Search results for: tranzystor
-
Modulacja szerokości impulsów w falownikach prądu
PublicationW pracy zaproponowano nową metodę modulacji szerokości impulsów dla falowników prądu. Prezentowana metoda modulacj pozwala na eliminację przepięć związanych z obecnością pojemności pasożytniczych tranzystorów mocy i posożytniczymi indukcyjności w obwodzie komutacyjnym. Dodatkowo umożliwia zwiększenie dokładności pomiarów zmiennych wykorzystywanych w układzie sterowania maszyną elektryczną
-
Wpływ parametrów elementów układu przetwornicy rezonansowej dc-dc na zachowanie warunków miękkiej komutacji.
PublicationW artykule zaprezentowano topologię układu przetwornicy rezonansowej DC-DC, zapewniającą bezprądową oraz beznapięciową komutację tranzystorów (ZVZCS). Warunki miękkiej komutacji uzyskano dzięki zastosowaniu dławika dzielonego oraz dodatkowego obwodu LC. W oparciu o badania symulacyjne przeanalizowano wpływ parametrów wybranych elementów na pracę przetwornicy DC-DC.
-
Modelowanie numeryczne nowego czujnika pola magnetycznego
PublicationW pracy przedstawiono analizę numeryczną nowego czujnika pola magnetycznego, którego struktura różni się od znanych MOS MAGFET-ów horyzontalnym, a nie pionowym podziałem drenów. Analizowano wpływ rozmiarów kanału w dwudrenowej strukturze MESFET wykonanej z GaAs na zmiany prądu drenu wywołane polem magnetycznym. Dla wybranej topologii struktury wykonano serię dwuwymiarowych symulacji zjawisk transportu nośników ładunku w kanale...
-
Detekcja i lokalizacja uszkodzeń falownika napięcia w czasie rzeczywistym
PublicationW artykule przedstawiono nową metodę detekcji i lokalizacji uszkodzeń tranzystorów w falownikach napięcia. Jako zmienną diagnostyczną wykorzystano stosunek składowej stałej do podstawowej harmonicznej. Tak zdefiniowana zmienna zapewnia poprawne wykrywanie i lokalizację uszkodzeń niezależnie od warunków pracy napędu. Metoda została sprawdzona poprzez badania symulacyjne i eksperymentalne.
-
Deep-Learning-Based Precise Characterization of Microwave Transistors Using Fully-Automated Regression Surrogates
PublicationAccurate models of scattering and noise parameters of transistors are instrumental in facilitating design procedures of microwave devices such as low-noise amplifiers. Yet, data-driven modeling of transistors is a challenging endeavor due to complex relationships between transistor characteristics and its designable parameters, biasing conditions, and frequency. Artificial neural network (ANN)-based methods, including deep learning...
-
Modeling the effect of parasitic capacitances on the dead-time distortion in multilevel NPC inverters
PublicationA simple model is derived and verified for evaluating the effect of parasitic capacitances on the dead-time related voltage distortion in multilevel NPC voltage source inverters. The model permits well-defined and precise compensation of dead-time distortion, exhibiting meaningful improvement on compensation methods neglecting the effects of parasitic capacitances. A simple formula is given for evaluating the capacitances as serial/parallel...
-
Konferencja ORConf 2018
EventsORConf to konferencja na temat projektowania układów cyfrowych oraz systemów wbudowanych typu "open source", obejmująca obszary elektroniki od poziomu tranzystora po system Linux i nie tylko.
-
Growth and Isolation of Large Area Boron‐Doped Nanocrystalline Diamond Sheets: A Route toward Diamond‐on‐Graphene Heterojunction
PublicationMany material device applications would benefit from thin diamond coatings, but current growth techniques, such as chemical vapor deposition (CVD) or atomic layer deposition require high substrate and gas‐phase temperatures that would destroy the device being coated. The development of freestanding, thin boron‐doped diamond nanosheets grown on tantalum foil substrates via microwave plasma‐assisted CVD is reported. These diamond...
-
Multi-Transformer Flyback Converter for Supplying Isolated IGBT and MOSFET Drivers
PublicationA multi transformer flyback converter topology for supplying transistor drivers is presented. The topology presents some advantages over typical multi output single transformer, as reduction of effective leakage inductance, equal magnetic coupling between primary and secondary circuits and better isolation between outputs. Simulation study carried out in the LTSpice IV program and preliminary experimental results indicate high...
-
Diagnostyka łączników falownika napięcia w czasie rzeczywistym.
PublicationPrzedstawiono nową metodę detekcji i lokalizacji uszkodzeń tranzystorów w falownikach napięcia zasilających silniki indukcyjne. Jako zmienną diagnostyczną wykorzystano stosunek wartości składowej stałej do amplitudy podstawowej harmonicznej prądu obciążenia. Tak zdefiniowana zmienna zapewnia poprawne wykrywanie i lokalizację uszkodzeń zarówno w stanie ustalonym, jak i w stanach przejściowych. Proponowana metoda została zweryfikowana...
-
Performance optimization of continuous-time OTA-C filters.
PublicationW pracy przedstawiono analityczne podejśćie do optymalizacji właściwości filtrów OTA-C czasu ciągłego. Zaprezentowano efektywne metody analizy zniekształceń nieliniowych i szumów dla dowolnego filtru OTA-C wykorzystując ogólny model oparty na opisie macierzowym. Rezultaty teoretyczne odnoszące się do kaskadowego filtru typu Butterwotha były weryfikowane na drodze porównawczej z wynikami otrzymanymi na poziomie ''Transistor-Level''...
-
Current commutation process in a ultra-fast fuse-IGBT hybrid circuit breaker.
PublicationUkład hybrydowy bezpiecznika topikowego i tranzystora IGBT umożliwia bardzo szybkie włączenie do obwodu zwarciowego impedancji ograniczającej wartość prądu. Po eksplozji krótkiego topika bezpiecznika wywołanej narastającym prądem zwarciowym wywołuje w czasie poniżej 2 ms wzrost napięcia na topiku do wartości ok.20 - 25V, po czym prąd jest komutowany do gałęzi z przyrządem półprzewodnikowym typu GTO lub IGBT. Ostateczne wyłączenie...
-
Badania symulacyjne wysokonapięciowej przetwornicy DC/DC
PublicationW artykule zaprezentowano wyniki badań symulacyjnych przekształtnika energoelektronicznego typu DC/DC działającego w układzie niepełnego mostka z transformatorem izolacyjnym pracującym przy dużej częstotliwości. Badania symulacyjne wykonano posługując się pakietem Matlab-Simulink z biblioteką SimPowerSystems. Omówiono problemy zastosowania wysokonapięciowych tranzystorów z izolowaną bramką do konstrukcji przekształtników wysokiego...
-
Influence of ci rcuit parameters on the procces of current transfer in thehybrid circuit breaker.
PublicationW artykule przedstawiono działanie hybrydowego bezstykowego ogranicznika prądów zwarciowych w oparciu o symulację komputerową oraz porównanie eksperymentu z symulacją komputerową przy pomocy programu MATLAB i PSPICE. Przedstawiono również wady i zalety obliczeń numerycznych przeprowadzonych z zastosowaniem komercyjnych programów na analizę działania łącznika hybrydowego.W analizie uwzględniono model hybrydowego ogranicznika...
-
Przekształtniki tranzystorowe działające w trybie prądu trójkątnego
PublicationPrzekształtniki oparte na węgliku krzemu mogą być analizowane jako źródła napięcia lub prądu niezależnie od topologii przy odpowiednich parametrach filtru wyjściowego. Szczególnie interesujące są falowniki napięcia działające w trybie prądu trójkątnego. W referacie przedstawiono sterowanie trójfazowym falownikiem napięcia posiadającym właściwości źródła prądu. Pokazano, jak dobrać parametry filtru wyjściowego falownika. Oceniono...
-
Design and multi-objective optimization of combinational digital circuits using evolutionaty algorithm with multi-layer chromosomes
PublicationW artykule przedstawiono zastosowanie algorytmów ewolucyjnych z wielowarstwowymi chromosomami do projektowania i optymalizacji wielokryterialnej kombinatorycznych układów cyfrowych. Kryteriami optymalizacji były: liczba bramek, liczba tranzystorów w układzie i czas propagacji sygnałów. Proponowaną metodą zaprojektowano i optymalizowano cztery układy wzięte z literatury. Uzyskane rezultaty porównano z wynikami otrzymanymi innymi...
-
Strategia wektorowej modulacji szerokości impulsów dla wielofazowych falowników napięcia
PublicationW artykule zaproponowano strategię wektorowej modulacji szerokości impulsów dla wielofazowych falowników napięcia. Zaproponowane rozwiązanie pozwala na niezależne formowanie napięć wyjściowych w n-fazowym falowniku dwupoziomowym z wykorzystaniem (n-1) wektorów aktywnych. Przedstawiony algorytm modulacji umożliwia dobór sekwencji wektorów aktywnych i pasywnych wymagającej minimalnej liczby przełączeń...
-
Low frequency noise measurements in advanced silocon devices.**2003, 136 s.116 rys. bibliogr. 29 poz. maszyn. Pomiary małoczęstotliwościowych szumów zaawansowanych elementów krzemowych. Rozprawa doktorska /15.04.2003./ Inst. Natl. P. Grenoble Promotorzy: prof. dr hab. inż. L. Spiralski, dr CNRS G. Ghibaudo.
PublicationW pracy przedstawiono automatyczny system do pomiarów małoczęstotliwoscio-wych szumów struktur elementów półprzewodnikowych. System umożliwia automa-tyczne wyznaczanie charakterystyk stałoprądowych badanego elementu, pomiarszumów i wyznaczanie gęstości widmowej mocy w zadanym zakresie polaryzacji.Przytoczono wyniki przeprowadzonych testów systemu. Ważną składową pracy wy-niki pomiarów szumów tranzystorów MOS i bipolarnych...
-
Design of hight voltage busbar: trade off between electrical field and stray inductance
PublicationArtykuł dotyczy optymalizacji konstrukcji i technologii szyny doprowadzenia zasilania do pojedynczej gałęzi falownika średniego napięcia. Dla szeregowego układu złożonego z trzech modułów elektroizolowanych (6 par tranzystorów i diod) rozważono warianty geometrii szyny zasilania przy uwzględnieniu wypadkowej indukcyjności obwodu komutacyjnego. Wyznaczono główne składniki indukcyjności rozproszenia oraz wykazano jej wpływ na przepięcia...
-
Detekcja i lokalizacja wybranych uszkodzeń falownikowego układu napędowego
PublicationW artykule przedstawiono dwa algorytmy diagnostyki napędu elektrycznego z falownikiem napięcia. Pierwszy z nich jest przeznaczony do diagnostyki uszkodzeń polegających na braku przewodzenia tranzystorów. Opiera się na analizie trajektorii wektora przestrzennego prądu. Za pomocą drugiego algorytmu możliwe jest wykrycie uszkodzeń sieci zasilającej lub prostownika. W tym celu wykorzystywany jest stosunek drugiej do szóstej harmonicznej...
-
Algorytmy ewolucyjne o wielowarswowych chromosomach i ich zastosowania w elektronice
PublicationW artykule przedstawiono koncepcje chromosomów wielowarstwowych w algorytmach ewolucyjnych. Ukazano strukturę chromosomu wielowarstwowego oraz opisano możliwe zastosowania algorytmów ewolucyjnych z jego wykorzystaniem. Omówiono zastosowanie algorytmu ewolucyjnego z wielowarstwowym chromosomem do: projektowania i optymalizacji kombinacyjnych układów cyfrowych budowanych zarówno w oparciu o bramki napięciowe jak i bramki prądowe,...
-
A New, Reconfigurable Circuit Offering Functionality of AND and OR Logic Gates for Use in Algorithms Implemented in Hardware
PublicationThe paper presents a programmable (using a 1-bit signal) digital gate that can operate in one of two OR or AND modes. A circuit of this type can also be implemented using conventional logic gates. However, in the case of the proposed circuit, compared to conventional solutions, the advantage is a much smaller number of transistors necessary for its implementation. Circuit is also much faster than its conventional counterpart. The...
-
Wideband Modeling of DC-DC Buck Converter with GaN Transistors
PublicationThe general wideband modeling method of the power converter is presented on the example of DC-DC buck converter with GaN High Electron Mobility Transistors (HEMT). The models of all basic and parasitic components are briefly described. The two methods of Printed Circuit Board (PCB) layout parameter extraction are presented. The results of simulation in Saber@Sketch simulation software and measurements are compared. Next, the model...
-
Spektroskopia szumowa. Część II. Badania przyrządów półprzewodnikowych, szumy elektrochemiczne i emisja akustyczna w diagnostyce.
PublicationPrzedstawiono wyniki pomiaru szumów 1/f tranzystorów z GaAs i ich analizę w spektroskopii. Opisano procedurę klasyfikacji na grupy o zróżnicowanej jakości półprzewodnikowych elementów mocy na podstawie wyników pomiaru szumów małoczęstotliwościowych. Szumy elektrochemiczne stanowią dogodne narzędzie do analizy korozji, zwłaszcza korozji wżerowej. Przedstawiono wyniki pomiaru szumów ogniw słonecznych i ich porównanie z analizą niejednorodności...
-
Oddziaływanie wybranych elementów przekształtnika energoelektronicznego nagenerację zaburzeń przewodzonych.**2002, 134 s. 125 rys. bibliogr. 102 poz. Rozprawa doktorska /17.12.2002/. PG, Wydz. Elektrotech. Automat. Promotor: dr hab. inż. Piotr J. Chrzan, prof. nadzw. PG
PublicationW rozprawie przedstawiono sposób obliczania generowanych zaburzeń elektroma-gnetycznych przewodzonych z układu przekształtnika do sieci zasilającej. Ce-lem pracy było opracowanie, w oparciu o symulację komputerową i badania eks-perymentalne, modeli wybranych elementów układu przekształtnika energoelek-tronicznego, pozwalających na określanie poziomów zaburzeń elektromagnetycz-nych przewodzonych w układach symulacyjnych. Zakres...
-
Electromagnetic interference frequencies prediction model of flyback converter for snubber design
PublicationSnubber design for flyback converters usually requires experimental prototype measurements or simulation based on accurate and complex models. In this study simplified circuit modelling of a flyback converter has been described to dimension snubbers in early stage of design process. Simulation based prediction of the transistor and diode ringing frequencies has been validated by measurements in a prototype setup. In that way obtained...
-
Projektowanie Urządzeń Bezprzewodowych - 2022
e-Learning CoursesPrzedmiot kursowy dla stopnia I, sem. 7, profil Inżynieria Mikrofalowa i Antenowa Celem jest wprowadzenie do analizy, projektowania i pomiarów podstawowych układów pasywnych (dzielniki, sprzęgacze, filtry), aktywnych (wzmacniacze, oscylatory) i podzespołów półprzewodnikowych (diody, tranzystory) dla zakresu b.w.cz., stosowanych h w urządzeniach i systemach bezprzewodowych. Studenci poznają zasadę działania i obsługę oprogramowania...
-
Projektowanie Urządzeń Bezprzewodowych - 2023
e-Learning CoursesPrzedmiot kursowy dla stopnia I, sem. 7, profil Inżynieria Mikrofalowa i Antenowa Celem jest wprowadzenie do analizy, projektowania i pomiarów podstawowych układów pasywnych (dzielniki, sprzęgacze, filtry), aktywnych (wzmacniacze, oscylatory) i podzespołów półprzewodnikowych (diody, tranzystory) dla zakresu b.w.cz., stosowanych h w urządzeniach i systemach bezprzewodowych. Studenci poznają zasadę działania i obsługę oprogramowania...
-
Elementy elektroniczne w środowisku dużej emisji elektromagnetycznej
PublicationW referacie przedstawiono rodzaje narażeń powodowanych impulsowymi zakłóceniami elektromagnetycznymi występującymi w środowisku urządzeń energoelektronicznych. Przedstawiono poziomy energii i źródła zakłóceń które stanowią wyładowania elektrostatyczne, przebiegi łączeniowe w obwodach indukcyjnych i wyładowania atmosferyczne. Przedstawiono sposoby badania odporności na zakłócenia impulsowe. Zaprezentowano wyniki uzyskane z przeprowadzonych...
-
GaAs ballistic and tunneling nanodevices for terahertz electronics and medical applications
PublicationPrzy użyciu selektywnej epitaksji warstw molekularnych (MLE) wytworzono w GaAs balistyczne i tunelowe tranzystory o indukcji elektrostatycznej (SIT), z kanałami w skali 10 nm. Szacowany czas przelotu elektronów jest krótszy od 2×10-14 s. Metoda MLE została również wykorzystana do wykonania diod generacyjnych TUNNETT działających w oparciu o czas przelotu i tunelowe wstrzykiwanie elektronów. Z użyciem diod TUNNETT wygenerowano częstotliwość...
-
Power devices in Polish National Silicon Carbide Program
PublicationArtykuł zawiera informacje o polskim rządowym programie ''Nowe technologie na bazie węglika krzemu i ich zastosowania w elektronice wielkich częstotliwości, dużych mocy i wysokich temperatur''. Program zawiera trzy główne zadania zawierające następujące cele: wytworzenie podłoży z SiC, wytworzenie przyrządów z SiC oraz ocenę działania wybranych przyrządów w układach aplikacyjnych. Omówiono zastosowane metody wytwarzania podłoży,...
-
Rekuperace elektrické energie v MHD
PublicationAsynchronní pohony, motory BLDC, trakční invertory, IGBT tranzistory, rekuperace energie – to jsou hesla, se kterými se můžeme často potkat, když si pročteme propagační materiály výrobců moderních tramvají a trolejbusů. Často se nám tyto prvky jeví jako indikátory hypermoderních technologií, ale ve skutečnosti se stává, že pod některými názvy se skrývá řešení známé inženýrům už dlouhá desetiletí. Tak je tomu také s rekuperací elektrické...
-
Wykorzystanie wejściowego prądu bramkowego do różnicowej analizy mocy układów kryptograficznych
PublicationW artykule przestawiono nowy typ ataku DPA z wykorzystaniem prądu wejściowego funktorów cyfrowych. Wykazano, że wraz z zmniejszeniem minimalnych wymiarów technologicznych zwiększa się udział prądów przeładowania wewnętrznych pojemności pasożytniczych tranzystorów w całkowitym poborze prądu. Zgodnie z przeprowadzonymi symulacjami, prąd ten można wykorzystać w ataku typu DPA. Zaproponowanym atak DPA wymaga takiej samej liczby danych...
-
Hybrid Modulation for Modular Voltage Source Inverters with Coupled Reactors
PublicationThis paper proposes and discusses a concept of a hybrid modulation for the control of modular voltage source inverters with coupled reactors. The use of coupled reactors as the integrating elements leads to significant reduction in the size and weight of the circuit. The proposed modulation combines novel coarsely quantized pulse amplitude modulation (CQ-PAM) and innovative space-vector pulse width modulation (SVPWM). The former...
-
Diagnostyka falownika w czasie rzeczywistym
PublicationW artykule przedstawiono metodę diagnostyki falownikowego układu napędowego z silnikiem indukcyjnym, pracującego w otwartej pętli sterowania, umożliwiającą wykrycie uszkodzenia tranzystorów falownika w czasie rzeczywistym. W celu wykrywania i lokalizacji awarii wykorzystano stosunki wartości składowych stałych do amplitud podstawowych harmonicznych prądów obciążenia falownika. W realizacji praktycznej, dla otrzymania poprawnych...
-
Magnetism from fundamentals to spintronics 22/23
e-Learning Courses1. Basic magnetic quantities2. Magnetism of atoms and molecules, atoms in external magnetic fields3. Solid state magnetism, types of magnetic materials (dia-, para-, and ferromagnetism)4. Ferromagnetism and domain structures5. Magnetism of small particles, single domain particles (StonerWohlfarth model), thin films6. Experimental techniques of magnetic properties and magnetisation state determination. Domain structurevisualisation...
-
EMI mitigation of GaN power inverter leg by local shielding techniques
PublicationThis paper presents local shielding techniques applied to a half-bridge inverter leg with the aim to reduce the common mode (CM) current noise at converter’s DC input. The research study is conducted for 650V Enhancement mode Gallium Nitride (GaN) power transistor switches. Main contributors of parasitic capacitances referred to the inverter-leg middle point node are identified. Then, shielding solutions are proposed to reduce...
-
Accurate Computation of IGBT Junction Temperature in PLECS
PublicationIn the article, a new method to improve the accuracy of the insulated-gate bipolar transistor (IGBT) junction temperature computations in the piecewise linear electrical circuit simulation (PLECS) software is proposed and described in detail. This method allows computing the IGBT junction temperature using a nonlinear compact thermal model of this device in PLECS. In the method, a nonlinear compact thermal model of the IGBT is...
-
A simplified behavioral MOSFET model based on parameters extraction for circuit simulations.
PublicationThe paper presents results on behavior modeling of general purpose Metal-Oxide Semiconductor Field-Effect Transistor (MOSFET) for simulation of power electronics systems requiring accuracy both in steady-state and in switching conditions. Methods of parameters extraction including nonlinearity of parasitic capacitances and steady-state characteristics are based on manufacturer data sheet and externally measurable characteristics....
-
Effect of hybrid contactless short-cicruit limiters on power quality
PublicationPrzedstawiono działanie bezstykowego ogranicznika prądów zwarciowych w oparciu o symulację komputerową. Szczególną uwagę zwrócono na problem jakości dostarczanej energii elektrycznej poprzez ograniczanie zapadów napięcia za pomocą bezstykowego ogranicznika prądów zwarciowych. W modelowaniu elementów systemu elektroenergetycznego i zapadów napięcia, będących skutkiem zwarć wykorzystano program MATLAB z biblioteką Power System Blockset....
-
Wysokoczęstotliwościowy falownik napięcia z tranzystorami SiC JFET do zasilania silnika wysokoobrotowego
PublicationW referacie przedstawiono konstrukcję oraz wyniki badań trójfazowego falownika napięcia zbudowanego z wykorzystaniem diod Schottky oraz tranzystorów JFET z węglika krzemu (SiC). Znacznie krótsze czasy przełączeń tych elementów w porównaniu z tranzystorami IGBT i diodami na bazie krzemu (Si) umożliwiają pracę układu z częstotliwością 100 kHz i wyższą. Duża stromość narastania napięcia rzędu dziesiątek kV/µs powoduje problemy EMC...
-
Wysokoczęstotliwościowy przekształtnik z tranzystorami SiC JFET
PublicationW referacie przedstawiono konstrukcję oraz wyniki badań trójfazowego falownika napięcia zbudowanego z wykorzystaniem diod Schottky oraz tranzystorów JFET z węglika krzemu (SiC). Znacznie krótsze czasy przełączeń tych elementów w porównaniu z tranzystorami IGBT i diodami na bazie krzemu (Si) umożliwiają pracę układu z częstotliwością 100 kHz i wyższą. Duża stromość narastania napięcia rzędu dziesiątek kV/µs powoduje problemy EMC...
-
Low-frequency noise in ZrS3 van der Waals semiconductor nanoribbons
PublicationWe report the results of the investigation of low-frequency electronic noise in ZrS3 van der Waals semiconductor nanoribbons. The test structures were of the back-gated field-effect-transistor type with a normally off n-channel and an on-to-off ratio of up to four orders of magnitude. The current–voltage transfer characteristics revealed significant hysteresis owing to the presence of deep levels. The noise in ZrS3 nanoribbons...
-
Feasibility Study GaN Transistors Application in the Novel Split-Coils Inductive Power Transfer System with T-Type Inverter
PublicationA promising solution for inductive power transfer and wireless charging is presented on the basis of a single-phase three-level T-type Neutral Point Clamped GaN-based inverter with two coupled transmitting coils. The article focuses on the feasibility study of GaN transistor application in the wireless power transfer system based on the T-type inverter on the primary side. An analysis of power losses in the main components of the...
-
Programowalny zlinearyzowany wejściowy stopieńwzmacniacza transkonduktancyjnego CMOS
PublicationW artykule przedstawiono zlinearyzowany wejściowy stopień wzmacniacza transkonduktancyjnego CMOS. W jego skład wchodzi para różnicowa, prosty jednostopniowy wzmacniacz operacyjny o szerokim paśmie oraz rezystor. Elementy te pracują objęte pętlą ujemnego sprzężenia zwrotnego a linearyzacja osiągana jest przez powielenie liniowych charakterystyk rezystora. W rezultacie otrzymujemy wejściowy stopień wzmacniacza transkonduktancyjnego...
-
Programowalny zlinearyzowany wejściowy stopień wzmacniacza transkonduktancyjnego cmos
PublicationW artykule przedstawiono zlinearyzowany wejściowy stopień wzmacniacza transkonduktancyjnego CMOS. W jego skład wchodzi para różnicowa, prosty jednostopniowy wzmacniacz operacyjny o szerokim paśmie oraz rezystor. Elementy te pracują objęte pętlą ujemnego sprzężenia zwrotnego a linearyzacja osiągana jest przez powielenie liniowych charakterystyk rezystora. W rezultacie otrzymujemy wejściowy stopień wzmacniacza transkonduktancyjnego...
-
A Perspective on Fast-SPICE Simulation Technology
PublicationThis chapter presents an introduction to the area of accelerated transistor-level (‘fast-SPICE’) simulation for automated verification and characterization of integrated circuits (ICs) from technologist’s perspective. It starts with outlining goals, expectations and typical usage models for fast-SPICE simulators, stressing how they differ from regular SPICE tools. It continues with presenting and classifying core technologies typically...
-
Rozpoznawanie elementów elektronicznych w obudowach SOT-23
PublicationProdukowane obecnie elementy elektroniczne do montażu powierzchniowego (SMD) mają tak małe obudowy, że producenci nie są w stanie umieszczać na nich dostatecznej ilości oznaczeń umożliwiających ich jednoznaczną identyfikację. Ponadto, podobnie jak w przypadku elementów do montażu przewlekanego, w obudowie jednego typu mogą być zamknięte różne rodzaje elementów. Przykładem takiej obudowy jest obudowa SOT-23 (Small Outline Transistor)....
-
Wielopoziomowy przekształtnik trakcyjny SiC z izolacją od sieci 3kV DC realizowaną za pomocą transformatorów 30kHz do napędów EZT
PublicationW referacie przedstawiono wielopoziomowy izolowany kaskadowy przekształtnik DC-AC z tranzystorami SiC MOSFET 1,2kV, przeznaczony do napędów elektrycznych zespołów trakcyjnych (EZT). Zaproponowana konstrukcja przekształtnika, przeznaczonego do pracy przy zasilaniu z sieci trakcyjnej 3kV DC, spełnia założenia energoelektronicznego transformatora trakcyjnego (z ang. Power Electronic Traction Transformer). Budowa modułowa z niskonapięciowych...
-
Trójfazowy 4-gałęziowy falownik SiC w napędzie z wysokoobrotowym silnikiem indukcyjnym
PublicationZastosowanie tranzystorów SiC w falownikach napędów wysokoobrotowych powoduje nowe wyzwania, szczególnie odnośnie generowanego w falowniku napięcia common mode (CM) o wysokiej częstotliwości. Wysokoczęstotliwościowe napięcie CM wchodzi w interakcję z pojemnościami pasożytniczymi falownika, kabla i silnika wymuszając przepływ prądów CM, które są źródłem strat w filtrach pasywnych oraz powodują zakłócenia pomiarów prądów, nieakceptowalne...