Wyszukiwarka
Wyniki wyszukiwania dla: dioda sic schottky
-
Evaluation of SiC JFETs and SiC Schottky diodes for wind generation systems
Publikacja -
Performance comparison of SiC Schottky diodes and silicon ultra fast recovery diodes
Publikacja -
Trójfazowy falownik napięcia z tranzystorami SiC JFET
PublikacjaW referacie przedstawiono konstrukcję oraz wyniki badań trójfazowego falownika napięcia zbudowanego z wykorzystaniem diod Schottky oraz tranzystorów JFET z węglika krzemu (SiC). Znacznie krótsze czasy przełączeń tych elementów w porównaniu z tranzystorami IGBT i diodami na bazie krzemu (Si) umożliwiają pracę układu z częstotliwością 100 kHz i wyższą. Małe energie przełączeń oraz mała rezystancja drenu tranzystorów SiC JFET pozwalają...
-
Wysokoczęstotliwościowy przekształtnik z tranzystorami SiC JFET
PublikacjaW referacie przedstawiono konstrukcję oraz wyniki badań trójfazowego falownika napięcia zbudowanego z wykorzystaniem diod Schottky oraz tranzystorów JFET z węglika krzemu (SiC). Znacznie krótsze czasy przełączeń tych elementów w porównaniu z tranzystorami IGBT i diodami na bazie krzemu (Si) umożliwiają pracę układu z częstotliwością 100 kHz i wyższą. Duża stromość narastania napięcia rzędu dziesiątek kV/µs powoduje problemy EMC...
-
Wysokoczęstotliwościowy falownik napięcia z tranzystorami SiC JFET do zasilania silnika wysokoobrotowego
PublikacjaW referacie przedstawiono konstrukcję oraz wyniki badań trójfazowego falownika napięcia zbudowanego z wykorzystaniem diod Schottky oraz tranzystorów JFET z węglika krzemu (SiC). Znacznie krótsze czasy przełączeń tych elementów w porównaniu z tranzystorami IGBT i diodami na bazie krzemu (Si) umożliwiają pracę układu z częstotliwością 100 kHz i wyższą. Duża stromość narastania napięcia rzędu dziesiątek kV/µs powoduje problemy EMC...
-
Advances in CSI-fed induction motor drives
PublikacjaThe application of current source inverters (CSI)in induction motor (IM) drives offers a number of advantages,including: voltage boosting capability, natural shoot-throughshort-circuit protection and generation of sinusoidal voltages.The exact generation of sinusoidal voltages is possible thanks tothanks to the effect of the output ac filter capacitors and mayimprove the accuracy of sensorless IM control. The eliminationof high...
-
Selection of measurement frequency in Mott-Schottky analysis of passive layer on nickel
PublikacjaPrzedstawiono zależności Mott'a - Schottky'ego dla różnych częstotliwości pomiarowych. Kształt uzyskanych zależności zależy od doboru tych częstotliwości. Związane jest to z tym, że stężenie defektów w warstwie pasywnej zależy od doboru częstotliwości. Metoda DEIS pozwala na uniknięcie tych niedogodności.
-
Układy sterowania bramkowego tranzystorów z węglika krzemu SiC JFET w falownikach napięcia
PublikacjaZastosowanie technologii węglika krzemu (SiC) w falownikach napięcia pozwala na zwiększenie częstotliwości przełączeń oraz temperatury pracy przyrządów półprzewodnikowych. W celu zapewnienia minimalizacji strat oraz określonych właściwości dynamicznych tranzystorów z węglika krzemu wymagane jest stosowanie zaawansowanych układów sterowania bramkowego. W referacie przedstawiono analizę teoretyczną, wyniki badań symulacyjnych oraz...
-
Effect of SiC on the corrosion behaviour of chromium coatings
PublikacjaWarstwy kompozytowe Cr-SiC osadzono z kąpieli zawierającej Cr(VI) oraz zielony proszek SiC. Zawartość SiC w warstwie chromowej wynosiła od 0,1-0,9% wag. Badania XPS wykazały iż SiC pokrywała warstwa SiO2, która powstała w wyniku utleniania SiC za pomocą Cr(VI). Przeprowadzono badania potencjodynamiczne i badania za pomocą spektroskopii impedancyjnej w celu określenia właściwości korozyjnych warstw Cr-SiC w środowisku kwaśnym....
-
The Low-frequency Noise of SiC MESFETs
PublikacjaPrzedstawiono system do pomiaru szumów małoczestotliwościowych tranzystorów SiC MESFET oraz przykładowe wyniki pomiarów.
-
Enhanced gas sensing by graphene-silicon Schottky diodes under UV irradiation
PublikacjaThe effect of ultraviolet (UV) or blue irradiation on graphene/n-doped silicon Schottky junctions toward gas sensing was investigated. Schottky diodes were subjected to oxidizing nitrogen dioxide (NO2, 1–3 ppm) and reducing tetrahydrofuran (THF, 50–200 ppm), showing significantly different responses observed on the currentvoltage (I-V) characteristics, especially under UV light (275 nm). NO2 affected the resistive part of the forward region...
-
Al-DIAMOND SCHOTTKY TUNNEL DIODES WITH BARRIER HEIGHT CONTROL
PublikacjaFew-nanometer-thick very highly boron-doped p-type layers were fabricated at metal-semiconductor interfaces of Schottky barrier diodes formed with aluminum on polycrystalline diamond. Preliminary results show that hermionically-assisted tunneling mechanism results in lower voltage drops at forward biasing of these diodes than expected for the Al-diamond metal-semiconductor potential barrier B. The effective barrier height Bpeff...
-
Wielopoziomowy przekształtnik trakcyjny SiC z izolacją od sieci 3kV DC realizowaną za pomocą transformatorów 30kHz do napędów EZT
PublikacjaW referacie przedstawiono wielopoziomowy izolowany kaskadowy przekształtnik DC-AC z tranzystorami SiC MOSFET 1,2kV, przeznaczony do napędów elektrycznych zespołów trakcyjnych (EZT). Zaproponowana konstrukcja przekształtnika, przeznaczonego do pracy przy zasilaniu z sieci trakcyjnej 3kV DC, spełnia założenia energoelektronicznego transformatora trakcyjnego (z ang. Power Electronic Traction Transformer). Budowa modułowa z niskonapięciowych...
-
Low-frequency noise in Au-decorated graphene–Si Schottky barrier diode at selected ambient gases
PublikacjaWe report results of the current–voltage characteristics and low-frequency noise in Au nanoparticle (AuNP)-decorated graphene–Si Schottky barrier diodes. Measurements were conducted in ambient air with addition of either of two organic vapors, tetrahydrofuran [(CH2)4O; THF] and chloroform (CHCl3), as also during yellow light illumination (592nm), close to the measured particle plasmon polariton frequency of the Au nanoparticle...
-
SiC-based phase-shift dual half bridge DC-DC converter as a key component of multilevel cascaded MV converters
PublikacjaThe paper describes SiC-based dual half bridge (DHB) DC-DC converter considered as a key component of high frequency isolated multilevel cascaded medium voltage converters. Two topologies of bi-directional DC-DC converters: the resonant half-bridge DC-DC converter and the phase-shift DHB converter are compared in the paper. Experimental results of SiC-based 50 kHz DHB DC-DC converter are presented in the paper.
-
Investigation of RTS Noise in Reverse Polarized Silicon Carbide Schottky Diodes
PublikacjaOne of the method of electronic device quality and reliability evaluation is observation of its inherent noise. The RTS phenomena usually indicates the presence of large defects in the structure of the material of the device, therefore it can be treated as an indicator of technology quality. In the paper authors present results of RTS investigations in reverse polarized Silicon Carbide Schottky diodes. Devices being studied are...
-
Probability distribution of flicker noise in AuNPdecorated graphene–Si Schottky barrier diode
PublikacjaWe present results of the probability distribution analysis of flicker noise generated in Au nanoparticle (AuNP) decorated graphene–Si Schottky barrier diodes with and without yellow light illumination (592 nm), close to the localized surface plasmon resonance in the AuNPs (586 nm). The AuNPs occupy imperfections in the single-layer graphene and reduce the flicker noise intensity generated in the graphene layer. The estimated probability...
-
Napęd z silnikiem indukcyjnym i 4-gałęziowym falownikiem SiC do turbosprężarek powietrza ogniw paliwowych dużej mocy
PublikacjaWysoka cena ogniw paliwowych utrudnia ich szerokie zastosowanie w transporcie i przemyśle. Należy szukać możliwości obniżenia ich kosztu również poprzez obniżenie kosztu i zwiększenie wydajności urządzeń pomocniczych ogniwa paliwowego (Balance of the Plant). Autorzy proponują aby w napędzie sprężarki powietrza, zastosować wysokoobrotowy silnik indukcyjny, który jest tańszy od stosowanych obecnie silników PMSM. W referacie zaproponowano...
-
SiC-based T-type modules for multi-pulse inverter with coupled inductors
PublikacjaThe paper presents SiC-based three-level T-type modules designed for a high-performance 30kVA DC/AC inverter operating at high frequency 85 kHz with low THD of the output voltage. This inverter system consists of two integrated parts. The first part is active and contains three parallelconnected three-phase T-type modules built with fast-switching SiC power transistors. The second, passive part of the system is a set of inductors...
-
SiC-Based Power Electronic Traction Transformer (PETT) for 3 kV DC Rail Traction
PublikacjaThe design of rolling stock plays a key role in the attractiveness of the rail transport. Train design must strictly meet the requirements of rail operators to ensure high quality and cost-eective services. Semiconductor power devices made from silicon carbide (SiC) have reached a level of technology enabling their widespread use in traction power converters. SiC transistors oering energy savings, quieter operation, improved reliability...
-
Applying molecular dynamics simulation to take the fracture fingerprint of polycrystalline SiC nanosheets
PublikacjaGraphene-like nanosheets are the key elements of advanced materials and systems. The mechanical behavior of the structurally perfect 2D nanostructures is well documented, but that of polycrystalline ones is less understood. Herein, we applied molecular dynamics simulation (MDS) to take the fracture fingerprint of polycrystalline SiC nanosheets (PSiCNS), where monocrystalline SiC nanosheets (MSiCNS) was the reference nanosheet....
-
Pomiary parametrów i charakterystyk statycznych, dynamicznych, szumowych i termicznych przyrządów z SiC
PublikacjaW artykule przedstawiono podsumowanie wyników projektu pt. Pomiary parametrów i charakterystyk statycznych, dynamicznych, szumowych i termicznych przyrządów z SiC.
-
Trójfazowy 4-gałęziowy falownik SiC w napędzie z wysokoobrotowym silnikiem indukcyjnym
PublikacjaZastosowanie tranzystorów SiC w falownikach napędów wysokoobrotowych powoduje nowe wyzwania,szczególnie odnośnie generowanego w falowniku napięcia common mode (CM) o wysokiej częstotliwości. Wysokoczęstotliwościowe napięcie CM wchodzi w interakcję z pojemnościami pasożytniczymi falownika, kabla i silnika wymuszając przepływ prądów CM, które są źródłem strat w filtrach pasywnych oraz powodują zakłócenia pomiarów prądów, nieakceptowalne...
-
Trójfazowy 4-gałęziowy falownik SiC w napędzie z wysokoobrotowym silnikiem indukcyjnym
PublikacjaZastosowanie tranzystorów SiC w falownikach napędów wysokoobrotowych powoduje nowe wyzwania, szczególnie odnośnie generowanego w falowniku napięcia common mode (CM) o wysokiej częstotliwości. Wysokoczęstotliwościowe napięcie CM wchodzi w interakcję z pojemnościami pasożytniczymi falownika, kabla i silnika wymuszając przepływ prądów CM, które są źródłem strat w filtrach pasywnych oraz powodują zakłócenia pomiarów prądów, nieakceptowalne...
-
Electrical responses of Graphene-Silicon Schottky diodes toward nitrogen dioxide and tetrahydrofuran under irradiation
Dane BadawczeGraphene-Silicon Schottky junctions were utilized as gas sensors toward inorganic (nitrogen dioxide) and organic (tetrahydrofuran) gas qualitative and quantitative detection. The electrical responses of the sensors were collected in the form of current-voltage characteristics and measurements of current in time domain for a selected voltage bias. The...
-
Hybrydowa koncepcja łagodzenia stromości zmian napięcia du/dt dla wielopoziomowych przekształtników kaskadowych SiC
PublikacjaW referacie zaproponowano nową hybrydową koncepcję łagodzenia stromości zmian napięcia du/dt w wielopoziomowych przekształtnikach kaskadowych SiC. Proponoana koncepcja polega na wykorzystaniu nietłumionego filtra du/dt, podatnego na rezonans oraz zastosowaniu w algorytmie sterowania PWM dodatkowych impulsów sterujących tranzystorami SiC MOSFET, wymuszających rezonansowe przełączanie napięcia na wyjściu filtra. Efekt zmniejszenia...
-
Hybrydowa koncepcja łagodzenia stromości zmian napięcia du/dt dla wielopoziomowych przekształtników kaskadowych SiC
PublikacjaW referacie zaproponowano nową hybrydową koncepcję łagodzenia stromości zmian napięcia du/dt w wielopoziomowych przekształtnikach kaskadowych SiC. Proponowana koncepcja polega na wykorzystaniu nietłumionego filtra du/dt, podatnego na rezonans oraz zastosowaniu w algorytmie sterowania PWM dodatkowych impulsów sterujących tranzystorami SiC MOSFET, wymuszających rezonansowe przełączanie napięcia na wyjściu filtra. Efekt zmniejszenia...
-
Design of a SiC based triple active bridge ceil for a multi-megawatt DC-DC converter
PublikacjaThe paper describes the design methodology of a novel Triple Active Bridge cell used as the building block for modular DC-DC converters. The intended application is for Medium Voltage Direct Current grids, such as the DC collector for offshore wind farms. The latest generation of SiC MOSFET semiconductors is utilized to operate in the medium frequency range while optimizing the efficiency. The dimensioning of the main cell components,...
-
SiC coating in ring-on-ring sliding with distlled water lubrication 5MPa, 0.1m/s specimn. #B34/#A33
Dane BadawczeWear tests in sliding friction of SiC coating on 1.4021 (EN 10088-1) heat treated stainless steel. Ring - on - ring contact in unidirectional sliding, SiC over SiC. Mean contact stress: 5MPa. Sliding velocity: 0,1 m/s. Mean friction radius: 9.5mm. Lubricant: DISTILLED WATER. Tribometer: PT-3. Overall test time till coating penetration 3 min. The test...
-
SiC coating in ring-on-ring sliding with distlled water lubrication 5MPa, 0.1m/s specimn. #A33/#B34
Dane BadawczeWear tests in sliding friction of SiC coating on 1.4021 (EN 10088-1) heat treated stainless steel. Ring - on - ring contact in unidirectional sliding, SiC over SiC. Mean contact stress: 5MPa. Sliding velocity: 0,1 m/s. Mean friction radius: 9.5mm. Lubricant: DISTILLED WATER. Tribometer: PT-3. Overall test time till coating penetration 3 min. The test...
-
Improvement of microstructure and mechanical properties of high dense sic ceramics manufactured by high-speed hot pressing
PublikacjaNon-oxide ceramics possess high physical-mechanical properties, corrosion and radiation resistance, which can be used as a protective materials for radioactive wastes disposal. The aim of the present study was the manufacturing of high density SiC ceramics with advanced physical and mechanical parameters. The high performance on the properties of produced ceramics was determined by the dense and monolithic structure. The densified...
-
SiC coating in ring-on-ring sliding with saline solution (0.9%) lubrication 5MPa, 0.1m/s specimn. #B37/#A35
Dane BadawczeWear tests in sliding friction of SiC coating on 1.4021 (EN 10088-1) heat treated stainless steel. Ring - on - ring contact in unidirectional sliding, SiC over SiC . Mean contact stress: 5MPa. Sliding velocity: 0,1 m/s. Mean friction radius: 9.5mm. Lubricant: SALINE SOLUTION (0.9%). Tribometer: PT-3. Overall test time till coating penetration 3 min.Secimen...
-
SiC coating in ring-on-ring sliding with saline solution (0.9%) lubrication 5MPa, 0.1m/s specimn. #A35/#B37
Dane BadawczeWear tests in sliding friction of SiC coating on 1.4021 (EN 10088-1) heat treated stainless steel. Ring - on - ring contact in unidirectional sliding, SiC over SiC . Mean contact stress: 5MPa. Sliding velocity: 0,1 m/s. Mean friction radius: 9.5mm. Lubricant: SALINE SOLUTION (0.9%). Tribometer: PT-3. Overall test time till coating penetration 3 min.Secimen...
-
Small-signal admittance for Schottky-Richardson emission into an organic layer
PublikacjaPraca przedstawia małosygnalową admitancję emisji Schottky'ego-Richardsona do warstwy organicznej. Analiza obejmuje obie składowe zespolonej odpowiedzi.
-
Oszacowanie korelacji między źródłami prądowymi zlokalizowanymi w bramce i drenie tranzystora MESFET SiC
PublikacjaPrzedstawiono metodę umożliwiającą szybką ocenę korelacji między szumami generowanymi w bramce oraz w drenie tranzystorów MESFET SiC. Badania przeprowadzono dla tranzystorów CRF-24010 firmy CREE. Korelację oszacowano z przebiegów czasowych szumów w zakresie małych częstotliwości (od 2 Hz do 2 kHz), przy trzech różnych wartościach prądu drenu: Id = 1; 5; 10 mA. Porównano wynik oszacowania korelacji (dziedzina czasu) z wyznaczoną...
-
Selection of measurement frequency in Mott–Schottky analysis of passive layer on nickel
Publikacja -
DFT modelling of the edge dislocation in 4H-SiC
Publikacja -
The Low Frequency Noise Behaviour of SiC MESFETs
Publikacja -
Hybrid high-frequency-SiC and line-frequency-Si based PEBB for MV modular power converters
PublikacjaIzolowane przekształtniki DC-DC o sterowanym kącie przesunięcia napięć strony pierwotnej i wtórnej są kluczowymi elementami współczesnych modułowych przekształtników energoelektronicznych średniego napięcia (SN). W porównaniu do konwencjonalnych przekształtników SN, przekształtniki modułowe z izolowanymi przetwornicami DC-DC nie wymagają izolacji w postaci wielkogabarytowych transformatorów o częstotliwości sieci. Zastosowanie...
-
Przekształtnik SiC DC-DC z transformatorem macierzowym do pokładowych ładowarek baterii akumulatorów taboru 3kV DC
PublikacjaBaterie akumulatorów pojazdów trakcyjnych zapewniają zasilanie krytycznych systemów, takich jak sterowanie i oświetlenie. Zgodnie z wymaganiami przemysłu kolejowego, pokładowa ładowarka baterii akumulatorów powinna być urządzeniem kompaktowym, wysokosprawnym, a jednocześnie wysoce niezawodnym. W referacie, do pokładowego ładowania akumulatorów pociągu zaproponowano kompaktowy przekształtnik SiC DC-DC z transformatorem macierzowym...
-
Przekształtnik SiC DC-DC z transformatorem macierzowym do pokładowych ładowarek baterii akumulatorów taboru 3kV DC
PublikacjaBaterie akumulatorów pojazdów trakcyjnych zapewniają zasilanie krytycznych systemów, takich jak sterowanie i oświetlenie. Zgodnie z wymaganiami przemysłu kolejowego, pokładowa ładowarka baterii akumulatorów powinna być urządzeniem kompaktowym, wysokosprawnym, a jednocześnie wysoce niezawodnym. W referacie, do pokładowego ładowania akumulatorów pociągu zaproponowano kompaktowy przekształtnik SiC DC-DC z transformatorem macierzowym...
-
The Mott-Schottky characteristics of microwave pulsed-plasma polymerized allylamine by DEIS analysis
Dane BadawczeThe dataset contains the results obtained for the Mott-Schottky analysis of the microwave pulsed-plasma polymerized allylamine using the multifrequency perturbation signal with Dynamic Electrochemical Impedance Spectroscopy (DEIS) technique. The results were obtained using the perturbation composed of the elementary signals with a frequency range between...
-
Schottky Junction-Driven Photocatalytic Effect in Boron-Doped Diamond-Graphene Core–Shell Nanoarchitectures: An sp3/sp2 Framework for Environmental Remediation
PublikacjaSelf-formation of boron-doped diamond (BDD)-multilayer graphene (MLG) core–shell nanowalls (BDGNWs) via microwave plasma-enhanced chemical vapor deposition is systematically investigated. Here, the incorporation of nitrogen brings out the origin of MLG shells encapsulating the diamond core, resulting in unique sp3/sp2 hybridized frameworks. The evolution mechanism of the nanowall-like morphology with the BDD-MLG core–shell composition...
-
Marek Adamowicz dr hab. inż.
OsobyStopień naukowy doktora uzyskał w 2008 r. na Wydziale Elektrotechniki i Automatyki Politechniki Gdańskiej. W latach 2005 – 2011 pracował na Akademii Morskiej w Gdyni. W 2010 r. jako laureat programu NCBR LIDER wybrał Wydział Elektrotechniki i Automatyki Politechniki Gdańskiej jako jednostkę realizującą swój projekt z zakresu szerokopasmowych przyrządów półprzewodnikowych i ich zastosowań w elektrowniach wiatrowych. Od 2011 roku...
-
On doubts about Mott-Schottky plot of organic planar heterojunction in photovoltaic cell
PublikacjaNa wykresie Motta-Schottky'ego przedstawione są wyniki pomiarów przeprowadzonych na komórkach fotowoltaicznych z planarnym heterozłączem organicznym. W pracy pokazano, że fotowoltaiczne układy z planarnym heterozłączem organicznym, podobnie jak planarne złącza półprzewodnikowe, mogą prowadzić do liniowych charakterystyk na wykresie Motta-Schottky'ego. Pokazano jednak, że parametry uzyskane z analizy otrzymanych prostych nie mogą...
-
Low Frequency Noise Measurement of Reverse Polarized Silicon Carbide Schottky Diodes
PublikacjaW artykule przedstawiono wyniki pomiaró szumów cz. wstecznie spolaryzowanych diod Schottky'ego.
-
Ocena parametrów statycznych diod Schottky'ego z SiC
PublikacjaPrzedstawiono wyniki pomiarów parametrów statycznych 3 prób diod Schottky'ego produkcji CREE i 2 prób diod Schottky'ego produkcji INFINEON. Stwierdzono, że charakterystyki przy polaryzacji diod w kierunku przewodzenia są w zasadzie identyczne, natomiast przy polaryzacji w kierunku zaporowym wykazują istotne różnice, szczególnie w zakresie napięć w kierunku zaporowym powyżej 600 V
-
Hydrogen activated axial inter-conversion in SiC nanowires
Publikacja -
Failure analysis of a high-speed induction machine driven by a SiC-inverter and operating on a common shaft with a high-speed generator
PublikacjaDue to ongoing research work, a prototype test rig for testing high-speed motors/generators has been developed. Its design is quite unique as the two high- speed machines share a single shaft with no support bearings between them. A very high maximum operating speed, up to 80,000 rpm, was required. Because of the need to minimise vibration during operation at very high rotational speeds, rolling bearings were used. To eliminate...
-
Sic-A Journal of Literature Culture and Literary Translation
Czasopisma