Filters
total: 665
filtered: 568
-
Catalog
Chosen catalog filters
Search results for: 2D SEMICONDUCTORS
-
Surface Properties and Photocatalytic Activity of KTaO3, CdS, MoS2 Semiconductors and Their Binary and Ternary Semiconductor Composites
Publication -
Surface properties and photocatalytic activity of KTaO3, CdS, MoS2 semiconductors and their binary and ternary semiconductor composites
PublicationSingle semiconductors such as KTaO3, CdS MoS2 or their precursor solutions were combined to form novel binary and ternary semiconductor nanocomposites by the calcination or by the hydro/solvothermal mixed solutions methods, respectively. The aim of this work was to study the influence of preparation method as well as type and amount of the composite components on the surface properties and photocatalytic activity of the new semiconducting...
-
A Quasi-2D MOSFET Model — 2D-to-Quasi-2D Transformation
PublicationA quasi-two-dimensional (quasi-2D) representation of the MOSFET channel is proposed in this work. The representation lays the foundations for a quasi 2D MOSFET model. The quasi 2D model is a result of a 2D into quasi 2D transformation. The basis for the transformation are an analysis of a current density vector field and such phenomena as Gradual Channel Detachment Effect (GCDE), Channel Thickness Modulation Effect (CTME), and...
-
Mobility measurements in oxide semiconductors
PublicationPraca zawiera wyniki badań właściwości elektrycznych, optycznych i strukturalnych cienkich warstw ito i sno2. badania wykazały, że cienkie warstwy tlenków metali wykazują rezystywność charakterystyczną dla półprzewodników. poziom transmisji światła w zakresie widzialnym pozwala zaliczyć badane warstwy do materiałów przezroczystych. badane cienkie warstwy wykonano metodą rozpylania magnetronowego.
-
Noise in semiconductor devices
PublicationOmówiono typowe źródła szumów występujące w przyrządach pólprzewodnikowych, a mianowicie: cieplne, śrutowe, generacyjno-rekombinacyjne, 1/f, 1/f2, wybuchowe (RTS), lawinowe. Przedstawiono szumowe schematy zastępcze tranzystora bipolarnego, JFET i MOSFET oraz opisano wydajności poszczególnych źródeł szumów. Zasugerowano jak dobierać przyrządy półprzewodnikowe do małoszumowych układów w zakresie małych częstotliwości.
-
Electron mobility variance in semiconductors: the variance approach
PublicationPraca przedstawia nowe podejście da analizy zjawisk losowych w półprzewodnikach. Uwzględnia kilka mechanizmów zjawisk fluktuacji ruchliwości w półprzewodnikach, prowadzących do powstawamai składowej szumów typu 1/f, dominujących w zakresie małych czetotliwości. Przedstawia analizę sposobu wyznaczenia stałej Hooge'a określającej intensywność szumów typu 1/f.The statistical non-triviality of current carrier mobility fluctuations...
-
Enhanced trap-assisted recombination in organic semiconductors
PublicationAn analytical model to describe the interaction of excitons and charge transfer states with deep traps is formulated for the case of molecular materials. Here, we have considered the influence of a trap-assisted recombination on this phenomenon. The final expression for the effective recombination rate has been derived from the Shockley–Read–Hall theory and kinetic equations which characterize different photophysical processes....
-
Fluctuation phenomena in semiconductor gas sensors
PublicationCzujniki gazu mogą być wytwarzane z cienkiej warstwy półprzewodnika, która po podgrzaniu do odpowiedniej temperatury staje się czuła na gaz. Zjawisko to jest dobrze znane i szeroko opisane w literaturze. Jako wskaźnik detekcji gazu wykorzystuje się zmianę rezystancji stałoprądowej czujnika. Zwiększenie czułości i, co najważniejsze z praktycznego punktu widzenia, selektywności dyskryminacji można uzyskać jeśli warstwa półprzewodnika...
-
On the selectivity of nanostructured semiconductor gas sensors
Publication.
-
Space-charge-limited current fluctuations in organic semiconductors
PublicationBadania szumów elektrycznych w zakresie niskich częstotliwości, w regionie prĄdów ohmowych, zapełniania siĘ pułapek nośników ładunku i prądów ograniczonych ładunkiem przestrzennym w polikrystalicznych poliacenach, takich jak tetracen i pentacen.
-
2D Mathematical Model of the Commutator Sliding Contact of an Electrical Machine
PublicationW artykule przedstawiono model matematyczny 2D komutatorowego zestyku ślizgowego z wieloma stopniami swobody. W modelu uwzględniono zmienne wymuszenia działające na szczotkę. Wymuszenia te są wynikiem falistości wirującego komutatora. Szczotka została zamodelowana jako system wielu mas, elementów sprężystych i tłumików rozłożonych w kierunku stycznym i promieniowym. Zamodelowano wszystkie oddziaływania lepkosprężyste pomiędzy komutatorem...
-
0D, 1D, 2D molybdenum disulfide functionalized by 2D polymeric carbon nitride for photocatalytic water splitting
Publication -
f-γ current fluctations in organic semiconductors: evidence for percolation
PublicationSzumowe spektra o nachyleniu f-γ były obserwowane w organicznych półprzewodnikach i interpretowane przy pomocy hoppingowego modelu szumów. S(f) spektra wykazywały max w regionie wypełniania się pułapek nośników ładunku. W tym artykule dyskutujemy warunki określające poszczególne rodzaje SCLC transportu. Model perkolacyjny został użyty do opisu przejść pomiędzy fazą izolatora a przewodnika, gdzie małe zmiany przełożonego napięcia...
-
Reduced order model of 2d system
PublicationA new method of modelling is developed for static and dynamic analysis of two-dimensional elastic bodies. In the analysis, an elastic body is divided into strips. For each one-dimensional strip the reduced modal model is build up. The modal model contains appropriate number of inputs and outputs to connect lumped interaction that occur between strips. Proposed method of modelling enables to obtain more accurate and more simple...
-
Methodology of semiconductor devices classification into groups of differentiated quality
PublicationZaproponowano klasyfikację przyrządów półprzewodnikowych do grup o zróżnicowanej jakości na podstawie ich szumów własnych z zakresu małych częstotliwości. Przedstawiono metodologię umożliwiającą stwierdzenie, czy zaproponowany parametr szumowy X dla danego typu przyrządu półprzewodnikowego może być stosowany do określenia jakości. Sprecyzowano przebieg badań wstępnych bazujących na ocenie wyników pomiarów szumów własnych z zakresu...
-
A new nethod for RTS noise of semiconductor devices identification
PublicationIn the paper, a new method, called the noise scatterin pattern method (NSP method), for random telegraph signal noise identyfication in the inherent noise of semiconductor devices is described. A block diagram of a noise measurement system based on the NSP method is presented. Examples of patterns of the NSP method are presented.
-
Gas sampling system for matrix of semiconductor gas sensors
PublicationSemiconductor gas sensors are popular commercial sensors applied in numerous gas detection systems. They are reliable, small, rugged and inexpensive. However, there are a few problem limiting the wider use of such sensors. Semiconductor gas sensor usually exhibits a low selectivity, low repeatability, drift of response, strong temperature and moisture influence on sensor properties. Sample flow rate is one of the parameters that...
-
Gas detection in semiconductor sensors using fluctuation phenomena
PublicationRozpatrzono problemy pomiaru szumów, kóre należy rozwiązać, gdy szumy traktuje się jako dodatkowe źródło informacji o gazach. Metoda szumowa (spektroskopia szumów rezystancyjnych, widma wyższych rzędów) daje więcej informacji polepszając czułość i seleKtywność czujnika.
-
Dipole matrix for the 2D inclusions close to circular
Publication -
Particle shape dependence in 2D granular media
PublicationParticle shape is a key to the space-filling and strength properties of granular matter. We consider a shape parameter eta describing the degree of distortion from a perfectly spherical shape. Encompassing most specific shape characteristics such as elongation, angularity and non-convexity, eta is a low-order but generic parameter that we used in a numerical benchmark test for a systematic investigation of shape dependence in sheared...
-
2D MXene nanocomposites: electrochemical and biomedical applications
PublicationIn recent years, key questions about the interaction of 2D MXene nanomaterials in electrochemical and biomedical applications have been raised. Most research has focused on clarifying the exclusive properties of the materials; however, only limited reports have described the biomedical applications of 2D nanomaterials. 2D MXenes are monolayer atomic nanosheets resulting from MAX phase ceramics. The hydrophilic properties, metallic...
-
2D inverse method of turbomachinery stage design
Publication1. How 2D model for turbomachinery stages has developed historically. 2. Recent understanding of physical background of 2D model. 3. Curvilinear system of non-orthogonal coordinates in the application to 2D model. 4. Set of basic equations. 5. Closing conditions for the inverse problem. 6. Examples of solutions a)
-
2D lattice model for fracture in brittle materials
PublicationW artykule przedstawiono wyniki obliczeń propagacji rys w elementach betonowych przy zastosowaniu modelu dyskretnego opartego na ruszcie belkowym. Obliczenia wykonano dla różnych problemów brzegowych.
-
Effect of ionic liquids on surface and photocatalytic properties of selected semiconducttors
PublicationThe main aim of this doctoral dissertation was to explain the role of ionic liquids in shaping the morphology of selected semiconductors, thereby enhancing the photocatalytic activity. In order to achieve this goal, the following research steps were taken: (i) developing synthesis methods of selected semiconductors, with particular emphasis on the electrochemical oxidation method; (ii) understanding the influence of the selected...
-
Identification of inherent noise components of semiconductor devices on an example of optocouplers
PublicationIn the paper, a method of estimation of parameters of Gaussian and non-Gaussian components in the noise signal of semiconductor devices in a frequency domain is proposed. The method is based on composing estimators of two spectra, corresponding to noise (Gaussian component) and two-level RTS noise (non-Gaussian component). The proposed method can be applied for precise evaluation of the corner RTS frequency fRTS in the noise...
-
Investigation of the temperature modulation parameters on semiconductor gas sensor response
PublicationIn this work we present the results of the investigation of the sensing properties of semiconductor gas sensors with a sinusoidally modulated temperature in the presence of synthetic air (SA) and three volatile air pollutants, i.e. NH3, NO2 and SO2. The measurements were performed for different average sensor heater temperatures and the amplitude of the modulation signal. In addition, the extraction of features from the sensor...
-
Modeling of Transient Photocurrent in Organic Semiconductors Incorporating the Annihilation of Excitons on Charge Carriers
PublicationThe role of the annihilation of excitons on charge carriers has been theoretically investigated in organic semiconductors. We have developed the numerical drift-diffusion model by incorporation terms which describe the annihilation process. The transient photocurrent has been calculated for different injection barrier heights, exciton mobilities, and annihilation rate constants. We have demonstrated that the annihilation has a...
-
Representative volume element in 2D for disks and in 3D for balls
Publication -
Optimal asynchronous estimation of 2D Gaussian-Markov processes
PublicationW artykule rozważa się problem estymacji trajektorii dwuwymiarowych ciągłoczasowych procesów Gaussa-Markowa na podstawie zaszumionych pomiarów wykonywanych w nierównomiernie rozłożonych chwilach czasu. W przypadku takiego problemu, w każdym cyklu pracy algorytmu należy dokonać dyskretnoczasowej predykcji (analogicznie jak w przypadku filtru Kalmana). Niestety zadanie to może być złożone obliczeniowo. Aby rozwiązać ten problem,...
-
2D inverse solution for cone-shaped centrifugal compressor
PublicationWprowadzono stożkowy układ współrzędnych dla opisania obszaru wirnika sprężarki promieniowej. W takim układzie został sformułowany problem odwrotny. Oznacza to, że dla założonej jednej rodziny powierzchni prądu (S1) w formie powierzchni stożkowych druga rodzina (S2) jest znajdywana w drodze rozwiązania układu równań zachowania. Pokazano w jaki sposób rozwiązanie zależy od warunków brzegowych. Przedstawiona metoda jest przydatna...
-
Flow models 1D, 2D, 3D for diagonal pump
PublicationTrzy typowe modele stosowane w maszynach wirnikowych 1D, 2D, 3D zostały przedstawione w zastosowaniu do przepływu w pompie diagonalnej. W ramach modelu 1D przedstawiono prezentację procesu na wykresie energia -straty. W ramach modelu 2D pokazano wynik rozwiązania zadania odwrotnego prowadzącego do kształtu łopatek wirnika pompy. W ramach modelu 3D wykonano obliczenia programem FLUENT pokazując charakterystyczne cechy dwóch różnie...
-
Optical theorem helps understand thresholds of lasing in open semiconductor microcavities
Publication -
Effect of Semiconductor Element Substitution on the Electric Properties of Barium Titanate Ceramics
PublicationThe investigated ceramics were prepared by a solid-state reaction from simple oxides and carbonates with the use of a mixed oxide method (MOM). The morphology of BaTi0.96Si0.04O3 (BTSi04) ceramics was characterised by means of a scanning electron microscopy (SEM). It was found that Si+4 ion substitution supported the grain growth process in BT-based ceramics. The EDS results confirmed the high purity and expected quantitative composition...
-
Single and Three -Phase PWM AC/AC Converters as Semiconductor Transformers
PublicationAC voltage transformation circuits contain pure or reactance PWM AC/AC converters. These circuits can be treated as AC/AC semiconductor transformers. This paper reviews single-phase and three-phase topologies: both non-isolated and isolated, single as well as two quadrant structure. Additionally, this paper present selected examples of their applications.
-
Low-frequency noise in ZrS3 van der Waals semiconductor nanoribbons
PublicationWe report the results of the investigation of low-frequency electronic noise in ZrS3 van der Waals semiconductor nanoribbons. The test structures were of the back-gated field-effect-transistor type with a normally off n-channel and an on-to-off ratio of up to four orders of magnitude. The current–voltage transfer characteristics revealed significant hysteresis owing to the presence of deep levels. The noise in ZrS3 nanoribbons...
-
Operation of an ultra short fuse shunted by a semiconductor device: simulation and experiments.
PublicationW artykule przedstawiono ideę działania i wymagane cechy ultraszybkiego bezpiecznika w ograniczniku hybrydowym z równoległym elementem półprzewodnikowym. Eksperyment i modelowanie działanie bezpiecznika przeprowadzono dla spodziewanego prądu zwarciowego 2 kA. Symulacje wykonano przy użyciu programu polowego FLUX. Jego zastosowanie do modelowania ultrakrótkich bezpieczników zostało również przedstawione.
-
Noise Scattering Patterns Method for Recognition of RTS Noise in Semiconductor Components
PublicationOpisano nową metodę identyfikacji i wizualizacji szumów RTS. Metoda ta oparta na graficznym przedstawieniu przebiegu szumowego jest szczególnie użyteczna do szybkiej selekcji elektronicznych elementów półprzewodnikowych. Przedstawiono także rezultaty filtacji medianowej szumu zawierającego składową RTS. Filtrację medianową zastosowano do poprawienia obrazu szumu uzyskanego w wyniku zastosowania metody NSP.
-
High-Entropy Perovskites as Multifunctional Metal Oxide Semiconductors: Synthesis and Characterization of (Gd0.2Nd0.2La0.2Sm0.2Y0.2)CoO3
Publication -
The influence of the thickness, recombination and space charge on the loss of photocurrent in organic semiconductors: an analytical model
PublicationWe propose an analytical model of the photocurrent efficiency dependence on the light intensity in organic semiconductors. The influence of the thickness of sample, space charge effects and recombination of charge on the loss of photocurrent has been considered. We demonstrate that the presented model is the enhancement of an analytical model reported recently by Rappaport et al (2005 J. Appl. Phys. 98 033714). The method to identify...
-
Synthesis, characterization, and application of 2D/2D TiO2-GO-ZnFe2O4 obtained by the fluorine-free lyophilization method for solar light-driven photocatalytic degradation of ibuprofen
PublicationIn this study, we report the potential of 2D/2D TiO2- GO-ZnFe2O4 photocatalyst obtained using the fluorine-free lyophilization technique for the degradation of ibuprofen belonging to the group of active pharmaceutical ingredients (API). The improved ibuprofen degradation under simulated solar light was achieved in the presence of a composite of 2D TiO2 combined with GO and embedded ZnFe2O4, which additionally provides superparamagnetic...
-
Copper-based 2D-coordination polymer as catalyst for allylation of aldehydes
PublicationA copper-tartrate, [Cu2(Tart)2(H2O)2]·4H2O, was synthesized at room temperature in aqueous media using copper chloride and D-tartaric acid. The compound crystallizes in the monoclinic system P21 space group and was characterized by infrared spectroscopy, thermogravimetry, X-ray powder diffraction and the results are in good agreement with the single crystal...
-
Degenerated isoparametric finite elements in nonlinear analysis of 2D-problems
Publication -
Neural network approach to 2D Kalman filtering in image processing
Publication -
Fracture Energy of Bonded Joints with 2D Elastic Adhesive Layer
PublicationWhen bonded joint is subjected to mode I fracture loading, the adhesive joints analytical solutions treats the adhesive layer, usually, as not existing or 1D Hooke elastic layer. In the case of 1D elastic layer, represented as Hookes spring element, is acting, only, in direction contrary to the applied load. Basing on the information yielded from sensitive laser profilometry technique, where deflections of bonded part of the joint...
-
A quasi-2D small-signal MOSFET model - main results
PublicationMain results stemming from a new quasi 2D non-quasi-static small-signal four-terminal model of the MOSFET are presented in this work. The model is experimentally verified up to 30 GHz.
-
A quasi-2D small-signal MOSFET model - main results
PublicationDynamic properties of the MOS transistor under small-signal excitation are determined by kinetic parameters of the carriers injected into the channel, i.e., the low-field mobility, velocity saturation, mobility at the quiescent-point (Q-point), longitudinal electric field in the channel, by dynamic properties of the channel, as well as by an electrical coupling between the perturbed carrier concentration in the channel and the...
-
Influence of mesh density on 2D viscous flutter in a turbomachinery cascade
PublicationIn this study numerical simulations of 2D viscous flutter were performed and compared with available experimental results for various mesh densities and flow parameters. Calculations were carried out for the bending oscillations of an Eleventh Standard Configuration cascade. ANSYS CFX code was used for the SST, SA and k-ω turbulence model calculations.
-
EFFICIENT LINE DETECTION METHOD BASED ON 2D CONVOLUTION FILTER
PublicationThe article proposes an efficient line detection method using a 2D convolution filter. The proposed method was compared with the Hough transform, the most popular method of straight lines detection. The developed method is suitable for local detection of straight lines with a slope from -45˚ to 45˚. Also, it can be used for curve detection which shape is approximated with the short straight sections. The new method is characterized...
-
Measurements of the optical and thermal properties of the 2D black phosphorus coating
PublicationBlack phosphorus is a 2D material, which properties are still being discovered. In this paper, the sensitivity to the temperature of a few-layer black phosphorus coating deposited, on the surface of a microsphere-based fiber-optic sensor, by a dip-coating method is presented. The coating was investigated after 2, 3, and 5 deposition cycles and during temperature growth from 50 °C to 300 °C in an interferometric setup. The intensity...
-
Modele 1D i 2D przepływu w pompie diagonalnej
PublicationW pracy przedstawiono nowe podejście do rozwiązania zadania konstrukcyjnego pompy w ramach modelu osiowo-symetrycznego typu 2D. Przykład obliczeniowy cytowany w artykule przedstawia wirnik pompy diagonalnej poddanej obliczeniom 3D.Przedstawiono także nowy sposób prezentacji procesu tłoczenia w pompie diagonalnej w ramach modelu 1D w postaci wykresu energia - straty energii.