kształtu mikroziaren ściernych. W badaniach mikroziaren węglika boru, czarnego i zielonego weglika krzemu oraz elektrokorundu zwykłego i szlachetnego stosowano mikroskopię optyczną oraz oprogramowanie MultiScan.
-
Analiza wielkości mikroziaren ściernych
PublikacjaPrzedstawiono skomputeryzowana analizę wielkości i kształtu mikroziaren ściernych. W badaniach mikroziaren czarnego węglika krzemu oraz elektrokorundu zwykłego i szlachetnego stosowano stereoskopową mikroskopię optyczną oraz oprogramowanie Scopelmage DynamicPro i Scopelmage Advanced
-
Surface contamination after lapping by abrasive material
PublikacjaPrzedstawiono wyniki badań skażenia powierzchni żeliwa sferoidalnego mikroziarnami węglika krzemu po docieraniu. Określowo wpływ współczynnika upakowania mikroziaren w strefie docierania na intensywność skażenia powierzchni ścierniwem. W badaniach wykorzystano powierzchniową mikroanalizę rentgenowską.
-
Analiza czasochłonności docierania technologicznego powierzchni płaskich w operacjach montażowych.
PublikacjaPrzedstawiono wyniki analiz docierania i mikroszlifowania elementów płaskich na docierarce jednotarczowej mikroziarnami węglika krzemu. Obrabiano elementy ze stali 100Cr oraz z tlenkowej ceramiki technicznej Al2O3. Analizowano czas obróbki i koszty operacji.
-
Pomiary i analiza wielkości mikroziaren ściernych w operacjach docierania
PublikacjaPrzedstawiono wyniki badań wielkości i kształtu mikroziaren ściernych węglika boru, elektrokorundu i węglika krzemu. Analizowano rozkłady długości i szerokości oraz pola powierzchni obrazów mikroziaren w rzucie na płaszczyznę równoległą do płaszczyzny obserwacji. W pomiarach wykorzystano skomputeryzowane stanowisko do badań mikroskopowych oraz oprogramowanie MultiScan. Wyniki eksperymentów mogą być wykorzystane w procesie przygotowania...
-
Wpływ zawiesiny ściernej dawkowanej w sposób wymuszony na wydajność docierania jednotarczowego elementów ceramicznych
PublikacjaPrzedstawiono zagadnienia związane z przygotowywaniem zawiesiny ściernej w docieraniu maszynowym powierzchni płaskich. W badaniach zastosowano wymuszony sposób dozowania zawiesiny na docierak żeliwny. Badano docieranie elementów z ceramiki tlenkowej zawiesiną na bazie mikroziaren węglika krzemu.
-
Tarcze docierające z żeliwa sferoidalnego. Właściwości i badania
PublikacjaW pracy zamieszczono modelowe ujęcie penetracji mikroziaren ściernych węglika krzemu w wydzielaniu grafitu w żeliwie sferoidalnym. Skuteczność zbrojenia docieraków ścierniwem wymaga określenia korzystnych parametrów struktury żeliwa w aspekcie rozmiarów stosowanych mikroziaren ściernych w procesie docierania.
-
Charging of the cast iron lapping tools.
PublikacjaPrzedstawiono technikę i technologię zbrojenia wymuszonego powierzchni docieraków tarczowych. Omówiono konstrukcję przyrządu oraz wyniki badań intensywności zbrojenia docieraków mikroziarnami węglika krzemu. Analizowano docieraki z żeliwa szarego i sferoidalnego oraz mikroziaren o numerze 320 i 300.
-
Badania wpływu twardości materiału obrabianego na temperaturę docieraka podczas docierania powierzchni płaskich
PublikacjaPrzedstawiono wyniki badań wpływu twardości materiału obrabianego na wzrost temperatury docieraka. Obrabiano elementy ze stali C45 na docierarce jednotarczowej. Porównano obróbkę elementów walcowych o średnicy 17 mm i twardości 160 i 650 HV mikroziarnami węglika krzemu F400/17. W badaniach wykorzystano kamerę termowizyjną.
-
Determining the conditions for temperature measurements during flat lapping
PublikacjaPrzedstawiono pomiary temperatury układu wykonawczego docierarki jednotarczowej ABRALAP 380. Badano wpływ liczby stosowanych pierścieni prowadzących przy docieraniu elementów ceramicznych mikroziarnami węglika krzemu. Analizowano przyrost temperatury układu w czasie do trzech godzin. W badaniach zastosowano kamerę termowizyjną V-20II firmy VIGO System S.A.
-
Komputerowa analiza wielkości mikroziaren ściernych
PublikacjaPrzedstawiono skomputeryzowaną analizę wielkości i kształtu mikroziaren ściernych przy użyciu specjalnego oprogramowania MultiScan v.6.08 oraz zautomatyzowane pomiary z wykorzystaniem analizatora laserowego Analysette 22 Micro Tec mikroziaren czarnego węglika krzemu o numerze F32/29. Dokonano przeglądu konstrukcji najnowszych analizatorów czołowych producentów światowych.
-
Metody badania właściwości szumowych elementów mocy z SiC
PublikacjaW artykule przedstawiono metody i układy pomiarowe do pomiarów szumów z zakresu małych częstotliwości diod mocy wykonanych z węglika krzemu. Pomiary prowadzone były przy polaryzacji badanych elementów w kierunku przewodzenia i zaporowym. Opracowano układ automatycznej kompensacji składowej stałoprądowej, który umożliwia obserwację i rejestrację szumów wybuchowych.
-
Trójfazowy falownik napięcia z tranzystorami SiC JFET
PublikacjaW referacie przedstawiono konstrukcję oraz wyniki badań trójfazowego falownika napięcia zbudowanego z wykorzystaniem diod Schottky oraz tranzystorów JFET z węglika krzemu (SiC). Znacznie krótsze czasy przełączeń tych elementów w porównaniu z tranzystorami IGBT i diodami na bazie krzemu (Si) umożliwiają pracę układu z częstotliwością 100 kHz i wyższą. Małe energie przełączeń oraz mała rezystancja drenu tranzystorów SiC JFET pozwalają...
-
Badania jakości docierania elementów z ceramiki technicznej i węglików spiekanych na docierarce jednotarczowej.
PublikacjaPrzedstawiono wyniki badań docierania elementów płaskich na docierarce jednotarczowej zawiesiną z węglika krzemu. Docierano elementy z tlenkowej ceramiki technicznej Al2O3 i Al2O3-ZrO2 oraz węgliki spiekane SM25, H15X i H20S. Badano wydajność obróbki oraz chropowatość powierzchni po docieraniu. Czynnikami zmiennymi badań była prędkość docierania, nacisk jednostkowy i czas docierania.
-
Analiza modelu matematycznego opisującego wzrost temperatury podczas docierania jednostronnego powierzchni płaskich
PublikacjaPrzedstawiono weryfikację modelu matematycznego opisującego temperaturę elementów układu wykonawczego docierarki jednotarczowej od podstawowych warunków procesu docierania. Analizowano obróbkę na docierarce Abralap 380, określając wpływ nacisku jednostkowego, prędkości i czasu docierania elementów stalowych mikroziarnami węglika krzemu o numerze F600/9. W badaniach wykorzystano kamerę termograficzną z serii V-20 II firmy Vigo System...
-
Wysokoczęstotliwościowy przekształtnik z tranzystorami SiC JFET
PublikacjaW referacie przedstawiono konstrukcję oraz wyniki badań trójfazowego falownika napięcia zbudowanego z wykorzystaniem diod Schottky oraz tranzystorów JFET z węglika krzemu (SiC). Znacznie krótsze czasy przełączeń tych elementów w porównaniu z tranzystorami IGBT i diodami na bazie krzemu (Si) umożliwiają pracę układu z częstotliwością 100 kHz i wyższą. Duża stromość narastania napięcia rzędu dziesiątek kV/µs powoduje problemy EMC...
-
Wysokoczęstotliwościowy falownik napięcia z tranzystorami SiC JFET do zasilania silnika wysokoobrotowego
PublikacjaW referacie przedstawiono konstrukcję oraz wyniki badań trójfazowego falownika napięcia zbudowanego z wykorzystaniem diod Schottky oraz tranzystorów JFET z węglika krzemu (SiC). Znacznie krótsze czasy przełączeń tych elementów w porównaniu z tranzystorami IGBT i diodami na bazie krzemu (Si) umożliwiają pracę układu z częstotliwością 100 kHz i wyższą. Duża stromość narastania napięcia rzędu dziesiątek kV/µs powoduje problemy EMC...
-
Analiza rozdrabniania mikroziaren ściernych w docieraniu powierzchni płaskich.
PublikacjaPrzedstawiono analizę porównawczą mikroziaren przed i po docieraniu. Badania przeprowadzono na skomputeryzowanym stanowisku do automatycznej analizy obrazu mikroskopowego wyposażonego w oprogramowanie Multi Scan. Docierano elementy stalowe w stanie miękkim i po ulepszeniu cieplnym o przekroju kołowym i trójkątnym. Stosowano mikroziarna elektrokorundu i węglika krzemu o różnej ziarnistości. Badano rozdrobnienie mikroziaren przy...
-
Diamond surface modification following thermal etching of Si supported hydrogenated diamond films by DBr
PublikacjaZbadano, wykorzystując spektroskopię oscylacyjną (HREELS - High Resolution Electron Energy Loss Spectroscopy) modyfikacje chemiczne powierzchni wodorowanego diamentu, umieszczonego na podkładzie krzemowym i wystawionego na działanie DBr a następnie podgrzanego do temp. powyżej 600 st.K. Przedstawiona procedura powoduje tworzenie się węglika krzemu SiC na powierzchni warstwy diamentowej, co jest widoczne na widmie HREEL jako dwa...
-
SiC-based phase-shift dual half bridge DC-DC converter as a key component of multilevel cascaded MV converters
PublikacjaThe paper describes SiC-based dual half bridge (DHB) DC-DC converter considered as a key component of high frequency isolated multilevel cascaded medium voltage converters. Two topologies of bi-directional DC-DC converters: the resonant half-bridge DC-DC converter and the phase-shift DHB converter are compared in the paper. Experimental results of SiC-based 50 kHz DHB DC-DC converter are presented in the paper.
-
Hybrid high-frequency-SiC and line-frequency-Si based PEBB for MV modular power converters
PublikacjaIzolowane przekształtniki DC-DC o sterowanym kącie przesunięcia napięć strony pierwotnej i wtórnej są kluczowymi elementami współczesnych modułowych przekształtników energoelektronicznych średniego napięcia (SN). W porównaniu do konwencjonalnych przekształtników SN, przekształtniki modułowe z izolowanymi przetwornicami DC-DC nie wymagają izolacji w postaci wielkogabarytowych transformatorów o częstotliwości sieci. Zastosowanie...
-
Ryszard Strzelecki prof. dr hab. inż.
Osoby -
Wysokosprawne układy aktywnej filtracji wyjściowej w przekształtnikach elektrowni wiatrowych
PublikacjaCzęstotliwość pracy tranzystorów w przekształtnikach elektrowni wiatrowych średniej mocy jest ograniczona (1kHz-10kHz), co wymaga stosowania od strony sieci filtrów pasywnych o znacznych gabarytach. W referacie omówiono możliwość zastosowania wysokosprawnego wspomagającego filtra aktywnego z przyrządami z węglika krzemu zapewniającego eliminację wysokoczęstotliwościowych zmian prądu sieciowego (tzw. rippli) przy jednoczesnym zmniejszeniu...
-
Power devices in Polish National Silicon Carbide Program
PublikacjaArtykuł zawiera informacje o polskim rządowym programie ''Nowe technologie na bazie węglika krzemu i ich zastosowania w elektronice wielkich częstotliwości, dużych mocy i wysokich temperatur''. Program zawiera trzy główne zadania zawierające następujące cele: wytworzenie podłoży z SiC, wytworzenie przyrządów z SiC oraz ocenę działania wybranych przyrządów w układach aplikacyjnych. Omówiono zastosowane metody wytwarzania podłoży,...
-
Effect of SiC on the corrosion behaviour of chromium coatings
PublikacjaWarstwy kompozytowe Cr-SiC osadzono z kąpieli zawierającej Cr(VI) oraz zielony proszek SiC. Zawartość SiC w warstwie chromowej wynosiła od 0,1-0,9% wag. Badania XPS wykazały iż SiC pokrywała warstwa SiO2, która powstała w wyniku utleniania SiC za pomocą Cr(VI). Przeprowadzono badania potencjodynamiczne i badania za pomocą spektroskopii impedancyjnej w celu określenia właściwości korozyjnych warstw Cr-SiC w środowisku kwaśnym....
-
UKŁADY ENERGOELEKTRONICZNE [2022/23]
Kursy OnlineWYKŁAD: Podstawy analityczne systemów energoelektronicznych: Ogólny model przekształtnika bezpośredniego, transformacja współrzędnych, analiza spektralna i teoria mocy w układach energoelektronicznych. Nowoczesne półprzewodnikowe przyrządy energoelektroniczne (w tym SiC i GaN). Techniki modulacji impulsowej: Sterowanie skalarne i wektorowe, metody regulacji prądu. Przekształtniki wielopoziomowe i inne specjalne: Topologie falowników...