Wyszukiwarka
Filtry
wszystkich: 286
wybranych: 235
-
Katalog
Filtry wybranego katalogu
Wyniki wyszukiwania dla: PRZETWORNICA TRANZYSTOROWA
-
Przetwornica dc-dc z miękką komutacją tranzystorów
PublikacjaW artykule zaprezentowano wyniki badań eksperymentalnych przetwornicy DC-DC o mocy 20[kW], w której ograniczenie komutacyjnych strat mocy zapewniono poprzez wykorzystanie dławika z odczepem oraz dodatkowego obwodu rezonansowego. Przedstawiono wyniki badań eksperymentalnych wpływu wartości parametrów poszczególnych elementów układu przetwornicy na zachowanie warunków miękkiej komutacji.
-
Przetwornica dc-dc z miękką komutacją tranzystorów
PublikacjaW artykule zaprezentowano wyniki badań eksperymentalnych przetwornicy DC-DC o mocy 20[kW], w której ograniczenie komutacyjnych strat mocy zapewniono poprzez wykorzystanie dławika z odczepem oraz dodatkowego obwodu rezonansowego. Przedstawiono wyniki badań eksperymentalnych wpływu wartości parametrów poszczególnych elementów układu przetwornicy na zachowanie warunków miękkiej komutacji.
-
Modelowanie układu przetwornicy rezonansowej dc-dc z miękką komutacją tranzystorów.
PublikacjaW referacie zaprezentowano model matematyczny przetwornicy DC-DC, który umożliwia przeprowadzenie badań symulacyjnych układu przetwornicy oraz dobór parametrów głównych jej elementów.
-
Tranzystorowy czujnik pola magnetycznego.
PublikacjaPrzedstawiono nową konstrukcję tranzystora polowego typu MOS, który może być wykorzystany do pomiaru lub detekcji pola magnetycznego. Zasada działania nowego czujnika oparta jest na jednym ze zjawisk galwanomagnetycznych i nie różni się od zasady działania znanego z literatury przedmiotu tranzystora SD MAGFET. Jednak dzięki oryginalnej konstrukcji, przewidywana czułość nowego tranzystora na zmianę wartości indukcji magnetycznej...
-
Piezoelektryczne przetworniki elektromechaniczne
PublikacjaKryształy piezoelektryczne w polu elektrycznym drgają. Amplituda drgań jest największa przy częstotliwości rezonansowej. Do budowy przetworników elektromechanicznych są wykorzystywane elementy piezoceramiczne, które mają wysoką sprawność przetwarzania energii elektrycznej na energię drgań.
-
Koncepcja cyfrowego przetwornika napięcie-częstotliwość
PublikacjaDokonano przeglądu przetworników analogowych wielkości fizycznych na sygnał impulsowy modulowany częstotliwościowo. Przedstawiono propozycję cyfrowego przetwornika napięcie-częstotliwość. Opisano algorytm działania przetwornika, w którym odstęp między impulsami sygnału częstotliwościowego wyznaczany jest z ekstrapolacji z dwóch próbek napięcia z przetwornika analogowo-cyfrowego. Podano zalety i wady takiego rozwiązania.
-
Badania symulacyjne wysokonapięciowej przetwornicy DC/DC
PublikacjaW artykule zaprezentowano wyniki badań symulacyjnych przekształtnika energoelektronicznego typu DC/DC działającego w układzie niepełnego mostka z transformatorem izolacyjnym pracującym przy dużej częstotliwości. Badania symulacyjne wykonano posługując się pakietem Matlab-Simulink z biblioteką SimPowerSystems. Omówiono problemy zastosowania wysokonapięciowych tranzystorów z izolowaną bramką do konstrukcji przekształtników wysokiego...
-
Przetwornica rezonansowa LLC AC-DC w układzie półmostka
PublikacjaW artykule przedstawiono rezultaty prac nad rezonansową przetwornicą AC/DC typu LLC w układzie półmostka o mocy 100W. Układ sterowania przetwornicy został opracowany w oparciu o dedykowany sterownik UCC25600 (Texas Instrumens). W pracy przedstawiono koncepcję przetwornicy oraz porównano właściwości opracowanej przetwornicy z komercyjnie dostępnym układem typu Flyback.
-
Behawioralny model tranzystora IGBT
PublikacjaW artykule przedstawiono rezultaty prac nad uniwersalnym modelem tranzystora bipolarnego z izolowaną bramką (IGBT), przydatnym w symulacjach układów energoelektronicznych wymagających odwzorowania stanów ustalonych i dynamicznych. Rozważono behawioralny model IGBT w układzie klasycznym z nieliniowymi aproksymacjami pojemności pasożytniczych. Eksperymentalne testy modelu modułu IGBT typu CM200DY-24A (Mitsubishi) przeprowadzono w...
-
Przekształtniki tranzystorowe działające w trybie prądu trójkątnego
PublikacjaPrzekształtniki oparte na węgliku krzemu mogą być analizowane jako źródła napięcia lub prądu niezależnie od topologii przy odpowiednich parametrach filtru wyjściowego. Szczególnie interesujące są falowniki napięcia działające w trybie prądu trójkątnego. W referacie przedstawiono sterowanie trójfazowym falownikiem napięcia posiadającym właściwości źródła prądu. Pokazano, jak dobrać parametry filtru wyjściowego falownika. Oceniono...
-
Badania eksperymentalne rezonansowego przetwornika piezoelektrycznego typu "unimorph"
PublikacjaW artykule opisano badania eksperymentalne piezoelektrycznego rezonansowego przetwornika zastosowanego do pomiaru właściwości mechanicznych tkanek miękkich. Po krótkim wstępie w kolejnych punktach przedstawiono opis stanowiska pomiarowego oraz metody pomiaru odkształceń prototypów, przesunięć częstotliwości rezonansowej, impedancji elektromechanicznej i parametrów schematów zastępczych. W dalszej...
-
Decymator do przetwornika A/C typu ä(delta)
PublikacjaArtykuł opisuje projekt decymatora wykorzystywanego w przetworniku analogowo-cyfrowym typu ä(trójkt). Zaprojektowana struktura została zasymulowana zza pomocą programu MATLAB. Rozwijając architekturę decymatora szczególny nacisk został położony na minimalizację pobieranej mocy.
-
Wyznaczanie impedancji przetwornika piezoelektrycznego z odpowiedzi impulsowej.
PublikacjaW artykule przedstawiono metodę wyznaczania impedancji przetwornika z jego odpowiedzi impulsowej. Odpowiedź impulsową rejestruje się za pomocą oscyloskopu cyfrowego Impedancję oblicza się z zarejestrowanej odpowiedzi impulsowej używając szybkiej transformaty Fouriera. Zaproponowana metoda pomiaru może znacznie uprościć system pomiarowy pełnej (zespolonej) impedancji elektrycznej w funkcji częstotliwości. W artykule pokazano zalety...
-
Małosygnałowy model tranzystora typu MAGFET
PublikacjaWyprowadzono małosygnałowy model tranzystora typu MAGFET pracującego jako czujnik pola magnetycznego, w którym uwzględniono wzajemne oddziaływanie napięć drenów. Wykorzystując nowoopracowany model obliczono czułość napięciową typowego układu pracy MAGFET-a na pole magnetyczne.
-
SiC-based phase-shift dual half bridge DC-DC converter as a key component of multilevel cascaded MV converters
PublikacjaThe paper describes SiC-based dual half bridge (DHB) DC-DC converter considered as a key component of high frequency isolated multilevel cascaded medium voltage converters. Two topologies of bi-directional DC-DC converters: the resonant half-bridge DC-DC converter and the phase-shift DHB converter are compared in the paper. Experimental results of SiC-based 50 kHz DHB DC-DC converter are presented in the paper.
-
Wpływ rozłożenia elementów przetwornicy ST1S10PUR na rozkład temperatury
PublikacjaW referacie przedstawiono wpływ zmian rozłożenia elementów w przetwornicy ST1S10PUR o topologii typu Buck na emisję termiczną z układu. Wpływ był analizowany na przykładzie wprowadzania drobnych zmian w rozkładzie ścieżek mozaiki połączeń we wszystkich rozpatrywanych konfiguracjach. Zastosowane zmiany w topologii połączeń pozwalają na oszacowanie rzeczywistych parametrów przetwornicy oraz pozwalają na ocenę ich wpływu na charakterystyki...
-
Prosty komparator analogowy dla cyfrowego przetwornika obrazu CMOS
PublikacjaKomparator napięciowy, oprócz przetwornika światło-napięcie, jest jedynym elementem analogowym w cyfrowym pikselu CMOS. W pracy badano wpływ nieidealności komparatora analogowego na parametry cyfrowego piksela. W tym celu zaprojektowano w technologii CMOS 0,35μm dwie wersje cyfrowego piksela, różniące się typem zastosowanego komparatora analogowego. W pierwszej wersji piksela zastosowano różnicowy komparator o zwiększonej powierzchni...
-
Prosty komparator analogowy dla cyfrowego przetwornika obrazu CMOS
PublikacjaKomparator napięciowy, oprócz przetwornika światło-napięcie, jest jedynym elementem analogowym w cyfrowym pikselu CMOS. W pracy badano wpływ nieidealności komparatora analogowego na parametry cyfrowego piksela. W tym celu zaprojektowano w technologii CMOS 0,35 µm dwie wersje cyfrowego piksela, różniące się typem zastosowanego komparatora analogowego. W pierwszej wersji piksela zastosowano różnicowy komparator o zwiększonej powierzchni...
-
Stałoprądowy model tranzystora typu HSD MAGFET
PublikacjaZaproponowano stałoprądowy model dwudrenowego tranzystora polowego typu HSD MAGFET, wykorzystywanego jako czujnik pola magnetycznego o dużej czułości na zmiany pola magnetycznego i dużej geometrycznej rozdzielczości pomiarowej. Zaprezentowany model odzwierciedla zjawisko podziału prądu płynącego w kanale tranzystora na prądy drenów i uwzględnia wzajemne oddziaływanie napięć drenów VDS1 i VDS2 na prady drenów ID1 i ID2 poprzez wprowadzenie...
-
Weryfikacja stałoprądowego modelu tranzystora typu MAGFET
PublikacjaZaproponowano kompletny, stałoprĄdowy model tranzystora typu MAGFET wykorzystywanego jako czujnik pola magnetycznego. Zaprezentowany model odzwierciedla zależnoŚć podziału prĄdu płynącego w kanale tranzystora na prądy drenów od napięć drenów.
-
Nowe rozwiązanie przetwornika prądu w diagnostyce prądowej silników idukcyjnych
PublikacjaWadą praktycznie wszystkich opublikowanych systemów do diagnostyki łożysk metodą pomiaru prądu zasilającego w silniku indukcyjnym jest niska jakość układów do pomiaru prądu. W prezentowanej pracy jako przetwornik prądu na napięcie zaproponowano transformator o wysokich parametrach, pracujący z przetwarzaniem prądu na napięcie. W referacie zostaną przedstawione wyniki badań przetwornika, które potwierdziły oczekiwane parametry -...
-
Predykcja częstotliwości oscylacji komutacyjnych w wielotransformatorowej przetwornicy typu Flyback
PublikacjaW artykule przedstawiono koncepcję analitycznej predykcji częstotliwości zaburzeń elektromagnetycznych generowanych w przekształtnikach energoelektronicznych. Analizę zaburzeń przeprowadzono na przykładzie wielotransformatorowej przetwornicy w topologii Flyback. Wyniki obliczeń zostały zweryfikowane z pomiarami laboratoryjnymi prototypu przetwornicy.
-
Pikselowy cyfrowy układ CDS przeznaczony do przetwornika obrazu CMOS
PublikacjaW artykule zaproponowano cyfrowy układ CDS (Correlated Double Sampling) przeznaczony do przetwornika obrazu CMOS. Układ różni się od klasycznych rozwiązań tym, że dwie pamięci przechowujące próbki sygnału wizyjnego zastąpiono jednym licznikiem rewersyjnym. Dzięki tej modyfikacji możliwa jest znaczna redukcja powierzchni układu CDS i umieszczenie go w każdym pikselu przetwornika obrazu CMOS. System został zaprojektowany i przesymulowany...
-
Pikselowy cyfrowy układ CDS przeznaczony do przetwornika obrazu CMOS
PublikacjaW artykule zaproponowano cyfrowy układ CDS (Correlated Double Sampling) przeznaczony do przetwornika obrazu CMOS. Układ różni się od klasycznych rozwiązań tym, że dwie pamięci przechowujące próbki sygnału wizyjnego zastąpiono jednym licznikiem rewersyjnym. Dzięki tej modyfikacji możliwa jest znaczna redukcja powierzchni układu CDS i umieszczenie go w każdym pikselu przetwornika obrazu CMOS. System został zaprojektowany i przesymulowany...
-
WPŁYW ZMIAN ROZMIESZCZENIA ELMENTÓW NA EMISJĘ PRZEWODOWĄ PRZETWORNICY ST1S10PUR
PublikacjaW referacie przedstawiono wpływ zmian w topologii (rozłożeniu elementów) przetwornicy ST1S10PUR o topologii typu Buck na emisję zaburzeń przewodowych. Wpływ był analizowany na przykładzie wprowadzania drobnych zmian w rozkładzie ścieżek mozaiki połączeń układu przy zastosowaniu we wszystkich rozpatrywanych konfiguracjach tych samych komponentów. Zastosowane zmiany w topologii połączeń pozwalają na oszacowanie ich wpływu na charakterystyki...
-
Badania oddziaływań fal o dużej amplitudzie dla przetwornika pierścieniowego.
PublikacjaRozważano zjawisko oddziaływań fal o dużej amplitudzie dla przetwornika pierścieniowego. Przedstawiono model matematyczny i wyniki badań teoretycznych.Do modelowania zjawiska zastosowano równania KZK. Rozwiązania zagadnienia poszukiwano wewnątrz stożka ściętego.
-
Metody symulacji przetwornika z impulsowym sygnałem wyjściowym modulowanym częstotliwościowo
PublikacjaW artykule przedstawiono porównanie zaproponowanych przez autorów metod symulacji wyjściowego sygnału impulsowego przetwornika napięcie-częstotliwość U/F. Pierwsza z analizowanych metod oparta jest na modelu fizycznym przetwornika, druga na jego równaniu matematycznym. Mimo odmiennego podejścia otrzymano zbliżone wyniki. W pierwszej metodzie uzyskano wyniki obarczone błędami kwantowania o rozkładzie jak w rzeczywistym układzie...
-
Przetworniki pomiarowe prądu w urządzeniach zabezpieczeń nadprądowych
PublikacjaPrzeprowadzono analizę charakterystyk kilku typów przetworników pomiarowych prądu stosowanych w technice zabezpieczeń prądowych. Wykazano, że rozrzut charakterystyk dynamicznych ''klasycznych'' przetworników opartych na detekcji cieplnych skutków prądu jest bardzo duży. Również boczniki rezystancyjne i przekładniki prądowe indukcyjne w warunkach szybkich zmian prądu wnoszą wielki błąd pomiarowy, osiągający nawet kilkadziesiąt procent....
-
Cyfrowe przetworniki napięcie - częstotliwość i częstotliwość - napięcie
PublikacjaPrzedstawiono metody i układy realizowane w technice mikroprocesorowej do przetwarzania napięcie – częstotliwość i częstotliwość – napięcie oraz analizę dokładności, która umożliwia dopasowanie charakterystyk przetworników do parametrów przetwarzanego sygnału i ograniczenie poziomu błędów.
-
Zastosowanie algorytmów splotowych w syntezie cyfrowych sterowników przetwornic impulsowych
PublikacjaW pracy przedstawiono koncepcję zastosowania rekursywnych algorytmów splotowych do dyskretyzacji transmitancji małosygnałowych przetwornic impulsowych jako efektywną metodę syntezy korektorów wchodzących w skłąd sterowników cyfrowych. Użycie proponowanych metod dyskretyzacji zapewnia zachowanie stabilności wzorców analogowych jak również umożliwia osiągnięcie wysokiej dokładności aproksymacji, która może być dowolnie podwyższana...
-
Właściwości sterowników przetwornic dc-dc opartych na algorytmach splotowych
PublikacjaW pracy przedstawiono wybrane problemy projektowania cyfrowych sterowników przetwornic impulsowych. Szczególny nacisk położono na syntezę umożliwiającą implementację sprzętową kontrolerów w oparciu o tanie technologie CMOS charakteryzujące się znacznymi ograniczeniami na szybkość działania bloków funkcjonalnych. Zaprezentowano symulacje porównawcze właściwości klasycznych korektorów cyfrowych uzyskanych na podstawie prototypu analogowego...
-
Detekcja materiałów przy użyciu organicznych tranzystorów polowych
PublikacjaW ciągu ostatnich dwudziestu lat nastąpił rozwój elektroniki organicznej, która stała się ważnym obszarem badań naukowych i technologicznych. Organiczne ogniwa fotowoltaiczne i organiczne diody elektroluminescencyjne zostały wykorzystane w urządzeniach komercyjnych, a jednym z najbardziej obiecujących zastosowań dla organicznych tranzystorów polowych są czujniki chemiczne i biologiczne. Postęp w tej dziedzinie jest tematem tego...
-
Przegląd metod monitorowania stanu technicznego tranzystorów mocy
PublikacjaW artykule przedstawiono kilka metod monitorowania stanu technicznego tranzystorów mocy, które są lub mogą być wbudowane w układy przekształtnikowe. Celem artykułu jest określenie aktualnego stanu badań na ten temat. Prezentowane metody przeznaczone są do monitorowania istotnych objawów starzenia modułów mocy: rozwarstwiania struktury modułu na skutek termomechanicznego zmęczenia stopu lutowniczego, uszkodzeń połączeń drutowych...
-
Przegląd metod monitorowania stanu technicznego tranzystorów mocy
PublikacjaW artykule przedstawiono kilka metod monitorowania stanu technicznego tranzystorów mocy, które są lub mogą być wbudowane w układy przekształtnikowe. Celem artykułu jest określenie aktualnego stanu badań na ten temat. Prezentowane metody przeznaczone są do monitorowania istotnych objawów starzenia modułów mocy: rozwarstwiania struktury modułu na skutek termomechanicznego zmęczenia stopu lutowniczego, uszkodzeń połączeń drutowych...
-
Zastosowanie tranzystorów IGBT w napędach maszyn wibracyjnych
PublikacjaPrzedstawiono układ elektroniczny stopnia mocy maszyny wibracyjnej i przetwarzanie cyfrowe sygnałów sterujących. W rozwiązaniu tym zastosowano układ mostka tranzystorów IGBT sterowany mikroprocesorowo przy użyciu generatora PWM, który wytwarza sygnał o przebiegu prostokątnym z cyfrowo regulowanym wypełnieniu oraz z możliwością zmiany częstotliwości w dużym zakresie. Wykonany stopień mocy zastosowano do zasilania wzbudnika drgań...
-
Niskomocowy komparator z zatrzaskiem przeznaczony do cyfrowego przetwornika obrazu CMOS
PublikacjaW artykule zaproponowano realizację analogowego niskomocowego komparatora z zatrzaskiem przeznaczonego do cyfrowego piksela CMOS. Komparator zaprojektowano w technologii 0,35 μm CMOS. Układ zoptymalizowano pod kątem obniżenia poboru mocy ze źródła zasilającego i powierzchni topografii. W projekcie zastosowano techniki redukcji poboru mocy statycznej i dynamicznej. Komparator przebadano symulacyjnie w układzie cyfrowego piksela...
-
Niskomocowy komparator z zatrzaskiem przeznaczony do cyfrowego przetwornika obrazu CMOS
PublikacjaW artykule zaproponowano realizację analogowego niskomocowego komparatora z zatrzaskiem przeznaczonego do cyfrowego piksela CMOS. Komparator zaprojektowano w technologii 0,35 μm CMOS. Układ zoptymalizowano pod kątem obniżenia poboru mocy ze źródła zasilającego i powierzchni topografii. W projekcie zastosowano techniki redukcji poboru mocy statycznej i dynamicznej. Komparator przebadano symulacyjnie w układzie cyfrowego piksela...
-
Błędy cyfrowej rejestracji prędkości obrotowej z wykorzystaniem przetwornika obrotowo-impulsowego
PublikacjaPrzedstawiono zasadę działania przetwornika obrotowo-impulsowego w zastosowaniu do pomiaru prędkości obrotowej. Omówiono metody rejestracji on-line sygnału impulsowego z przetwornika obrotowo-impulsowego. W metodach tych prędkość obrotowa wyznaczana jest na podstawie ostatniego przedziału miedzyimpulsowego lub na podstawie dwóch ostatnich przedziałów miedzyimpulsowych z ekstrapolacji. Dla sinusoidalnej zmiany prędkości udowodniono,...
-
Pomiary szumów m.cz. tranzystorów MESFET z węglika krzemu
PublikacjaTranzystory MESFET z węglika krzemu typu CRF24010 (CRREE) są przyrządami mocy przeznaczonymi do pracy w zakresie wysokich częstotliwości. Ze względu na możliwość oceny technologii tych przyrządów, a także ich jakości celowe jest określenie ich właściwości szumowych w zakresie małych częstotliwości. Przedstawiono wyniki badań wykonanych w celu oceny właściowści szumowych tranzystorów MESFET z SiC oraz zaproponowano schemat szumowy...
-
Behawioralne modelowanie tranzystorów IGBT do symulacji układów energoelektronicznych
PublikacjaW monografii dokonano syntezy behawioralnego modelu tranzystora IGBT o strukturze klasycznej, odzwierciedlającego właściwości statyczne oraz dynamiczne IGBT. Zaproponowane metody identyfikacji parametrów modelu bazują na danych katalogowych oraz wynikach eksperymentalnych. Do zaproponowanych metod identyfikacji parametrów modelu wymagane są dane katalogowe, tj. charakterystyki statyczne: iC(uGE), uC(uCE) oraz charakterystyka dynamiczna...
-
Charakterystyka tranzystorów z węglika krzemu w wysokosprawnych przekształtnikach
PublikacjaPółprzewodnikowe przyrządy mocy z węglika krzemu (SiC) osiągnęły poziom technologiczny umożliwiający powszechne stosowanie w układach przekształtnikowych. W artykule omówiono ostatnie osiągnięcia dotyczące układów przekształtnikowych z przyrządami z węglika krzemu oraz wybrane wyniki badań realizowane na Politechnice Gdańskiej. W artykule opisano właściwości statyczne i dynamiczne tranzystorów MOSFET i JFET z węglika krzemu oraz...
-
Zastosowanie tranzystorów GaN w wysokoczęstotliwościowych przekształtnikach DC/DC
PublikacjaW artykule przedstawiono tranzystory mocy z azotku galu (GaN) jako przyrządy, umożliwiające budowanie wysokoczęstotliwościowych przekształtników energoelektronicznych. Opisano tranzystory GaN HEMT SSFET, przedstawiono sposób ich sterowania i czasy przełączeń. Podano wyniki badań eksperymentalnych przekształtnika obniżającego napięcie o sprawności 96,5%, pracującego z częstotliwością przełączeń 500 kHz. Zaprezentowano metodę doboru...
-
Właściwości nie-quasi-statycznego modelu tranzystora wewnętrznego MOS
PublikacjaPrzedstawiono założenia i właściwości oryginalnego nie-quasi-statycznego modelu małosygnałowego tranzystora wewnętrznego MOS oraz dokonano przeglądu i podziału znanych w literaturze przedmiotu małosygnałowych modeli tranzystora polowego.
-
Jednosekwencyjny statyczny model prądowo-napięciowo-temperaturowy tranzystora MOS.
PublikacjaZaprezentowano i zweryfikowano eksperymentalnie nowy jednosekcyjny statyczny model pradowo-napięciowo-temperaturowy tranzystora MOS. Nowy model jest spójny fizycznie i zawiera dużo mniej parametrów niż powszechnie znane modele.
-
Rozkład gęstości ruchomego ładunku wzdłuż kanału tranzystora MOS
PublikacjaPrzedyskutowano i dokonano analizy ilościowej rozkładu gęstości ruchomego ładunku wzdłuż kanału tranzystora MOS - jednej z podstawowych wielkości definiujących prąd kanału (drenu). Zwrócono uwagę na konsekwencje jakie implikuje stosowanie przybliżenia łagodnego kanału w modelowaniu stałoprądowych charakterystyk tranzystora polowego. Zaprezentowano wyniki analizy dwuwymiarowej określającej w formie analitycznej wielkość ładunku...
-
Ładowanie baterii akumulatorów przy wykorzystaniu przetwornicy dc/dc ze sterowaniem mikroprocesorowym
PublikacjaW referacie przedstawiono metodologię procesu ładowania baterii akumulatorów kwasowo - ołowiowych, z wykorzystaniem nowoczesnego prostownika impulsowego (przetwornicy DC/DC), sterowanego mikroprocesorem. Zaprezentowano i omówiono wyniki analizy energetycznej i sprawnościowej dla wybranej metody ładowania. Przedstawiono wady i zalety ładowania akumulatorów kwasowo - ołowiowych prądem o charakterze impulsowym i wysokiej częstotliwości...
-
Szacowanie niepewności funkcji przetwarzania przetwornika LEM CT -5T metodą Monte Carlo
PublikacjaW referacie zaprezentowano metodologię szacowania niepewności funkcji przetwarzania przetwornika prądowego, na przykładzie przetwornika LEM CT-5T, przy zastosowaniu metody opartej na Przewodniku GUM z zastosowaniem prawa propagacji niepewności oraz metody numerycznej Monte Carlo. Przedstawiono szczegółową analizę doboru rozkładu wielkości wejściowej. W przypadku metody Monte Carlo dobór rozkładu wielkości wejściowych jest bardzo...
-
Szacowanie niepewności funkcji przetwarzania przetwornika LEM CT -5T metodą Monte Carlo
PublikacjaW referacie zaprezentowano metodologię szacowania niepewności funkcji przetwarzania przetwornika prądowego, na przykładzie przetwornika LEM CT-5T, przy zastosowaniu metody opartej na Przewodniku GUM, z zastosowaniem prawa propagacji niepewności oraz metody numerycznej Monte Carlo. Przedstawiono szczegółową analizę doboru rozkładu wielkości wejściowej. W przypadku metody Monte Carlo dobór rozkładu wielkości wejściowych jest bardzo...
-
Stałoprądowy model tranzystora mos dla zakresu przed- i nadprogowego
PublikacjaZaprezentowano spójny fizycznie, stałoprądowy, jednosekcyjny model opisujący pracę tranzystora MOS zarówno w zakresie przed- i nadprogowym, jak również w zakresie liniowym (triodowym) i nasycenia (pentodowym). Przedstawiono założenia modelu fizycznego w przestrzeni 2-D i jego transformację do modelu quasi-dwuwymiarowego praz zademonstrowano wyniki weryfikacji eksperymentalnej modelu. Model spełnia warunek symetrii Gummel'a
-
Realizacja przetwornika obrazu CMOS z wbudowaną konwersją A/C i cyfrowym układem CDS
PublikacjaW artykule przedstawiono realizację w technologii CMOS 180 nm przetwornika obrazu z wbudowaną konwersją analogowo-cyfrową oraz z funkcją cyfrowej redukcji szumu. Przedstawiona realizacja przetwornika obrazu różni się od znanych z literatury rozwiązań tym, że układ redukcji szumu CDS (Correlated Double Sampling) umieszczono w każdym pikselu obrazu. Dzięki tej modyfikacji możliwe jest zastąpienie migawki szczelinowej przez migawkę...