Wyniki wyszukiwania dla: magnetic semiconductors

• JOURNAL OF MAGNETISM AND MAGNETIC MATERIALS

  Czasopisma

  ISSN: 0304-8853 , eISSN: 1873-4766

• Surface Properties and Photocatalytic Activity of KTaO3, CdS, MoS2 Semiconductors and Their Binary and Ternary Semiconductor Composites

  Publikacja

  • B. Bajorowicz
  • A. Cybula
  • M. Winiarski
  • T. Klimczuk
  • A. Zaleska

  - MOLECULES - Rok 2014

  Pełny tekst do pobrania w serwisie zewnętrznym

• Surface properties and photocatalytic activity of KTaO3, CdS, MoS2 semiconductors and their binary and ternary semiconductor composites

  Publikacja

  • B. Bajorowicz
  • A. Malankowska
  • M. J. Winiarski
  • T. Klimczuk
  • A. Zaleska-Medynska

  - MOLECULES - Rok 2014

  Single semiconductors such as KTaO3, CdS MoS2 or their precursor solutions were combined to form novel binary and ternary semiconductor nanocomposites by the calcination or by the hydro/solvothermal mixed solutions methods, respectively. The aim of this work was to study the influence of preparation method as well as type and amount of the composite components on the surface properties and photocatalytic activity of the new semiconducting...

  Pełny tekst do pobrania w portalu

• Magnetic semiconductor photocatalysts for the degradation of recalcitrant chemicals from flow back water

  Publikacja

  • A. Zielińska-Jurek
  • Z. Bielan
  • I. Frąckiewicz
  • J. Strychalska-Nowak
  • M. Janczarek
  • T. Klimczuk

  - JOURNAL OF ENVIRONMENTAL MANAGEMENT - Rok 2017

  In the present study treatability of persistent organic compounds from the flow back water after hydrauling fracturing was investigated. The combination of TiO2 photocatalyst and magnetic oxide nanoparticles enhance the separation and recoverable property of nanosized TiO2 photocatalyst. Fe3O4/ TiO2 and Fe3O4@SiO2/TiO2 nanocomposites were prepared by heteroagglomeration. The photocatalysts’ characteristics by X-ray diffractometry...

  Pełny tekst do pobrania w serwisie zewnętrznym

• SEMICONDUCTORS+

  Czasopisma

  ISSN: 1063-7826 , eISSN: 1090-6479

• IEEE TRANSACTIONS ON MAGNETICS

  Czasopisma

  ISSN: 0018-9464 , eISSN: 1941-0069

• MAGNETIC RESONANCE IN CHEMISTRY

  Czasopisma

  ISSN: 0749-1581 , eISSN: 1097-458X

• Magnetic instrumentation and other applications of magnets in NOTES

  Publikacja

  • J. Kobiela
  • S. Grymek
  • M. Wojanowska
  • M. Łubniewski
  • W. Makarewicz
  • S. Dobrowolski
  • A. Łachiński
  • Z. Śledziński

  - Wideochirurgia i Inne Techniki Maloinwazyjne - Rok 2012

  Modern surgery is developing towards a minimally invasive approach. To minimize the trauma the number of ports is either limited as in single incision laparoscopic procedures or ports are introduced through natural orifices as in nat- ural orifice translumenal endoscopic surgery (NOTES). To provide surgeons with appropriate instrumentation novel technologies are employed involving magnets. This article summarizes the theoretical...

  Pełny tekst do pobrania w portalu

• Novel Structures and Applications of Graphene-Based Semiconductor Photocatalysts: Faceted Particles, Photonic Crystals, Antimicrobial and Magnetic Properties

  Publikacja

  • M. Janaczek
  • M. Endo-Kimura
  • Z. Wei
  • Z. Bielan
  • T. R. Mogan
  • T. M. Khedr
  • K. Wang
  • A. Markowska-Szczupak
  • K. Ewa
  • A. Markowska-Szczupak

  - Applied Sciences - Rok 2021

  Graphene, graphene oxide, reduced graphene oxide and their composites with various compounds/materials have high potential for substantial impact as cheap photocatalysts, which is essential to meet the demands of global activity, offering the advantage of utilizing “green” solar energy. Accordingly, graphene-based materials might help to reduce reliance on fossil fuel supplies and facile remediation routes to achieve clean environment...

  Pełny tekst do pobrania w portalu

• Journal of Semiconductors

  Czasopisma

  ISSN: 1674-4926

• Semiconductors and Semimetals

  Czasopisma

  ISSN: 0080-8784

• SEMICONDUCTOR SCIENCE AND TECHNOLOGY

  Czasopisma

  ISSN: 0268-1242 , eISSN: 1361-6641

• Mobility measurements in oxide semiconductors

  Publikacja

  • E. Prociów
  • M. S. Łapiński
  • J. Domaradzki
  • D. Wojcieszak
  • K. Sieradzka
  • T. Berlicki

  - Rok 2009

  Praca zawiera wyniki badań właściwości elektrycznych, optycznych i strukturalnych cienkich warstw ito i sno2. badania wykazały, że cienkie warstwy tlenków metali wykazują rezystywność charakterystyczną dla półprzewodników. poziom transmisji światła w zakresie widzialnym pozwala zaliczyć badane warstwy do materiałów przezroczystych. badane cienkie warstwy wykonano metodą rozpylania magnetronowego.

• Noise in semiconductor devices

  Publikacja

  • A. Konczakowska
  • B. Wilamowski

  - Rok 2010

  Omówiono typowe źródła szumów występujące w przyrządach pólprzewodnikowych, a mianowicie: cieplne, śrutowe, generacyjno-rekombinacyjne, 1/f, 1/f2, wybuchowe (RTS), lawinowe. Przedstawiono szumowe schematy zastępcze tranzystora bipolarnego, JFET i MOSFET oraz opisano wydajności poszczególnych źródeł szumów. Zasugerowano jak dobierać przyrządy półprzewodnikowe do małoszumowych układów w zakresie małych częstotliwości.

• EuroAsia Semiconductor

  Czasopisma

  ISSN: 1751-1135

• Silicon Semiconductor

  Czasopisma

  ISSN: 2050-7798 , eISSN: 2050-7801

• MATERIALS SCIENCE IN SEMICONDUCTOR PROCESSING

  Czasopisma

  ISSN: 1369-8001 , eISSN: 1873-4081

• Magnetic Resonance

  Czasopisma

  ISSN: 2699-0059 , eISSN: 2699-0016

• Marcin Perzanowski dr inż.

  Osoby

  Hello, I work in the Department of Magnatic Materials and Nanostructures in the Institute of Nuclear Physics Polish Academy of Sciences in Kraków, Poland. My current research is focused on: (1) exchange bias in multilayers and nanostructures, (2) supermagnetic effects in low-dimensional materials, (3) perpendicular magnetic anisotropy in thin films and nanostructures. Collaborations, comments, and suggestions are welcomed! If...

• Electron mobility variance in semiconductors: the variance approach

  Publikacja

  • S. Melkonyan
  • H. Asriyan
  • A. Surmalyan
  • J. Smulko

  - Armenian Journal of Physics - Rok 2011

  Praca przedstawia nowe podejście da analizy zjawisk losowych w półprzewodnikach. Uwzględnia kilka mechanizmów zjawisk fluktuacji ruchliwości w półprzewodnikach, prowadzących do powstawamai składowej szumów typu 1/f, dominujących w zakresie małych czetotliwości. Przedstawia analizę sposobu wyznaczenia stałej Hooge'a określającej intensywność szumów typu 1/f.The statistical non-triviality of current carrier mobility fluctuations...

  Pełny tekst do pobrania w serwisie zewnętrznym

• Enhanced trap-assisted recombination in organic semiconductors

  Publikacja

  • J. Szmytkowski

  - SOLID STATE COMMUNICATIONS - Rok 2020

  An analytical model to describe the interaction of excitons and charge transfer states with deep traps is formulated for the case of molecular materials. Here, we have considered the influence of a trap-assisted recombination on this phenomenon. The final expression for the effective recombination rate has been derived from the Shockley–Read–Hall theory and kinetic equations which characterize different photophysical processes....

  Pełny tekst do pobrania w portalu

• Spectroscopic and magnetic studies of highly dispersible superparamagnetic silica coated magnetite nanoparticles

  Publikacja

  • K. Tadyszak
  • A. Kertmen
  • E. Coy
  • R. Andruszkiewicz
  • S. Milewski
  • I. Kardava
  • B. Scheibe
  • S. Jurga
  • K. Chybczyńska

  - JOURNAL OF MAGNETISM AND MAGNETIC MATERIALS - Rok 2017

  Superparamagnetic behavior in aqueously well dispersible magnetite core-shell Fe3O4@SiO2 nanoparticles is presented. The magnetic properties of core-shell nanoparticles were measured with use of the DC, AC magnetometry and EPR spectroscopy. Particles were characterized by HR-TEM and Raman spectroscopy, showing a crystalline magnetic core of 11.5 ± 0.12 nm and an amorphous silica shell of 22 ± 1.5 nm in thickness. The DC, AC magnetic...

  Pełny tekst do pobrania w serwisie zewnętrznym

• Fluctuation phenomena in semiconductor gas sensors

  Publikacja

  • L. Hasse
  • J. Smulko
  • L. Spiralski
  • J. Dobkowski

  - Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania - Rok 2006

  Czujniki gazu mogą być wytwarzane z cienkiej warstwy półprzewodnika, która po podgrzaniu do odpowiedniej temperatury staje się czuła na gaz. Zjawisko to jest dobrze znane i szeroko opisane w literaturze. Jako wskaźnik detekcji gazu wykorzystuje się zmianę rezystancji stałoprądowej czujnika. Zwiększenie czułości i, co najważniejsze z praktycznego punktu widzenia, selektywności dyskryminacji można uzyskać jeśli warstwa półprzewodnika...

• On the selectivity of nanostructured semiconductor gas sensors

  Publikacja

  • P. Heszler
  • R. Ionescu
  • E. Llobet
  • L. Reyes
  • J. Smulko
  • L. B. Kish
  • C. G. Granqvist

  - PHYSICA STATUS SOLIDI B-BASIC SOLID STATE PHYSICS - Rok 2007

  .

• Space-charge-limited current fluctuations in organic semiconductors

  Publikacja

  • A. Carbone
  • B. Kutrzeba-Kotowska
  • D. Kotowski

  - Rok 2005

  Badania szumów elektrycznych w zakresie niskich częstotliwości, w regionie prĄdów ohmowych, zapełniania siĘ pułapek nośników ładunku i prądów ograniczonych ładunkiem przestrzennym w polikrystalicznych poliacenach, takich jak tetracen i pentacen.

• f-γ current fluctations in organic semiconductors: evidence for percolation

  Publikacja

  • A. Carbone
  • B. Kutrzeba-Kotowska
  • D. Kotowski

  - EUROPEAN PHYSICAL JOURNAL B - Rok 2006

  Szumowe spektra o nachyleniu f-γ były obserwowane w organicznych półprzewodnikach i interpretowane przy pomocy hoppingowego modelu szumów. S(f) spektra wykazywały max w regionie wypełniania się pułapek nośników ładunku. W tym artykule dyskutujemy warunki określające poszczególne rodzaje SCLC transportu. Model perkolacyjny został użyty do opisu przejść pomiędzy fazą izolatora a przewodnika, gdzie małe zmiany przełożonego napięcia...

• Influence of proton irradiation on the magnetic properties of two-dimensional Ni(II) molecular magnet

  Publikacja

  • M. Perzanowski
  • D. Czernia
  • P. Konieczny
  • E. Juszyńska-Gałązka
  • J. Lekki

  - Scientific Reports - Rok 2023

  Pełny tekst do pobrania w portalu

• Magnetic Resonance Insights

  Czasopisma

  ISSN: 1178-623X

• Magnetic Resonance in Solids

  Czasopisma

  ISSN: 2072-5981

• MAGNETIC RESONANCE IN MEDICINE

  Czasopisma

  ISSN: 0740-3194 , eISSN: 1522-2594

• APPLIED MAGNETIC RESONANCE

  Czasopisma

  ISSN: 0937-9347 , eISSN: 1613-7507

• Journal of Magnetics

  Czasopisma

  ISSN: 1226-1750 , eISSN: 2233-6656

• Magnetic disturbances caused by magnetic contamination of plastics

  Publikacja

  • K. Jakubiuk
  • M. Wołoszyn
  • M. Chomnicki
  • J. Łubkowski

  - Przegląd Elektrotechniczny - Rok 2015

  In the study of low magnetic fields precision magnetometers working in a differential system are used. Two optically pumped magnetometers working in a differential system allow for precise measuring of disturbances in the magnetic field. In order to attain high accuracy of magnetic field measurement, it is necessary to use appropriate materials for the construction of a magnetometric system, particularly of those located closely...

  Pełny tekst do pobrania w portalu

• Methodology of semiconductor devices classification into groups of differentiated quality

  Publikacja

  • A. Konczakowska

  - MICROELECTRONICS RELIABILITY - Rok 2008

  Zaproponowano klasyfikację przyrządów półprzewodnikowych do grup o zróżnicowanej jakości na podstawie ich szumów własnych z zakresu małych częstotliwości. Przedstawiono metodologię umożliwiającą stwierdzenie, czy zaproponowany parametr szumowy X dla danego typu przyrządu półprzewodnikowego może być stosowany do określenia jakości. Sprecyzowano przebieg badań wstępnych bazujących na ocenie wyników pomiarów szumów własnych z zakresu...

  Pełny tekst do pobrania w serwisie zewnętrznym

• A new nethod for RTS noise of semiconductor devices identification

  Publikacja

  • A. Konczakowska
  • J. A. Cichosz
  • A. Szewczyk

  - IEEE TRANSACTIONS ON INSTRUMENTATION AND MEASUREMENT - Rok 2008

  In the paper, a new method, called the noise scatterin pattern method (NSP method), for random telegraph signal noise identyfication in the inherent noise of semiconductor devices is described. A block diagram of a noise measurement system based on the NSP method is presented. Examples of patterns of the NSP method are presented.

• Gas detection in semiconductor sensors using fluctuation phenomena

  Publikacja

  • L. Hasse
  • J. Smulko
  • L. Spiralski

  - Rok 2005

  Rozpatrzono problemy pomiaru szumów, kóre należy rozwiązać, gdy szumy traktuje się jako dodatkowe źródło informacji o gazach. Metoda szumowa (spektroskopia szumów rezystancyjnych, widma wyższych rzędów) daje więcej informacji polepszając czułość i seleKtywność czujnika.

• Gas sampling system for matrix of semiconductor gas sensors

  Publikacja

  • G. Jasiński
  • A. Strzelczyk
  • P. A. Kościński

  - IOP Conference Series: Materials Science and Engineering - Rok 2016

  Semiconductor gas sensors are popular commercial sensors applied in numerous gas detection systems. They are reliable, small, rugged and inexpensive. However, there are a few problem limiting the wider use of such sensors. Semiconductor gas sensor usually exhibits a low selectivity, low repeatability, drift of response, strong temperature and moisture influence on sensor properties. Sample flow rate is one of the parameters that...

  Pełny tekst do pobrania w portalu

• CONCEPTS IN MAGNETIC RESONANCE PART B-MAGNETIC RESONANCE ENGINEERING

  Czasopisma

  ISSN: 1552-5031 , eISSN: 1552-504X

• Effect of ionic liquids on surface and photocatalytic properties of selected semiconducttors

  Publikacja

  • A. Pancielejko

  - Rok 2022

  The main aim of this doctoral dissertation was to explain the role of ionic liquids in shaping the morphology of selected semiconductors, thereby enhancing the photocatalytic activity. In order to achieve this goal, the following research steps were taken: (i) developing synthesis methods of selected semiconductors, with particular emphasis on the electrochemical oxidation method; (ii) understanding the influence of the selected...

• Identification of inherent noise components of semiconductor devices on an example of optocouplers

  Publikacja

  • B. Stawarz-Graczyk
  • A. Szewczyk
  • A. Konczakowska

  - OPTO-ELECTRONICS REVIEW - Rok 2009

  In the paper, a method of estimation of parameters of Gaussian and non-Gaussian components in the noise signal of semiconductor devices in a frequency domain is proposed. The method is based on composing estimators of two spectra, corresponding to noise (Gaussian component) and two-level RTS noise (non-Gaussian component). The proposed method can be applied for precise evaluation of the corner RTS frequency fRTS in the noise...

  Pełny tekst do pobrania w portalu

• Investigation of the temperature modulation parameters on semiconductor gas sensor response

  Publikacja

  • Ł. Woźniak
  • P. Kalinowski
  • G. Jasiński
  • P. Jasiński

  - Rok 2019

  In this work we present the results of the investigation of the sensing properties of semiconductor gas sensors with a sinusoidally modulated temperature in the presence of synthetic air (SA) and three volatile air pollutants, i.e. NH3, NO2 and SO2. The measurements were performed for different average sensor heater temperatures and the amplitude of the modulation signal. In addition, the extraction of features from the sensor...

• Modeling of Transient Photocurrent in Organic Semiconductors Incorporating the Annihilation of Excitons on Charge Carriers

  Publikacja

  • D. Głowienka
  • J. Szmytkowski

  - ACTA PHYSICA POLONICA A - Rok 2017

  The role of the annihilation of excitons on charge carriers has been theoretically investigated in organic semiconductors. We have developed the numerical drift-diffusion model by incorporation terms which describe the annihilation process. The transient photocurrent has been calculated for different injection barrier heights, exciton mobilities, and annihilation rate constants. We have demonstrated that the annihilation has a...

  Pełny tekst do pobrania w portalu

• Journal of Semiconductor Technology and Science

  Czasopisma

  ISSN: 1598-1657 , eISSN: 2233-4866

• Bandaoti Guangdian/Semiconductor Optoelectronics

  Czasopisma

  ISSN: 1001-5868

• IEEE TRANSACTIONS ON SEMICONDUCTOR MANUFACTURING

  Czasopisma

  ISSN: 0894-6507 , eISSN: 1558-2345

• The influence of a strong external magnetic field from a permanent magnet on a measurement accuracy of an inductive watt-hour meter

  Publikacja

  • E. Pawłowski

  - Przegląd Elektrotechniczny - Rok 2016

  Pełny tekst do pobrania w serwisie zewnętrznym

• Optical theorem helps understand thresholds of lasing in open semiconductor microcavities

  Publikacja

  • A. Nosich
  • E. Smotrova
  • V. Byelobrov
  • P. Sewell
  • T. Benson
  • J. Ctyroky

  - Rok 2008

  Pełny tekst do pobrania w serwisie zewnętrznym

• Low dark current metal-semiconductor-metal photodetectors fabricated on GaN

  Publikacja

  • J. Carrano
  • P. Grudowski
  • C. Eiting
  • R. Dupuis
  • J. Campbell
  • P. Grudowski

  - Rok 1997

  Pełny tekst do pobrania w serwisie zewnętrznym

• Noise Scattering Patterns Method for Recognition of RTS Noise in Semiconductor Components

  Publikacja

  • J. A. Cichosz
  • A. Szatkowski

  - Rok 2005

  Opisano nową metodę identyfikacji i wizualizacji szumów RTS. Metoda ta oparta na graficznym przedstawieniu przebiegu szumowego jest szczególnie użyteczna do szybkiej selekcji elektronicznych elementów półprzewodnikowych. Przedstawiono także rezultaty filtacji medianowej szumu zawierającego składową RTS. Filtrację medianową zastosowano do poprawienia obrazu szumu uzyskanego w wyniku zastosowania metody NSP.

• Operation of an ultra short fuse shunted by a semiconductor device: simulation and experiments.

  Publikacja

  • B. Semenowicz
  • P. Leśniewski
  • K. Gohra

  - Rok 2003

  W artykule przedstawiono ideę działania i wymagane cechy ultraszybkiego bezpiecznika w ograniczniku hybrydowym z równoległym elementem półprzewodnikowym. Eksperyment i modelowanie działanie bezpiecznika przeprowadzono dla spodziewanego prądu zwarciowego 2 kA. Symulacje wykonano przy użyciu programu polowego FLUX. Jego zastosowanie do modelowania ultrakrótkich bezpieczników zostało również przedstawione.