Wyszukiwarka
Wyniki wyszukiwania dla: transoptor
-
Bible Translator
Czasopisma -
Identyfikacja szumów wybuchowych w dziedzinie czasu
PublikacjaW referacie przedstawiony został system do pomiaru szumów własnych transoptorów. Badane transoptory typu CNY17 składają się z diody LED, fototranzystora i kanału optycznego. System pomiarowy zawiera 3 głowice pomiarowe i dlatego umożliwi pomiar szumów diod LED, fototranzystorów oraz całego elementu, czy transoptora.W referacie przedstawione zostały przykładowe wyniki pomiarów szumów własnych elementów składowych transoptora i transoptora...
-
Interpreter and Translator Trainer
Czasopisma -
Organic filed effect transistor with zinc phthalocyanine.
PublikacjaW pracy przedstawiono wyniki badań doświadczalnych organicznego tranzystora polowego z warstwą ftalocyjaniny cynku. Jako podłoże zastosowano wysoko domieszkowane wafle krzemu pokryte warstwą tlenku krzemu (IV) o grubości 100 nm, na którą techniką fotolitograficzną była naniesiona struktura elektrod (tzw. geometria dolnych kontaktów). Złote elektrody źródła i drenu tworzyły kanał o długości 5 m (jest to odległość między elektrodą...
-
SYSTEM IDENTYFIKACJI SZUMÓW RTS TRANSOPTORÓW CNY17
PublikacjaW artykule opisano zaprojektowany i wykonany system do identyfikacji szumów wybuchowych (RTS – Random Telegraph Signal) występujących w transoptorach typu CNY17. Z metod umożliwiających ocenę parametrów szumów wybuchowych wybrano do realizacji metodę Wzorów Obrazów Szumów – WOS (ang. Noise Scattering Patterns – NSP), która w sposób bardzo prosty pozwala na rozpoznawanie szumów o rozkładach wartości chwilowych gaussowskich i niegaussowskich....
-
The behavioural model of graphene field-effect transistor
PublikacjaThe behavioural model of a graphene field-effect transistor (GFET) is proposed. In this approach the GFET element is treated as a “black box” with only external terminals available and without considering the physical phenomena directly. The presented circuit model was constructed to reflect steady-states characteristics taking also into account GFET capacitances. The authors’ model is defined by a relatively small number of equations...
-
Analysis of noise properties of the optocoupler device
PublikacjaIn the paper the localization of a source of Random Telegraph Signal noise (RTS noise) in optocoupler devices type CNY 17 were defined. The equivalent noise circuit in low frequency noise for these type optocouplers was proposed.
-
Graphene field-effect transistor application for flow sensing
PublikacjaMicroflow sensors offer great potential for applications in microfluidics and lab-on-a-chip systems. However, thermal-based sensors, which are commonly used in modern flow sensing technology, are mainly made of materials with positive temperature coefficients (PTC) and suffer from a self-heating effect and slow response time. Therefore, the design of novel devices and careful selection of materials are required to improve the overall...
-
Field effect transistor as detector of THz radiation helicity
Publikacja -
Sensitivity of Field-Effect Transistor-Based Terahertz Detectors
Publikacja -
Identification of Optocoupler Devices with RTS Noise
PublikacjaThe results of noise measurements in low frequency range for CNY 17 type optocouplers are presented. The research were carried out on devices with different values of Current Transfer Ratio (CTR). The methods for identification of Random Telegraph Signal (RTS) in noise signal of optocouplers were proposed. It was found that the Noise Scattering Pattern method (NSP method) enables to identify RTS noise as non-Gaussian component...
-
The Translator: Studies in Intercultural Communication
Czasopisma -
Terahertz Digital Holography Using Field-Effect Transistor Detectors
Publikacja -
Time Resolution and Power Dependence of Transistor Based Terahertz Detectors
Publikacja -
Modelling of Graphene Field-Effect Transistor for lectronic sensing applications
PublikacjaA top-gated Graphene Field-Effect Transistor (GFET) suitable for electronic sensing applications was modelled. The applied simulation method reproduces correctly the output transfer GFET characteristics and allows to investigate doping effect caused by different physical, chemical or biological factors. The appearance of additional charge in the system results in the shift of the current-voltage characteristic. This feature could...
-
Method of sacrificial anode transistor-driving in cathodic protection system
PublikacjaA magnesium anode driving system has been proposed. A PNP driving transistor has been used. Electrochemical testing in 3%NaCl, results and comparison of the driving system and classic direct anode to cathode connection are presented. The driving system reduced the protection current and stabilized the working conditions of the anode. Higher anode efficiency was achieved. Overprotection and hydrogen embrittlement threats were prevented...
-
Szumowy model transoptora z uwzględnieniem źródeł szumów typu 1/f^alfa
PublikacjaW publikacji zaprezentowano ideowy zastepczy schemat szumowy transoptora. Schemat przedstawiono na podstawie wyników pomiarów szumów. Schemat zawiera wszystkie źródła szumów, które występują w diodzie LED, fototranzystorze oraz kanale optycznym. Zaprezentowano proces konstruowania modelu szumowego transoptora stoworzonego w programie typu SPICE. Makromodel pozwala modelować wartości parametru alfa, który wykorzystuje się opisu...
-
A wide-band modeling of DC-DC two-transistor flyback converter.
Publikacja -
THz Double-Grating Gate Transistor Detectors in High Magnetic Fields
Publikacja -
Evolutionary design and optimization of combinational digital circuits with respect to transistor count.
PublikacjaW artykule przedstawiono możliwość wykorzystania algorytmu ewolucyjnego do projektowania i optymalizacji cyfrowych układów kombinacyjnych w odniesieniu do liczby tranzystorów. Zastosowano chromosomy o budowie wielowarstwowej zwiększające wydajność algorytmu. Zaprojektowano, wykorzystując zaproponowaną metodę, cztery układy kombinacyjne o tabelach logicznych wybranych z literatury. Uzyskane wyniki są w wielu przypadkach lepsze...
-
Method of sacrificial anode dual transistor-driving in stray current field
PublikacjaIn order to control a magnesium anode in a stray current interference field, a dual transistor driving system has been proposed. It consisted of a combination of PNP and NPN transistors. Dual transistor driven system and direct anode to cathode connection were electrochemically tested in 3% NaCl solution. The dual transistor driven system increased the anode efficiency and reduced hydrogen evolution and the risk of embrittlement....
-
Design Considerations of GaN Transistor Based Capacitive Wireless Power Transfer System
Publikacja -
Substrate optimization for a planar antenna of terahertz Si field effect transistor detectors
Publikacja -
Time Resolution and Dynamic Range of Field-Effect Transistor–Based Terahertz Detectors
Publikacja -
Open-transistor fault diagnostics in voltage-source inverters by analyzing the load current
PublikacjaA novel method is presented for the detection andisolation of open-transistor faults in voltage-source invertersfeeding low-power AC motors. The method is based onmonitoring two diagnostic signals, one indicating sustained nearzerovalues of output current and thus permitting fault detection,the other permitting the isolation of the particular transistorwhich went faulty. The latter signal is the ratio of the averagephase current...
-
Open-transistor fault diagnostics in voltage-source inverters by analyzing the load current
PublikacjaPrzedstawiono nową metodę detekcji i lokalizacji uszkodzeń polegających na braku przewodzenia tranzystorów w falownikach napięcia zasilających silniki indukcyjne. Metoda jest rozszerzeniem, opracowanej wcześniej, metody wykorzystującej znormalizowane składowe stałe prądów obciążenia. Znormalizowane wartości średnie prądów powiązano z dodatkowymi wskaźnikami diagnostycznymi, które zawierają informacje o czasie trwania nieprzewodzenia...
-
Noise of optoelectronic coupled devices.
PublikacjaOpisano dwa systemy do pomiaru szumów transoptorów. System do pomiaru szumów fototranzystora oraz system do pomiaru szumów transoptora. Przedstawiono porównanie wyników pomiarów szumów 27 transoptorów trzech różnych producentów.
-
Analiza wyników pomiarów szumów m. cz. diod LED transoptorów CNY 17
PublikacjaZaprezentowano wyniki pomiarów szumów m. cz. diod transoptorów oraz wyniki badań stacjonarności tych przebiegów. Test stacjonarności został zastosowany do parametrów statystycznych przebiegów szumowych takich jak wartość średnia, wariancja, skośność oraz kurtoza. Stwierdzono, że niemal wszystkie przebiegi szumowe diod transoptorów były stacjonarne.
-
Analiza wyników pomiarów szumów m. cz. diod LED transoptorów CNY 17
PublikacjaZaprezentowano wyniki pomiarów szumów m. cz. diod transoptorów oraz wyniki badań stacjonarności tych przebiegów. Test stacjonarności został zastosowany do parametrów statystycznych przebiegów szumowych takich jak wartość średnia, wariancja, skośność oraz kurtoza. Stwierdzono, że niemal wszystkie przebiegi szumowe diod transoptorów były stacjonarne.
-
Evolutionary optimization of combinational digital circuits with current-mode gates with respect to transistor count
PublikacjaW artykule przedstawiono metodę ewolucyjnej minimalizacji liczby tranzystorów w cyfrowym układzie kombinacyjnym, zrealizownaym z wykorzystaniem bramek pracujących w trybie prądowym. W zastosowanym algorytmie ewolucyjnym zastosowano chromosomy o budowie wielowarstwowej, przez co zwiększono wydajność optymalizacji. Wyniki otrzymane z wykorzystaniem proponowanej metody zostały porównane z rezultatami osiągniętymi za pomocą map Karnough...
-
Homodyne Spectroscopy with Broadband Terahertz Power Detector Based on 90-nm Silicon CMOS Transistor
Publikacja -
Low-Voltage LDO Regulator Based on Native MOS Transistor with Improved PSR and Fast Response
PublikacjaIn this paper, a low-voltage low-dropout analog regulator (ALDO) based on a native n-channel MOS transistor is proposed. Application of the native transistor with the threshold voltage close to zero allows elimination of the charge pump in low-voltage regulators using the pass element in a common drain configuration. Such a native pass transistor configuration allows simplification of regulator design and improved performance,...
-
Noise of optoelectronic coupled devices.
PublikacjaOpisano trzy systemy do pomiaru szumów transoptora a mianowicie: system do pomiaru szumów m. cz. diod LED, system do pomiaru szumów m. cz. fototranzystorów oraz system do pomiaru szumów m. cz. transoptorów. Przedstawiono wyniki pomiaru szumów m. cz. próby 13 transoptorów. Określono współczynnik korelacji między intensywnością szumów a wybranymi parametrami stałoprądowymi tych transoptorów.
-
Metoda oceny jakości transoptorów na podstawie ich szumów własnych z zakresu małych częstotliwości
PublikacjaWe wstępie rozprawy doktorskiej przedstawiono aktualny stan wiedzy dotyczący zagadnień szumów własnych przyrządów półprzewodnikowych, w szczególności transoptorów. Następnie przedstawiono ocenę parametrów statycznych transoptorów oraz ocenę współczynnika CTR i hFE. Jeden rozdział poświęcono opisowi stanowiska pomiarowego, które wykorzystano do pomiarów szumów własnych diod transoptorów, fototranzystorów transoptorów oraz transoptorów....
-
Terahertz 3D printed diffractive lens matrices for field-effect transistor detector focal plane arrays
Publikacja -
Optimization of substrate-lens-coupled CMOS field-effect transistor detectors for 250 GHz by pixel binning technique
Publikacja -
AlGaN/GaN field effect transistor with two lateral Schottky barrier gates towards resonant detection in sub-mm range
Publikacja -
O kulturowych i leksykalnych problemach tłumacza (na materiale języka fińskiego) [On cultural and lexical problems of a translator – based on the translations from Finnish]
Publikacja -
Doktor Stanisław Ulaszek. Artysta – nauczyciel – tłumacz. Laudacja z okazji Jubileuszu 45-lecia pracy akademickiej [Dr. Stanisław Ulaszek. Artist — teacher — translator. Eulogy for the forty-fifth anniversary of his work as a scholar]
Publikacja -
Electrical and noise responses of graphene/AlGaN/GaN field-effect transistor for nitrogen dioxide, teatrahydrofuran, and acetone sensing
Dane BadawczeThis data set consists of raw and modified data concerning current-voltage characteristics and low-frequency noise spectra measured for graphene/AlGaN/GaN field-effect transistor in the ambiance of selected gases (laboratory air, dry and wet synthetic air, nitrogen dioxide, tetrahydrofuran, and acetone). The data show that sensor responses are enhanced...
-
Doktor Stanisław Ulaszek. Artysta – nauczyciel – tłumacz. Laudacja z okazji Jubileuszu 45-lecia pracy akademickiej akademickiej [Dr. Stanisław Ulaszek. Artist — teacher — translator. Eulogy for the forty-fifth anniversary of his work as a scholar]
Publikacja -
Electrical responses of nanostructured ZrS3 as field-effect transistor for nitrogen dioxide, ethanol, and acetone detection enhanced by visible light
Dane BadawczeSmall-area layers of nanostructured ZrS3 were fabricated and measured in the field-effect transistor configuration. Irradiation with visible light enabled generating photocurrent and increasing the sensitivity to selected ambient gases: nitrogen dioxide, ethanol, and acetone. The data set consists of electrical responses (current vs. voltage characteristics...
-
Ryszard Strzelecki prof. dr hab. inż.
Osoby -
Badanie stacjonarności przebiegów szumowych w transoptorach cny 17
PublikacjaPrzedstawiono wyniki badań stacjonarności przebiegów szumów własnych diod transoptorów i transoptorów. Ocena stacjonarności szumów własnych z zakresu małych częstotliwości badanych przyrządów dotyczyła stacjonarności parametrów statystycznych szumów własnych: wartości średniej, wariancji, skośności i kurtozy. Stwierdzono, że parametry statystyczne spełniają test stacjonarności, zarówno dla diod transoptorów, jaki i dla transoptorów,...
-
Electrical characteristics simulation of top-gated graphene field-effect transistor (GFET) with 10 μm x 10 μm graphene channel
Dane BadawczeThe presented data set is part of the research on graphene field-effect transistor (GFET) modelling. The calculations were performed with the use of GFET Tool program (https://nanohub.org/resources/gfettool DOI: 10.4231/D3QF8JK5T), which enabled simulation of the drain current (Id) vs. drain voltage (Vd) characteristics for different gate voltages (Vg)...
-
Electrical characteristics simulation of top-gated graphene field-effect transistor (GFET) with 10 μm x 3 μm graphene channel
Dane BadawczeThe presented data set is part of the research on graphene field-effect transistor (GFET) modelling. The calculations were performed with the use of GFET Tool program (https://nanohub.org/resources/gfettool DOI: 10.4231/D3QF8JK5T), which enabled simulation of the drain current (Id) vs. drain voltage (Vd) characteristics for different gate voltages (Vg)...
-
K. Grzelec, J. Staszak-Winkler, Changes in urban transport behaviour and preferences of residents in employment - Gdynia case. Transport Development Challenges in the 21st Century. Proceedings of the 2019 TranSopot Conference. Springer International Publishing .1st ed. 2020. ISBN: 978-3-030-50009-2
Publikacja -
A quasi-2D small-signal MOSFET model - main results
PublikacjaDynamic properties of the MOS transistor under small-signal excitation are determined by kinetic parameters of the carriers injected into the channel, i.e., the low-field mobility, velocity saturation, mobility at the quiescent-point (Q-point), longitudinal electric field in the channel, by dynamic properties of the channel, as well as by an electrical coupling between the perturbed carrier concentration in the channel and the...
-
Gate Driver with Overcurrent Protection Circuit for GaN Transistors
PublikacjaThe improvement of the gate driver for GaN transistor is presented in this paper. The proposed topology contains the overcurrent protectionwith the two-stage turning off and independent control of turn on and off time of the GaN transistor. The operation of driver and its application in thehalf-bridge converter are described using both simulation and prototype measurements. The overcurrent protection was tested in Double Pulse...
-
A current-controlled FET
PublikacjaA novel semiconductor device, viz., Horizontally-Split-Drain Current-Controlled Field-Effect Transistor (HSDCCFET) with two control electrodes is proposed in this works. For the sake of brevity, the device can be called a CCFET. Operating principle of the proposed transistor is based on one of the galvanomagnetic phenomena, the Biot-Savart-Laplace law and a Gradual Channel Detachment Effect (GCDE). The transistor is dedicated...