Wyniki wyszukiwania dla: TRANZYSTORY%20MOS
-
EFEKTYWNOŚĆ EKONOMICZNA HYBRYDOWEJ MIKROINSTALACJI OZE
PublikacjaW artykule przedstawiono warunki pracy mikroelektrowni hybrydowej zainstalowanej w małej firmie mieszczącej się na terenie przemysłowym. Pokazano strukturę i parametry elektrowni składającej się z paneli fotowoltaicznych i elektrowni wiatrowej. Przeanalizowano odbiorniki energii oraz warunki pobierania mocy biernej. Dla wybranego okresu czasu pokazano zużycie oraz produkcję energii elektrycznej i energię zużytą na potrzeby firmy...
-
Piotr Jasiński prof. dr hab. inż.
OsobyPiotr Jasinski obtained MSc in electronics in 1992 from the Gdansk University of Technology (GUT), Poland. Working at GUT, he received PhD in 2000 and DSc in 2009. Between 2001 and 2004 Post Doctoral Fellow at Missouri University of Science and Technology, while between 2008 and 2010 an Assistant Research Professor. Currently is an Associate Professor at Gdansk University of Technology working in the field of electronics, biomedical...
-
Paweł Szczepankowski dr hab. inż.
Osoby -
A non-quasi-static small-signal model of the four-terminal MOSFET for radio and microwave frequencies.
PublikacjaW pracy zaprezentowano nowy małosygnałowy model tranzystora MOS, w którymuwzględnia się efekt nasycenia prędkości nośników. Model jest spójny fizycznie i może być stosowany w analizie dowolnej konfiguracji włączenia tranzystora.
-
Admitancja wejściowa i transadmitacyjna MOSFET'a w zakresie b. w. cz.
PublikacjaBazując na nowym nie quasi-statycznym modelu małosygnałowym tranzystora MOS, przeanalizowano i zweryfikowano eksperymentalnie aż do 30 GHz małosygnałową admitancję wejściową i transadmitancję tego elementu - dwa ważne i budzące najwięcej wątpliwości parametry macierzy admitancyjnej tranzystora.
-
FTIR spectra of gas mixtures from the methanation chamber filled with 50-50wt.% NiO-GDC
Dane BadawczeThe dataset includes the FTIR spectra collection of the outlet gas mixtures (CO2, CO, CH4) from reactor chamber filled with 50/50 wt.% NiO-GDC (Gadolinia Doped Ceria 20mol.%Gd2O3) catalyst for perfoming methanation reaction. The inlet gas mixture was composed of 3:1 by vol. H2:CO. Spectra were collected using PerkinElmer FTIR every 1 min.
-
High-performance analog circuits : bipolar noise
PublikacjaOmówiono typowe źródła szumów występujące w tranzystorach bipolarnych, a mianowicie: cieplne, śrutowe, generacyjno-rekombinacyjne, 1/f, 1/f2, wybuchowe (RTS),lawinowe. Przedstawiono szumowy schemat zastępczy tranzystora bipolarnego oraz opisano wydajności poszczególnych źródeł szumów. Przytoczono informacje o zastępczej rezystancji tranzystora szumów oraz współczynniku szumów.
-
Electronic conductivity in Na2O-FeO-P2O5 glasses. oz.
PublikacjaZbadano przewodnictwo stałe i zmiennoprądowe w szkłach: 50P2O5-(50-x)FeO-xNa2O i 50P2O5-(50-x)FeO-xCaO, gdzie x zmieniano od 7 do 20mol%. Wykazano,że zamiana CaO na Na2O w małym stopniu zmienia przewodnictwo elektryczne szkieł, co sugeruje, że przewodnictwo w szkłach zawierających Na2O ma charakter elektronowy. Do badania procesów migracji elektronów i jonów zastosowano metodę tarcia wewnętrznego. W widmie tarcia wewnętrznego...
-
Open-transistor fault diagnostics in voltage-source inverters by analyzing the load current
PublikacjaPrzedstawiono nową metodę detekcji i lokalizacji uszkodzeń polegających na braku przewodzenia tranzystorów w falownikach napięcia zasilających silniki indukcyjne. Metoda jest rozszerzeniem, opracowanej wcześniej, metody wykorzystującej znormalizowane składowe stałe prądów obciążenia. Znormalizowane wartości średnie prądów powiązano z dodatkowymi wskaźnikami diagnostycznymi, które zawierają informacje o czasie trwania nieprzewodzenia...
-
Dokładne generowanie wektora napięcia wyjściowego w falowniku napięcia z modulacją szerokości impulsów
PublikacjaW artykule dokonano analizy wpływu parametrów tranzystorów mocy wykorzystanych do budowy falownika napięcia na dokładność generowania wektora napięcia wyjściowego. Zaproponowano metodę modulacji szerokości impulsów, w której zredukowany został wpływ zjawisk związanych z właściwościami tranzystorów mocy na napięcie generowane w falowniku. Przedstawiono przebiegi prądów fazowych falownika, w którym zaimplementowano proponowane rozwiązanie.
-
The Low-frequency Noise of SiC MESFETs
PublikacjaPrzedstawiono system do pomiaru szumów małoczestotliwościowych tranzystorów SiC MESFET oraz przykładowe wyniki pomiarów.
-
Exact generation of voltage vector in voltage inverter with pulse width modulation
PublikacjaW artykule zaproponowano metodę modulacji szerokości impulsów dla falownika napięcia. Proponowana metoda rozwiązuje problemy związane z kompensacją czasów martwych oraz kompensacją wpływu parametrów łączników energolelektronicznych na napięcie wjściowe falownika. W artykule zaprezentowano metodę kompensacji między innymi pojemności pasożytniczych tranzystorów, dyskretyzacji czasów załączeń tranzystorów. Przedstawiona metoda modulacji...
-
Dielectric strenght of the ultra - short fuse
PublikacjaW referacie omówiono współpracę ultraszybkiego bezpiecznika z bezstykowymhybrydowym ogranicznikiem prądów. Przeanalizowano wytrzymałość kanału połukowego bezpiecznika w zależności od długości topika oraz czasu działania tranzystora IGBT. Omówiono warunki i wyniki badań eksperymentalnych.
-
The current amplifier in low frequency noise measurements; Absolute calibration and rigorous 1/f noise extraction for MOSFET´s
PublikacjaPrzedstawiono budowę wzmacniacza prądowego i sposób obliczania szumów wyjściowych przy dołączonym do wejścia rezystorze wzorcowym. Przedstawiono wyniki eksperymentów potwierdzających prawidłowość przyjętego sposobu postępowania. Zaproponowano metodę wyznaczania składowej 1/f szumów drenu tranzystora MOSFET.
-
A non-quasi-static-signal MOSFET model for radio and microware frequencies including spreading gate resistances and capacitaces.
PublikacjaZaprezentowano nowy, spójny fizycznie nie-quasi-statyczny model małosygnałowy tranzystora MOS słuszny od 0 Hz aż do częstotliwości mikrofalowych. Scharakteryzowano właściwości nowego czterokońcówkowego modelu. Model został zweryfikowany eksperymentalnie aż do częstotliwości 27 GHz.
-
Quasi-dwuwymiarowe równanie ciagłości dla procesów dynamicznych w tranzystorach polowych
PublikacjaW oparciu o dwuwymiarowy model fizyczny i matematyczny tranzystora polowego zaproponowano quasi-dwuwymiarowy model umożliwiający wyprowadzenie równania ciągłości dla nośników nadmiarowych w przypadku małych zaburzeń ich koncentracji. Rozważania przeprowadzono startując od najbardziej podstawowych praw fizyki.
-
A quasi-2D small-signal MOSFET model - main results
PublikacjaMain results stemming from a new quasi 2D non-quasi-static small-signal four-terminal model of the MOSFET are presented in this work. The model is experimentally verified up to 30 GHz.
-
Marek Adamowicz dr hab. inż.
OsobyStopień naukowy doktora uzyskał w 2008 r. na Wydziale Elektrotechniki i Automatyki Politechniki Gdańskiej. W latach 2005 – 2011 pracował na Akademii Morskiej w Gdyni. W 2010 r. jako laureat programu NCBR LIDER wybrał Wydział Elektrotechniki i Automatyki Politechniki Gdańskiej jako jednostkę realizującą swój projekt z zakresu szerokopasmowych przyrządów półprzewodnikowych i ich zastosowań w elektrowniach wiatrowych. Od 2011 roku...
-
Trójfazowy falownik napięcia z tranzystorami SiC JFET
PublikacjaW referacie przedstawiono konstrukcję oraz wyniki badań trójfazowego falownika napięcia zbudowanego z wykorzystaniem diod Schottky oraz tranzystorów JFET z węglika krzemu (SiC). Znacznie krótsze czasy przełączeń tych elementów w porównaniu z tranzystorami IGBT i diodami na bazie krzemu (Si) umożliwiają pracę układu z częstotliwością 100 kHz i wyższą. Małe energie przełączeń oraz mała rezystancja drenu tranzystorów SiC JFET pozwalają...
-
Wysokosprawne układy aktywnej filtracji wyjściowej w przekształtnikach elektrowni wiatrowych
PublikacjaCzęstotliwość pracy tranzystorów w przekształtnikach elektrowni wiatrowych średniej mocy jest ograniczona (1kHz-10kHz), co wymaga stosowania od strony sieci filtrów pasywnych o znacznych gabarytach. W referacie omówiono możliwość zastosowania wysokosprawnego wspomagającego filtra aktywnego z przyrządami z węglika krzemu zapewniającego eliminację wysokoczęstotliwościowych zmian prądu sieciowego (tzw. rippli) przy jednoczesnym zmniejszeniu...
-
Design of a 3.3V four-quadrant analog CMOS multiplier
PublikacjaW pracy przedstawiono dwa czterokwadrantowe mnożniki analogowe CMOS pracujące przy napięciu zasilania 3.3V. Układy wykorzystują tranzystory MOS pracujące zarówno w zakresie nasycenia jak i w zakresie triodowym. Wyniki symulacji komputerowych pokazują, że współczynnik zawartości harmonicznych (THD) sygnału wyjściowego jest mniejszy niż 0.75% dla sygnału wejściowego o amplitudzie 1V o częstotliwości 10MHz. Pasmo 3dB układu wynosi...
-
Piotr Płotka dr hab. inż.
OsobyPiotr Płotka otrzymał tytuł zawodowy magistra inżyniera w 1976 r., a stopień doktora w dyscyplinie elektronika w 1985 r. – nadane przez Wydział Elektroniki Telekomunikacji i Informatyki Politechniki Gdańskiej. W 2008 r. otrzymał stopień doktora habilitowanego, także w dyscyplinie elektronika, nadany przez Instytut Technologii Elektronowej w Warszawie. Od 1977 r. pracował w Akademii Techniczno-Rolniczej w Bydgoszczy, a od 1981...
-
Szerokopasmowy model uogólnionego łącznika energoelektronicznego
PublikacjaPrzedstawiono rezultat wstępnych prac nad modelem IGBT przydatnym do symulacji wymagających odwzorowania stanów dynamicznych tranzystora. Zrezygnowano z metody potencjałów węzłowych na rzecz metody zmiennych stanu. Sprawdzono zachowanie klasycznego modelu z nieliniowymi pojemnościami zaciskowymi, których charakterystyki dobrano na podstawie danych katalogowych. Przedstawiono przykład rozszerzenia modelu.
-
Detection of Face Position and Orientation Using Depth Data
PublikacjaIn this paper an original approach is presented for real-time detection of user's face position and orientation based only on depth channel from a Microsoft Kinect sensor which can be used in facial analysis on scenes with poor lighting conditions where traditional algorithms based on optical channel may have failed. Thus the proposed approach can support, or even replace, algorithms based on optical channel or based on skeleton...
-
Noise in semiconductor devices
PublikacjaOmówiono typowe źródła szumów występujące w przyrządach pólprzewodnikowych, a mianowicie: cieplne, śrutowe, generacyjno-rekombinacyjne, 1/f, 1/f2, wybuchowe (RTS), lawinowe. Przedstawiono szumowe schematy zastępcze tranzystora bipolarnego, JFET i MOSFET oraz opisano wydajności poszczególnych źródeł szumów. Zasugerowano jak dobierać przyrządy półprzewodnikowe do małoszumowych układów w zakresie małych częstotliwości.
-
Rezystor aktywny CMOS oraz jego zastosowanie do budowy wzmacniacza transkonduktancyjnego.
PublikacjaRezystory aktywne są szeroko stosowane w układach analogowych. Jednym z bardzo ważnych zastosowań jest ich użycie jako elementu linearyzującego stałoprądowe charakterystyki przejściowe wzmacniacza różnicowego wykonanego w postaci pary tranzystorów MOS. W niniejszym artykule przedstawiono w pełni różnicowy, aktywny rezystor MOS. Składa się on z dwóch tranzystorów MOS oraz dwóch nieuziemionych źródeł napięciowych. Jako wykorzystanie...
-
Effect of contactless hybrid current limiter on voltage dips in power system
PublikacjaW referacie przedstawiono działanie hybrydowego niskonapięciowego ogranicznika prądu zwarciowego, składającego się z ultraszybkiego bezpiecznika, tranzystora mocy i warystora. W szczególności omówiono możliwości polepszenia jakości dostarczanej do odbiorców energii elektrycznej. Zastosowanie hybrydowego ogranicznika prądu znacznie ogranicza czasy trwania zapadów napięcia w systemie elektroenergetycznym. Obliczenia wykonano przy...
-
Effect of contactless hybrid current limiter on voltage dips in power system.
PublikacjaW referacie przedstawiono działanie hybrydowego niskonapięciowego ogranicznika prądu zwarciowego, składającego się z ultraszybkiego bezpiecznika, tranzystora mocy i warystora. W szczególności omówiono możliwości polepszenia jakości dostarczanej do odbiorców energii elektrycznej. Zastosowanie hybrydowego ogranicznika prądu znacznie ogranicza czasy trwania zapadów napięcia w systemie elektroenergetycznym. Obliczenia wykonano przy...
-
Device characteristics extraction by low frequency noise measurements; Someresults on the state-of-the-art MOSFET´s
PublikacjaPrzedstawiono wyniki pomiarów i analizy szumów tranzystorów MOSFET z izolatorem bramki wykonanym z SiO2 i HfO2. Wyniki pomiarów wykorzystano do oszacowania gęstości aktywnych stanów na powierzchni użytego tlenku i porównano z wynikami otrzymanymi metodą charge-pumping.
-
Low frequency noise and reliability properties of 0.12um CMOS devices with Ta2O5 as gate dielectrics
PublikacjaW artykule przedstawiono wyniki badań jakości tranzystorów CMOS 0.12um z Ta2O5 użytym jako dielektryk bramki. Przedstawione są charakterystyki statyczne elementów oraz wyniki pomiarów szumów prowadzonych w celu określenia jakości warstwy dielektrycznej Ta2O5, a także wyniki badań przeciążeniowych elementów.
-
Dynamiczny model uogólnionego łącznika energoelektronicznego do symulacji układów przekształtnikowych
PublikacjaZaproponowano strategię modelowania, w której po określeniu postaci modelu dobiera się numeryczne metody obliczeniowe stosowane w symulacji. Przedstawiono opracowany uogólniony, nieliniowy model tranzystora mocy IGBT. Przyjęto, że do określenia parametrów tego modelu powinna wystarczać znajomość standardowych, katalogowych para-metrów i charakterystyk. Przedstawiono model zaciskowy o klasycznej strukturze, odwzorowujący z wystarczającą...
-
Nowy sposób generowania wektora napięcia wyjściowego w falowniku napięcia
PublikacjaW artykule przedstawiono metodę modulacji szerokości impulsów,w której wyeliminowano problemy związane z kompensacją wpływu czasu martwego w zakresie niskich częstotliwości napięcia wyjściowego. W algorytmie modulacji skorygowane zostały błędy generowania napięcia wyjściowego związane z pojemnościami pasożytniczymi tranzystorów mocy.
-
A boost topology active power factor corrector.
PublikacjaPrzedstawiono układ analogowego aktywnego korektora zbudowanego na układzie scalonym kontrolera PWM oraz tranzystorem MOS jako okresowo przełączonym kluczem. Układ korektora zapewnia pobór prądu z sieci energetycznej w postaci przebiegu prawie sinusoidalnego o małych zniekształceniach i w fazie z sinusoidalnym napięciem sieci.
-
Modelowanie wpływu pojemności pasożytniczych oraz czasu martwego na napięcia wyjściowe falowników wielopoziomowych typu NPC
PublikacjaPrzedstawiono wpływ pojemności pasożytniczych na zniekształcenia napięcia wyjściowego wielopoziomowych falowników typu NPC spowodowane wprowadzeniem czasu martwego. Opracowany model pozwala na dokładny opis zniekształceń napięcia oraz jego precyzyjną kompensację znacząco poprawiając jakość formowanego napięcia w szczególności w porównaniu z metodami kompensacji nie uwzględniającymi wpływu pojemności Pasożytniczych. Pojemność pasożytnicza...
-
Modulacja szerokości impulsów w falownikach prądu
PublikacjaW pracy zaproponowano nową metodę modulacji szerokości impulsów dla falowników prądu. Prezentowana metoda modulacj pozwala na eliminację przepięć związanych z obecnością pojemności pasożytniczych tranzystorów mocy i posożytniczymi indukcyjności w obwodzie komutacyjnym. Dodatkowo umożliwia zwiększenie dokładności pomiarów zmiennych wykorzystywanych w układzie sterowania maszyną elektryczną
-
Modulacja szerokości impulsów w falownikach prądu
PublikacjaW pracy zaproponowano nową metodę modulacji szerokości impulsów dla falowników prądu. Prezentowana metoda modulacj pozwala na eliminację przepięć związanych z obecnością pojemności pasożytniczych tranzystorów mocy i posożytniczymi indukcyjności w obwodzie komutacyjnym. Dodatkowo umożliwia zwiększenie dokładności pomiarów zmiennych wykorzystywanych w układzie sterowania maszyną elektryczną
-
Wpływ parametrów elementów układu przetwornicy rezonansowej dc-dc na zachowanie warunków miękkiej komutacji.
PublikacjaW artykule zaprezentowano topologię układu przetwornicy rezonansowej DC-DC, zapewniającą bezprądową oraz beznapięciową komutację tranzystorów (ZVZCS). Warunki miękkiej komutacji uzyskano dzięki zastosowaniu dławika dzielonego oraz dodatkowego obwodu LC. W oparciu o badania symulacyjne przeanalizowano wpływ parametrów wybranych elementów na pracę przetwornicy DC-DC.
-
Detekcja i lokalizacja uszkodzeń falownika napięcia w czasie rzeczywistym
PublikacjaW artykule przedstawiono nową metodę detekcji i lokalizacji uszkodzeń tranzystorów w falownikach napięcia. Jako zmienną diagnostyczną wykorzystano stosunek składowej stałej do podstawowej harmonicznej. Tak zdefiniowana zmienna zapewnia poprawne wykrywanie i lokalizację uszkodzeń niezależnie od warunków pracy napędu. Metoda została sprawdzona poprzez badania symulacyjne i eksperymentalne.
-
Modelowanie numeryczne nowego czujnika pola magnetycznego
PublikacjaW pracy przedstawiono analizę numeryczną nowego czujnika pola magnetycznego, którego struktura różni się od znanych MOS MAGFET-ów horyzontalnym, a nie pionowym podziałem drenów. Analizowano wpływ rozmiarów kanału w dwudrenowej strukturze MESFET wykonanej z GaAs na zmiany prądu drenu wywołane polem magnetycznym. Dla wybranej topologii struktury wykonano serię dwuwymiarowych symulacji zjawisk transportu nośników ładunku w kanale...
-
Algorytmy ewolucyjne o wielowarswowych chromosomach i ich zastosowania w elektronice
PublikacjaW artykule przedstawiono koncepcje chromosomów wielowarstwowych w algorytmach ewolucyjnych. Ukazano strukturę chromosomu wielowarstwowego oraz opisano możliwe zastosowania algorytmów ewolucyjnych z jego wykorzystaniem. Omówiono zastosowanie algorytmu ewolucyjnego z wielowarstwowym chromosomem do: projektowania i optymalizacji kombinacyjnych układów cyfrowych budowanych zarówno w oparciu o bramki napięciowe jak i bramki prądowe,...
-
Odtwarzanie położenia kątowego wirnika w silniku synchronicznym z magnesami trwałymi zagłębionymi w wirniku poprzez analizę pochodnych prądów fazowych
PublikacjaPrzedstawiono metodę odtwarzania położenia kątowego wirnika w silniku synchronicznym z magnesami trwałymi zagłębionymi w wirniku (IPMSM). Omówiony algorytm estymacji położenia opiera się na analizie wartości pochodnych prądów fazowych silnika związanych z modulacją napięć realizowaną przez falownik tranzystorowy. Przeprowadzono analizę błędów metody. Omówiono zagadnienia związane ze specyficznym algorytmem pomiaru prądu. Zaprezentowano...
-
Konferencja ORConf 2018
WydarzeniaORConf to konferencja na temat projektowania układów cyfrowych oraz systemów wbudowanych typu "open source", obejmująca obszary elektroniki od poziomu tranzystora po system Linux i nie tylko.
-
Oddziaływanie wybranych elementów przekształtnika energoelektronicznego nagenerację zaburzeń przewodzonych.**2002, 134 s. 125 rys. bibliogr. 102 poz. Rozprawa doktorska /17.12.2002/. PG, Wydz. Elektrotech. Automat. Promotor: dr hab. inż. Piotr J. Chrzan, prof. nadzw. PG
PublikacjaW rozprawie przedstawiono sposób obliczania generowanych zaburzeń elektroma-gnetycznych przewodzonych z układu przekształtnika do sieci zasilającej. Ce-lem pracy było opracowanie, w oparciu o symulację komputerową i badania eks-perymentalne, modeli wybranych elementów układu przekształtnika energoelek-tronicznego, pozwalających na określanie poziomów zaburzeń elektromagnetycz-nych przewodzonych w układach symulacyjnych. Zakres...
-
Sterowanie trakcyjnym silnikiem synchronicznym z magnesami zagłębionymi w wirniku bez pomiaru wielkości mechanicznych
PublikacjaPrzedstawiono metodę odtwarzania położenia kątowego wirnika w silniku synchronicznym z magnesami trwałymi zagłębionymi w wirniku (ang. IPMSM). Omówiony algorytm estymacji położenia opiera się na analizie wartości pochodnych prądów fazowych silnika związanych z modulacją napięć realizowaną przez falownik tranzystorowy. Przedstawiono ideę oraz podstawowe założenia metody. Omówiono problematykę wyznaczania pochodnych prądów silnika...
-
Diagnostyka łączników falownika napięcia w czasie rzeczywistym.
PublikacjaPrzedstawiono nową metodę detekcji i lokalizacji uszkodzeń tranzystorów w falownikach napięcia zasilających silniki indukcyjne. Jako zmienną diagnostyczną wykorzystano stosunek wartości składowej stałej do amplitudy podstawowej harmonicznej prądu obciążenia. Tak zdefiniowana zmienna zapewnia poprawne wykrywanie i lokalizację uszkodzeń zarówno w stanie ustalonym, jak i w stanach przejściowych. Proponowana metoda została zweryfikowana...
-
Projektowanie Urządzeń Bezprzewodowych - 2022
Kursy OnlinePrzedmiot kursowy dla stopnia I, sem. 7, profil Inżynieria Mikrofalowa i Antenowa Celem jest wprowadzenie do analizy, projektowania i pomiarów podstawowych układów pasywnych (dzielniki, sprzęgacze, filtry), aktywnych (wzmacniacze, oscylatory) i podzespołów półprzewodnikowych (diody, tranzystory) dla zakresu b.w.cz., stosowanych h w urządzeniach i systemach bezprzewodowych. Studenci poznają zasadę działania i obsługę oprogramowania...
-
Projektowanie Urządzeń Bezprzewodowych - 2024
Kursy OnlinePrzedmiot kursowy dla stopnia I, sem. 7, profil Inżynieria Mikrofalowa i Antenowa Celem jest wprowadzenie do analizy, projektowania i pomiarów podstawowych układów pasywnych (dzielniki, sprzęgacze, filtry), aktywnych (wzmacniacze, oscylatory) i podzespołów półprzewodnikowych (diody, tranzystory) dla zakresu b.w.cz., stosowanych h w urządzeniach i systemach bezprzewodowych. Studenci poznają zasadę działania i obsługę oprogramowania...
-
Zakłócenia sprzężenia podłożowego w układach scalonych CMOS
PublikacjaTemat artykułu stanowią zagadnienia modelowania sprzężenia podłożowego w układach scalonych CMOS. Zaprezentowana została metoda modelowania podłoża oparta na funkcji Green´a, która pozwala projektantom wygenerować model podłoża na podstawie danych geometrycznych projektu topografii oraz danych technologicznych procesu. Na podstawie symulacji komputerowej dwóch mieszanych układów scalonych (oscylator pierścieniowy i "analogowy"...
-
Rekuperace elektrické energie v MHD
PublikacjaAsynchronní pohony, motory BLDC, trakční invertory, IGBT tranzistory, rekuperace energie – to jsou hesla, se kterými se můžeme často potkat, když si pročteme propagační materiály výrobců moderních tramvají a trolejbusů. Často se nám tyto prvky jeví jako indikátory hypermoderních technologií, ale ve skutečnosti se stává, že pod některými názvy se skrývá řešení známé inženýrům už dlouhá desetiletí. Tak je tomu také s rekuperací elektrické...
-
Current commutation process in a ultra-fast fuse-IGBT hybrid circuit breaker.
PublikacjaUkład hybrydowy bezpiecznika topikowego i tranzystora IGBT umożliwia bardzo szybkie włączenie do obwodu zwarciowego impedancji ograniczającej wartość prądu. Po eksplozji krótkiego topika bezpiecznika wywołanej narastającym prądem zwarciowym wywołuje w czasie poniżej 2 ms wzrost napięcia na topiku do wartości ok.20 - 25V, po czym prąd jest komutowany do gałęzi z przyrządem półprzewodnikowym typu GTO lub IGBT. Ostateczne wyłączenie...