Search results for: TRANZYSTOR BIPOLARNY
-
Bipolar mood disorders among Polish psychiatric outpatients treated for major depression
Publication -
Evolutionary optimization of combinational digital circuits with current-mode gates with respect to transistor count
PublicationW artykule przedstawiono metodę ewolucyjnej minimalizacji liczby tranzystorów w cyfrowym układzie kombinacyjnym, zrealizownaym z wykorzystaniem bramek pracujących w trybie prądowym. W zastosowanym algorytmie ewolucyjnym zastosowano chromosomy o budowie wielowarstwowej, przez co zwiększono wydajność optymalizacji. Wyniki otrzymane z wykorzystaniem proponowanej metody zostały porównane z rezultatami osiągniętymi za pomocą map Karnough...
-
Uwarunkowania aparaturowe wymagane przy pomiarze prądów szumów m.cz. struktur tranzystorów submikronowych.
PublicationW artykule przedstawiono metodę pomiaru szumów struktur tranzystorów submikronowych wykorzystującą przetwornik prąd-napięcie ze wzmacniaczem operacyjnym. Przedstawiono czynniki wpływające na dokładność prowadzonych pomiarów szumów oraz sposoby zmniejszania tego wpływu.
-
Polarny wrzesień „Polska Stacja Polarna – Spitsbergen”. XXXIX Wyprawa Polarna, Hornsund 2016
PublicationW dniach od 6 września do 1 października 2016 roku uczestniczyłyśmy w XXXIX Wyprawie Polarnej Instytutu Geofizyki PAN. Ekspedycja naukowa ujęta była w programie badawczym zawartym w projekcie grantowym finansowanym przez NCN, pt. „Badanie modyfikacji chemizmu wód zlewni rzeki Revelvy (obszar fiordu Hornsund, Spitsbergen) przez zanieczyszczenia antropogeniczne przy zróżnicowanym zasilaniu przez wody atmosferyczne”.
-
A Closed Bipolar Electrochemical Cell for the Interrogation of BDD Single Particles: Electrochemical Advanced Oxidation
PublicationA closed bipolar electrochemical cell containing two conductive boron-doped diamond (BDD) particles of size 250 – 350 m, produced by high-pressure high-temperature (HPHT) synthesis, has been used to demonstrate the applicability of single BDD particles for electrochemical oxidative degradation of the dye, methylene blue (MB). The cell is fabricated using stereolithography 3D printing and the BDD particles are located at either...
-
Wyznaczanie wartości wskaźników diagnostycznych w celu monitorowania zużycia tranzystorów IGBT dużej mocy
PublicationPrzedstawiono nową metodę monitorowania zużycia tranzystorów bipolarnych z izolowaną bramką (IGBT) bezpośrednio w układzie napędowym. Proponowana metoda przeznaczona jest do śledzenia dwóch istotnych objawów starzenia modułów IGBT: rozwarstwiania struktury modułu na skutek termomechanicznego zmęczenia stopu lutowniczego oraz uszkodzeń połączeń drutowych wewnątrz modułu. Monitorowana jest rezystancja cieplna między półprzewodnikiem...
-
Układy sterowania bramkowego tranzystorów z węglika krzemu SiC JFET w falownikach napięcia
PublicationZastosowanie technologii węglika krzemu (SiC) w falownikach napięcia pozwala na zwiększenie częstotliwości przełączeń oraz temperatury pracy przyrządów półprzewodnikowych. W celu zapewnienia minimalizacji strat oraz określonych właściwości dynamicznych tranzystorów z węglika krzemu wymagane jest stosowanie zaawansowanych układów sterowania bramkowego. W referacie przedstawiono analizę teoretyczną, wyniki badań symulacyjnych oraz...
-
Detekcja i lokalizacja nieprzewodzenia tranzystorów falownika napięcia na podstawie analizy prądu obciążenia
PublicationPrzedstawiono nową metodę detekcji i lokalizacji nieprzewodzenia tranzystorów w falownikach napięcia zasilających silniki indukcyjne małej mocy. Metoda bazuje na monitorowaniu wartości dwóch sygnałów dia-gnostycznych. Pierwszy z nich, wskaźnik braku przepływu prądu, wykorzystano w celu detekcji uszkodzeń. Drugi, stosunek wartości średniej prądu do wartości średniej bezwzględnej, zawiera informacje umożliwiające lokalizację uszkodzonych...
-
Low-Voltage LDO Regulator Based on Native MOS Transistor with Improved PSR and Fast Response
PublicationIn this paper, a low-voltage low-dropout analog regulator (ALDO) based on a native n-channel MOS transistor is proposed. Application of the native transistor with the threshold voltage close to zero allows elimination of the charge pump in low-voltage regulators using the pass element in a common drain configuration. Such a native pass transistor configuration allows simplification of regulator design and improved performance,...
-
Redukcja liczby przełączeń tranzystorów w falowniku kaskadowym z wektorową modulacją szerokości impulsów
PublicationW artykule zaprezentowano metody ograniczania liczby przełączeń tranzystorów wybranych mostków kaskadowego falownika napięcia z wektorową modulacją szerokości impulsów. Zaproponowane rozwiązanie umożliwi sterowanie temperaturą poszczególnych mostków H przekształtnika, w którym ten sam strumień powietrza wykorzystano do chłodzenia kilku mostków H. Zmiana liczby przełączanych tranzystorów nie wpływa na dokładność...
-
Sleep quality, chronotype, temperament and bipolar features as predictors of depressive symptoms among medical students
Publication -
Synchronizacja komutacji tranzystorów z położeniem kątowym wirnika silnika w napędzie IPMSM z blokowym sterowaniem falownikiem
PublicationPraca dotyczy napędu elektrycznego z silnikiem synchronicznym z magnesami trwałymi, pracującego w strefie osłabiania strumienia, wykorzystującego blokowe sterowanie falownikiem tranzystorowym (ang. six-step). Dla rozważanego napędu zaproponowano zsynchronizowanie chwil przełączeń tranzystorów z osiągnięciem przez wirnik silnika charakterystycznych położeń kątowych. Zaproponowane rozwiązanie przebadano symulacyjnie w programie Simulink...
-
Types of Depression More Frequent in Bipolar than in Unipolar Affective Illness: Results of the Polish DEP-BI Study
Publication -
Recommendations of the Polish Psychiatric Association regarding the treatment of affective disorders in women of childbearing age. Part II: Bipolar disorder
Publication -
Gate Driver with Overcurrent Protection Circuit for GaN Transistors
PublicationThe improvement of the gate driver for GaN transistor is presented in this paper. The proposed topology contains the overcurrent protectionwith the two-stage turning off and independent control of turn on and off time of the GaN transistor. The operation of driver and its application in thehalf-bridge converter are described using both simulation and prototype measurements. The overcurrent protection was tested in Double Pulse...
-
Behawioralne modelowanie i symulacja tranzystorów IGBT w układach energoelektronicznych = Behavioural modeling and simulation of IGBT transistors in power electronics systems
PublicationW referacie przedstawiono rezultaty prac nad modelem tranzystora bipolarnego z izolowaną bramką (IGBT), przydatnym w symulacjach układów energoelektronicznych wymagających odwzorowania zarówno stanów ustalonych jak i dynamicznych przy przełączaniu. Rozważono behawioralny model IGBT o reprezentacji za pomocą równań stanu przy wykorzystaniu katalogowych charakterystyk statycznych oraz nieliniowych aproksymacji pojemności pasożytniczych....
-
P.0253 Two-week lithium treatment modulates translocator protein expression in brain regions in the animal models of acute bipolar episodes
Publication -
Compatible DC and small-signal MOSFET models for radio and microwave frequency simulation
PublicationZaprezentowano nowy model stałoprądowy tranzystora MOS i kompatybilny z nim uogólniony nie-quasi-statyczny model małosygnałowy. Model stałoprądowy został eksperymentalnie zweryfikowany dla tranzystorów MOS o długości kanału od 75 nm do kilkunastu mikrometrów, a model małosygnałowy od zera herców do 30 GHz.
-
Elementy elektroniczne w środowisku dużej emisji elektromagnetycznej
PublicationW referacie przedstawiono rodzaje narażeń powodowanych impulsowymi zakłóceniami elektromagnetycznymi występującymi w środowisku urządzeń energoelektronicznych. Przedstawiono poziomy energii i źródła zakłóceń które stanowią wyładowania elektrostatyczne, przebiegi łączeniowe w obwodach indukcyjnych i wyładowania atmosferyczne. Przedstawiono sposoby badania odporności na zakłócenia impulsowe. Zaprezentowano wyniki uzyskane z przeprowadzonych...
-
Low frequency noise measurements in advanced silocon devices.**2003, 136 s.116 rys. bibliogr. 29 poz. maszyn. Pomiary małoczęstotliwościowych szumów zaawansowanych elementów krzemowych. Rozprawa doktorska /15.04.2003./ Inst. Natl. P. Grenoble Promotorzy: prof. dr hab. inż. L. Spiralski, dr CNRS G. Ghibaudo.
PublicationW pracy przedstawiono automatyczny system do pomiarów małoczęstotliwoscio-wych szumów struktur elementów półprzewodnikowych. System umożliwia automa-tyczne wyznaczanie charakterystyk stałoprądowych badanego elementu, pomiarszumów i wyznaczanie gęstości widmowej mocy w zadanym zakresie polaryzacji.Przytoczono wyniki przeprowadzonych testów systemu. Ważną składową pracy wy-niki pomiarów szumów tranzystorów MOS i bipolarnych...
-
Oddziaływanie wybranych elementów przekształtnika energoelektronicznego nagenerację zaburzeń przewodzonych.**2002, 134 s. 125 rys. bibliogr. 102 poz. Rozprawa doktorska /17.12.2002/. PG, Wydz. Elektrotech. Automat. Promotor: dr hab. inż. Piotr J. Chrzan, prof. nadzw. PG
PublicationW rozprawie przedstawiono sposób obliczania generowanych zaburzeń elektroma-gnetycznych przewodzonych z układu przekształtnika do sieci zasilającej. Ce-lem pracy było opracowanie, w oparciu o symulację komputerową i badania eks-perymentalne, modeli wybranych elementów układu przekształtnika energoelek-tronicznego, pozwalających na określanie poziomów zaburzeń elektromagnetycz-nych przewodzonych w układach symulacyjnych. Zakres...
-
Wiesław Kordalski dr hab. inż.
People -
Wojciech Toczek dr hab. inż.
People -
Accurate Computation of IGBT Junction Temperature in PLECS
PublicationIn the article, a new method to improve the accuracy of the insulated-gate bipolar transistor (IGBT) junction temperature computations in the piecewise linear electrical circuit simulation (PLECS) software is proposed and described in detail. This method allows computing the IGBT junction temperature using a nonlinear compact thermal model of this device in PLECS. In the method, a nonlinear compact thermal model of the IGBT is...
-
Electrical and noise responses of graphene/AlGaN/GaN field-effect transistor for nitrogen dioxide, teatrahydrofuran, and acetone sensing
Open Research DataThis data set consists of raw and modified data concerning current-voltage characteristics and low-frequency noise spectra measured for graphene/AlGaN/GaN field-effect transistor in the ambiance of selected gases (laboratory air, dry and wet synthetic air, nitrogen dioxide, tetrahydrofuran, and acetone). The data show that sensor responses are enhanced...
-
Piotr Jasiński prof. dr hab. inż.
PeoplePiotr Jasinski obtained MSc in electronics in 1992 from the Gdansk University of Technology (GUT), Poland. Working at GUT, he received PhD in 2000 and DSc in 2009. Between 2001 and 2004 Post Doctoral Fellow at Missouri University of Science and Technology, while between 2008 and 2010 an Assistant Research Professor. Currently is an Associate Professor at Gdansk University of Technology working in the field of electronics, biomedical...
-
Electrical responses of nanostructured ZrS3 as field-effect transistor for nitrogen dioxide, ethanol, and acetone detection enhanced by visible light
Open Research DataSmall-area layers of nanostructured ZrS3 were fabricated and measured in the field-effect transistor configuration. Irradiation with visible light enabled generating photocurrent and increasing the sensitivity to selected ambient gases: nitrogen dioxide, ethanol, and acetone. The data set consists of electrical responses (current vs. voltage characteristics...
-
EFEKTYWNOŚĆ EKONOMICZNA HYBRYDOWEJ MIKROINSTALACJI OZE
PublicationW artykule przedstawiono warunki pracy mikroelektrowni hybrydowej zainstalowanej w małej firmie mieszczącej się na terenie przemysłowym. Pokazano strukturę i parametry elektrowni składającej się z paneli fotowoltaicznych i elektrowni wiatrowej. Przeanalizowano odbiorniki energii oraz warunki pobierania mocy biernej. Dla wybranego okresu czasu pokazano zużycie oraz produkcję energii elektrycznej i energię zużytą na potrzeby firmy...
-
A non-quasi-static small-signal model of the four-terminal MOSFET for radio and microwave frequencies.
PublicationW pracy zaprezentowano nowy małosygnałowy model tranzystora MOS, w którymuwzględnia się efekt nasycenia prędkości nośników. Model jest spójny fizycznie i może być stosowany w analizie dowolnej konfiguracji włączenia tranzystora.
-
Alicja Konczakowska prof. dr hab. inż.
People -
Electrical characteristics simulation of top-gated graphene field-effect transistor (GFET) with 10 μm x 10 μm graphene channel
Open Research DataThe presented data set is part of the research on graphene field-effect transistor (GFET) modelling. The calculations were performed with the use of GFET Tool program (https://nanohub.org/resources/gfettool DOI: 10.4231/D3QF8JK5T), which enabled simulation of the drain current (Id) vs. drain voltage (Vd) characteristics for different gate voltages (Vg)...
-
Electrical characteristics simulation of top-gated graphene field-effect transistor (GFET) with 10 μm x 3 μm graphene channel
Open Research DataThe presented data set is part of the research on graphene field-effect transistor (GFET) modelling. The calculations were performed with the use of GFET Tool program (https://nanohub.org/resources/gfettool DOI: 10.4231/D3QF8JK5T), which enabled simulation of the drain current (Id) vs. drain voltage (Vd) characteristics for different gate voltages (Vg)...
-
Admitancja wejściowa i transadmitacyjna MOSFET'a w zakresie b. w. cz.
PublicationBazując na nowym nie quasi-statycznym modelu małosygnałowym tranzystora MOS, przeanalizowano i zweryfikowano eksperymentalnie aż do 30 GHz małosygnałową admitancję wejściową i transadmitancję tego elementu - dwa ważne i budzące najwięcej wątpliwości parametry macierzy admitancyjnej tranzystora.
-
Tranzystorowy czujnik pola magnetycznego.
PublicationPrzedstawiono nową konstrukcję tranzystora polowego typu MOS, który może być wykorzystany do pomiaru lub detekcji pola magnetycznego. Zasada działania nowego czujnika oparta jest na jednym ze zjawisk galwanomagnetycznych i nie różni się od zasady działania znanego z literatury przedmiotu tranzystora SD MAGFET. Jednak dzięki oryginalnej konstrukcji, przewidywana czułość nowego tranzystora na zmianę wartości indukcji magnetycznej...
-
Elżbieta Urbańska-Galewska dr hab. inż.
People -
A quasi-2D small-signal MOSFET model - main results
PublicationDynamic properties of the MOS transistor under small-signal excitation are determined by kinetic parameters of the carriers injected into the channel, i.e., the low-field mobility, velocity saturation, mobility at the quiescent-point (Q-point), longitudinal electric field in the channel, by dynamic properties of the channel, as well as by an electrical coupling between the perturbed carrier concentration in the channel and the...
-
Dokładne generowanie wektora napięcia wyjściowego w falowniku napięcia z modulacją szerokości impulsów
PublicationW artykule dokonano analizy wpływu parametrów tranzystorów mocy wykorzystanych do budowy falownika napięcia na dokładność generowania wektora napięcia wyjściowego. Zaproponowano metodę modulacji szerokości impulsów, w której zredukowany został wpływ zjawisk związanych z właściwościami tranzystorów mocy na napięcie generowane w falowniku. Przedstawiono przebiegi prądów fazowych falownika, w którym zaimplementowano proponowane rozwiązanie.
-
Nonlinear Control of a Doubly Fed Generator Supplied by a Current Source Inverter
PublicationNowadays, wind turbines based on a doubly fed induction generator (DFIG) are a commonly used solution in the wind industry. The standard converter topology used in these systems is the voltage source inverter (VSI). The use of reverse-blocking insulated gate bipolar transistor (RB-IGBT) in the current source inverter topology (CSI), which is an alternative topology, opens new possibilities of control methods. This paper presents...
-
The Low-frequency Noise of SiC MESFETs
PublicationPrzedstawiono system do pomiaru szumów małoczestotliwościowych tranzystorów SiC MESFET oraz przykładowe wyniki pomiarów.
-
Exact generation of voltage vector in voltage inverter with pulse width modulation
PublicationW artykule zaproponowano metodę modulacji szerokości impulsów dla falownika napięcia. Proponowana metoda rozwiązuje problemy związane z kompensacją czasów martwych oraz kompensacją wpływu parametrów łączników energolelektronicznych na napięcie wjściowe falownika. W artykule zaprezentowano metodę kompensacji między innymi pojemności pasożytniczych tranzystorów, dyskretyzacji czasów załączeń tranzystorów. Przedstawiona metoda modulacji...
-
Dielectric strenght of the ultra - short fuse
PublicationW referacie omówiono współpracę ultraszybkiego bezpiecznika z bezstykowymhybrydowym ogranicznikiem prądów. Przeanalizowano wytrzymałość kanału połukowego bezpiecznika w zależności od długości topika oraz czasu działania tranzystora IGBT. Omówiono warunki i wyniki badań eksperymentalnych.
-
Marek Adamowicz dr hab. inż.
PeopleStopień naukowy doktora uzyskał w 2008 r. na Wydziale Elektrotechniki i Automatyki Politechniki Gdańskiej. W latach 2005 – 2011 pracował na Akademii Morskiej w Gdyni. W 2010 r. jako laureat programu NCBR LIDER wybrał Wydział Elektrotechniki i Automatyki Politechniki Gdańskiej jako jednostkę realizującą swój projekt z zakresu szerokopasmowych przyrządów półprzewodnikowych i ich zastosowań w elektrowniach wiatrowych. Od 2011 roku...
-
The current amplifier in low frequency noise measurements; Absolute calibration and rigorous 1/f noise extraction for MOSFET´s
PublicationPrzedstawiono budowę wzmacniacza prądowego i sposób obliczania szumów wyjściowych przy dołączonym do wejścia rezystorze wzorcowym. Przedstawiono wyniki eksperymentów potwierdzających prawidłowość przyjętego sposobu postępowania. Zaproponowano metodę wyznaczania składowej 1/f szumów drenu tranzystora MOSFET.
-
A non-quasi-static-signal MOSFET model for radio and microware frequencies including spreading gate resistances and capacitaces.
PublicationZaprezentowano nowy, spójny fizycznie nie-quasi-statyczny model małosygnałowy tranzystora MOS słuszny od 0 Hz aż do częstotliwości mikrofalowych. Scharakteryzowano właściwości nowego czterokońcówkowego modelu. Model został zweryfikowany eksperymentalnie aż do częstotliwości 27 GHz.
-
Quasi-dwuwymiarowe równanie ciagłości dla procesów dynamicznych w tranzystorach polowych
PublicationW oparciu o dwuwymiarowy model fizyczny i matematyczny tranzystora polowego zaproponowano quasi-dwuwymiarowy model umożliwiający wyprowadzenie równania ciągłości dla nośników nadmiarowych w przypadku małych zaburzeń ich koncentracji. Rozważania przeprowadzono startując od najbardziej podstawowych praw fizyki.
-
A quasi-2D small-signal MOSFET model - main results
PublicationMain results stemming from a new quasi 2D non-quasi-static small-signal four-terminal model of the MOSFET are presented in this work. The model is experimentally verified up to 30 GHz.
-
Accurate electrothermal modelling of high frequency DC-DC converters with discrete IGBTs in PLECS software
PublicationIn the paper, a novel, improved method of the IGBT junction temperature computations in the PLECS simulation software is presented. The developed method aims at accuracy of the junction temperature computations in PLECS by utilising a more sophisticated model of transistor losses, and by taking into account variability of transistor thermal resistance as a function of its temperature. A detailed description of the proposed method,...
-
Piotr Płotka dr hab. inż.
PeoplePiotr Płotka received the M.Sc. and D.Eng. degrees in electronic engineering from the Gdansk University of Technology, Poland, in 1976 and 1985. In 2008 he received D.Sc. (Dr.Hab.) degree, also in electronic engineering, from the Institute of Electron Technology at Warsaw, Poland. From 1977 he was with Academy of Technology and Agriculture at Bydgoszcz, Poland and from 1981 with the Gdansk University of Technology. In cooperation...
-
Trójfazowy falownik napięcia z tranzystorami SiC JFET
PublicationW referacie przedstawiono konstrukcję oraz wyniki badań trójfazowego falownika napięcia zbudowanego z wykorzystaniem diod Schottky oraz tranzystorów JFET z węglika krzemu (SiC). Znacznie krótsze czasy przełączeń tych elementów w porównaniu z tranzystorami IGBT i diodami na bazie krzemu (Si) umożliwiają pracę układu z częstotliwością 100 kHz i wyższą. Małe energie przełączeń oraz mała rezystancja drenu tranzystorów SiC JFET pozwalają...
-
Szerokopasmowy model uogólnionego łącznika energoelektronicznego
PublicationPrzedstawiono rezultat wstępnych prac nad modelem IGBT przydatnym do symulacji wymagających odwzorowania stanów dynamicznych tranzystora. Zrezygnowano z metody potencjałów węzłowych na rzecz metody zmiennych stanu. Sprawdzono zachowanie klasycznego modelu z nieliniowymi pojemnościami zaciskowymi, których charakterystyki dobrano na podstawie danych katalogowych. Przedstawiono przykład rozszerzenia modelu.