Wiesław Kordalski - Publikacje - MOST Wiedzy

Wyszukiwarka

Filtry

wszystkich: 30

  • Kategoria
  • Rok
  • Opcje

wyczyść Filtry wybranego katalogu niedostępne

Katalog Publikacji

Rok 2019
  • TIME- AND FREQUENCY-DOMAIN QUASI-2D SMALL-SIGNAL MOSFET MODELS
    Publikacja

    - Rok 2019

    A novel approach to small-signal MOSFET modeling is presented in this book. As a result, time- and frequency-domain physics-based quasi-2D NQS four-terminal small-signal MOSFET models are proposed. The time-domain model provides the background to a novel DIBL-included quasi‑2D NQS four-terminal frequency-domain small-signal MOSFET model. Parameters and electrical quantities of the frequency-domain model are described by explicit...

    Pełny tekst do pobrania w portalu

Rok 2017
Rok 2015
Rok 2014
Rok 2013
  • A Quasi-2D MOSFET Model — 2D-to-Quasi-2D Transformation

    A quasi-two-dimensional (quasi-2D) representation of the MOSFET channel is proposed in this work. The representation lays the foundations for a quasi 2D MOSFET model. The quasi 2D model is a result of a 2D into quasi 2D transformation. The basis for the transformation are an analysis of a current density vector field and such phenomena as Gradual Channel Detachment Effect (GCDE), Channel Thickness Modulation Effect (CTME), and...

    Pełny tekst do pobrania w serwisie zewnętrznym

Rok 2008
Rok 2007
Rok 2006
Rok 2005
  • Compatible DC and small-signal MOSFET models for radio and microwave frequency simulation
    Publikacja

    Zaprezentowano nowy model stałoprądowy tranzystora MOS i kompatybilny z nim uogólniony nie-quasi-statyczny model małosygnałowy. Model stałoprądowy został eksperymentalnie zweryfikowany dla tranzystorów MOS o długości kanału od 75 nm do kilkunastu mikrometrów, a model małosygnałowy od zera herców do 30 GHz.

  • Quasi-dwuwymiarowe równanie ciagłości dla procesów dynamicznych w tranzystorach polowych
    Publikacja

    - Rok 2005

    W oparciu o dwuwymiarowy model fizyczny i matematyczny tranzystora polowego zaproponowano quasi-dwuwymiarowy model umożliwiający wyprowadzenie równania ciągłości dla nośników nadmiarowych w przypadku małych zaburzeń ich koncentracji. Rozważania przeprowadzono startując od najbardziej podstawowych praw fizyki.

  • Rozkład gęstości ruchomego ładunku wzdłuż kanału tranzystora MOS
    Publikacja

    - Rok 2005

    Przedyskutowano i dokonano analizy ilościowej rozkładu gęstości ruchomego ładunku wzdłuż kanału tranzystora MOS - jednej z podstawowych wielkości definiujących prąd kanału (drenu). Zwrócono uwagę na konsekwencje jakie implikuje stosowanie przybliżenia łagodnego kanału w modelowaniu stałoprądowych charakterystyk tranzystora polowego. Zaprezentowano wyniki analizy dwuwymiarowej określającej w formie analitycznej wielkość ładunku...

  • Stałoprądowy model tranzystora MOS z kanałem dłuzszym niż 10 nm
    Publikacja

    - Rok 2005

    W artykule zaprezentowano spójny fizycznie, stałoprądowy jednosekcyjny model tranzystora MOS i wyniki jego eksperymentalnej weryfikacji dla szerokiego spektrum długości kanałów badanych tranzystorów - od kanałów długich aż do 10-nanometrowych. Przedstawiono założenia modelu fizycznego w przestrzeni 2-D i jego transformację do modelu quasi-dwuwymiarowego. Model spełnia warunek symetrii Gummel'a.

Rok 2004
Rok 2003
Rok 2002

wyświetlono 1317 razy