Filtry
wszystkich: 13411
-
Katalog
- Publikacje 10399 wyników po odfiltrowaniu
- Czasopisma 157 wyników po odfiltrowaniu
- Konferencje 4 wyników po odfiltrowaniu
- Wydawnictwa 3 wyników po odfiltrowaniu
- Osoby 341 wyników po odfiltrowaniu
- Wynalazki 35 wyników po odfiltrowaniu
- Projekty 68 wyników po odfiltrowaniu
- Laboratoria 3 wyników po odfiltrowaniu
- Zespoły Badawcze 21 wyników po odfiltrowaniu
- Aparatura Badawcza 2 wyników po odfiltrowaniu
- Kursy Online 403 wyników po odfiltrowaniu
- Wydarzenia 47 wyników po odfiltrowaniu
- Dane Badawcze 1928 wyników po odfiltrowaniu
wyświetlamy 1000 najlepszych wyników Pomoc
Wyniki wyszukiwania dla: gan
-
Gaz, Woda i Technika Sanitarna
Czasopisma -
Nafta-Gaz
Czasopisma -
The effects of gas exposure on the graphene/AlGaN/GaN heterostructure under UV irradiation
PublikacjaThis work demonstrates a graphene/AlGaN/GaN sensing device with two-dimensional electron gas (2DEG) toward nitrogen dioxide (NO2), tetrahydrofuran, and acetone detection under UV light irradiation. We propose combining measurements of the DC characteristics with a fluctuation-enhanced sensing method to provide insight into the gas detection mechanisms in the synergistic structure of highly stable GaN and gas-sensitive graphene....
-
Studia Komitetu Przestrzennego Zagospodarowania Kraju PAN
Czasopisma -
Ocena możliwości wykorzystania sieci pętlowych RPR I 10 Gigabit Ethernet do budowy sieci LAN/MAN/WAN
PublikacjaPrzedstawiono rozwiązania sieciowe: 10GE i RPR. W szczególności omówiono możliwość wykorzystania tych rozwiązań w sieciach LAN, MAN, WAN i ich współpracy z infrastrukturą SONET/SDH. Na tle zalet sieci zbudowanych całkowicie w technologii 10GE i ograniczeń jakim podlegają sieci Ethernet ukazano proponowane w RPR możliwości zarządzania pasmem i skuteczność mechanizmów reakcji na uszkodzenia. Przedstawiono koszty realizacji wybranych...
-
BIULETYN KOMITETU PRZESTRZENNEGO ZAGOSPODAROWANIA KRAJU PAN
Czasopisma -
IEEE LAN/MAN Workshop
Konferencje -
Metody udostępniania materiałów multimedialnych w sieciach LAN i WAN.
PublikacjaW referacie przedstawiono możliwości wzbogacania treści edukacyjnych dzięki wykorzystaniu technik multimedialnych. Uzupełnienie materiału edukacyjnego w postaci plików audio oraz wideo daje zupełnie nową jakość . Opisano jak stworzyć taki materiał, jaki jest potrzebny do realizacji oraz jak bardzo czasochłonny jest ten proces. Wnioski i spostrzeżenia zostały przedstawione na podstawie praktycznej realizacji wykładu dot. Systemu...
-
Metody udostępniania materiałów multimedialnych w sieciach LAN I WAN.
PublikacjaWraz z rozpowszechnianiem usług szerokopasmowych zmniejsza się ograniczenie co do objętości oferowanych materiałów edukacyjnych udostępnianych w sieciach LAN i WAN. W referacie przedstawiono możliwości wzbogacenia treści edukacyjnych dzięki wykorzystaniu technik multimedialnych. Uzupełnienie materiału edukacyjnego w postaci plików audio i wideo daje zupełnie nową jakość. Opisano jak stworzyć taki materiał, jaki sprzęt jest potrzebny...
-
Józef Woźniak prof. dr hab. inż.
OsobyProf. dr hab. inż. Józef Woźniak prof. zw. Politechniki Gdańskiej ukończył studia na Wydziale Elektroniki Politechniki Gdańskiej w 1971 r. W 1976 r. uzyskał stopień doktora nauk technicznych, a w 1991 r. stopień doktora habilitowanego w dyscyplinie telekomunikacja i specjalności teleinformatyka. W styczniu roku 2002 otrzymał tytuł profesora nauk technicznych. W 1994 r. został mianowany na stanowisko profesora nadzwyczajnego w Politechnice...
-
GaN Nanowire Array for Charge Transfer in Hybrid GaN/P3HT:PC71BM Photovoltaic Heterostructure Fabricated on Silicon
PublikacjaAbstract: We demonstrate that a GaN nanowire array can be used for efficient charge transfer between the organic photovoltaic layer and silicon in a Si/GaN/P3HT:PC71BM inverted hybrid heterostructure. The band alignment of such a material combination is favorable to facilitate exciton dissociation, carrier separation and electron transport into Si. The ordered nature of the GaN array helps to mitigate the intrinsic performance...
-
Can a man also be afraid? Partner communication, anxiety and hope in parents of premature infants
Publikacja -
The Peculiarity of Man
Czasopisma -
Man and Environment
Czasopisma -
Gran Tour
Czasopisma -
MAN IN INDIA
Czasopisma -
Effects of Heat and Momentum Gain Differentiation during Gas Detonation Spraying of FeAl Powder Particles into the Water
Publikacja -
Kierunek Wod-Kan
Czasopisma -
Performance of FAN conception of traffic control in IP QoS networks
PublikacjaIn this paper we present the architectural implementation of Flow Aware Networking (FAN), a new approach for realizing QoS guarantees in the Internet. We also propose FAN traffic control algorithm which performs traffic control on flow level. Using the proposed FAN node model, we conduct simulation research to prove if FAN can be a new approach for realizing QoS guarantees. The basis of this research is finding a way to guarantee...
-
Performance Comparison of a 650 V GaN SSFET and CoolMOS
PublikacjaThe new technology of wide band gap semiconductors is said to outperform up-to-date silicon devices. High voltage Gallium Nitride (GaN) transistors, now emerging in the market, have even three times shorter switching times and even four times smaller energy losses compared to the best in-class Si devices. In this paper the performance of a 650 V GaN SSFET is evaluated and compared with the newest silicon family of CoolMOS™ technology....
-
Gate Driver with Overcurrent Protection Circuit for GaN Transistors
PublikacjaThe improvement of the gate driver for GaN transistor is presented in this paper. The proposed topology contains the overcurrent protectionwith the two-stage turning off and independent control of turn on and off time of the GaN transistor. The operation of driver and its application in thehalf-bridge converter are described using both simulation and prototype measurements. The overcurrent protection was tested in Double Pulse...
-
Wojciech Sadowski prof. dr hab. inż.
OsobyWojciech Sadowski (ur. 2.02.1954 r. w Ostaszewie), naukowiec, polski inżynier, profesor Politechniki Gdańskiej, specjalista z fizyki ciała stałego, nanotechnologii, optoelektroniki. Studia wyższe ukończył w 1979 r. w Leningradzkim Instytucie Elektrotechnicznym w Leningradzie w specjalności dielektryki i półprzewodniki, uzyskując tytuł zawodowy magistra inżyniera elektronika. Od 1979 r. pracuje na Politechnice Gdańskiej, pełniąc...
-
Onderzoek van onderwijs
Czasopisma -
STUDIA PRAWNICZE (PAN)
Czasopisma -
Oil and Gas Geology
Czasopisma -
Natural Gas Geoscience
Czasopisma -
Journal of Gang Research
Czasopisma -
Contemporary Ob/Gyn
Czasopisma -
Medical Gas Research
Czasopisma -
Revista San Gregorio
Czasopisma -
OIL & GAS JOURNAL
Czasopisma -
Gas Science and Engineering
Czasopisma -
Forum Leczenia Ran
Czasopisma -
PAN-PACIFIC ENTOMOLOGIST
Czasopisma -
Performance Evaluation of a 650V E-HEMT GaN Power Switch
PublikacjaGaN power switches have better characteristics compared to the state-of-the-art Si power transistors. These devices offer high operating temperature and current densities, fast switching and low on-resistance. However, currently only a few producers offer technology of high voltage GaN transistors. Immaturity of this technology is the reason why experimental evaluation of GaN parameters must be performed to properly exploit their...
-
Zastosowanie tranzystorów GaN w wysokoczęstotliwościowych przekształtnikach DC/DC
PublikacjaW artykule przedstawiono tranzystory mocy z azotku galu (GaN) jako przyrządy, umożliwiające budowanie wysokoczęstotliwościowych przekształtników energoelektronicznych. Opisano tranzystory GaN HEMT SSFET, przedstawiono sposób ich sterowania i czasy przełączeń. Podano wyniki badań eksperymentalnych przekształtnika obniżającego napięcie o sprawności 96,5%, pracującego z częstotliwością przełączeń 500 kHz. Zaprezentowano metodę doboru...
-
Wideband Modeling of DC-DC Buck Converter with GaN Transistors
PublikacjaThe general wideband modeling method of the power converter is presented on the example of DC-DC buck converter with GaN High Electron Mobility Transistors (HEMT). The models of all basic and parasitic components are briefly described. The two methods of Printed Circuit Board (PCB) layout parameter extraction are presented. The results of simulation in Saber@Sketch simulation software and measurements are compared. Next, the model...
-
Burn depths evaluation based on active dynamic IR thermal imaging - A preliminary study
Publikacja.
-
EMI attenuation in a DC-DC buck converter using GaN HEMT
PublikacjaA dc-dc buck converter using gallium nitride (GaN) high electron mobility transistors (HEMT) is experimentally investigated at the discontinuous current mode (DCM) and at the triangular current mode (TCM) operation. The paper objective is to specify the power conversion efficiency and attenuation of common mode (CM) and differential mode (DM) noise voltage, measured at the line impedance stabilization network (LISN) for compared...
-
3D PCB package for GaN inverter leg with low EMC feature
PublikacjaThis paper presents the adaptation of a 3D integration concept previously used with vertical devices to lateral GaN devices. This 3D integration allows to reduce loop inductance, to ensure more symmetrical design with especially limited Common Mode emission, thanks to a low middle point stray capacitance. This reduction has been achieved by both working on the power layout and including a specific shield between the devices and...
-
EMI mitigation of GaN power inverter leg by local shielding techniques
PublikacjaThis paper presents local shielding techniques applied to a half-bridge inverter leg with the aim to reduce the common mode (CM) current noise at converter’s DC input. The research study is conducted for 650V Enhancement mode Gallium Nitride (GaN) power transistor switches. Main contributors of parasitic capacitances referred to the inverter-leg middle point node are identified. Then, shielding solutions are proposed to reduce...
-
Boron-Doped Diamond/GaN Heterojunction—The Influence of the Low-Temperature Deposition
PublikacjaWe report a method of growing a boron-doped diamond film by plasma-assisted chemical vapour deposition utilizing a pre-treatment of GaN substrate to give a high density of nucleation. CVD diamond was deposited on GaN substrate grown epitaxially via the molecular-beam epitaxy process. To obtain a continuous diamond film with the presence of well-developed grains, the GaN substrates are exposed to hydrogen plasma prior to deposition....
-
Problems of gas detection by resistance fluctuations in gas sensors
PublikacjaPrzedstawiono problemy budowy dystrybutora gazów oraz próbek zapachowych do badań sensorów gazu. Podano układ elektroniczny wykorzystywany do rejestracji fluktuacji rezystancji obserwowany w czujnikach gazu. Załączono przykładowe wyniki obserwacji sygnałów losowych.
-
Efficiency of gas mixtures detection by resistive gas sensors
PublikacjaResistive gas sensors are very popular and are commonly used to detect various gases and their mixtures. Theeir main disadvantage is very limited selectivity. Practical use of gas sensors in environenmental applications requires determination of concentration of a few mixed gases at the same time. We would like to present recent results of gas detection improvement by utilizing a single gas sensor and additional measurements to...
-
EFFICIENCY OF GAS MIXTURES DETECTION BY RESISTIVE GAS SENSORS
PublikacjaResistive gas sensors are very popular and are commonly used to detect various gases and their mixtures. Their main disadvantage is very limited selectivity. Practical use of gas sensors in environmental applications (e.g., in sewage systems to protect workers, in air conditioning systems to monitor atmosphere quality) requires determination of concentration of a few mixed gases at the same time. We would like to present recent...
-
Gas sampling system for matrix of semiconductor gas sensors
PublikacjaSemiconductor gas sensors are popular commercial sensors applied in numerous gas detection systems. They are reliable, small, rugged and inexpensive. However, there are a few problem limiting the wider use of such sensors. Semiconductor gas sensor usually exhibits a low selectivity, low repeatability, drift of response, strong temperature and moisture influence on sensor properties. Sample flow rate is one of the parameters that...
-
Selectivity of amperometric gas sensors in multicomponent gas mixtures
PublikacjaIn recent years smog and poor air quality became a growing environmental problem. There is a need to continuously monitor the quality of air. The lack of selectivity is one of the most important problems limiting the use of gas sensors for this purpose. In this study, a selectivity of the six amperometric gas sensors is being investigated. Calibration of sensors has been performed in order to find a correlation between concentration...
-
Identification of yellow luminescence centers in Be-doped GaN through pressure-dependent studies
Publikacja -
Design Considerations of GaN Transistor Based Capacitive Wireless Power Transfer System
Publikacja -
The (de)biasing Effect of GAN-Based Augmentation Methods on Skin Lesion Images
Publikacja