Filtry
wszystkich: 306
-
Katalog
- Publikacje 240 wyników po odfiltrowaniu
- Czasopisma 5 wyników po odfiltrowaniu
- Osoby 8 wyników po odfiltrowaniu
- Wynalazki 2 wyników po odfiltrowaniu
- Projekty 1 wyników po odfiltrowaniu
- Kursy Online 4 wyników po odfiltrowaniu
- Wydarzenia 1 wyników po odfiltrowaniu
- Dane Badawcze 45 wyników po odfiltrowaniu
Wyniki wyszukiwania dla: DREN TRANZYSTORA
-
Revista Catalana de Dret Public
Czasopisma -
Revista Catalana de Dret Ambiental
Czasopisma -
TIDSSKRIFT FOR DEN NORSKE LAEGEFORENING
Czasopisma -
High-performance analog circuits : bipolar noise
PublikacjaOmówiono typowe źródła szumów występujące w tranzystorach bipolarnych, a mianowicie: cieplne, śrutowe, generacyjno-rekombinacyjne, 1/f, 1/f2, wybuchowe (RTS),lawinowe. Przedstawiono szumowy schemat zastępczy tranzystora bipolarnego oraz opisano wydajności poszczególnych źródeł szumów. Przytoczono informacje o zastępczej rezystancji tranzystora szumów oraz współczynniku szumów.
-
The current amplifier in low frequency noise measurements; Absolute calibration and rigorous 1/f noise extraction for MOSFET´s
PublikacjaPrzedstawiono budowę wzmacniacza prądowego i sposób obliczania szumów wyjściowych przy dołączonym do wejścia rezystorze wzorcowym. Przedstawiono wyniki eksperymentów potwierdzających prawidłowość przyjętego sposobu postępowania. Zaproponowano metodę wyznaczania składowej 1/f szumów drenu tranzystora MOSFET.
-
Synchronizacja komutacji tranzystorów z położeniem kątowym wirnika silnika w napędzie IPMSM z blokowym sterowaniem falownikiem
PublikacjaPraca dotyczy napędu elektrycznego z silnikiem synchronicznym z magnesami trwałymi, pracującego w strefie osłabiania strumienia, wykorzystującego blokowe sterowanie falownikiem tranzystorowym (ang. six-step). Dla rozważanego napędu zaproponowano zsynchronizowanie chwil przełączeń tranzystorów z osiągnięciem przez wirnik silnika charakterystycznych położeń kątowych. Zaproponowane rozwiązanie przebadano symulacyjnie w programie Simulink...
-
Gate Driver with Overcurrent Protection Circuit for GaN Transistors
PublikacjaThe improvement of the gate driver for GaN transistor is presented in this paper. The proposed topology contains the overcurrent protectionwith the two-stage turning off and independent control of turn on and off time of the GaN transistor. The operation of driver and its application in thehalf-bridge converter are described using both simulation and prototype measurements. The overcurrent protection was tested in Double Pulse...
-
Behawioralne modelowanie i symulacja tranzystorów IGBT w układach energoelektronicznych = Behavioural modeling and simulation of IGBT transistors in power electronics systems
PublikacjaW referacie przedstawiono rezultaty prac nad modelem tranzystora bipolarnego z izolowaną bramką (IGBT), przydatnym w symulacjach układów energoelektronicznych wymagających odwzorowania zarówno stanów ustalonych jak i dynamicznych przy przełączaniu. Rozważono behawioralny model IGBT o reprezentacji za pomocą równań stanu przy wykorzystaniu katalogowych charakterystyk statycznych oraz nieliniowych aproksymacji pojemności pasożytniczych....
-
Compatible DC and small-signal MOSFET models for radio and microwave frequency simulation
PublikacjaZaprezentowano nowy model stałoprądowy tranzystora MOS i kompatybilny z nim uogólniony nie-quasi-statyczny model małosygnałowy. Model stałoprądowy został eksperymentalnie zweryfikowany dla tranzystorów MOS o długości kanału od 75 nm do kilkunastu mikrometrów, a model małosygnałowy od zera herców do 30 GHz.
-
Evolutionary design and optimization of combinational digital circuits with respect to transistor count.
PublikacjaW artykule przedstawiono możliwość wykorzystania algorytmu ewolucyjnego do projektowania i optymalizacji cyfrowych układów kombinacyjnych w odniesieniu do liczby tranzystorów. Zastosowano chromosomy o budowie wielowarstwowej zwiększające wydajność algorytmu. Zaprojektowano, wykorzystując zaproponowaną metodę, cztery układy kombinacyjne o tabelach logicznych wybranych z literatury. Uzyskane wyniki są w wielu przypadkach lepsze...
-
Open-transistor fault diagnostics in voltage-source inverters by analyzing the load current
PublikacjaA novel method is presented for the detection andisolation of open-transistor faults in voltage-source invertersfeeding low-power AC motors. The method is based onmonitoring two diagnostic signals, one indicating sustained nearzerovalues of output current and thus permitting fault detection,the other permitting the isolation of the particular transistorwhich went faulty. The latter signal is the ratio of the averagephase current...
-
Modelowanie numeryczne nowego czujnika pola magnetycznego
PublikacjaW pracy przedstawiono analizę numeryczną nowego czujnika pola magnetycznego, którego struktura różni się od znanych MOS MAGFET-ów horyzontalnym, a nie pionowym podziałem drenów. Analizowano wpływ rozmiarów kanału w dwudrenowej strukturze MESFET wykonanej z GaAs na zmiany prądu drenu wywołane polem magnetycznym. Dla wybranej topologii struktury wykonano serię dwuwymiarowych symulacji zjawisk transportu nośników ładunku w kanale...
-
Wiesław Kordalski dr hab. inż.
Osoby -
Evolutionary optimization of combinational digital circuits with current-mode gates with respect to transistor count
PublikacjaW artykule przedstawiono metodę ewolucyjnej minimalizacji liczby tranzystorów w cyfrowym układzie kombinacyjnym, zrealizownaym z wykorzystaniem bramek pracujących w trybie prądowym. W zastosowanym algorytmie ewolucyjnym zastosowano chromosomy o budowie wielowarstwowej, przez co zwiększono wydajność optymalizacji. Wyniki otrzymane z wykorzystaniem proponowanej metody zostały porównane z rezultatami osiągniętymi za pomocą map Karnough...
-
Marek Adamowicz dr hab. inż.
OsobyStopień naukowy doktora uzyskał w 2008 r. na Wydziale Elektrotechniki i Automatyki Politechniki Gdańskiej. W latach 2005 – 2011 pracował na Akademii Morskiej w Gdyni. W 2010 r. jako laureat programu NCBR LIDER wybrał Wydział Elektrotechniki i Automatyki Politechniki Gdańskiej jako jednostkę realizującą swój projekt z zakresu szerokopasmowych przyrządów półprzewodnikowych i ich zastosowań w elektrowniach wiatrowych. Od 2011 roku...
-
Drenowanie po francusku
PublikacjaDren francuski. Zasada przygotowania. Zastosowania, możliwości.
-
Wojciech Toczek dr hab. inż.
Osoby -
Stałokonduktancyjny układ pracy dla czujników ISFET
PublikacjaOpracowano stałokonduktancyjny układ pracy dla czujników ISFET. Proponowany układ utrzymuje właściwy punkt pracy czujnika poprzez ustalenie konduktancji stałoprądowej dren źródło. Poprzez zastosowanie mostka rezystancyjnego oraz odjęcie połowy napięcia dren-źródło od napięcia bramka-źródło osiągnięto niewrażliwość układu na niestabilność źródeł prądowych czy napięciowych. Zbędne stało się stosowanie precyzyjnych źródeł prądowych...
-
Piotr Jasiński prof. dr hab. inż.
OsobyPiotr Jasinski obtained MSc in electronics in 1992 from the Gdansk University of Technology (GUT), Poland. Working at GUT, he received PhD in 2000 and DSc in 2009. Between 2001 and 2004 Post Doctoral Fellow at Missouri University of Science and Technology, while between 2008 and 2010 an Assistant Research Professor. Currently is an Associate Professor at Gdansk University of Technology working in the field of electronics, biomedical...
-
A non-quasi-static small-signal model of the four-terminal MOSFET for radio and microwave frequencies.
PublikacjaW pracy zaprezentowano nowy małosygnałowy model tranzystora MOS, w którymuwzględnia się efekt nasycenia prędkości nośników. Model jest spójny fizycznie i może być stosowany w analizie dowolnej konfiguracji włączenia tranzystora.
-
Admitancja wejściowa i transadmitacyjna MOSFET'a w zakresie b. w. cz.
PublikacjaBazując na nowym nie quasi-statycznym modelu małosygnałowym tranzystora MOS, przeanalizowano i zweryfikowano eksperymentalnie aż do 30 GHz małosygnałową admitancję wejściową i transadmitancję tego elementu - dwa ważne i budzące najwięcej wątpliwości parametry macierzy admitancyjnej tranzystora.
-
Tranzystorowy czujnik pola magnetycznego.
PublikacjaPrzedstawiono nową konstrukcję tranzystora polowego typu MOS, który może być wykorzystany do pomiaru lub detekcji pola magnetycznego. Zasada działania nowego czujnika oparta jest na jednym ze zjawisk galwanomagnetycznych i nie różni się od zasady działania znanego z literatury przedmiotu tranzystora SD MAGFET. Jednak dzięki oryginalnej konstrukcji, przewidywana czułość nowego tranzystora na zmianę wartości indukcji magnetycznej...
-
Heinrich Rickert als Danziger, Deutscher und Denker
PublikacjaDie zalreichen deutschen Denker auf dem Gebiet heutigen Polens, wie Heinrich Rickert aus Danzig bilden der Geschichte, die Tradizion der Platze, eine Geschichte mit der man sich auseinandersetzen sollte. Diese Beitrag zeigt wie sich die polnischen Geschichte Philosophen bemuhen, die Auffassungen ausgewahlter deutscher Denker, nach Beispiel Rickerts,und das Verstandnis ihrer Ansichten im Bezug zu deren Weltanschaungen und...
-
Wielopoziomowy przekształtnik trakcyjny SiC z izolacją od sieci 3kV DC realizowaną za pomocą transformatorów 30kHz do napędów EZT
PublikacjaW referacie przedstawiono wielopoziomowy izolowany kaskadowy przekształtnik DC-AC z tranzystorami SiC MOSFET 1,2kV, przeznaczony do napędów elektrycznych zespołów trakcyjnych (EZT). Zaproponowana konstrukcja przekształtnika, przeznaczonego do pracy przy zasilaniu z sieci trakcyjnej 3kV DC, spełnia założenia energoelektronicznego transformatora trakcyjnego (z ang. Power Electronic Traction Transformer). Budowa modułowa z niskonapięciowych...
-
EFEKTYWNOŚĆ EKONOMICZNA HYBRYDOWEJ MIKROINSTALACJI OZE
PublikacjaW artykule przedstawiono warunki pracy mikroelektrowni hybrydowej zainstalowanej w małej firmie mieszczącej się na terenie przemysłowym. Pokazano strukturę i parametry elektrowni składającej się z paneli fotowoltaicznych i elektrowni wiatrowej. Przeanalizowano odbiorniki energii oraz warunki pobierania mocy biernej. Dla wybranego okresu czasu pokazano zużycie oraz produkcję energii elektrycznej i energię zużytą na potrzeby firmy...
-
Lower rim substituted tert-Butylcalix[4]arenes. Part 13. Interaction of calix-hydroxamates with Fe(III) and Pb(II); studies in ion-selective membrane electrodes (ISE)
PublikacjaPrzedmiotem pracy są badania oddziaływań pomiędzy trzema wybranymi hydroksamowymi pochodnymi t-butylo-kaliks[4]arenu i jonami metali z wykorzystaniem membranowych elektrod jonoselektywnych (ISE). Elektrody zawierające jako materiał aktywny wymienione związki jonoforowe charakteryzują się nernstowskim nachyleniem i szerokim zakresem liniowości na jony Pb(II), a także dobrą selektywnością na jony Pb(II)w stosunku do jonów UO2(II),...
-
Dielectric strenght of the ultra - short fuse
PublikacjaW referacie omówiono współpracę ultraszybkiego bezpiecznika z bezstykowymhybrydowym ogranicznikiem prądów. Przeanalizowano wytrzymałość kanału połukowego bezpiecznika w zależności od długości topika oraz czasu działania tranzystora IGBT. Omówiono warunki i wyniki badań eksperymentalnych.
-
Architekturführer Danzig: Gdansk Sopot Gdynia
PublikacjaIm Zweiten Weltkrieg bis auf die Grundmauern zerstört, wurde der historische Stadtkern der Hansestadt Danzig als polnisches Gdańsk wiederaufgebaut – ein Paradebeispiel für kritische Rekonstruktion in Polen und zugleich eine bis heute stark umstrittene Entscheidung. Zusammen mit dem mondänen Seebad Sopot und der modernen Hafenstadt Gdynia bildet die Bernsteinstadt eine Metropolregion an der polnischen Ostseeküste: die Dreistadt...
-
Lower Rim Substituted p-tert-Butyl-Calix[4]arene. Part 15. Pb(II)-Ion-Selective Electrodes Based on p-tert-Butyl-calix[4]arene Thioamides.
PublikacjaTetra podstawione tioamidowe pochodne para-tert-butylokaliks[4]arenu (1-5) zostały zastosowane jako jonofory w membranowych elektrodach jonoselektywnych (EJS) selektywne na kationy Pb(II). Wyznaczono współczynniki selektywności. Czwartorzędowe kaliks[4]aren-tioamidy (1,2) wykazują nadzwyczaj dobrą selektywność na kationy Pb(II) w porównaniu z kaliks[4]aren-amidami. Membrany z tymi ligandami wykazują dużą trwałość, a charakterystyki...
-
Alicja Konczakowska prof. dr hab. inż.
Osoby -
Open-transistor fault diagnostics in voltage-source inverters by analyzing the load current
PublikacjaPrzedstawiono nową metodę detekcji i lokalizacji uszkodzeń polegających na braku przewodzenia tranzystorów w falownikach napięcia zasilających silniki indukcyjne. Metoda jest rozszerzeniem, opracowanej wcześniej, metody wykorzystującej znormalizowane składowe stałe prądów obciążenia. Znormalizowane wartości średnie prądów powiązano z dodatkowymi wskaźnikami diagnostycznymi, które zawierają informacje o czasie trwania nieprzewodzenia...
-
A non-quasi-static-signal MOSFET model for radio and microware frequencies including spreading gate resistances and capacitaces.
PublikacjaZaprezentowano nowy, spójny fizycznie nie-quasi-statyczny model małosygnałowy tranzystora MOS słuszny od 0 Hz aż do częstotliwości mikrofalowych. Scharakteryzowano właściwości nowego czterokońcówkowego modelu. Model został zweryfikowany eksperymentalnie aż do częstotliwości 27 GHz.
-
A quasi-2D small-signal MOSFET model - main results
PublikacjaMain results stemming from a new quasi 2D non-quasi-static small-signal four-terminal model of the MOSFET are presented in this work. The model is experimentally verified up to 30 GHz.
-
Dokładne generowanie wektora napięcia wyjściowego w falowniku napięcia z modulacją szerokości impulsów
PublikacjaW artykule dokonano analizy wpływu parametrów tranzystorów mocy wykorzystanych do budowy falownika napięcia na dokładność generowania wektora napięcia wyjściowego. Zaproponowano metodę modulacji szerokości impulsów, w której zredukowany został wpływ zjawisk związanych z właściwościami tranzystorów mocy na napięcie generowane w falowniku. Przedstawiono przebiegi prądów fazowych falownika, w którym zaimplementowano proponowane rozwiązanie.
-
Badanie geosyntetyków na przebicie. XIII Krajowa Konferencja Mechaniki Gruntów i Fundamentowania.
PublikacjaW niniejszym artykule przedstawiono procedurę badawczą oraz analizę wyników badań odporności na przebicie materiałów geosyntetycznych, które przeprowadzono zgodnie z PREN 00189066.
-
Lower Rim Substituted tert-Butyl Calix[4]arenes (Part IV). Calix[4]arene-Crown Ethers as Ionophores in Plasticized PVC-membrane electrodes.
PublikacjaPrzedstawiono syntezę i charakterystykę trzech p-tert-butylokaliks[4]aren-koron-4, -5, -6 (związki 2 - 4 o różnej długości łańcucha polyoksaetylenowego łączącego distalne grupy OH). Syntezowane związki wykazują wysoką selektywność na kationy sodu, potasu lub cezu. Badano zależność pomiędzy stereochemiczną strukturą tych ligandów, a wyznaczonymi potencjometrycznie współczynnikami selektywności oraz wyznaczonymi stałymi trwałości...
-
MODEL HYBRYDOWEGO ENERGOELEKTRONICZNEGO UKŁADU ZASILANIA WIELOSYSTEMOWYCH ZESPOŁÓW TRAKCYJNYCH (EZT)
PublikacjaW artykule przedstawiono model układu hybrydowego energoelektronicznego układu zasilania wielosystemowych zespołów trakcyjnych - EZT. Istota proponowanego rozwiązania zawiera się w zastosowaniu do obniżenia napięcia sieci trakcyjnej, zamiast tradycyjnego ciężkiego transformatora trakcyjnego (chłodzonego olejem) - suchego autotransformatora pracującego z częstotliwością sieci kolejowej oraz izolacji galwanicznej od sieci trakcyjnej....
-
Szerokopasmowy model uogólnionego łącznika energoelektronicznego
PublikacjaPrzedstawiono rezultat wstępnych prac nad modelem IGBT przydatnym do symulacji wymagających odwzorowania stanów dynamicznych tranzystora. Zrezygnowano z metody potencjałów węzłowych na rzecz metody zmiennych stanu. Sprawdzono zachowanie klasycznego modelu z nieliniowymi pojemnościami zaciskowymi, których charakterystyki dobrano na podstawie danych katalogowych. Przedstawiono przykład rozszerzenia modelu.
-
Funcional safety concept for hazardous systems and new challenges
PublikacjaPrzedstawia się wybrane zagadnienia bezpieczeństwa funkcjonalnego według norm międzynarodowych IEC 61508 i IEC 61511. Opisuje się proces wyznaczanie poziomu nienaruszalności bezpieczeństwa (SIL) systemów elektrycznych, elektronicznych i programowalnych elektronicznych (E/E/PE). Podkreśla się znaczenie modelowania probabilistycznego tych systemów i weryfikowania SIL. Omawia się nowe aspekty analizy bezpieczeństwa funkcjonalnego...
-
The Low-frequency Noise of SiC MESFETs
PublikacjaPrzedstawiono system do pomiaru szumów małoczestotliwościowych tranzystorów SiC MESFET oraz przykładowe wyniki pomiarów.
-
Exact generation of voltage vector in voltage inverter with pulse width modulation
PublikacjaW artykule zaproponowano metodę modulacji szerokości impulsów dla falownika napięcia. Proponowana metoda rozwiązuje problemy związane z kompensacją czasów martwych oraz kompensacją wpływu parametrów łączników energolelektronicznych na napięcie wjściowe falownika. W artykule zaprezentowano metodę kompensacji między innymi pojemności pasożytniczych tranzystorów, dyskretyzacji czasów załączeń tranzystorów. Przedstawiona metoda modulacji...
-
Lower-rim-substituted tert-butylcalix[4]arenes. Part IX: one-pot synthesis of calix[4]arene-hydroxamates and calix[4]arene-amides
PublikacjaZaprezentowano prostą metodę selektywnej acylacji podstawionych i niepodstawionych hydroksyloamin za pomocą di i tetra podstawionych kaliks{4]aren-kwasów. Pokazano pierwszą strukturę krystalograficzną kaliks-hydroksyamidu.
-
Noise in semiconductor devices
PublikacjaOmówiono typowe źródła szumów występujące w przyrządach pólprzewodnikowych, a mianowicie: cieplne, śrutowe, generacyjno-rekombinacyjne, 1/f, 1/f2, wybuchowe (RTS), lawinowe. Przedstawiono szumowe schematy zastępcze tranzystora bipolarnego, JFET i MOSFET oraz opisano wydajności poszczególnych źródeł szumów. Zasugerowano jak dobierać przyrządy półprzewodnikowe do małoszumowych układów w zakresie małych częstotliwości.
-
Die neue Straßenbrücke in Toruń (Thorn) – Teil 2 – Nachweise
PublikacjaAls Fortsetzung von Teil 1, der über den Entwurf und den Bau der neuen, die Weichsel querenden Straßenbrücken in Toruń (deutsch: Thorn) berichtet, geht es im Folgenden um die theoretischen und experimentalen Nachweisen zum Montageprozess und zu Probebelastungen. Somit eine umfassende Beurteilung der beschriebenen , herausragenden Ingenieursleistung gegeben.
-
Effect of contactless hybrid current limiter on voltage dips in power system
PublikacjaW referacie przedstawiono działanie hybrydowego niskonapięciowego ogranicznika prądu zwarciowego, składającego się z ultraszybkiego bezpiecznika, tranzystora mocy i warystora. W szczególności omówiono możliwości polepszenia jakości dostarczanej do odbiorców energii elektrycznej. Zastosowanie hybrydowego ogranicznika prądu znacznie ogranicza czasy trwania zapadów napięcia w systemie elektroenergetycznym. Obliczenia wykonano przy...
-
Effect of contactless hybrid current limiter on voltage dips in power system.
PublikacjaW referacie przedstawiono działanie hybrydowego niskonapięciowego ogranicznika prądu zwarciowego, składającego się z ultraszybkiego bezpiecznika, tranzystora mocy i warystora. W szczególności omówiono możliwości polepszenia jakości dostarczanej do odbiorców energii elektrycznej. Zastosowanie hybrydowego ogranicznika prądu znacznie ogranicza czasy trwania zapadów napięcia w systemie elektroenergetycznym. Obliczenia wykonano przy...
-
Retinit im mittleren Geiseltal und in Nordwestsachsen
PublikacjaEs werden historische fossile Harzfunde, bekannt unter dem Namen Retinit, aus ehemaligen Braunkohlenvorkommen in Nordwestsachsen und dem Geiseltal beschrieben. Die Harzproben aus dem Geiseltal wurden mittels Infrarotspektrometer untersucht. Der Vergleich der Spektren mit Referenzspektren zeigt, dass es sich bei den „historischen“ Harzproben um ein Harz vom Retinit- Typ, den oxidierten Krantzit (Oxikrantzit), handelt.
-
"Walerian Wróbel - Zwei Blicke auf das Unrecht am jungen Zwangsarbeiter"
PublikacjaZur Ausstellung Die tragische Geschichte über das Schicksal des jungen polnischen Zwangsarbeiters Walerian Wróbel (2. April 1925 in Falków — 25. August 1942 in Hamburg) bewegt heute noch viele Menschen. Er wurde im Alter von nur 17 Jahren nach einem Urteil des Sondergerichts Bremen von den Nationalsozialisten hingerichtet. In dieser Ausstellung geht es jedoch nicht um Walerian Wróbel selbst, sondern um den Versuch der...
-
Dynamiczny model uogólnionego łącznika energoelektronicznego do symulacji układów przekształtnikowych
PublikacjaZaproponowano strategię modelowania, w której po określeniu postaci modelu dobiera się numeryczne metody obliczeniowe stosowane w symulacji. Przedstawiono opracowany uogólniony, nieliniowy model tranzystora mocy IGBT. Przyjęto, że do określenia parametrów tego modelu powinna wystarczać znajomość standardowych, katalogowych para-metrów i charakterystyk. Przedstawiono model zaciskowy o klasycznej strukturze, odwzorowujący z wystarczającą...
-
Strategia sterowania falownikiem napięcia bez czasów martwych.
PublikacjaW artykule zaprezentowano metodę modulacji szerokości impulsów, w której wyeliminowano koniczność wprowadzania czasów martwych do sekwencji sterujących tranzystorami falownika. Przedstawiono wyniki badań eksperymentalnych