Wyszukiwarka
Wyniki wyszukiwania dla: dioda sic schottky
-
Schottky Junction-Driven Photocatalytic Effect in Boron-Doped Diamond-Graphene Core–Shell Nanoarchitectures: An sp3/sp2 Framework for Environmental Remediation
PublikacjaSelf-formation of boron-doped diamond (BDD)-multilayer graphene (MLG) core–shell nanowalls (BDGNWs) via microwave plasma-enhanced chemical vapor deposition is systematically investigated. Here, the incorporation of nitrogen brings out the origin of MLG shells encapsulating the diamond core, resulting in unique sp3/sp2 hybridized frameworks. The evolution mechanism of the nanowall-like morphology with the BDD-MLG core–shell composition...
-
On doubts about Mott-Schottky plot of organic planar heterojunction in photovoltaic cell
PublikacjaNa wykresie Motta-Schottky'ego przedstawione są wyniki pomiarów przeprowadzonych na komórkach fotowoltaicznych z planarnym heterozłączem organicznym. W pracy pokazano, że fotowoltaiczne układy z planarnym heterozłączem organicznym, podobnie jak planarne złącza półprzewodnikowe, mogą prowadzić do liniowych charakterystyk na wykresie Motta-Schottky'ego. Pokazano jednak, że parametry uzyskane z analizy otrzymanych prostych nie mogą...
-
Low Frequency Noise Measurement of Reverse Polarized Silicon Carbide Schottky Diodes
PublikacjaW artykule przedstawiono wyniki pomiaró szumów cz. wstecznie spolaryzowanych diod Schottky'ego.
-
Failure analysis of a high-speed induction machine driven by a SiC-inverter and operating on a common shaft with a high-speed generator
PublikacjaDue to ongoing research work, a prototype test rig for testing high-speed motors/generators has been developed. Its design is quite unique as the two high- speed machines share a single shaft with no support bearings between them. A very high maximum operating speed, up to 80,000 rpm, was required. Because of the need to minimise vibration during operation at very high rotational speeds, rolling bearings were used. To eliminate...
-
Sic-A Journal of Literature Culture and Literary Translation
Czasopisma -
Electrical and noise responses of Graphene-Silicon Schottky diodes decorated with Au nanoparticles for light-enhanced sensing of organic gases
Dane BadawczeGraphene-Silicon Schottky junctions decorated with Au nanoparticles were used for light-enhanced detection of organic tetrahydrofuran and chloroform. Au nanoparticles exhibited localized surface plasmon resonance (LSPR) in the range of yellow light; thus yellow LED (wavelength of 592 nm) was utilized to induce the plasmonic effect, that increased the...
-
Thermally Induced Templated Synthesis for the Formation of SiC Nanotubes and more
Publikacja -
Modification of SiC based nanorods via a hydrogenated annealing process
Publikacja -
Metody badania właściwości szumowych elementów mocy z SiC
PublikacjaW artykule przedstawiono metody i układy pomiarowe do pomiarów szumów z zakresu małych częstotliwości diod mocy wykonanych z węglika krzemu. Pomiary prowadzone były przy polaryzacji badanych elementów w kierunku przewodzenia i zaporowym. Opracowano układ automatycznej kompensacji składowej stałoprądowej, który umożliwia obserwację i rejestrację szumów wybuchowych.
-
Metody badania właściwości szumowych elementów mocy z SIC
Publikacja..
-
Lateral Schottky barrier diodes based on GaN/AlGaN 2DEG for sub-THz detection
Publikacja -
Organic electroluminescence from singlet and triplet exciplexes: Exciplex electrophosphorescent diode
PublikacjaW pracy zaobserwowano po raz pierwszy elektroluminescencję z trypletowych stanów ekscypleksowych w układzie dwuamina TPD (donor) -organiczny kompleks gadolinu (akceptor). Opsano konstrukcję elektrofosforescencyjnej diody ekscypleksowej.
-
Manipulating Electrical Properties of Nanopatterned Double-Barrier Schottky Junctions in Ti/TiOx/Fe Systems
Publikacja -
Ru/Al2O3 on Polymer-Derived SiC Foams as Structured Catalysts for CO2 Methanation
Publikacja -
Processing of polymer‐derived, aerogel‐filled, SiC foams for high‐temperature insulation
Publikacja -
Enhancement of second harmonic generation in nanocrystalline SiC films based natural microcavities
Publikacja -
A1GaN/GaN Field Effect Transistors Based on Lateral Schottky Barrier Gates as Millimeter Wave Detectors
Publikacja -
Elementy analizy RAMS i cyklu życia napędów nowej generacji w układzie e-transformatora realizowanych w technologii SiC do elektrycznych zespołów trakcyjnych
PublikacjaTransport kolejowy podlega ciągłej presji, aby zwiększać dostępność połączeń i obniżać koszty przejazdów. Konstruktorzy pociągów i przewoźnicy, w odpowiedzi na stawiane oczekiwania, starają się wdrażać pojawiające się na rynku nowe innowacyjne rozwiązania. Europejski program Shift2Rail stawia ambitne cele w stosunku do kluczowych wskaźników wydajności (z ang. KPI - Key Performance Indicators) systemu kolejowego obejmującego infrastrukturę,...
-
A new approach to chronotype measurement - the Polish version of the Single Item Chronotyping (SIC) tool
Publikacja -
Effect of pyrolysis temperature on the microstructure and thermal conductivity of polymer-derived monolithic and porous SiC ceramics
Publikacja -
Projektowanie i badania wysokosprawnej ładowarki dwukierunkowej z tranzystorami z węglika krzemu (SiC)
Publikacja -
AlGaN/GaN field effect transistor with two lateral Schottky barrier gates towards resonant detection in sub-mm range
Publikacja -
NPC assessment in insulated DC/DC converter topologies using SiC MOSFETs for Power Electronic Traction Transformer
Publikacja -
Experimental EMI study of a 3-phase 100kW 1200V Dual Active Bridge Converter using SiC MOSFETs
Publikacja -
Charakterystyka tranzystorów z węglika krzemu w wysokosprawnych przekształtnikach
PublikacjaPółprzewodnikowe przyrządy mocy z węglika krzemu (SiC) osiągnęły poziom technologiczny umożliwiający powszechne stosowanie w układach przekształtnikowych. W artykule omówiono ostatnie osiągnięcia dotyczące układów przekształtnikowych z przyrządami z węglika krzemu oraz wybrane wyniki badań realizowane na Politechnice Gdańskiej. W artykule opisano właściwości statyczne i dynamiczne tranzystorów MOSFET i JFET z węglika krzemu oraz...
-
SEM image of a porous wick material made from SIC
Dane BadawczeThe file contains scanning electron microscope (SEM) images of a porous sample made from Silicon Carbide. The SEM technique enables the measurement of pore sizes exclusively at the external cut surface of the wick, primarily capturing the largest pores. Additionally, the pore channels within the material exhibit dimensional variations due to an irregular...
-
Effect of particle size and weight fraction of SiC on the mechanical, tribological, morphological, and structural properties of Al-5.6Zn-2.2Mg-1.3Cu composites using RSM: fabrication, characterization, and modelling
Publikacja -
Experimental validation and comparison of a SiC MOSFET based 100 kW 1.2 kV 20 kHz three-phase dual active bridge converter using two vector groups
Publikacja -
Higly efficient near-infrared organic excimer electrphosphorescent diodes
PublikacjaW pracy opisano konstrukcję diody elektrofosforescencyjnej z emiterem w postaci organicznego kompleksu platyny (II). Dioda wysyła promieniowanie w bliskiej podczerwieni (705-720nm) pochodzące od ekscymerów trypletowych. Maksymalna użyteczna wydajność kwantowa diody wynosi 9.8-10.7%.
-
Fabrication and properties of hybrid SiCp-Cf/Al composite for tribological applications
PublikacjaPrzedstawiono sposób otrzymywania i właściwości kompozytu o osnowie siluminu AlSi7Mg ze wzmocnieniem cząstkami SiC otrzymywanego przez infiltrację pod ciśnieniem preformy z ciągłych włókien węglowych. Otrzymano znaczne zwiększenie koncentracji SiC (do 45%) w stosunku do kompozytów Al/SiC odlewanych grawitacyjnie (ok 15-25%).
-
Single-dopant organic white electrophosphorescent diodes with very high efficiency and its reduced current density roll-off
PublikacjaW pracy opisano konstrukcję wysokowydajnej diody elektrofosforescencyjnej zawierającej domieszkę organicznego kompleksu platyny PtL2Cl (L oznacza organiczny ligand). Dioda emituje światło białe które pochodzi od ekscymerów świecących w czerwieni i wzbudzonych monomerów świecących w części niebieskiej widma. Kwantowa wydajność świecenia diody wynosi ok. 15% i słabo maleje ze wzrostem gęstości płynącego prądu elektrycznego.
-
Dual Active Bridge (DAB) DC-DC converter for multilevel propulsion converters for electrical multiple units (EMU)
PublikacjaSemiconductor power devices made from silicon carbide (SiC) reached a level of technology enabling their widespread use in power converters. Two different approaches to implementation of modern traction converters in electric multiple units (EMU) have been presented in recent years: (i) 3.3-kV SiC MOSFET-based three-level PWM inverter with regenerative braking and (ii) 6.5-kV IGBT-based four-quadrant power electronic traction transformer...
-
Badanie właściwości elementów mocy z węglika krzemu w zastosowaniach układowych
PublikacjaW artykule prezentowane są wyniki badania właściwości elementów SiC w zastosowaniach układowych. Do celów pomiarowych zaprojektowano układ przetwornicy realizujący konfigurację buck oraz boost z elementami aktywnymi z SiC oraz z krzemu, jako elementami referencyjnymi. Układ przetwornicy był badany dla różnych zestawów elementów, konfiguracji i parametrów pracy.
-
Organic electroluminescent devices containing phosphorescent molecules in molecularly doped hole transporting layer.
PublikacjaW pracy opisano mechanizm świecenia diody dwuwarstwowej diody elektroluminescencyjnej (EL) o zewnętrznej kwantowej wydajności świecenia osiągającej 9% fot./elektron. Warstwę transportującą elektrony tworzyła pochodna osadiazolu (PBD) otrzymana metodąnaparowania próżniowego. Warstwę transportującą dziury uzyskano przez wylanie roztworu poliwęglanu(PC), dendrymeru aminowego m-MTDATAoraz fosforyzującego kompleksu irydu Ir(ppy)3 i...
-
The new tool of inverse analysis applied in geotechnics.
PublikacjaW pracy przedstawiono przykład prostego zastosowania analizy wstecznej do tzw. Współoddziaływującego Układu Projektowania (Systeme Interactif de Conception -SIC). Zastosowanie analizy wstecznej w tym układzie oparte jest na procedurze zaproponowanej przez Gens´a i innych. W omawianej pracy ograniczono się do określenia liniowej odkształcalności wartości modułowej ośrodka ciągłego. Wykorzystano algorytm minimalizujący funkcje...
-
Power devices in Polish National Silicon Carbide Program
PublikacjaArtykuł zawiera informacje o polskim rządowym programie ''Nowe technologie na bazie węglika krzemu i ich zastosowania w elektronice wielkich częstotliwości, dużych mocy i wysokich temperatur''. Program zawiera trzy główne zadania zawierające następujące cele: wytworzenie podłoży z SiC, wytworzenie przyrządów z SiC oraz ocenę działania wybranych przyrządów w układach aplikacyjnych. Omówiono zastosowane metody wytwarzania podłoży,...
-
Analysis of AC/DC/DC Converter Modules for Direct Current Fast-Charging Applications
PublikacjaThe paper is a comprehensive laboratory comparison study of two galvanic isolated solution off-board battery chargers: (1) Si-based cost-effective case, and (2) SiC-bidirectional ready for vehicle to grid concept case. All circuits are modular, and in both cases the DC/DC converter can be replaced according to the end user requirements (the coupled transformer remains the same and is constructed based on 12xC100 cores to avoid...
-
Przeprowadzenie prób obejmujących miernictwo i charakteryzację opracowanych elementów, przyrządów i prototypowych podukładów funkcjonalnych zgodnie z obowiązującymi normami - zadanie 4. projektu ''Nowe technologie na bazie węglika krzemu i ich zastosowania w elektronice wielkich częstotliwości, dużych mocy i wysokich temperatur''
PublikacjaPrzedstawionmo główne cele zadania 4. projektu zamawianego nt. ''Nowe technologie na bazie węglika krzemu i ich zastosowania w elektronice wielkich częstotliwości dużych mocy i wysokich temperatur. Są to: analiza właściwości produkowanych obecnie komercyjnych elementów i przyrządów półprzewodnikowych z SiC oraz przygotowanie stanowisk laboratoryjnych do pomiarów parametrów i chrakterystyk tych przyrządów.Przewidywane jest opracowanie...
-
Diamond surface modification following thermal etching of Si supported hydrogenated diamond films by DBr
PublikacjaZbadano, wykorzystując spektroskopię oscylacyjną (HREELS - High Resolution Electron Energy Loss Spectroscopy) modyfikacje chemiczne powierzchni wodorowanego diamentu, umieszczonego na podkładzie krzemowym i wystawionego na działanie DBr a następnie podgrzanego do temp. powyżej 600 st.K. Przedstawiona procedura powoduje tworzenie się węglika krzemu SiC na powierzchni warstwy diamentowej, co jest widoczne na widmie HREEL jako dwa...
-
The field–dependent interface recombination velocity for organic–inorganic heterojunction
PublikacjaWe have derived an analytical formula which describes the field–dependent interface recombination velocity for the boundary of two materials characterized by different permittivities. The interface recombination of charge carriers has been considered in the presence of image force Schottky barrier. We suggest that this effect may play an important role in the loss of current for organic–inorganic hybrid heterojunctions. It has...
-
MODEL HYBRYDOWEGO ENERGOELEKTRONICZNEGO UKŁADU ZASILANIA WIELOSYSTEMOWYCH ZESPOŁÓW TRAKCYJNYCH (EZT)
PublikacjaW artykule przedstawiono model układu hybrydowego energoelektronicznego układu zasilania wielosystemowych zespołów trakcyjnych - EZT. Istota proponowanego rozwiązania zawiera się w zastosowaniu do obniżenia napięcia sieci trakcyjnej, zamiast tradycyjnego ciężkiego transformatora trakcyjnego (chłodzonego olejem) - suchego autotransformatora pracującego z częstotliwością sieci kolejowej oraz izolacji galwanicznej od sieci trakcyjnej....
-
Pomiary szumów m.cz. tranzystorów MESFET z węglika krzemu
PublikacjaTranzystory MESFET z węglika krzemu typu CRF24010 (CRREE) są przyrządami mocy przeznaczonymi do pracy w zakresie wysokich częstotliwości. Ze względu na możliwość oceny technologii tych przyrządów, a także ich jakości celowe jest określenie ich właściwości szumowych w zakresie małych częstotliwości. Przedstawiono wyniki badań wykonanych w celu oceny właściowści szumowych tranzystorów MESFET z SiC oraz zaproponowano schemat szumowy...
-
Budowa i badania prototypowych podukładów funkcjonanych elektronicznych i energoelektronicznych, w tym wysokotemperaturowych, wykorzystujących opracowane elementy i przyrządy - zadanie 3. projektu ''Nowe technologie na bazie węglika krzemu i ich zastosowania w elektronice wielkich częstotliwości, dużych mocy i wysokich temperatur''
PublikacjaPrzedstawiono główne cele zadania 3. projektu zamawianego nt. ''Nowe technologie na bazie węglika krzemu i ich zastosowania w elektronice wielkich częstotliwości dużych mocy i wysokich temperatur''. Są to: badania typowych układów elektronicznych i energoelektronicznych z zastosowaniem kompercyjnych elementów i przyrządów z SiC w celu opracowania rozwiązań, które będą mogły być stosowane w praktyce i będą korzystniejsze niż zastosowane...
-
Problemy pomiarów szumów diod z węglika krzemu
PublikacjaPrzedstawiono system do pomiaru szumów m.cz. diod Schottky'ego wykonanych z węglika krzemu (SiC) spolaryzowanych w kierunku przewodzenia i zaporowym, z uwzględnieniem specyfiki pomiaru szumów wybuchowych (RTS). Badane diody charakteryzują się wysokim prądem przewodzenia (do 12A) i wysokim napięciem zaporowym (typowo 600V i 1200V). Omówiono zagadnienia związane ze sposobami polaryzacji badanych diod i ich wpływ na wyniki pomiarów....
-
The geometry of free-standing titania nanotubes as a critical factor controlling their optical and photoelectrochemical performance
PublikacjaTitanium dioxide nanotubes are regarded as one of the most important functional materials and due to their unique electronic properties, chemical stability and photocorrosion resistance, they find applications in, for example, highly efficient photocatalysis or perovskite solar cells. Nevertheless, modification of TiO2 nanotubes is required to overcome their main drawback, i.e. large energy bandgap (>3.2 eV) limiting their ability...
-
Synthesis and properties of HoT2Al20 (T = Ti, V, Cr) intermetallic cage compounds
PublikacjaPolycrystalline samples of HoT2Al20 (T = Ti, V, Cr) intermetallics were synthesized using a step-wise arc-melting technique. All three compounds adopt the CeCr2Al20-type crystal structure with Ho atoms positioned inside oversized icosahedral cages formed by Al atoms. The structure of HoV2Al20 compound is reported. The materials properties were studied by means of electrical resistivity, magnetic susceptibility, and specific heat...
-
Wysokosprawne układy aktywnej filtracji wyjściowej w przekształtnikach elektrowni wiatrowych
PublikacjaCzęstotliwość pracy tranzystorów w przekształtnikach elektrowni wiatrowych średniej mocy jest ograniczona (1kHz-10kHz), co wymaga stosowania od strony sieci filtrów pasywnych o znacznych gabarytach. W referacie omówiono możliwość zastosowania wysokosprawnego wspomagającego filtra aktywnego z przyrządami z węglika krzemu zapewniającego eliminację wysokoczęstotliwościowych zmian prądu sieciowego (tzw. rippli) przy jednoczesnym zmniejszeniu...
-
Diamond-Phase (Sp3-C) Rich Boron-Doped Carbon Nanowalls (Sp2-C): A Physico-Chemical And Electrochemical Properties
PublikacjaThe growth of B-CNW with different boron doping levels controlled by the [B]/[C] ratio in plasma, and the influence of boron on the obtained material’s structure, surface morphology, electrical properties and electrochemical parameters, such as -ΔE and k°, were investigated. The fabricated boron-doped carbon nanowalls exhibit activity towards ferricyanide redox couple, reaching the peak separation value of only 85 mV. The flatband...
-
Crystal Growth, Structure, and Magnetism of the 2D Spin 1/2 Triangular Lattice Material Rb3Yb(PO4)2
PublikacjaThe single-crystal growth, crystal structure, heat capacity, and anisotropic magnetization characterization of Rb3Yb- (PO4)2, a Yb-based triangular lattice material, are presented. Single-crystal X-ray diffraction shows that Rb3Yb(PO4)2 exhibits [Yb(PO4)]∞ layers, with the Yb in an ordered plane of equilateral triangles. One phosphate group oxygen that is not a near neighbor of the magnetic Yb displays positional disorder. The...
-
Photoinduced K+ Intercalation into MoO3/FTO Photoanode—the Impact on the Photoelectrochemical Performance
PublikacjaIn this work, thin layers of MoO3 were tested as potential photoanodes for water splitting. The influence of photointercalation of alkali metal cation (K+) into the MoO3 structure on the photoelectrochemical properties of the molybdenum trioxide films was investigated for the first time. MoO3 thin films were synthesized via thermal annealing of thin, metallic Mo films deposited onto the FTO substrate using a magnetron sputtering...