Wyszukiwarka
Wyniki wyszukiwania dla: transoptor
-
Bible Translator
Czasopisma -
Organic filed effect transistor with zinc phthalocyanine.
PublikacjaW pracy przedstawiono wyniki badań doświadczalnych organicznego tranzystora polowego z warstwą ftalocyjaniny cynku. Jako podłoże zastosowano wysoko domieszkowane wafle krzemu pokryte warstwą tlenku krzemu (IV) o grubości 100 nm, na którą techniką fotolitograficzną była naniesiona struktura elektrod (tzw. geometria dolnych kontaktów). Złote elektrody źródła i drenu tworzyły kanał o długości 5 m (jest to odległość między elektrodą...
-
SYSTEM IDENTYFIKACJI SZUMÓW RTS TRANSOPTORÓW CNY17
PublikacjaW artykule opisano zaprojektowany i wykonany system do identyfikacji szumów wybuchowych (RTS – Random Telegraph Signal) występujących w transoptorach typu CNY17. Z metod umożliwiających ocenę parametrów szumów wybuchowych wybrano do realizacji metodę Wzorów Obrazów Szumów – WOS (ang. Noise Scattering Patterns – NSP), która w sposób bardzo prosty pozwala na rozpoznawanie szumów o rozkładach wartości chwilowych gaussowskich i niegaussowskich....
-
The behavioural model of graphene field-effect transistor
PublikacjaThe behavioural model of a graphene field-effect transistor (GFET) is proposed. In this approach the GFET element is treated as a “black box” with only external terminals available and without considering the physical phenomena directly. The presented circuit model was constructed to reflect steady-states characteristics taking also into account GFET capacitances. The authors’ model is defined by a relatively small number of equations...
-
Interpreter and Translator Trainer
Czasopisma -
Identyfikacja szumów wybuchowych w dziedzinie czasu
PublikacjaW referacie przedstawiony został system do pomiaru szumów własnych transoptorów. Badane transoptory typu CNY17 składają się z diody LED, fototranzystora i kanału optycznego. System pomiarowy zawiera 3 głowice pomiarowe i dlatego umożliwi pomiar szumów diod LED, fototranzystorów oraz całego elementu, czy transoptora.W referacie przedstawione zostały przykładowe wyniki pomiarów szumów własnych elementów składowych transoptora i transoptora...
-
Graphene field-effect transistor application for flow sensing
PublikacjaMicroflow sensors offer great potential for applications in microfluidics and lab-on-a-chip systems. However, thermal-based sensors, which are commonly used in modern flow sensing technology, are mainly made of materials with positive temperature coefficients (PTC) and suffer from a self-heating effect and slow response time. Therefore, the design of novel devices and careful selection of materials are required to improve the overall...
-
Method of sacrificial anode transistor-driving in cathodic protection system
PublikacjaA magnesium anode driving system has been proposed. A PNP driving transistor has been used. Electrochemical testing in 3%NaCl, results and comparison of the driving system and classic direct anode to cathode connection are presented. The driving system reduced the protection current and stabilized the working conditions of the anode. Higher anode efficiency was achieved. Overprotection and hydrogen embrittlement threats were prevented...
-
Modelling of Graphene Field-Effect Transistor for lectronic sensing applications
PublikacjaA top-gated Graphene Field-Effect Transistor (GFET) suitable for electronic sensing applications was modelled. The applied simulation method reproduces correctly the output transfer GFET characteristics and allows to investigate doping effect caused by different physical, chemical or biological factors. The appearance of additional charge in the system results in the shift of the current-voltage characteristic. This feature could...
-
Analysis of noise properties of the optocoupler device
PublikacjaIn the paper the localization of a source of Random Telegraph Signal noise (RTS noise) in optocoupler devices type CNY 17 were defined. The equivalent noise circuit in low frequency noise for these type optocouplers was proposed.
-
Szumowy model transoptora z uwzględnieniem źródeł szumów typu 1/f^alfa
PublikacjaW publikacji zaprezentowano ideowy zastepczy schemat szumowy transoptora. Schemat przedstawiono na podstawie wyników pomiarów szumów. Schemat zawiera wszystkie źródła szumów, które występują w diodzie LED, fototranzystorze oraz kanale optycznym. Zaprezentowano proces konstruowania modelu szumowego transoptora stoworzonego w programie typu SPICE. Makromodel pozwala modelować wartości parametru alfa, który wykorzystuje się opisu...
-
The Translator: Studies in Intercultural Communication
Czasopisma -
Evolutionary design and optimization of combinational digital circuits with respect to transistor count.
PublikacjaW artykule przedstawiono możliwość wykorzystania algorytmu ewolucyjnego do projektowania i optymalizacji cyfrowych układów kombinacyjnych w odniesieniu do liczby tranzystorów. Zastosowano chromosomy o budowie wielowarstwowej zwiększające wydajność algorytmu. Zaprojektowano, wykorzystując zaproponowaną metodę, cztery układy kombinacyjne o tabelach logicznych wybranych z literatury. Uzyskane wyniki są w wielu przypadkach lepsze...
-
Method of sacrificial anode dual transistor-driving in stray current field
PublikacjaIn order to control a magnesium anode in a stray current interference field, a dual transistor driving system has been proposed. It consisted of a combination of PNP and NPN transistors. Dual transistor driven system and direct anode to cathode connection were electrochemically tested in 3% NaCl solution. The dual transistor driven system increased the anode efficiency and reduced hydrogen evolution and the risk of embrittlement....
-
Identification of Optocoupler Devices with RTS Noise
PublikacjaThe results of noise measurements in low frequency range for CNY 17 type optocouplers are presented. The research were carried out on devices with different values of Current Transfer Ratio (CTR). The methods for identification of Random Telegraph Signal (RTS) in noise signal of optocouplers were proposed. It was found that the Noise Scattering Pattern method (NSP method) enables to identify RTS noise as non-Gaussian component...
-
Open-transistor fault diagnostics in voltage-source inverters by analyzing the load current
PublikacjaPrzedstawiono nową metodę detekcji i lokalizacji uszkodzeń polegających na braku przewodzenia tranzystorów w falownikach napięcia zasilających silniki indukcyjne. Metoda jest rozszerzeniem, opracowanej wcześniej, metody wykorzystującej znormalizowane składowe stałe prądów obciążenia. Znormalizowane wartości średnie prądów powiązano z dodatkowymi wskaźnikami diagnostycznymi, które zawierają informacje o czasie trwania nieprzewodzenia...
-
Open-transistor fault diagnostics in voltage-source inverters by analyzing the load current
PublikacjaA novel method is presented for the detection andisolation of open-transistor faults in voltage-source invertersfeeding low-power AC motors. The method is based onmonitoring two diagnostic signals, one indicating sustained nearzerovalues of output current and thus permitting fault detection,the other permitting the isolation of the particular transistorwhich went faulty. The latter signal is the ratio of the averagephase current...
-
Design Considerations of GaN Transistor Based Capacitive Wireless Power Transfer System
Publikacja -
Analiza wyników pomiarów szumów m. cz. diod LED transoptorów CNY 17
PublikacjaZaprezentowano wyniki pomiarów szumów m. cz. diod transoptorów oraz wyniki badań stacjonarności tych przebiegów. Test stacjonarności został zastosowany do parametrów statystycznych przebiegów szumowych takich jak wartość średnia, wariancja, skośność oraz kurtoza. Stwierdzono, że niemal wszystkie przebiegi szumowe diod transoptorów były stacjonarne.
-
Analiza wyników pomiarów szumów m. cz. diod LED transoptorów CNY 17
PublikacjaZaprezentowano wyniki pomiarów szumów m. cz. diod transoptorów oraz wyniki badań stacjonarności tych przebiegów. Test stacjonarności został zastosowany do parametrów statystycznych przebiegów szumowych takich jak wartość średnia, wariancja, skośność oraz kurtoza. Stwierdzono, że niemal wszystkie przebiegi szumowe diod transoptorów były stacjonarne.
-
Evolutionary optimization of combinational digital circuits with current-mode gates with respect to transistor count
PublikacjaW artykule przedstawiono metodę ewolucyjnej minimalizacji liczby tranzystorów w cyfrowym układzie kombinacyjnym, zrealizownaym z wykorzystaniem bramek pracujących w trybie prądowym. W zastosowanym algorytmie ewolucyjnym zastosowano chromosomy o budowie wielowarstwowej, przez co zwiększono wydajność optymalizacji. Wyniki otrzymane z wykorzystaniem proponowanej metody zostały porównane z rezultatami osiągniętymi za pomocą map Karnough...
-
Low-Voltage LDO Regulator Based on Native MOS Transistor with Improved PSR and Fast Response
PublikacjaIn this paper, a low-voltage low-dropout analog regulator (ALDO) based on a native n-channel MOS transistor is proposed. Application of the native transistor with the threshold voltage close to zero allows elimination of the charge pump in low-voltage regulators using the pass element in a common drain configuration. Such a native pass transistor configuration allows simplification of regulator design and improved performance,...
-
Noise of optoelectronic coupled devices.
PublikacjaOpisano dwa systemy do pomiaru szumów transoptorów. System do pomiaru szumów fototranzystora oraz system do pomiaru szumów transoptora. Przedstawiono porównanie wyników pomiarów szumów 27 transoptorów trzech różnych producentów.
-
Metoda oceny jakości transoptorów na podstawie ich szumów własnych z zakresu małych częstotliwości
PublikacjaWe wstępie rozprawy doktorskiej przedstawiono aktualny stan wiedzy dotyczący zagadnień szumów własnych przyrządów półprzewodnikowych, w szczególności transoptorów. Następnie przedstawiono ocenę parametrów statycznych transoptorów oraz ocenę współczynnika CTR i hFE. Jeden rozdział poświęcono opisowi stanowiska pomiarowego, które wykorzystano do pomiarów szumów własnych diod transoptorów, fototranzystorów transoptorów oraz transoptorów....
-
Noise of optoelectronic coupled devices.
PublikacjaOpisano trzy systemy do pomiaru szumów transoptora a mianowicie: system do pomiaru szumów m. cz. diod LED, system do pomiaru szumów m. cz. fototranzystorów oraz system do pomiaru szumów m. cz. transoptorów. Przedstawiono wyniki pomiaru szumów m. cz. próby 13 transoptorów. Określono współczynnik korelacji między intensywnością szumów a wybranymi parametrami stałoprądowymi tych transoptorów.
-
O kulturowych i leksykalnych problemach tłumacza (na materiale języka fińskiego) [On cultural and lexical problems of a translator – based on the translations from Finnish]
Publikacja -
Doktor Stanisław Ulaszek. Artysta – nauczyciel – tłumacz. Laudacja z okazji Jubileuszu 45-lecia pracy akademickiej [Dr. Stanisław Ulaszek. Artist — teacher — translator. Eulogy for the forty-fifth anniversary of his work as a scholar]
Publikacja -
Doktor Stanisław Ulaszek. Artysta – nauczyciel – tłumacz. Laudacja z okazji Jubileuszu 45-lecia pracy akademickiej akademickiej [Dr. Stanisław Ulaszek. Artist — teacher — translator. Eulogy for the forty-fifth anniversary of his work as a scholar]
Publikacja -
Electrical and noise responses of graphene/AlGaN/GaN field-effect transistor for nitrogen dioxide, teatrahydrofuran, and acetone sensing
Dane BadawczeThis data set consists of raw and modified data concerning current-voltage characteristics and low-frequency noise spectra measured for graphene/AlGaN/GaN field-effect transistor in the ambiance of selected gases (laboratory air, dry and wet synthetic air, nitrogen dioxide, tetrahydrofuran, and acetone). The data show that sensor responses are enhanced...
-
Electrical responses of nanostructured ZrS3 as field-effect transistor for nitrogen dioxide, ethanol, and acetone detection enhanced by visible light
Dane BadawczeSmall-area layers of nanostructured ZrS3 were fabricated and measured in the field-effect transistor configuration. Irradiation with visible light enabled generating photocurrent and increasing the sensitivity to selected ambient gases: nitrogen dioxide, ethanol, and acetone. The data set consists of electrical responses (current vs. voltage characteristics...
-
Badanie stacjonarności przebiegów szumowych w transoptorach cny 17
PublikacjaPrzedstawiono wyniki badań stacjonarności przebiegów szumów własnych diod transoptorów i transoptorów. Ocena stacjonarności szumów własnych z zakresu małych częstotliwości badanych przyrządów dotyczyła stacjonarności parametrów statystycznych szumów własnych: wartości średniej, wariancji, skośności i kurtozy. Stwierdzono, że parametry statystyczne spełniają test stacjonarności, zarówno dla diod transoptorów, jaki i dla transoptorów,...
-
Electrical characteristics simulation of top-gated graphene field-effect transistor (GFET) with 10 μm x 10 μm graphene channel
Dane BadawczeThe presented data set is part of the research on graphene field-effect transistor (GFET) modelling. The calculations were performed with the use of GFET Tool program (https://nanohub.org/resources/gfettool DOI: 10.4231/D3QF8JK5T), which enabled simulation of the drain current (Id) vs. drain voltage (Vd) characteristics for different gate voltages (Vg)...
-
Electrical characteristics simulation of top-gated graphene field-effect transistor (GFET) with 10 μm x 3 μm graphene channel
Dane BadawczeThe presented data set is part of the research on graphene field-effect transistor (GFET) modelling. The calculations were performed with the use of GFET Tool program (https://nanohub.org/resources/gfettool DOI: 10.4231/D3QF8JK5T), which enabled simulation of the drain current (Id) vs. drain voltage (Vd) characteristics for different gate voltages (Vg)...
-
K. Grzelec, J. Staszak-Winkler, Changes in urban transport behaviour and preferences of residents in employment - Gdynia case. Transport Development Challenges in the 21st Century. Proceedings of the 2019 TranSopot Conference. Springer International Publishing .1st ed. 2020. ISBN: 978-3-030-50009-2
Publikacja -
A quasi-2D small-signal MOSFET model - main results
PublikacjaDynamic properties of the MOS transistor under small-signal excitation are determined by kinetic parameters of the carriers injected into the channel, i.e., the low-field mobility, velocity saturation, mobility at the quiescent-point (Q-point), longitudinal electric field in the channel, by dynamic properties of the channel, as well as by an electrical coupling between the perturbed carrier concentration in the channel and the...
-
Gate Driver with Overcurrent Protection Circuit for GaN Transistors
PublikacjaThe improvement of the gate driver for GaN transistor is presented in this paper. The proposed topology contains the overcurrent protectionwith the two-stage turning off and independent control of turn on and off time of the GaN transistor. The operation of driver and its application in thehalf-bridge converter are described using both simulation and prototype measurements. The overcurrent protection was tested in Double Pulse...
-
A current-controlled FET
PublikacjaA novel semiconductor device, viz., Horizontally-Split-Drain Current-Controlled Field-Effect Transistor (HSDCCFET) with two control electrodes is proposed in this works. For the sake of brevity, the device can be called a CCFET. Operating principle of the proposed transistor is based on one of the galvanomagnetic phenomena, the Biot-Savart-Laplace law and a Gradual Channel Detachment Effect (GCDE). The transistor is dedicated...
-
Barbara Stawarz-Graczyk dr inż.
Osoby -
Accurate electrothermal modelling of high frequency DC-DC converters with discrete IGBTs in PLECS software
PublikacjaIn the paper, a novel, improved method of the IGBT junction temperature computations in the PLECS simulation software is presented. The developed method aims at accuracy of the junction temperature computations in PLECS by utilising a more sophisticated model of transistor losses, and by taking into account variability of transistor thermal resistance as a function of its temperature. A detailed description of the proposed method,...
-
RTS Noise in Optoelectronic Coupled Devices
PublikacjaPrzedstawiono wyniki pomiarów szumów z zakresu małuch częstotliwości transoptorów typu CNY17. Pomiary wykonano w systemie zaprojektowanym i skonstruowanym przez Autorów. Stwierdzono występowanie szumów RTS w kilku egzemplarzach badanej próby transoptorów. Przeprowadzono analizę szumów RTS, zarówno w dziedzinie czasu, jak i w dziedzinie częstotliwości. Oszacowano wartość częstotliwości, przy której występują szumy wybuchowe, na...
-
Horizontally-split-drain MAGFET - a highly sensitive magnetic field sensor
PublikacjaWe propose a novel magnetic field sensitive semiconductor device, viz., Horizontally-Split-Drain Magnetic-Field Sensitive Field-Effect Transistor (HSDMAGFET) which can be used to measure or detect steady or variable magnetic fields. Operating principle of the transistor is based on one of the galvanomagnetic phenomena and a Gradual Channel Detachment Effect (GCDE) and is very similar to that of Popovic and Baltes's SDMAGFET. The...
-
Starter for Voltage Boost Converter to Harvest Thermoelectric Energy for Body-Worn Sensors
PublikacjaThis paper examines the suitability of selected configurations of ultra-low voltage (ULV) oscilla-tors as starters for a voltage boost converter to harvest energy from a thermoelectric generator (TEG). Important properties of particularly promising configurations, suitable for on-chip imple-mentation are compared. On this basis, an improved oscillator with a low startup voltage and a high output voltage swing is proposed. The applicability...
-
Oleksandr Melnychenko dr hab.
OsobyOleksandr Melnychenko pracuje na stanowisku profesora w grupie pracowników naukowo-dydaktycznych Katedry Finansów na Wydziale Zarządzania i Ekonomii Politechniki Gdańskiej; jest tłumaczem przysięgłym języka ukraińskiego; przedsiębiorcą z wieloletnim doświadczeniem prowadzenia własnej działalności i zarządzania finansami firm; ma doświadczenie pracy w banku komercyjnym na stanowisku zajmującym się współpracą banku z systemami płatniczymi,...
-
Prediction of ringing frequencies in DC-DC boost converter
PublikacjaIn the paper ringing phenomena in a DC-DC boost converter is presented. The ringing frequency is calculated using an analytical formula. The necessary wide band models of MOSFET transistor, passive and parasitics are described. The calculation results are verified in simulation and laboratory tests.
-
Measurements of Subnanometer Molecular Layers
PublikacjaSelected methods of formation and detection of nanometer and subnanometer molecular layers were shown. Additionally, a new method of detection and measurement with subnanometer resolution of layers adsorbed or bonded to the gate dielectric of the ion selective field effect transistor (ISFET) was presented.
-
The noise macromodel of an optocoupler including 1/(f^alfa) noise source
PublikacjaThe course of design of an optocoupler's PSpice macromodel including noise sources is described. The PSpice macromodel is proposed for the low frequency range. The PSpice model of a MOSFET transistor was applied as the noise source type 1/(f^alfa) in an optocoupler PSpice macromodel. In the enhanced macromodel the value of an exponent α can be changed in the range of 0.8 - 1.25.
-
Detekcja i lokalizacja nieprzewodzenia tranzystorów falownika napięcia na podstawie analizy prądu obciążenia
PublikacjaPrzedstawiono nową metodę detekcji i lokalizacji nieprzewodzenia tranzystorów w falownikach napięcia zasilających silniki indukcyjne małej mocy. Metoda bazuje na monitorowaniu wartości dwóch sygnałów dia-gnostycznych. Pierwszy z nich, wskaźnik braku przepływu prądu, wykorzystano w celu detekcji uszkodzeń. Drugi, stosunek wartości średniej prądu do wartości średniej bezwzględnej, zawiera informacje umożliwiające lokalizację uszkodzonych...
-
Deep-Learning-Based Precise Characterization of Microwave Transistors Using Fully-Automated Regression Surrogates
PublikacjaAccurate models of scattering and noise parameters of transistors are instrumental in facilitating design procedures of microwave devices such as low-noise amplifiers. Yet, data-driven modeling of transistors is a challenging endeavor due to complex relationships between transistor characteristics and its designable parameters, biasing conditions, and frequency. Artificial neural network (ANN)-based methods, including deep learning...
-
Modeling the effect of parasitic capacitances on the dead-time distortion in multilevel NPC inverters
PublikacjaA simple model is derived and verified for evaluating the effect of parasitic capacitances on the dead-time related voltage distortion in multilevel NPC voltage source inverters. The model permits well-defined and precise compensation of dead-time distortion, exhibiting meaningful improvement on compensation methods neglecting the effects of parasitic capacitances. A simple formula is given for evaluating the capacitances as serial/parallel...
-
Growth and Isolation of Large Area Boron‐Doped Nanocrystalline Diamond Sheets: A Route toward Diamond‐on‐Graphene Heterojunction
PublikacjaMany material device applications would benefit from thin diamond coatings, but current growth techniques, such as chemical vapor deposition (CVD) or atomic layer deposition require high substrate and gas‐phase temperatures that would destroy the device being coated. The development of freestanding, thin boron‐doped diamond nanosheets grown on tantalum foil substrates via microwave plasma‐assisted CVD is reported. These diamond...