Wyszukiwarka
Filtry
wszystkich: 151
wybranych: 121
Wyniki wyszukiwania dla: PRZYRZĄDY Z WEGLIKA KRZEMU
-
Budowa i badania prototypowych podukładów funkcjonanych elektronicznych i energoelektronicznych, w tym wysokotemperaturowych, wykorzystujących opracowane elementy i przyrządy - zadanie 3. projektu ''Nowe technologie na bazie węglika krzemu i ich zastosowania w elektronice wielkich częstotliwości, dużych mocy i wysokich temperatur''
PublikacjaPrzedstawiono główne cele zadania 3. projektu zamawianego nt. ''Nowe technologie na bazie węglika krzemu i ich zastosowania w elektronice wielkich częstotliwości dużych mocy i wysokich temperatur''. Są to: badania typowych układów elektronicznych i energoelektronicznych z zastosowaniem kompercyjnych elementów i przyrządów z SiC w celu opracowania rozwiązań, które będą mogły być stosowane w praktyce i będą korzystniejsze niż zastosowane...
-
Charakterystyka tranzystorów z węglika krzemu w wysokosprawnych przekształtnikach
PublikacjaPółprzewodnikowe przyrządy mocy z węglika krzemu (SiC) osiągnęły poziom technologiczny umożliwiający powszechne stosowanie w układach przekształtnikowych. W artykule omówiono ostatnie osiągnięcia dotyczące układów przekształtnikowych z przyrządami z węglika krzemu oraz wybrane wyniki badań realizowane na Politechnice Gdańskiej. W artykule opisano właściwości statyczne i dynamiczne tranzystorów MOSFET i JFET z węglika krzemu oraz...
-
Pomiary i analiza wielkości mikroziaren ściernych.
PublikacjaOmówiono skomputeryzowana analizę wielkości i kształtu mikroziaren ściernych. W badaniach mikroziaren węglika boru, czarnego i zielonego weglika krzemu oraz elektrokorundu zwykłego i szlachetnego stosowano mikroskopię optyczną oraz oprogramowanie MultiScan.
-
Przyrządy wirtualne w nauczaniu Cyfrowego Przetwarzania Sygnałów
PublikacjaArtykuł rozpoczyna się wyjaśnieniem pojęcia przyrządu wirtualnego oraz opisem narzędzi do przygotowania takich przyrządów. Następnie przedstawiono szereg przykładów przyrządów wirtualnych, pozwalających w prosty sposób na zapoznanie z działaniem algorytmów przetwarzania sygnałów. Opisano przyrządy wirtualne do zapoznania ze zjawiskiem aliasingu, oknami czasowymi i wygładzającymi, działaniem filtrów w dziedzinie czasu i częstotliwości...
-
Recykling krzemu w przemyśle fotowoltaicznym
PublikacjaKrzem jest obecnie materiałem najchętniej używanym do produkcji urządzeń fotowoltaicznych, będących w stanie przetwarzać energię promieniowania słonecznego w sposób bezpośredni na energię elektryczną. Problemem są jednak nadal wysokie koszty wytwarzania krzemu, odpowiedniego do zastosowań w przemyśle fotowoltaicznym. Opracowanie efektywnych metod, umożliwiających skuteczne zagospodarowanie powstających na każdym etapie produkcji...
-
Wpływ pęknięć kolistych na wytrzymałość zmęczeniową azotku krzemu.
PublikacjaAzotek krzemu posiada kombinację optymalnych własności, które są niezbędne w zastosowaniach na elementy łożysk tocznych. Podstawowym problemem związanym z wytrzymałością zmęczeniową kulek łożyskowych są pęknięcia koliste będące efektem procesu wytwarzania. Przedstawiono badania doświadczalne azotku krzemu ze sztucznie wprowadzonymi pęknięciami kolistymi oraz wpływ wybranych dodatków olejowych na propagacje tych pęknięć.
-
Nowa metoda regeneracji modułów fotowoltaicznych z amorficznego krzemu
PublikacjaEfekt degradacyjny Staeblera-Wrońskiego powoduje spadek sprawności ogniw fotowoltaicznych z amorficznego krzemu do 40% wartości początkowej. Stosunkowo skuteczną metodą regeneracji modułów z amorficznego krzemu jest metoda termiczna, polegająca na podgrzewaniu czynnej substancji fotowoltaicznej modułu do określonej temperatury w ciągu określonego czasu. Oba te ostatnie parametry nie zostały jak dotąd zoptymalizowane zarówno z racji...
-
Przyrządy do pomiaru parametrów uziemnień.
PublikacjaOmówiono metody pomiarowe stosowane najczęściej w miernikach parametrów uziemnień przeznaczonych do pracy przy częstotliwościach przemysłowych oraz uziemnień odgromowych. Oprócz metod statycznych (niskoczęstotliwościowych) i udarowych zaprezentowano metody wysokoczęstotliwościowe wykorzystywane w miernikach. Przedstawiono ograniczenia omawianych metod i niebezpieczeństwo powstania nadmiernych błędów wynikających z niedokładnej...
-
Problemy pomiarów szumów diod z węglika krzemu
PublikacjaPrzedstawiono system do pomiaru szumów m.cz. diod Schottky'ego wykonanych z węglika krzemu (SiC) spolaryzowanych w kierunku przewodzenia i zaporowym, z uwzględnieniem specyfiki pomiaru szumów wybuchowych (RTS). Badane diody charakteryzują się wysokim prądem przewodzenia (do 12A) i wysokim napięciem zaporowym (typowo 600V i 1200V). Omówiono zagadnienia związane ze sposobami polaryzacji badanych diod i ich wpływ na wyniki pomiarów....
-
Pomiary szumów m.cz. tranzystorów MESFET z węglika krzemu
PublikacjaTranzystory MESFET z węglika krzemu typu CRF24010 (CRREE) są przyrządami mocy przeznaczonymi do pracy w zakresie wysokich częstotliwości. Ze względu na możliwość oceny technologii tych przyrządów, a także ich jakości celowe jest określenie ich właściwości szumowych w zakresie małych częstotliwości. Przedstawiono wyniki badań wykonanych w celu oceny właściowści szumowych tranzystorów MESFET z SiC oraz zaproponowano schemat szumowy...
-
Badanie właściwości elementów mocy z węglika krzemu w zastosowaniach układowych
PublikacjaW artykule prezentowane są wyniki badania właściwości elementów SiC w zastosowaniach układowych. Do celów pomiarowych zaprojektowano układ przetwornicy realizujący konfigurację buck oraz boost z elementami aktywnymi z SiC oraz z krzemu, jako elementami referencyjnymi. Układ przetwornicy był badany dla różnych zestawów elementów, konfiguracji i parametrów pracy.
-
Układy sterowania bramkowego tranzystorów z węglika krzemu SiC JFET w falownikach napięcia
PublikacjaZastosowanie technologii węglika krzemu (SiC) w falownikach napięcia pozwala na zwiększenie częstotliwości przełączeń oraz temperatury pracy przyrządów półprzewodnikowych. W celu zapewnienia minimalizacji strat oraz określonych właściwości dynamicznych tranzystorów z węglika krzemu wymagane jest stosowanie zaawansowanych układów sterowania bramkowego. W referacie przedstawiono analizę teoretyczną, wyniki badań symulacyjnych oraz...
-
Pomiary szumów m.cz. diod Schottky'ego z węglika krzemu spolaryzowanych w kierunku przewodzenia
PublikacjaPrzedstawiono wyniki pomiarów szumów małej częstotliwości diod Schottky'ego wykonanych z węglika krzemu polaryzowanych w kierunku przewodzenia. Badania przeprowadzono dla diod o nominalnym prądzie przewodzenia IF od 2 A do 12 A.
-
Ewolucja od węgla do krzemu
PublikacjaFelieton popularnonaukowy dotyczący filozofii techniki.
-
Pure silicon recovering from photovoltaic modules
PublikacjaOdzyskiwanie krzemu ze zużytych lub uszkodzonych modułów fotowoltaicznych może mieć znaczenie nie tylko ekonomiczne, ale również ekologiczne. Etap obejmujący procesy chemiczne wymaga optymalizacji z punktu widzenia wymaganej czystości odzyskiwanego krzemu. W pracy przedstawiono wyniki przeprowadzonych prób trawienia poszczególnych warstw ogniw PV: warstwy antyodblaskowej, metalizacji (kontaktów), złącza p-n. Skład roztworów trawiących...
-
Przeprowadzenie prób obejmujących miernictwo i charakteryzację opracowanych elementów, przyrządów i prototypowych podukładów funkcjonalnych zgodnie z obowiązującymi normami - zadanie 4. projektu ''Nowe technologie na bazie węglika krzemu i ich zastosowania w elektronice wielkich częstotliwości, dużych mocy i wysokich temperatur''
PublikacjaPrzedstawionmo główne cele zadania 4. projektu zamawianego nt. ''Nowe technologie na bazie węglika krzemu i ich zastosowania w elektronice wielkich częstotliwości dużych mocy i wysokich temperatur. Są to: analiza właściwości produkowanych obecnie komercyjnych elementów i przyrządów półprzewodnikowych z SiC oraz przygotowanie stanowisk laboratoryjnych do pomiarów parametrów i chrakterystyk tych przyrządów.Przewidywane jest opracowanie...
-
Ocena jakości elementów z węglika krzemu metodą pomiaru szumów z zakresu małych częstotliwości
PublikacjaPrzedstawiono zagadnienie powiązania parametrów szumowych elementów elektronicznych z jakością ich wykonania. Przedstawiono stan badań intensywności metod oceny jakości elementów elektronicznych przez pomiar ich parametrów szumowych oraz propozycję ich zastosowania do oceny jakości elementów z węglika krzemu.
-
Przyrządy do oceny jakości energii elektrycznej na przyykładzie elspec g4500
PublikacjaW artykule opisano przyrząd nowej generacji w dziedzinie pomiarów jakości energii elektrycznej typu ELSPEC G4500. Urządzenie pracujące w klasie A wprowadza nowy standard pomiarów polegający na wykonywaniu ciągłej rejestracji wszystkich interesujących użyt-kownika sygnałów. Zastosowane rozmiary pamięci i sposoby kompresji danych umożliwiają zapis na-wet wieloletniej obserwacji zjawisk zachodzących w sieci elektrycznej. Dane te...
-
Procesy termiczne i chemiczne w recyklingu ogniw i modułów fotowoltaicznych z krystalicznego krzemu
PublikacjaW pracy przedstawiono opracowaną technologię kompleksowego recyklingu wyeksploatowanych, zużytych lub uszkodzonych ogniw fotowoltaicznych (PV) z krystalicznego krzemu. Opracowano szereg technik i procesów technologicznych, odmiennych dla etapu delaminacji (separacji) i oczyszczania. Przedstawiono opracowane koncepcje, metody badawcze oraz rezultaty badań nad recyklingiem krzemowych ogniw i modułów fotowoltaicznych. Zaproponowano...
-
Znaczenie krzemu dla wybranych gatunków roślin o znanych właściwościach cytotoksycznych
Publikacja -
Vom siliciumdisulfid zu einem neuen Gebiet chemischer Verbindungen - Chemie der Orthothiokieselsäure-Derivate und ihre Molekülstrukturen
PublikacjaOtrzymany przez syntezę żelazo-krzemu z siarką techniczny dwusiarczek krzemu wykazuje wysoką reaktywność i w reakcjach z alkoholami daje produkty zawierające wiązanie Si-S. Otrzymane trialkoksysilanotiole (RO)3SiSH są stosunkowo kwaśnymi i trwałymi związkami. Sole silanotioli metali grup głównych oraz metali przejściowych mają różne struktury molekularne, np.: monomeryczne, dimeryczne czy tetrameryczne.
-
Lack of magnetoacoustic emission in iron with 6.5% silicon
PublikacjaZjawisko emisji magnetoakustycznej (EMA) na ogół tłumaczy się dwoma przyczynami: ruchem nie 180-cio stopniowych granic domenowych (1) lub kreacją i anihilacją domen magnetycznych. Artykuł prezentuje silne dowody na poparcie faktu, że to właśnie ruch granic nie 180-cio stopniowych odpowiada za powstawanie efektu EMA. Wynika to z wyników pomiarów dających zerowe natężenie efektu EMA przeprowadzonych dla szerokiego zakresu naprężeń...
-
Przyrządy do docierania powierzchni płaskich i płasko-równoległych docierakami aktywizowanymi w sposób swobodny i wymuszony
PublikacjaPrzedstawiono konstrukcje przyrządów do docierania powierzchni płaskich i płasko-równoległych elementów o niewielkich wymiarach gabarytowych. Analizowano wersje oprzyrządowania w aspekcie łatwości obsługi przy docieraniu dwutarczowym z obiegowym układem kinematycznym i przy użyciu dawkowanej okresowo pasty ściernej. Opracowano też koncepcję zmechanizowanej aktywizacji wymuszonej powierzchni roboczej tarczy docierającej mikroziarnami...
-
Silicon carbide application issues
PublikacjaThe main goals of Task 3 and Task 4 of the ordered project ''New technologies based on silicon carbide and their application in HF, high power and high temperature electronics'' are presented
-
Effect of temperature on dark current characteristics of silicon solar cells and diodes
PublikacjaW artykule przedstawiono analizę wpływu zmian temperatury na ciemne charakterystyki prądowo-napięciowe ogniw fotowoltaicznych i diod z monokrystalicznego krzemu. Badania eksperymentalne przeprowadzono w zakresie temperatur od 295 do 373 K. W celu wyznaczenia wartości rezystancji szeregowej wyznaczono szereg ciemnych charakterystyk I-U. Stwierdzono, że rezystancja szeregowa rośnie wraz ze wzrostem temperatury 0,65% /K i dlatego...
-
Obróbka chemiczna, termiczna oraz laserowa w recyklingu ogniw i modułów fotowoltaicznych z krystalicznego krzemu
PublikacjaW artykule przedstawiono wybrane sposoby prowadzenia recyklingu zużytych lub uszkodzonych modułów i ogniw fotowoltaicznych oraz praktyczne wyniki prac eksperymentalnych z wykorzystaniem metod: chemicznych, termicznych oraz techniki laserowej. Opisano wady i zalety stosowanych technik, pomocne przy optymalizowaniu metody recyklingu dla zastosowań komercyjnych.
-
Metoda wytwarzania mikroczujników i elektrod elektrochemicznych przez selektywny wzrost polikrystalicznych warstw diamentowych maskowany warstwami dwutlenku krzemu
PublikacjaOpisano wytwarzanie matrycy mikroelektrod wykonanych z diamentu domieszkowanego borem do zastosowań w czujnikach elektrochemicznych. Praca jest podzielona na 8 rozdziałów. W pierwszym rozdziale opisano cele i motywacje do stworzenia diamentowych matryc. Następnie opisano zalety mikroelektrod i przedstawiony aktualny stan wiedzy dotyczący syntezy polikrystalicznych diamentowych elektrod. W trzecim rozdziale przedstawiono krótki...
-
Hybrid high-frequency-SiC and line-frequency-Si based PEBB for MV modular power converters
PublikacjaIzolowane przekształtniki DC-DC o sterowanym kącie przesunięcia napięć strony pierwotnej i wtórnej są kluczowymi elementami współczesnych modułowych przekształtników energoelektronicznych średniego napięcia (SN). W porównaniu do konwencjonalnych przekształtników SN, przekształtniki modułowe z izolowanymi przetwornicami DC-DC nie wymagają izolacji w postaci wielkogabarytowych transformatorów o częstotliwości sieci. Zastosowanie...
-
The influence oil additives on spread cracks in silicon nitride
PublikacjaThe paper presents an experimental study of the influence of oil additives (Cl, S, P, cerium dioxide (CeO2)) on spread cracks in silicon nitride. The additives Cl, S, P are bound in molecules in liquid form soluble in the base oil. The CeO2 is purely in powder form in suspension. The use of CeO2 powder was made based on the good results of polishing of silicon nitride. A ceramic angular contact ball bearing was modelled using a...
-
Wysokosprawne układy aktywnej filtracji wyjściowej w przekształtnikach elektrowni wiatrowych
PublikacjaCzęstotliwość pracy tranzystorów w przekształtnikach elektrowni wiatrowych średniej mocy jest ograniczona (1kHz-10kHz), co wymaga stosowania od strony sieci filtrów pasywnych o znacznych gabarytach. W referacie omówiono możliwość zastosowania wysokosprawnego wspomagającego filtra aktywnego z przyrządami z węglika krzemu zapewniającego eliminację wysokoczęstotliwościowych zmian prądu sieciowego (tzw. rippli) przy jednoczesnym zmniejszeniu...
-
Ocena jakości ogniw fotowoltaicznych z krzemu krystalicznego na podstawie wyznaczonych empirycznie różnymi metodami pomiarowymi wartości rezystancji szeregowej w funkcji temperatury
PublikacjaW niniejszej pracy przedstawiono analizę wpływu wzrostu temperatury na wartość rezystancji szeregowej krystalicznych krzemowych ogniw słonecznych. We wprowadzeniu przedstawiono teoretyczne i praktyczne informacje na temat składników rezystancji szeregowej i jej wpływu na parametry elektryczne ogniw. Dla zbadania wpływu temperatury na wartość rezystancji szeregowej zbudowano dwa stanowiska eksperymentalne, pozwalające na wyznaczanie...
-
Modeling of effect of plastic deformation on Barkhausen noise and magnetoacoustic emission in iron with 2% silicon
PublikacjaW modelowaniu zaadaptowano model Alessandro-Beatrice-Bertotti-Montorsi dla opisu ruchu granic nie-180 stopniowych oraz model Jiles-Atherton dla opisu wpływu plastycznej deformacji na natężenie efektu Barkhausena oraz emisji magnetoakustcznej.
-
Methodology of semiconductor devices classification into groups of differentiated quality
PublikacjaZaproponowano klasyfikację przyrządów półprzewodnikowych do grup o zróżnicowanej jakości na podstawie ich szumów własnych z zakresu małych częstotliwości. Przedstawiono metodologię umożliwiającą stwierdzenie, czy zaproponowany parametr szumowy X dla danego typu przyrządu półprzewodnikowego może być stosowany do określenia jakości. Sprecyzowano przebieg badań wstępnych bazujących na ocenie wyników pomiarów szumów własnych z zakresu...
-
Zasady badania hałasu turbiny wiatrowej
PublikacjaPrzedstawiono główne zasady pomiaru hałasu turbin wiatrowych. Omówiono zarys stosowanej metodyki oraz określono niezbędne przyrządy pomiarowe.
-
Meranie základných elektrických veličín
PublikacjaW monografii przedstawiono podstawy metrologii elektrycznej oraz podstawowe przyrządy pomiarowe. Monografia przeznaczona jest dla szerokiej rzeszy odbiorców, w szczególności studentów kierunków technicznych.
-
Toward mechanosynthesis of diamondoid sructures: viii. quantum-chemical molecular dynamics simulations of hexagonal silicon-iv structure synthesis with stm
Publikacjaw tej publikacji badano metodami kwantowo-chemicznymi różne strategie mechanosyntezy heksagonalnego krzemu iv. określono przybliżone warunki mechanosyntezy krzemu w formie lonsdaleitu za pomocą uhv-spm.
-
Simulation of stroboscopic effects
PublikacjaOmówiono zasadę pomiaru prędkości obrotowej za pomocą stroboskopu. Przedstawiono przyrządy wirtualne do symulacji efektu stroboskopowego przy pomiarze prędkości obrotowej i analizy działania częstościomierza rezonansowego.
-
Virtual instruments for stroboscopic effects simulation
PublikacjaPrzedstawiono korzyści wynikające z wykorzystania edukacyjnych przyrządów wirtualnych w nauczaniu metrologii. Jako przykład pokazano przyrządy wirtualne umożliwiające zasymulowanie efektu stroboskopowego, m.in. do analizy działania częstościomierza rezonansowego.
-
The author's technology for the recovery of materials from the silicon photovoltaic cells
PublikacjaOdzyskanie czystego krzemu z uszkodzonych lub wycofanych z eksploatacji modułów PV może prowadzić do korzyści ekonomicznych i ekologicznych. Ze względu na wysokie wymagania jakościowe, dotyczące odzyskiwanego krzemu, procesy chemiczne są najważniejszym etapem w recyklingu ogniw PV. W artykule przedstawiono przykłady i możliwości odzyskania materiałów ze zużytych lub uszkodzonych ogniw fotowoltaicznych z krystalicznego krzemu oraz...
-
Toward Mechanosynthesis of diamondoid structures: III. Quantum-chemical study of silylene molecule and silicon atom transfer mechanism from caped SWCNT tip to the reaction center on a hydrogenated Si(111) surface
PublikacjaOpublikowana wcześniej (Modelling Simul. Mater. Sci. Eng., Vol. 7, 1999, pp. 43-58) strategia mechanosyntezy struktur krzemu na uwodornionej płaszczyźnie Si(111) została poszerzona poprzez uwzględnienie ostrza w postaci zamkniętej SWCNT jako urządzenia kontrolującego położenie cząsteczki sililenu oraz atomu krzemu.
-
Virtual Models of Analog-Digital Converters in Education of Electrical Measurements and Instrumentation.
PublikacjaPrzedstawiono opracowane przez autorów przyrządy wirtualne do demonstracji działania przetworników analogowo-cyfrowych: integracyjnego, kompensacyjnego, sigma-delta, z pośrednim sygnałem częstotliwościowym. Programy umożliwiają obserwację zmian napięcia w punktach charakterystycznych układów w spowolnionej skali czasowej. Możliwe jest również zadawanie zakłóceń.
-
Otrzymywanie nanokrzemionki metodą zol-żel
PublikacjaTlenek krzemu to związek związek chemiczny znany pod krzemionka, o wzorze empirycznym SiO2.
-
Noise in semiconductor devices
PublikacjaOmówiono typowe źródła szumów występujące w przyrządach pólprzewodnikowych, a mianowicie: cieplne, śrutowe, generacyjno-rekombinacyjne, 1/f, 1/f2, wybuchowe (RTS), lawinowe. Przedstawiono szumowe schematy zastępcze tranzystora bipolarnego, JFET i MOSFET oraz opisano wydajności poszczególnych źródeł szumów. Zasugerowano jak dobierać przyrządy półprzewodnikowe do małoszumowych układów w zakresie małych częstotliwości.
-
Wykorzystanie internetu w nauczaniu metrologii w Politechnice Gdańskiej.
PublikacjaW referacie przedstawiono możliwości wykorzystania Internetu w nauczani metrologii. Przedstawiono aplikacje jako samodzielne programy wykonywalne pobierane przez studentów z serwera oraz aplikacje uruchamiane w przeglądarce internetowej. jako przykłady pokazano przyrządy wirtualne wykorzystywane do demonstracji na wykładach z metrologii oraz umożliwiające przygotowanie praktyczne do zajęć w laboratorium metrologii.
-
Trójfazowy falownik napięcia z tranzystorami SiC JFET
PublikacjaW referacie przedstawiono konstrukcję oraz wyniki badań trójfazowego falownika napięcia zbudowanego z wykorzystaniem diod Schottky oraz tranzystorów JFET z węglika krzemu (SiC). Znacznie krótsze czasy przełączeń tych elementów w porównaniu z tranzystorami IGBT i diodami na bazie krzemu (Si) umożliwiają pracę układu z częstotliwością 100 kHz i wyższą. Małe energie przełączeń oraz mała rezystancja drenu tranzystorów SiC JFET pozwalają...
-
Eksperymentalne badania gwałtownego przepływu wody na terenie zabudowanym
PublikacjaW artykule przedstawiono przebieg badań eksperymentalnych nad gwałtownym przepływem przez obszar zabudowany. W celu prowadzenia badań przygotowano i wyposażono stanowisko badawcze umożliwiające badanie przepływu przez obszar o zmiennej konfiguracji zabudowy. Stanowisko badawcze zbudowano w Laboratorium Hydrauliki i Inżynierii Środowiska Politechniki Gdańskiej. W artykule opisano szczegółowo stanowisko badawcze, przyrządy pomiarowe,...
-
Zastosowanie tranzystorów GaN w wysokoczęstotliwościowych przekształtnikach DC/DC
PublikacjaW artykule przedstawiono tranzystory mocy z azotku galu (GaN) jako przyrządy, umożliwiające budowanie wysokoczęstotliwościowych przekształtników energoelektronicznych. Opisano tranzystory GaN HEMT SSFET, przedstawiono sposób ich sterowania i czasy przełączeń. Podano wyniki badań eksperymentalnych przekształtnika obniżającego napięcie o sprawności 96,5%, pracującego z częstotliwością przełączeń 500 kHz. Zaprezentowano metodę doboru...
-
Analysis of size and shape of abrasive micrograins in lapping of assembly joints
PublikacjaPrzedstawiono skomputeryzowana analizę wielkości i kształtu mikroziaren ściernych. W badaniach mikroziaren węglika boru, węglika krzemu i elektrokorundu zastosowano mikroskopie optyczna oraz specjalistyczne oprogramowanie MultiScan v.6.08
-
Amorficzny krzem przyszłością fotowoltaiki?
PublikacjaPodstawowym źródłem energii dla Ziemi jest promieniowanie słoneczne. Wartość strumienia energii słonecznej, emitowanej w kierunku Ziemi wynosi 173 000 TW. Człowiek jest w stanie przetworzyć i zmagazynować energię promieniowania słonecznego do postaci użytecznej, przy czym najbardziej rozpowszechnionym nośnikiem energii jest energia elektryczna. Zamiana energii słonecznej na elektryczną możliwa jest dzięki wykorzystaniu efektu...
-
Wysokoczęstotliwościowy przekształtnik z tranzystorami SiC JFET
PublikacjaW referacie przedstawiono konstrukcję oraz wyniki badań trójfazowego falownika napięcia zbudowanego z wykorzystaniem diod Schottky oraz tranzystorów JFET z węglika krzemu (SiC). Znacznie krótsze czasy przełączeń tych elementów w porównaniu z tranzystorami IGBT i diodami na bazie krzemu (Si) umożliwiają pracę układu z częstotliwością 100 kHz i wyższą. Duża stromość narastania napięcia rzędu dziesiątek kV/µs powoduje problemy EMC...