Filtry
wszystkich: 177
-
Katalog
Wyniki wyszukiwania dla: TRANZYSTORY CIENKOWARSTWOWE
-
Behawioralne modelowanie i symulacja tranzystorów IGBT w układach energoelektronicznych = Behavioural modeling and simulation of IGBT transistors in power electronics systems
PublikacjaW referacie przedstawiono rezultaty prac nad modelem tranzystora bipolarnego z izolowaną bramką (IGBT), przydatnym w symulacjach układów energoelektronicznych wymagających odwzorowania zarówno stanów ustalonych jak i dynamicznych przy przełączaniu. Rozważono behawioralny model IGBT o reprezentacji za pomocą równań stanu przy wykorzystaniu katalogowych charakterystyk statycznych oraz nieliniowych aproksymacji pojemności pasożytniczych....
-
Evolutionary design and optimization of combinational digital circuits with respect to transistor count.
PublikacjaW artykule przedstawiono możliwość wykorzystania algorytmu ewolucyjnego do projektowania i optymalizacji cyfrowych układów kombinacyjnych w odniesieniu do liczby tranzystorów. Zastosowano chromosomy o budowie wielowarstwowej zwiększające wydajność algorytmu. Zaprojektowano, wykorzystując zaproponowaną metodę, cztery układy kombinacyjne o tabelach logicznych wybranych z literatury. Uzyskane wyniki są w wielu przypadkach lepsze...
-
Compatible DC and small-signal MOSFET models for radio and microwave frequency simulation
PublikacjaZaprezentowano nowy model stałoprądowy tranzystora MOS i kompatybilny z nim uogólniony nie-quasi-statyczny model małosygnałowy. Model stałoprądowy został eksperymentalnie zweryfikowany dla tranzystorów MOS o długości kanału od 75 nm do kilkunastu mikrometrów, a model małosygnałowy od zera herców do 30 GHz.
-
Open-transistor fault diagnostics in voltage-source inverters by analyzing the load current
PublikacjaA novel method is presented for the detection andisolation of open-transistor faults in voltage-source invertersfeeding low-power AC motors. The method is based onmonitoring two diagnostic signals, one indicating sustained nearzerovalues of output current and thus permitting fault detection,the other permitting the isolation of the particular transistorwhich went faulty. The latter signal is the ratio of the averagephase current...
-
Evolutionary optimization of combinational digital circuits with current-mode gates with respect to transistor count
PublikacjaW artykule przedstawiono metodę ewolucyjnej minimalizacji liczby tranzystorów w cyfrowym układzie kombinacyjnym, zrealizownaym z wykorzystaniem bramek pracujących w trybie prądowym. W zastosowanym algorytmie ewolucyjnym zastosowano chromosomy o budowie wielowarstwowej, przez co zwiększono wydajność optymalizacji. Wyniki otrzymane z wykorzystaniem proponowanej metody zostały porównane z rezultatami osiągniętymi za pomocą map Karnough...
-
Wiesław Kordalski dr hab. inż.
Osoby -
Wojciech Toczek dr hab. inż.
Osoby -
EFEKTYWNOŚĆ EKONOMICZNA HYBRYDOWEJ MIKROINSTALACJI OZE
PublikacjaW artykule przedstawiono warunki pracy mikroelektrowni hybrydowej zainstalowanej w małej firmie mieszczącej się na terenie przemysłowym. Pokazano strukturę i parametry elektrowni składającej się z paneli fotowoltaicznych i elektrowni wiatrowej. Przeanalizowano odbiorniki energii oraz warunki pobierania mocy biernej. Dla wybranego okresu czasu pokazano zużycie oraz produkcję energii elektrycznej i energię zużytą na potrzeby firmy...
-
Chromatgrafia cieczowa. Teoria i praktyka
PublikacjaKsiążka zawiera całokształt wiedzy dotyczącej chromatografii ciecvzowej - kolumnowej i cienkowarstwowej. Opisane zostały wszystkie techniki chromatografii cieczowej, zarówno w zakresie teorii chromatografii, jak i praktycznych zastosowań.
-
Piotr Jasiński prof. dr hab. inż.
OsobyPiotr Jasinski obtained MSc in electronics in 1992 from the Gdansk University of Technology (GUT), Poland. Working at GUT, he received PhD in 2000 and DSc in 2009. Between 2001 and 2004 Post Doctoral Fellow at Missouri University of Science and Technology, while between 2008 and 2010 an Assistant Research Professor. Currently is an Associate Professor at Gdansk University of Technology working in the field of electronics, biomedical...
-
Paweł Szczepankowski dr hab. inż.
Osoby -
Recykling metali z zużytych modułów fotowoltaicznych
PublikacjaZaprezentowano stan wiedzy na temat dotychczas opracowanych metod odzysku metali z roztworów. Przeanalizowano je pod kątem wykorzystania w procesach recyklingu modu- łów wykonanych z krystalicznego krzemu oraz w technologii cienkowarstwowej.
-
A non-quasi-static small-signal model of the four-terminal MOSFET for radio and microwave frequencies.
PublikacjaW pracy zaprezentowano nowy małosygnałowy model tranzystora MOS, w którymuwzględnia się efekt nasycenia prędkości nośników. Model jest spójny fizycznie i może być stosowany w analizie dowolnej konfiguracji włączenia tranzystora.
-
Admitancja wejściowa i transadmitacyjna MOSFET'a w zakresie b. w. cz.
PublikacjaBazując na nowym nie quasi-statycznym modelu małosygnałowym tranzystora MOS, przeanalizowano i zweryfikowano eksperymentalnie aż do 30 GHz małosygnałową admitancję wejściową i transadmitancję tego elementu - dwa ważne i budzące najwięcej wątpliwości parametry macierzy admitancyjnej tranzystora.
-
High-performance analog circuits : bipolar noise
PublikacjaOmówiono typowe źródła szumów występujące w tranzystorach bipolarnych, a mianowicie: cieplne, śrutowe, generacyjno-rekombinacyjne, 1/f, 1/f2, wybuchowe (RTS),lawinowe. Przedstawiono szumowy schemat zastępczy tranzystora bipolarnego oraz opisano wydajności poszczególnych źródeł szumów. Przytoczono informacje o zastępczej rezystancji tranzystora szumów oraz współczynniku szumów.
-
Efficient exciplex emitting organic electroluminescent devices
PublikacjaW pracy badano stany wzbudzenia elektronowego, powstające z udziałem dwóch molekuł. Dzięki doborowi odpowiednich materiałów na warstwę przewodzącą dziury (pochodna trójfenyloaminy: m-MTDATA) i elektronów (pochodna oksadia-zolu:PBD) w cienkowarstwowej diodzie EL stworzono szczególnie dogodne warunki do generacji ekscypleksów (M-MTDATA-PBD) i wysokowydajnej (>1% foton/e-lektron) emisji ekscypleksowej.
-
Open-transistor fault diagnostics in voltage-source inverters by analyzing the load current
PublikacjaPrzedstawiono nową metodę detekcji i lokalizacji uszkodzeń polegających na braku przewodzenia tranzystorów w falownikach napięcia zasilających silniki indukcyjne. Metoda jest rozszerzeniem, opracowanej wcześniej, metody wykorzystującej znormalizowane składowe stałe prądów obciążenia. Znormalizowane wartości średnie prądów powiązano z dodatkowymi wskaźnikami diagnostycznymi, które zawierają informacje o czasie trwania nieprzewodzenia...
-
Postępy fotowoltaiki - aktualne technologie produkcji ogniw
PublikacjaPo energetyce wodnej i wiatrowej, fotowoltaika jest trzecią pod względem mocy zainstalowanej technologią, wykorzystującą odnawialne źródła energii. Obecnie technologie fotowoltaiczne można podzielić na trzy grupy: pierwszej, drugiej i trzeciej generacji. Za ogniwa I generacji uważa się te, które wykonane są na bazie krystalicznego krzemu, II generacji - to ogniwa cienkowarstwowe, natomiast trzecią generację stanowią ogniwa, które...
-
Dokładne generowanie wektora napięcia wyjściowego w falowniku napięcia z modulacją szerokości impulsów
PublikacjaW artykule dokonano analizy wpływu parametrów tranzystorów mocy wykorzystanych do budowy falownika napięcia na dokładność generowania wektora napięcia wyjściowego. Zaproponowano metodę modulacji szerokości impulsów, w której zredukowany został wpływ zjawisk związanych z właściwościami tranzystorów mocy na napięcie generowane w falowniku. Przedstawiono przebiegi prądów fazowych falownika, w którym zaimplementowano proponowane rozwiązanie.
-
The Low-frequency Noise of SiC MESFETs
PublikacjaPrzedstawiono system do pomiaru szumów małoczestotliwościowych tranzystorów SiC MESFET oraz przykładowe wyniki pomiarów.
-
Exact generation of voltage vector in voltage inverter with pulse width modulation
PublikacjaW artykule zaproponowano metodę modulacji szerokości impulsów dla falownika napięcia. Proponowana metoda rozwiązuje problemy związane z kompensacją czasów martwych oraz kompensacją wpływu parametrów łączników energolelektronicznych na napięcie wjściowe falownika. W artykule zaprezentowano metodę kompensacji między innymi pojemności pasożytniczych tranzystorów, dyskretyzacji czasów załączeń tranzystorów. Przedstawiona metoda modulacji...
-
Setups for measurement of thermal time constant of bolometers and resistive layers
PublikacjaPrzedstawiono dwa układy do pomiaru termicznej stałej czasowejbolometrów i warstw rezystywnych, umożliwiające pomiar wartości tego parametru w zakresie od pojedynczych milisekund do kilku sekund. Przedstawiono wyniki pomiarów termicznej stałej czasowej wybranych warstw rezystywnych wykonanych w technologii LTCC z niestechiometrycznych tlenków lantanowo-strontowo-żelazowych oraz bolometru cienkowarstwowego wykonanego w tej samej...
-
Dielectric strenght of the ultra - short fuse
PublikacjaW referacie omówiono współpracę ultraszybkiego bezpiecznika z bezstykowymhybrydowym ogranicznikiem prądów. Przeanalizowano wytrzymałość kanału połukowego bezpiecznika w zależności od długości topika oraz czasu działania tranzystora IGBT. Omówiono warunki i wyniki badań eksperymentalnych.
-
Amorficzny krzem przyszłością fotowoltaiki?
PublikacjaPodstawowym źródłem energii dla Ziemi jest promieniowanie słoneczne. Wartość strumienia energii słonecznej, emitowanej w kierunku Ziemi wynosi 173 000 TW. Człowiek jest w stanie przetworzyć i zmagazynować energię promieniowania słonecznego do postaci użytecznej, przy czym najbardziej rozpowszechnionym nośnikiem energii jest energia elektryczna. Zamiana energii słonecznej na elektryczną możliwa jest dzięki wykorzystaniu efektu...
-
Nanocrystalline undoped ceria oxygen sensor.
PublikacjaW pracy przedstawiono wyniki badań struktury i elektrycznych właściwości nanokrystalicznego czujnika na bazie niedomieszkowanego tlenku ceru. Zbadano wpływ ciśnienia parcjalnego tlenu na rezystancję cienkowarstwowego tlenku ceru. Konduktancja tlenku ceru w zakresie stężeń tlenu od 10ppm do 100% ma charakter eksponecjalny z parametrem -0.25. Zbadano szybkość odpowiedzi oraz wpływ dwutlenku azotu oraz dwutlenku siarki na odpowiedź...
-
The current amplifier in low frequency noise measurements; Absolute calibration and rigorous 1/f noise extraction for MOSFET´s
PublikacjaPrzedstawiono budowę wzmacniacza prądowego i sposób obliczania szumów wyjściowych przy dołączonym do wejścia rezystorze wzorcowym. Przedstawiono wyniki eksperymentów potwierdzających prawidłowość przyjętego sposobu postępowania. Zaproponowano metodę wyznaczania składowej 1/f szumów drenu tranzystora MOSFET.
-
A non-quasi-static-signal MOSFET model for radio and microware frequencies including spreading gate resistances and capacitaces.
PublikacjaZaprezentowano nowy, spójny fizycznie nie-quasi-statyczny model małosygnałowy tranzystora MOS słuszny od 0 Hz aż do częstotliwości mikrofalowych. Scharakteryzowano właściwości nowego czterokońcówkowego modelu. Model został zweryfikowany eksperymentalnie aż do częstotliwości 27 GHz.
-
Quasi-dwuwymiarowe równanie ciagłości dla procesów dynamicznych w tranzystorach polowych
PublikacjaW oparciu o dwuwymiarowy model fizyczny i matematyczny tranzystora polowego zaproponowano quasi-dwuwymiarowy model umożliwiający wyprowadzenie równania ciągłości dla nośników nadmiarowych w przypadku małych zaburzeń ich koncentracji. Rozważania przeprowadzono startując od najbardziej podstawowych praw fizyki.
-
A quasi-2D small-signal MOSFET model - main results
PublikacjaMain results stemming from a new quasi 2D non-quasi-static small-signal four-terminal model of the MOSFET are presented in this work. The model is experimentally verified up to 30 GHz.
-
Marek Adamowicz dr hab. inż.
OsobyStopień naukowy doktora uzyskał w 2008 r. na Wydziale Elektrotechniki i Automatyki Politechniki Gdańskiej. W latach 2005 – 2011 pracował na Akademii Morskiej w Gdyni. W 2010 r. jako laureat programu NCBR LIDER wybrał Wydział Elektrotechniki i Automatyki Politechniki Gdańskiej jako jednostkę realizującą swój projekt z zakresu szerokopasmowych przyrządów półprzewodnikowych i ich zastosowań w elektrowniach wiatrowych. Od 2011 roku...
-
Trójfazowy falownik napięcia z tranzystorami SiC JFET
PublikacjaW referacie przedstawiono konstrukcję oraz wyniki badań trójfazowego falownika napięcia zbudowanego z wykorzystaniem diod Schottky oraz tranzystorów JFET z węglika krzemu (SiC). Znacznie krótsze czasy przełączeń tych elementów w porównaniu z tranzystorami IGBT i diodami na bazie krzemu (Si) umożliwiają pracę układu z częstotliwością 100 kHz i wyższą. Małe energie przełączeń oraz mała rezystancja drenu tranzystorów SiC JFET pozwalają...
-
Optical and electrical properties of Pr0.8Sr0.2MnO3 thin films.
PublikacjaPrzedstawiono preparatykę, strukturę oraz optyczne i elektryczne właściwości cienkowarstwowego Pr0.8Sr0.2MnO3. Gęste filmy o grubości 50-70nm zostały naniesione na monokrystaliczne podłoże szafirowe metodą odwirowania prekursora polimerowego. Wyniki optycznych pomiarów zostały skorelowane z temperaturą syntezy filmów. Pokazano, że optyczne spektra zmieniają kształt wraz ze zmianą struktury filmu z amorficznej do krystalicznej....
-
Wysokosprawne układy aktywnej filtracji wyjściowej w przekształtnikach elektrowni wiatrowych
PublikacjaCzęstotliwość pracy tranzystorów w przekształtnikach elektrowni wiatrowych średniej mocy jest ograniczona (1kHz-10kHz), co wymaga stosowania od strony sieci filtrów pasywnych o znacznych gabarytach. W referacie omówiono możliwość zastosowania wysokosprawnego wspomagającego filtra aktywnego z przyrządami z węglika krzemu zapewniającego eliminację wysokoczęstotliwościowych zmian prądu sieciowego (tzw. rippli) przy jednoczesnym zmniejszeniu...
-
Design of a 3.3V four-quadrant analog CMOS multiplier
PublikacjaW pracy przedstawiono dwa czterokwadrantowe mnożniki analogowe CMOS pracujące przy napięciu zasilania 3.3V. Układy wykorzystują tranzystory MOS pracujące zarówno w zakresie nasycenia jak i w zakresie triodowym. Wyniki symulacji komputerowych pokazują, że współczynnik zawartości harmonicznych (THD) sygnału wyjściowego jest mniejszy niż 0.75% dla sygnału wejściowego o amplitudzie 1V o częstotliwości 10MHz. Pasmo 3dB układu wynosi...
-
Szerokopasmowy model uogólnionego łącznika energoelektronicznego
PublikacjaPrzedstawiono rezultat wstępnych prac nad modelem IGBT przydatnym do symulacji wymagających odwzorowania stanów dynamicznych tranzystora. Zrezygnowano z metody potencjałów węzłowych na rzecz metody zmiennych stanu. Sprawdzono zachowanie klasycznego modelu z nieliniowymi pojemnościami zaciskowymi, których charakterystyki dobrano na podstawie danych katalogowych. Przedstawiono przykład rozszerzenia modelu.
-
Piotr Płotka dr hab. inż.
OsobyPiotr Płotka otrzymał tytuł zawodowy magistra inżyniera w 1976 r., a stopień doktora w dyscyplinie elektronika w 1985 r. – nadane przez Wydział Elektroniki Telekomunikacji i Informatyki Politechniki Gdańskiej. W 2008 r. otrzymał stopień doktora habilitowanego, także w dyscyplinie elektronika, nadany przez Instytut Technologii Elektronowej w Warszawie. Od 1977 r. pracował w Akademii Techniczno-Rolniczej w Bydgoszczy, a od 1981...
-
Materiały cienkowarstwowe do generowania wodoru w procesie fotorozkładu wody
ProjektyProjekt realizowany w Wydział Chemiczny zgodnie z porozumieniem UMO-2011/01/N/ST5/05540 z dnia 2011-12-19
-
Noise in semiconductor devices
PublikacjaOmówiono typowe źródła szumów występujące w przyrządach pólprzewodnikowych, a mianowicie: cieplne, śrutowe, generacyjno-rekombinacyjne, 1/f, 1/f2, wybuchowe (RTS), lawinowe. Przedstawiono szumowe schematy zastępcze tranzystora bipolarnego, JFET i MOSFET oraz opisano wydajności poszczególnych źródeł szumów. Zasugerowano jak dobierać przyrządy półprzewodnikowe do małoszumowych układów w zakresie małych częstotliwości.
-
Rezystor aktywny CMOS oraz jego zastosowanie do budowy wzmacniacza transkonduktancyjnego.
PublikacjaRezystory aktywne są szeroko stosowane w układach analogowych. Jednym z bardzo ważnych zastosowań jest ich użycie jako elementu linearyzującego stałoprądowe charakterystyki przejściowe wzmacniacza różnicowego wykonanego w postaci pary tranzystorów MOS. W niniejszym artykule przedstawiono w pełni różnicowy, aktywny rezystor MOS. Składa się on z dwóch tranzystorów MOS oraz dwóch nieuziemionych źródeł napięciowych. Jako wykorzystanie...
-
Effect of contactless hybrid current limiter on voltage dips in power system
PublikacjaW referacie przedstawiono działanie hybrydowego niskonapięciowego ogranicznika prądu zwarciowego, składającego się z ultraszybkiego bezpiecznika, tranzystora mocy i warystora. W szczególności omówiono możliwości polepszenia jakości dostarczanej do odbiorców energii elektrycznej. Zastosowanie hybrydowego ogranicznika prądu znacznie ogranicza czasy trwania zapadów napięcia w systemie elektroenergetycznym. Obliczenia wykonano przy...
-
Effect of contactless hybrid current limiter on voltage dips in power system.
PublikacjaW referacie przedstawiono działanie hybrydowego niskonapięciowego ogranicznika prądu zwarciowego, składającego się z ultraszybkiego bezpiecznika, tranzystora mocy i warystora. W szczególności omówiono możliwości polepszenia jakości dostarczanej do odbiorców energii elektrycznej. Zastosowanie hybrydowego ogranicznika prądu znacznie ogranicza czasy trwania zapadów napięcia w systemie elektroenergetycznym. Obliczenia wykonano przy...
-
Device characteristics extraction by low frequency noise measurements; Someresults on the state-of-the-art MOSFET´s
PublikacjaPrzedstawiono wyniki pomiarów i analizy szumów tranzystorów MOSFET z izolatorem bramki wykonanym z SiO2 i HfO2. Wyniki pomiarów wykorzystano do oszacowania gęstości aktywnych stanów na powierzchni użytego tlenku i porównano z wynikami otrzymanymi metodą charge-pumping.
-
Low frequency noise and reliability properties of 0.12um CMOS devices with Ta2O5 as gate dielectrics
PublikacjaW artykule przedstawiono wyniki badań jakości tranzystorów CMOS 0.12um z Ta2O5 użytym jako dielektryk bramki. Przedstawione są charakterystyki statyczne elementów oraz wyniki pomiarów szumów prowadzonych w celu określenia jakości warstwy dielektrycznej Ta2O5, a także wyniki badań przeciążeniowych elementów.
-
Dynamiczny model uogólnionego łącznika energoelektronicznego do symulacji układów przekształtnikowych
PublikacjaZaproponowano strategię modelowania, w której po określeniu postaci modelu dobiera się numeryczne metody obliczeniowe stosowane w symulacji. Przedstawiono opracowany uogólniony, nieliniowy model tranzystora mocy IGBT. Przyjęto, że do określenia parametrów tego modelu powinna wystarczać znajomość standardowych, katalogowych para-metrów i charakterystyk. Przedstawiono model zaciskowy o klasycznej strukturze, odwzorowujący z wystarczającą...
-
Nowy sposób generowania wektora napięcia wyjściowego w falowniku napięcia
PublikacjaW artykule przedstawiono metodę modulacji szerokości impulsów,w której wyeliminowano problemy związane z kompensacją wpływu czasu martwego w zakresie niskich częstotliwości napięcia wyjściowego. W algorytmie modulacji skorygowane zostały błędy generowania napięcia wyjściowego związane z pojemnościami pasożytniczymi tranzystorów mocy.
-
Metodyka oceny bioolejów
PublikacjaW artykule przedstawiono procedurę kontroli olejów do smarowania układów tnących pilarek i harwesterów. Potrzeba kontroli wynika z rozporządzenia Dyrektora RDLP w Gdańsku z dnia 28.09.2015r., które dotyczy stosowania biodegradowalnych olejów do smarowania układów tnących. Procedura obejmuje wykonanie wstępnego testu kroplowego z zastosowaniem lampy UV oraz badań laboratoryjnych technikami: cienkowarstwowej chromatografii cieczowej...
-
A boost topology active power factor corrector.
PublikacjaPrzedstawiono układ analogowego aktywnego korektora zbudowanego na układzie scalonym kontrolera PWM oraz tranzystorem MOS jako okresowo przełączonym kluczem. Układ korektora zapewnia pobór prądu z sieci energetycznej w postaci przebiegu prawie sinusoidalnego o małych zniekształceniach i w fazie z sinusoidalnym napięciem sieci.
-
Modelowanie wpływu pojemności pasożytniczych oraz czasu martwego na napięcia wyjściowe falowników wielopoziomowych typu NPC
PublikacjaPrzedstawiono wpływ pojemności pasożytniczych na zniekształcenia napięcia wyjściowego wielopoziomowych falowników typu NPC spowodowane wprowadzeniem czasu martwego. Opracowany model pozwala na dokładny opis zniekształceń napięcia oraz jego precyzyjną kompensację znacząco poprawiając jakość formowanego napięcia w szczególności w porównaniu z metodami kompensacji nie uwzględniającymi wpływu pojemności Pasożytniczych. Pojemność pasożytnicza...
-
Modulacja szerokości impulsów w falownikach prądu
PublikacjaW pracy zaproponowano nową metodę modulacji szerokości impulsów dla falowników prądu. Prezentowana metoda modulacj pozwala na eliminację przepięć związanych z obecnością pojemności pasożytniczych tranzystorów mocy i posożytniczymi indukcyjności w obwodzie komutacyjnym. Dodatkowo umożliwia zwiększenie dokładności pomiarów zmiennych wykorzystywanych w układzie sterowania maszyną elektryczną
-
Modulacja szerokości impulsów w falownikach prądu
PublikacjaW pracy zaproponowano nową metodę modulacji szerokości impulsów dla falowników prądu. Prezentowana metoda modulacj pozwala na eliminację przepięć związanych z obecnością pojemności pasożytniczych tranzystorów mocy i posożytniczymi indukcyjności w obwodzie komutacyjnym. Dodatkowo umożliwia zwiększenie dokładności pomiarów zmiennych wykorzystywanych w układzie sterowania maszyną elektryczną