Search
Search results for: TRANZYSTORY CIENKOWARSTWOWE
-
Chromatografia cienkowarstwowa.
PublicationZasada procesu chromatograficznego w układach cienkowarstwowych. Wpływ fazy gazowej na parametry retencji. Porównanie konwencjonalnej warstwy i wysokosprawnej - wady - zalety. Sposoby rozwijania chromatogramu, rodzaje faz stacjonarnych i ruchomych. Zastosowanie TLC do wstępnej oceny składu mieszaniny.
-
Tranzystory organiczne
PublicationW artykule przedstawiono budowę, zasady działania i niektóre podstawowe charakterystyki organicznych tranzystorów polowych w oparciu o przegląd najnowszych publikacji naukowych dotyczących tematu. Omówiono tranzystory cienkowarstwowe TFT i typu SIT wykonane uproszczoną technologią z elastycznych i częściowo uporządkowanych materiałów organicznych. Zwrócono uwagę na koncepcję tranzystora molekularnego.
-
Niskokoherencyjne czujniki światłowodowe wykorzystujące cienkowarstwowe struktury nanodiamentowe
PublicationZnaczny rozwój technologii wytwarzania czujników światłowodowych spowodował, że są one powszechnie dostępne i stosowane w wielu gałęziach przemysłu, nauki oraz medycyny. Zastosowanie nowych materiałów w konstrukcji takich czujników niesie za sobą duży potencjał. Celem rozprawy jest przedstawienie możliwości wykorzystania cienkowarstwowych struktur nanodiamentowych w niskokoherencyjnych czujnikach światłowodowych, które poprawią...
-
Badanie cienkowarstwowego bolometru z LSFO
PublicationW artykule przedstawiono wyniki badania procesów starzeniowych warstw z niestechiometrycznych tlenków Lantanowo-strontowo-żelazowych. Zaprezentowano wyniki pomiaru termicznej stałej czasowej bolometrów wykorzystujących badane warstwy. Przedstawiono wyniki bezkontaktowego pomiaru temperatury ciała czarnego o temperaturze 38 stopni Celcjusza.
-
Behawioralny model tranzystora IGBT
PublicationW artykule przedstawiono rezultaty prac nad uniwersalnym modelem tranzystora bipolarnego z izolowaną bramką (IGBT), przydatnym w symulacjach układów energoelektronicznych wymagających odwzorowania stanów ustalonych i dynamicznych. Rozważono behawioralny model IGBT w układzie klasycznym z nieliniowymi aproksymacjami pojemności pasożytniczych. Eksperymentalne testy modelu modułu IGBT typu CM200DY-24A (Mitsubishi) przeprowadzono w...
-
Organiczne tranzystory polowe jako czujniki gazów
PublicationArtykuł przedstawia zasadę działania, podstawowe parametry oraz charakterystyki prądowo-napięciowe organicznych tranzystorów polowych (OFET) oraz możliwości wykorzystania tych urządzeń jako czujników gazów. Przedstawiono zasadę działania czujników gazów wykorzystujących OFET, a także potencjalne możliwości aplikacyjne tych urządzeń. Praca przedstawia ponadto przegląd najnowszych doniesień literaturowych dotyczących organicznych...
-
Małosygnałowy model tranzystora typu MAGFET
PublicationWyprowadzono małosygnałowy model tranzystora typu MAGFET pracującego jako czujnik pola magnetycznego, w którym uwzględniono wzajemne oddziaływanie napięć drenów. Wykorzystując nowoopracowany model obliczono czułość napięciową typowego układu pracy MAGFET-a na pole magnetyczne.
-
Stałoprądowy model tranzystora typu HSD MAGFET
PublicationZaproponowano stałoprądowy model dwudrenowego tranzystora polowego typu HSD MAGFET, wykorzystywanego jako czujnik pola magnetycznego o dużej czułości na zmiany pola magnetycznego i dużej geometrycznej rozdzielczości pomiarowej. Zaprezentowany model odzwierciedla zjawisko podziału prądu płynącego w kanale tranzystora na prądy drenów i uwzględnia wzajemne oddziaływanie napięć drenów VDS1 i VDS2 na prady drenów ID1 i ID2 poprzez wprowadzenie...
-
Weryfikacja stałoprądowego modelu tranzystora typu MAGFET
PublicationZaproponowano kompletny, stałoprĄdowy model tranzystora typu MAGFET wykorzystywanego jako czujnik pola magnetycznego. Zaprezentowany model odzwierciedla zależnoŚć podziału prĄdu płynącego w kanale tranzystora na prądy drenów od napięć drenów.
-
Tranzystorowy czujnik pola magnetycznego.
PublicationPrzedstawiono nową konstrukcję tranzystora polowego typu MOS, który może być wykorzystany do pomiaru lub detekcji pola magnetycznego. Zasada działania nowego czujnika oparta jest na jednym ze zjawisk galwanomagnetycznych i nie różni się od zasady działania znanego z literatury przedmiotu tranzystora SD MAGFET. Jednak dzięki oryginalnej konstrukcji, przewidywana czułość nowego tranzystora na zmianę wartości indukcji magnetycznej...
-
Właściwości nie-quasi-statycznego modelu tranzystora wewnętrznego MOS
PublicationPrzedstawiono założenia i właściwości oryginalnego nie-quasi-statycznego modelu małosygnałowego tranzystora wewnętrznego MOS oraz dokonano przeglądu i podziału znanych w literaturze przedmiotu małosygnałowych modeli tranzystora polowego.
-
Jednosekwencyjny statyczny model prądowo-napięciowo-temperaturowy tranzystora MOS.
PublicationZaprezentowano i zweryfikowano eksperymentalnie nowy jednosekcyjny statyczny model pradowo-napięciowo-temperaturowy tranzystora MOS. Nowy model jest spójny fizycznie i zawiera dużo mniej parametrów niż powszechnie znane modele.
-
Rozkład gęstości ruchomego ładunku wzdłuż kanału tranzystora MOS
PublicationPrzedyskutowano i dokonano analizy ilościowej rozkładu gęstości ruchomego ładunku wzdłuż kanału tranzystora MOS - jednej z podstawowych wielkości definiujących prąd kanału (drenu). Zwrócono uwagę na konsekwencje jakie implikuje stosowanie przybliżenia łagodnego kanału w modelowaniu stałoprądowych charakterystyk tranzystora polowego. Zaprezentowano wyniki analizy dwuwymiarowej określającej w formie analitycznej wielkość ładunku...
-
A current-controlled FET
PublicationA novel semiconductor device, viz., Horizontally-Split-Drain Current-Controlled Field-Effect Transistor (HSDCCFET) with two control electrodes is proposed in this works. For the sake of brevity, the device can be called a CCFET. Operating principle of the proposed transistor is based on one of the galvanomagnetic phenomena, the Biot-Savart-Laplace law and a Gradual Channel Detachment Effect (GCDE). The transistor is dedicated...
-
Nowy dwudrenowy tranzystor MOS jako czujnik pola magnetycznego.
PublicationW artykule zaprezentowano nową koncepcję tranzystora typu MOS z dwoma poziomo usytuowanymi drenami, który może być wykorzystany jako czujnik pola magnetycznego. Zasada działania nowego czujnika oparta jest na jednym ze zjawisk galwanomagnetycznych.
-
A Model for Low Frequency Noise Generation in MOSFETs.
PublicationPrzedstawiono model generacji szumów małoczęstotliwosciowych tranzystora MOS. Model został użyty do symulacji szumów cienkotlenkowych tranzystorów MOS. Wyniki symulacji porównano z danymi pomiarowymi. Zaprezentowano sposób wykorzystania pomiarów szumów m.cz. do wyznaczania niektórych parametrów charakteryzujących tranzystory MOS.
-
Stałoprądowy model tranzystora mos dla zakresu przed- i nadprogowego
PublicationZaprezentowano spójny fizycznie, stałoprądowy, jednosekcyjny model opisujący pracę tranzystora MOS zarówno w zakresie przed- i nadprogowym, jak również w zakresie liniowym (triodowym) i nasycenia (pentodowym). Przedstawiono założenia modelu fizycznego w przestrzeni 2-D i jego transformację do modelu quasi-dwuwymiarowego praz zademonstrowano wyniki weryfikacji eksperymentalnej modelu. Model spełnia warunek symetrii Gummel'a
-
Przegląd metod monitorowania stanu technicznego tranzystorów mocy
PublicationW artykule przedstawiono kilka metod monitorowania stanu technicznego tranzystorów mocy, które są lub mogą być wbudowane w układy przekształtnikowe. Celem artykułu jest określenie aktualnego stanu badań na ten temat. Prezentowane metody przeznaczone są do monitorowania istotnych objawów starzenia modułów mocy: rozwarstwiania struktury modułu na skutek termomechanicznego zmęczenia stopu lutowniczego, uszkodzeń połączeń drutowych...
-
Przegląd metod monitorowania stanu technicznego tranzystorów mocy
PublicationW artykule przedstawiono kilka metod monitorowania stanu technicznego tranzystorów mocy, które są lub mogą być wbudowane w układy przekształtnikowe. Celem artykułu jest określenie aktualnego stanu badań na ten temat. Prezentowane metody przeznaczone są do monitorowania istotnych objawów starzenia modułów mocy: rozwarstwiania struktury modułu na skutek termomechanicznego zmęczenia stopu lutowniczego, uszkodzeń połączeń drutowych...
-
Detekcja materiałów przy użyciu organicznych tranzystorów polowych
PublicationW ciągu ostatnich dwudziestu lat nastąpił rozwój elektroniki organicznej, która stała się ważnym obszarem badań naukowych i technologicznych. Organiczne ogniwa fotowoltaiczne i organiczne diody elektroluminescencyjne zostały wykorzystane w urządzeniach komercyjnych, a jednym z najbardziej obiecujących zastosowań dla organicznych tranzystorów polowych są czujniki chemiczne i biologiczne. Postęp w tej dziedzinie jest tematem tego...
-
Przetwornica dc-dc z miękką komutacją tranzystorów
PublicationW artykule zaprezentowano wyniki badań eksperymentalnych przetwornicy DC-DC o mocy 20[kW], w której ograniczenie komutacyjnych strat mocy zapewniono poprzez wykorzystanie dławika z odczepem oraz dodatkowego obwodu rezonansowego. Przedstawiono wyniki badań eksperymentalnych wpływu wartości parametrów poszczególnych elementów układu przetwornicy na zachowanie warunków miękkiej komutacji.
-
Zastosowanie tranzystorów IGBT w napędach maszyn wibracyjnych
PublicationPrzedstawiono układ elektroniczny stopnia mocy maszyny wibracyjnej i przetwarzanie cyfrowe sygnałów sterujących. W rozwiązaniu tym zastosowano układ mostka tranzystorów IGBT sterowany mikroprocesorowo przy użyciu generatora PWM, który wytwarza sygnał o przebiegu prostokątnym z cyfrowo regulowanym wypełnieniu oraz z możliwością zmiany częstotliwości w dużym zakresie. Wykonany stopień mocy zastosowano do zasilania wzbudnika drgań...
-
Przetwornica dc-dc z miękką komutacją tranzystorów
PublicationW artykule zaprezentowano wyniki badań eksperymentalnych przetwornicy DC-DC o mocy 20[kW], w której ograniczenie komutacyjnych strat mocy zapewniono poprzez wykorzystanie dławika z odczepem oraz dodatkowego obwodu rezonansowego. Przedstawiono wyniki badań eksperymentalnych wpływu wartości parametrów poszczególnych elementów układu przetwornicy na zachowanie warunków miękkiej komutacji.
-
Rezystancja rozproszona bramki tranzystora MOS w zakresie b. w. cz.
PublicationZaproponowano małosygnałowy schemat zastępczy tranzystora MOS z uwzględnieniem rezystancji rozproszonej bramki w zakresie częstotliwości radiowych i mikrofalowych. Na podstawie wyników pomiarowych dokonano identyfikacji wartości rezystancji rozproszonej. Przeprowadzono analizę rozkładu nośników nadmiarowych wzdłuż kanału tranzystora i na jej bazie podano interpretację fizyczną zależności rezystancji rozproszonej od częstotliwości...
-
Wysokoczestotliwościowy model małosygnałowy tranzystora MOS uwzgledniający efekt nasycenia prędkosci nośników.
PublicationZaproponowano nowy małosygnałowy model wysokoczęstotliwościowy tranzystora MOS oraz przedstawiono wyniki jego weryfikacji eksperymentalnej w zakresie częstotliwości aż do 30 GHz.
-
Stałoprądowy model tranzystora MOS z kanałem dłuzszym niż 10 nm
PublicationW artykule zaprezentowano spójny fizycznie, stałoprądowy jednosekcyjny model tranzystora MOS i wyniki jego eksperymentalnej weryfikacji dla szerokiego spektrum długości kanałów badanych tranzystorów - od kanałów długich aż do 10-nanometrowych. Przedstawiono założenia modelu fizycznego w przestrzeni 2-D i jego transformację do modelu quasi-dwuwymiarowego. Model spełnia warunek symetrii Gummel'a.
-
Chromatografia cienkowarstwowa i technika TLC-FID w badaniach składu grupowego, szczególnie, tłuszczów i produktów ich konwersji
PublicationPraca dotyczy zbadania celowości stosowania oraz określenia korzystnych warunków wykorzystania "klasycznej" chromatografii cienkowarstwowej w normalnych układach faz (NP-TLC) oraz techniki chromatografii cienkowarstwowej z detekcją płomieniowo - jonizacyjną (TLC-FID) na pręcikach kwarcowych, jako technik zapewniających oznaczanie składu grupowego, w badaniach nad: - ustaleniem optymalnych warunków rozdzielania grupowego tłuszczów...
-
Zastosowanie tranzystorów GaN w wysokoczęstotliwościowych przekształtnikach DC/DC
PublicationW artykule przedstawiono tranzystory mocy z azotku galu (GaN) jako przyrządy, umożliwiające budowanie wysokoczęstotliwościowych przekształtników energoelektronicznych. Opisano tranzystory GaN HEMT SSFET, przedstawiono sposób ich sterowania i czasy przełączeń. Podano wyniki badań eksperymentalnych przekształtnika obniżającego napięcie o sprawności 96,5%, pracującego z częstotliwością przełączeń 500 kHz. Zaprezentowano metodę doboru...
-
Behawioralne modelowanie tranzystorów IGBT do symulacji układów energoelektronicznych
PublicationW monografii dokonano syntezy behawioralnego modelu tranzystora IGBT o strukturze klasycznej, odzwierciedlającego właściwości statyczne oraz dynamiczne IGBT. Zaproponowane metody identyfikacji parametrów modelu bazują na danych katalogowych oraz wynikach eksperymentalnych. Do zaproponowanych metod identyfikacji parametrów modelu wymagane są dane katalogowe, tj. charakterystyki statyczne: iC(uGE), uC(uCE) oraz charakterystyka dynamiczna...
-
Dwuwymiarowy obraz zjawisk w tranzystorze MOS - badania numeryczne
PublicationZaprezentowano wyniki badań numerycznych, z których wynika, że w tranzystorze MOS występuje zjawisko łagodnego odrywania się kanału i zjawisko powiększania grubości kanału. Obydwa zjawiska można uwzględnić w quasi-dwuwymiarowym modelowaniu pracy tranzystora polowego, dzięki czemu można opracowywać dokładniejsze modele analityczne takiego przyrządu półprzewodnikowego.
-
Pomiary szumów m.cz. tranzystorów MESFET z węglika krzemu
PublicationTranzystory MESFET z węglika krzemu typu CRF24010 (CRREE) są przyrządami mocy przeznaczonymi do pracy w zakresie wysokich częstotliwości. Ze względu na możliwość oceny technologii tych przyrządów, a także ich jakości celowe jest określenie ich właściwości szumowych w zakresie małych częstotliwości. Przedstawiono wyniki badań wykonanych w celu oceny właściowści szumowych tranzystorów MESFET z SiC oraz zaproponowano schemat szumowy...
-
Charakterystyka tranzystorów z węglika krzemu w wysokosprawnych przekształtnikach
PublicationPółprzewodnikowe przyrządy mocy z węglika krzemu (SiC) osiągnęły poziom technologiczny umożliwiający powszechne stosowanie w układach przekształtnikowych. W artykule omówiono ostatnie osiągnięcia dotyczące układów przekształtnikowych z przyrządami z węglika krzemu oraz wybrane wyniki badań realizowane na Politechnice Gdańskiej. W artykule opisano właściwości statyczne i dynamiczne tranzystorów MOSFET i JFET z węglika krzemu oraz...
-
Zależność parametrów quasi-dwuwymiarowego modelu małosygnałowego tranzystora MOS od punktu pracy
PublicationW artykule zaprezentowano wyniki optymalizacji zagadnień wielowymiarowych, zastosowanej do ekstrakcji wartości parametrów nie-quasi-statycznego modelu małosygnałowego tranzystora MOS dla różnych punktów pracy. Opisano zaimplementowany algorytm i otrzymane rezultaty badań.
-
Zależność parametrów quasi-dwuwymiarowego modelu małosygnałowego tranzystora MOS od punktu pracy
PublicationW artykule zaprezentowano wyniki optymalizacji zagadnień wielowymiarowych, zastosowanej do ekstrakcji wartości parametrów nie-quasi-statycznego modelu małosygnałowego tranzystora MOS dla różnych punktów pracy. Opisano zaimplementowany algorytm i otrzymane rezultaty badań.
-
Organic filed effect transistor with zinc phthalocyanine.
PublicationW pracy przedstawiono wyniki badań doświadczalnych organicznego tranzystora polowego z warstwą ftalocyjaniny cynku. Jako podłoże zastosowano wysoko domieszkowane wafle krzemu pokryte warstwą tlenku krzemu (IV) o grubości 100 nm, na którą techniką fotolitograficzną była naniesiona struktura elektrod (tzw. geometria dolnych kontaktów). Złote elektrody źródła i drenu tworzyły kanał o długości 5 m (jest to odległość między elektrodą...
-
Optoelectronic monitoring of plasma discharge optimized for thin diamond film synthesis
PublicationPraca dotyczy optoelektronicznego monitoringu wyładowań jarzeniowych podczas syntezy diamentu cienkowarstwowego. Analizę składu plazmy wykonano za pomoca optycznej spektroskopii emisyjnej. Badania mają na celu zdalne określenie składu plazmy oraz jego wpływu na systezę warstw diamentopodobnych.
-
Modelowanie układu przetwornicy rezonansowej dc-dc z miękką komutacją tranzystorów.
PublicationW referacie zaprezentowano model matematyczny przetwornicy DC-DC, który umożliwia przeprowadzenie badań symulacyjnych układu przetwornicy oraz dobór parametrów głównych jej elementów.
-
Oszacowanie korelacji między źródłami prądowymi zlokalizowanymi w bramce i drenie tranzystora MESFET SiC
PublicationPrzedstawiono metodę umożliwiającą szybką ocenę korelacji między szumami generowanymi w bramce oraz w drenie tranzystorów MESFET SiC. Badania przeprowadzono dla tranzystorów CRF-24010 firmy CREE. Korelację oszacowano z przebiegów czasowych szumów w zakresie małych częstotliwości (od 2 Hz do 2 kHz), przy trzech różnych wartościach prądu drenu: Id = 1; 5; 10 mA. Porównano wynik oszacowania korelacji (dziedzina czasu) z wyznaczoną...
-
Uwarunkowania aparaturowe wymagane przy pomiarze prądów szumów m.cz. struktur tranzystorów submikronowych.
PublicationW artykule przedstawiono metodę pomiaru szumów struktur tranzystorów submikronowych wykorzystującą przetwornik prąd-napięcie ze wzmacniaczem operacyjnym. Przedstawiono czynniki wpływające na dokładność prowadzonych pomiarów szumów oraz sposoby zmniejszania tego wpływu.
-
BADANIA EWALUACYJNE TRANZYSTORA 650 V E-HEMT GAN DO ZASTOSOWAŃW WYSOKOSPRAWNYCH PRZEKSZTAŁTNIKACH DC/DC
PublicationTematem artykułu są badania wysokonapięciowegotranzystora z azotku galu typu E-HEMT w aplikacji przekształtnikaobniżającego napięcie typu buck. W pracy przedstawiono krótkącharakterystykę i zalety półprzewodników szerokoprzerwowych,a także opis tranzystora GS66508P-E03 w obudowie do montażupowierzchniowego (SMD). Następnie poruszono problemchłodzenia łącznika mocy SMD i przeprowadzono badanieporównawcze dwóch układów chłodzenia....
-
Wykorzystanie metody Neldera-Meada do identyfikacji wartości parametrów niequasi-statycznego modelu małosygnałowego tranzystora MOS
PublicationW artykule zaprezentowano wyniki zastosowania metody sympleksu Neldera-Meada do ekstrakcji wartości parametrów niequasi-stycznego modelu małosygnałowego tranzystora MOS. Przedstawiono równoważny elektryczny schemat zastępczy i model matematyczny nowego modelu małosygnałowego MOSFETa dla częstotliwości mikrofalowych. Opisano zaimplementowany algorytm i otrzymane rezultaty badań.
-
Zbiór zadań z odpowiedziami do ćwiczeń z elektroniki. [online]. [dostęp 2009.06.15]. Dostępny w World Wide Web: http://www.ely.pg.gda.pl/kelime/
PublicationZadania obejmowały następującye zagadnienia: bierne elementy nieliniowe, diody , tranzystor bipolarny - układy polaryzacji, tranzystor unipolarny - układy polaryzacji, wzmacniacze oparte na tranzystorze bipolarnym, wzmacniacze operacyjne, wzmacniacze oparte na tranzystorze unipolarnym, źródła prądowe, filtry, generatory.
-
Detekcja i lokalizacja nieprzewodzenia tranzystorów falownika napięcia na podstawie analizy prądu obciążenia
PublicationPrzedstawiono nową metodę detekcji i lokalizacji nieprzewodzenia tranzystorów w falownikach napięcia zasilających silniki indukcyjne małej mocy. Metoda bazuje na monitorowaniu wartości dwóch sygnałów dia-gnostycznych. Pierwszy z nich, wskaźnik braku przepływu prądu, wykorzystano w celu detekcji uszkodzeń. Drugi, stosunek wartości średniej prądu do wartości średniej bezwzględnej, zawiera informacje umożliwiające lokalizację uszkodzonych...
-
Redukcja liczby przełączeń tranzystorów w falowniku kaskadowym z wektorową modulacją szerokości impulsów
PublicationW artykule zaprezentowano metody ograniczania liczby przełączeń tranzystorów wybranych mostków kaskadowego falownika napięcia z wektorową modulacją szerokości impulsów. Zaproponowane rozwiązanie umożliwi sterowanie temperaturą poszczególnych mostków H przekształtnika, w którym ten sam strumień powietrza wykorzystano do chłodzenia kilku mostków H. Zmiana liczby przełączanych tranzystorów nie wpływa na dokładność...
-
Układy sterowania bramkowego tranzystorów z węglika krzemu SiC JFET w falownikach napięcia
PublicationZastosowanie technologii węglika krzemu (SiC) w falownikach napięcia pozwala na zwiększenie częstotliwości przełączeń oraz temperatury pracy przyrządów półprzewodnikowych. W celu zapewnienia minimalizacji strat oraz określonych właściwości dynamicznych tranzystorów z węglika krzemu wymagane jest stosowanie zaawansowanych układów sterowania bramkowego. W referacie przedstawiono analizę teoretyczną, wyniki badań symulacyjnych oraz...
-
Wyznaczanie wartości wskaźników diagnostycznych w celu monitorowania zużycia tranzystorów IGBT dużej mocy
PublicationPrzedstawiono nową metodę monitorowania zużycia tranzystorów bipolarnych z izolowaną bramką (IGBT) bezpośrednio w układzie napędowym. Proponowana metoda przeznaczona jest do śledzenia dwóch istotnych objawów starzenia modułów IGBT: rozwarstwiania struktury modułu na skutek termomechanicznego zmęczenia stopu lutowniczego oraz uszkodzeń połączeń drutowych wewnątrz modułu. Monitorowana jest rezystancja cieplna między półprzewodnikiem...
-
Stopniowa chromatografia cienkowarstwowa w normalnych układach faz (NP-TLC), jako technika rozdzielania i oceny składu grupowego frakcji asfaltenowych z utleniania pozostałości próżniowej ropy naftowej
PublicationW pracy opisano wyniki badań nad opracowaniem metodyki oceny składu grupowego i czystości frakcji asfaltenowych techniką chromatografii cienkowarstwowej w normalnych układach faz (NP-TLC). Skupiono się na doborze takich parametrów/warunków rozdzielania, jak stężenie i masa próbki, a także skład i kolejność eluentów stosowanych podczas rozwijania chromatogramów TLC. Zastosowana trój-stopniowa metodyka polega na nałożeniu 5 µL frakcji...
-
Badania nad rozdzielaniem grupowym technikami sorpcji i chromatografii. Część I – Wykorzystanie chromatografii cienkowarstwowej (TLC) dla doboru warunków rozdzielania tłuszczów i produktów ich konwersji technikami kolumnowymi.
PublicationPrzeprowadzono badania wyjaśniające wpływ eluentu oraz fazy stacjonarnej na wartość parametrów elucji mono-, di-, triacylogliceroli oraz wolnych kwasów tłuszczowych, eluowanych w warunkach cienkowarstwowej chromatografii cieczowej (TLC). Celowo wykorzystano sorbenty inne niż kopolimer styrenu i di-winylobenzenu (SDVB). Starano się dobrać taki eluent, aby możliwe było rozdzielanie tłuszczów za pomocą chromatografii wykluczania...
-
Synchronizacja komutacji tranzystorów z położeniem kątowym wirnika silnika w napędzie IPMSM z blokowym sterowaniem falownikiem
PublicationPraca dotyczy napędu elektrycznego z silnikiem synchronicznym z magnesami trwałymi, pracującego w strefie osłabiania strumienia, wykorzystującego blokowe sterowanie falownikiem tranzystorowym (ang. six-step). Dla rozważanego napędu zaproponowano zsynchronizowanie chwil przełączeń tranzystorów z osiągnięciem przez wirnik silnika charakterystycznych położeń kątowych. Zaproponowane rozwiązanie przebadano symulacyjnie w programie Simulink...
-
Gate Driver with Overcurrent Protection Circuit for GaN Transistors
PublicationThe improvement of the gate driver for GaN transistor is presented in this paper. The proposed topology contains the overcurrent protectionwith the two-stage turning off and independent control of turn on and off time of the GaN transistor. The operation of driver and its application in thehalf-bridge converter are described using both simulation and prototype measurements. The overcurrent protection was tested in Double Pulse...
-
Behawioralne modelowanie i symulacja tranzystorów IGBT w układach energoelektronicznych = Behavioural modeling and simulation of IGBT transistors in power electronics systems
PublicationW referacie przedstawiono rezultaty prac nad modelem tranzystora bipolarnego z izolowaną bramką (IGBT), przydatnym w symulacjach układów energoelektronicznych wymagających odwzorowania zarówno stanów ustalonych jak i dynamicznych przy przełączaniu. Rozważono behawioralny model IGBT o reprezentacji za pomocą równań stanu przy wykorzystaniu katalogowych charakterystyk statycznych oraz nieliniowych aproksymacji pojemności pasożytniczych....
-
Evolutionary design and optimization of combinational digital circuits with respect to transistor count.
PublicationW artykule przedstawiono możliwość wykorzystania algorytmu ewolucyjnego do projektowania i optymalizacji cyfrowych układów kombinacyjnych w odniesieniu do liczby tranzystorów. Zastosowano chromosomy o budowie wielowarstwowej zwiększające wydajność algorytmu. Zaprojektowano, wykorzystując zaproponowaną metodę, cztery układy kombinacyjne o tabelach logicznych wybranych z literatury. Uzyskane wyniki są w wielu przypadkach lepsze...
-
Compatible DC and small-signal MOSFET models for radio and microwave frequency simulation
PublicationZaprezentowano nowy model stałoprądowy tranzystora MOS i kompatybilny z nim uogólniony nie-quasi-statyczny model małosygnałowy. Model stałoprądowy został eksperymentalnie zweryfikowany dla tranzystorów MOS o długości kanału od 75 nm do kilkunastu mikrometrów, a model małosygnałowy od zera herców do 30 GHz.
-
Open-transistor fault diagnostics in voltage-source inverters by analyzing the load current
PublicationA novel method is presented for the detection andisolation of open-transistor faults in voltage-source invertersfeeding low-power AC motors. The method is based onmonitoring two diagnostic signals, one indicating sustained nearzerovalues of output current and thus permitting fault detection,the other permitting the isolation of the particular transistorwhich went faulty. The latter signal is the ratio of the averagephase current...
-
Evolutionary optimization of combinational digital circuits with current-mode gates with respect to transistor count
PublicationW artykule przedstawiono metodę ewolucyjnej minimalizacji liczby tranzystorów w cyfrowym układzie kombinacyjnym, zrealizownaym z wykorzystaniem bramek pracujących w trybie prądowym. W zastosowanym algorytmie ewolucyjnym zastosowano chromosomy o budowie wielowarstwowej, przez co zwiększono wydajność optymalizacji. Wyniki otrzymane z wykorzystaniem proponowanej metody zostały porównane z rezultatami osiągniętymi za pomocą map Karnough...
-
Wiesław Kordalski dr hab. inż.
People -
Wojciech Toczek dr hab. inż.
People -
EFEKTYWNOŚĆ EKONOMICZNA HYBRYDOWEJ MIKROINSTALACJI OZE
PublicationW artykule przedstawiono warunki pracy mikroelektrowni hybrydowej zainstalowanej w małej firmie mieszczącej się na terenie przemysłowym. Pokazano strukturę i parametry elektrowni składającej się z paneli fotowoltaicznych i elektrowni wiatrowej. Przeanalizowano odbiorniki energii oraz warunki pobierania mocy biernej. Dla wybranego okresu czasu pokazano zużycie oraz produkcję energii elektrycznej i energię zużytą na potrzeby firmy...
-
Chromatgrafia cieczowa. Teoria i praktyka
PublicationKsiążka zawiera całokształt wiedzy dotyczącej chromatografii ciecvzowej - kolumnowej i cienkowarstwowej. Opisane zostały wszystkie techniki chromatografii cieczowej, zarówno w zakresie teorii chromatografii, jak i praktycznych zastosowań.
-
Piotr Jasiński prof. dr hab. inż.
PeoplePiotr Jasinski obtained MSc in electronics in 1992 from the Gdansk University of Technology (GUT), Poland. Working at GUT, he received PhD in 2000 and DSc in 2009. Between 2001 and 2004 Post Doctoral Fellow at Missouri University of Science and Technology, while between 2008 and 2010 an Assistant Research Professor. Currently is an Associate Professor at Gdansk University of Technology working in the field of electronics, biomedical...
-
Paweł Szczepankowski dr hab. inż.
People -
Recykling metali z zużytych modułów fotowoltaicznych
PublicationZaprezentowano stan wiedzy na temat dotychczas opracowanych metod odzysku metali z roztworów. Przeanalizowano je pod kątem wykorzystania w procesach recyklingu modu- łów wykonanych z krystalicznego krzemu oraz w technologii cienkowarstwowej.
-
A non-quasi-static small-signal model of the four-terminal MOSFET for radio and microwave frequencies.
PublicationW pracy zaprezentowano nowy małosygnałowy model tranzystora MOS, w którymuwzględnia się efekt nasycenia prędkości nośników. Model jest spójny fizycznie i może być stosowany w analizie dowolnej konfiguracji włączenia tranzystora.
-
Admitancja wejściowa i transadmitacyjna MOSFET'a w zakresie b. w. cz.
PublicationBazując na nowym nie quasi-statycznym modelu małosygnałowym tranzystora MOS, przeanalizowano i zweryfikowano eksperymentalnie aż do 30 GHz małosygnałową admitancję wejściową i transadmitancję tego elementu - dwa ważne i budzące najwięcej wątpliwości parametry macierzy admitancyjnej tranzystora.
-
High-performance analog circuits : bipolar noise
PublicationOmówiono typowe źródła szumów występujące w tranzystorach bipolarnych, a mianowicie: cieplne, śrutowe, generacyjno-rekombinacyjne, 1/f, 1/f2, wybuchowe (RTS),lawinowe. Przedstawiono szumowy schemat zastępczy tranzystora bipolarnego oraz opisano wydajności poszczególnych źródeł szumów. Przytoczono informacje o zastępczej rezystancji tranzystora szumów oraz współczynniku szumów.
-
Efficient exciplex emitting organic electroluminescent devices
PublicationW pracy badano stany wzbudzenia elektronowego, powstające z udziałem dwóch molekuł. Dzięki doborowi odpowiednich materiałów na warstwę przewodzącą dziury (pochodna trójfenyloaminy: m-MTDATA) i elektronów (pochodna oksadia-zolu:PBD) w cienkowarstwowej diodzie EL stworzono szczególnie dogodne warunki do generacji ekscypleksów (M-MTDATA-PBD) i wysokowydajnej (>1% foton/e-lektron) emisji ekscypleksowej.
-
Open-transistor fault diagnostics in voltage-source inverters by analyzing the load current
PublicationPrzedstawiono nową metodę detekcji i lokalizacji uszkodzeń polegających na braku przewodzenia tranzystorów w falownikach napięcia zasilających silniki indukcyjne. Metoda jest rozszerzeniem, opracowanej wcześniej, metody wykorzystującej znormalizowane składowe stałe prądów obciążenia. Znormalizowane wartości średnie prądów powiązano z dodatkowymi wskaźnikami diagnostycznymi, które zawierają informacje o czasie trwania nieprzewodzenia...
-
Postępy fotowoltaiki - aktualne technologie produkcji ogniw
PublicationPo energetyce wodnej i wiatrowej, fotowoltaika jest trzecią pod względem mocy zainstalowanej technologią, wykorzystującą odnawialne źródła energii. Obecnie technologie fotowoltaiczne można podzielić na trzy grupy: pierwszej, drugiej i trzeciej generacji. Za ogniwa I generacji uważa się te, które wykonane są na bazie krystalicznego krzemu, II generacji - to ogniwa cienkowarstwowe, natomiast trzecią generację stanowią ogniwa, które...
-
Dokładne generowanie wektora napięcia wyjściowego w falowniku napięcia z modulacją szerokości impulsów
PublicationW artykule dokonano analizy wpływu parametrów tranzystorów mocy wykorzystanych do budowy falownika napięcia na dokładność generowania wektora napięcia wyjściowego. Zaproponowano metodę modulacji szerokości impulsów, w której zredukowany został wpływ zjawisk związanych z właściwościami tranzystorów mocy na napięcie generowane w falowniku. Przedstawiono przebiegi prądów fazowych falownika, w którym zaimplementowano proponowane rozwiązanie.
-
The Low-frequency Noise of SiC MESFETs
PublicationPrzedstawiono system do pomiaru szumów małoczestotliwościowych tranzystorów SiC MESFET oraz przykładowe wyniki pomiarów.
-
Exact generation of voltage vector in voltage inverter with pulse width modulation
PublicationW artykule zaproponowano metodę modulacji szerokości impulsów dla falownika napięcia. Proponowana metoda rozwiązuje problemy związane z kompensacją czasów martwych oraz kompensacją wpływu parametrów łączników energolelektronicznych na napięcie wjściowe falownika. W artykule zaprezentowano metodę kompensacji między innymi pojemności pasożytniczych tranzystorów, dyskretyzacji czasów załączeń tranzystorów. Przedstawiona metoda modulacji...
-
Setups for measurement of thermal time constant of bolometers and resistive layers
PublicationPrzedstawiono dwa układy do pomiaru termicznej stałej czasowejbolometrów i warstw rezystywnych, umożliwiające pomiar wartości tego parametru w zakresie od pojedynczych milisekund do kilku sekund. Przedstawiono wyniki pomiarów termicznej stałej czasowej wybranych warstw rezystywnych wykonanych w technologii LTCC z niestechiometrycznych tlenków lantanowo-strontowo-żelazowych oraz bolometru cienkowarstwowego wykonanego w tej samej...
-
Dielectric strenght of the ultra - short fuse
PublicationW referacie omówiono współpracę ultraszybkiego bezpiecznika z bezstykowymhybrydowym ogranicznikiem prądów. Przeanalizowano wytrzymałość kanału połukowego bezpiecznika w zależności od długości topika oraz czasu działania tranzystora IGBT. Omówiono warunki i wyniki badań eksperymentalnych.
-
Nanocrystalline undoped ceria oxygen sensor.
PublicationW pracy przedstawiono wyniki badań struktury i elektrycznych właściwości nanokrystalicznego czujnika na bazie niedomieszkowanego tlenku ceru. Zbadano wpływ ciśnienia parcjalnego tlenu na rezystancję cienkowarstwowego tlenku ceru. Konduktancja tlenku ceru w zakresie stężeń tlenu od 10ppm do 100% ma charakter eksponecjalny z parametrem -0.25. Zbadano szybkość odpowiedzi oraz wpływ dwutlenku azotu oraz dwutlenku siarki na odpowiedź...
-
Amorficzny krzem przyszłością fotowoltaiki?
PublicationPodstawowym źródłem energii dla Ziemi jest promieniowanie słoneczne. Wartość strumienia energii słonecznej, emitowanej w kierunku Ziemi wynosi 173 000 TW. Człowiek jest w stanie przetworzyć i zmagazynować energię promieniowania słonecznego do postaci użytecznej, przy czym najbardziej rozpowszechnionym nośnikiem energii jest energia elektryczna. Zamiana energii słonecznej na elektryczną możliwa jest dzięki wykorzystaniu efektu...
-
The current amplifier in low frequency noise measurements; Absolute calibration and rigorous 1/f noise extraction for MOSFET´s
PublicationPrzedstawiono budowę wzmacniacza prądowego i sposób obliczania szumów wyjściowych przy dołączonym do wejścia rezystorze wzorcowym. Przedstawiono wyniki eksperymentów potwierdzających prawidłowość przyjętego sposobu postępowania. Zaproponowano metodę wyznaczania składowej 1/f szumów drenu tranzystora MOSFET.
-
A non-quasi-static-signal MOSFET model for radio and microware frequencies including spreading gate resistances and capacitaces.
PublicationZaprezentowano nowy, spójny fizycznie nie-quasi-statyczny model małosygnałowy tranzystora MOS słuszny od 0 Hz aż do częstotliwości mikrofalowych. Scharakteryzowano właściwości nowego czterokońcówkowego modelu. Model został zweryfikowany eksperymentalnie aż do częstotliwości 27 GHz.
-
Quasi-dwuwymiarowe równanie ciagłości dla procesów dynamicznych w tranzystorach polowych
PublicationW oparciu o dwuwymiarowy model fizyczny i matematyczny tranzystora polowego zaproponowano quasi-dwuwymiarowy model umożliwiający wyprowadzenie równania ciągłości dla nośników nadmiarowych w przypadku małych zaburzeń ich koncentracji. Rozważania przeprowadzono startując od najbardziej podstawowych praw fizyki.
-
A quasi-2D small-signal MOSFET model - main results
PublicationMain results stemming from a new quasi 2D non-quasi-static small-signal four-terminal model of the MOSFET are presented in this work. The model is experimentally verified up to 30 GHz.
-
Marek Adamowicz dr hab. inż.
PeopleStopień naukowy doktora uzyskał w 2008 r. na Wydziale Elektrotechniki i Automatyki Politechniki Gdańskiej. W latach 2005 – 2011 pracował na Akademii Morskiej w Gdyni. W 2010 r. jako laureat programu NCBR LIDER wybrał Wydział Elektrotechniki i Automatyki Politechniki Gdańskiej jako jednostkę realizującą swój projekt z zakresu szerokopasmowych przyrządów półprzewodnikowych i ich zastosowań w elektrowniach wiatrowych. Od 2011 roku...
-
Trójfazowy falownik napięcia z tranzystorami SiC JFET
PublicationW referacie przedstawiono konstrukcję oraz wyniki badań trójfazowego falownika napięcia zbudowanego z wykorzystaniem diod Schottky oraz tranzystorów JFET z węglika krzemu (SiC). Znacznie krótsze czasy przełączeń tych elementów w porównaniu z tranzystorami IGBT i diodami na bazie krzemu (Si) umożliwiają pracę układu z częstotliwością 100 kHz i wyższą. Małe energie przełączeń oraz mała rezystancja drenu tranzystorów SiC JFET pozwalają...
-
Optical and electrical properties of Pr0.8Sr0.2MnO3 thin films.
PublicationPrzedstawiono preparatykę, strukturę oraz optyczne i elektryczne właściwości cienkowarstwowego Pr0.8Sr0.2MnO3. Gęste filmy o grubości 50-70nm zostały naniesione na monokrystaliczne podłoże szafirowe metodą odwirowania prekursora polimerowego. Wyniki optycznych pomiarów zostały skorelowane z temperaturą syntezy filmów. Pokazano, że optyczne spektra zmieniają kształt wraz ze zmianą struktury filmu z amorficznej do krystalicznej....
-
Wysokosprawne układy aktywnej filtracji wyjściowej w przekształtnikach elektrowni wiatrowych
PublicationCzęstotliwość pracy tranzystorów w przekształtnikach elektrowni wiatrowych średniej mocy jest ograniczona (1kHz-10kHz), co wymaga stosowania od strony sieci filtrów pasywnych o znacznych gabarytach. W referacie omówiono możliwość zastosowania wysokosprawnego wspomagającego filtra aktywnego z przyrządami z węglika krzemu zapewniającego eliminację wysokoczęstotliwościowych zmian prądu sieciowego (tzw. rippli) przy jednoczesnym zmniejszeniu...
-
Design of a 3.3V four-quadrant analog CMOS multiplier
PublicationW pracy przedstawiono dwa czterokwadrantowe mnożniki analogowe CMOS pracujące przy napięciu zasilania 3.3V. Układy wykorzystują tranzystory MOS pracujące zarówno w zakresie nasycenia jak i w zakresie triodowym. Wyniki symulacji komputerowych pokazują, że współczynnik zawartości harmonicznych (THD) sygnału wyjściowego jest mniejszy niż 0.75% dla sygnału wejściowego o amplitudzie 1V o częstotliwości 10MHz. Pasmo 3dB układu wynosi...
-
Szerokopasmowy model uogólnionego łącznika energoelektronicznego
PublicationPrzedstawiono rezultat wstępnych prac nad modelem IGBT przydatnym do symulacji wymagających odwzorowania stanów dynamicznych tranzystora. Zrezygnowano z metody potencjałów węzłowych na rzecz metody zmiennych stanu. Sprawdzono zachowanie klasycznego modelu z nieliniowymi pojemnościami zaciskowymi, których charakterystyki dobrano na podstawie danych katalogowych. Przedstawiono przykład rozszerzenia modelu.
-
Piotr Płotka dr hab. inż.
PeoplePiotr Płotka received the M.Sc. and D.Eng. degrees in electronic engineering from the Gdansk University of Technology, Poland, in 1976 and 1985. In 2008 he received D.Sc. (Dr.Hab.) degree, also in electronic engineering, from the Institute of Electron Technology at Warsaw, Poland. From 1977 he was with Academy of Technology and Agriculture at Bydgoszcz, Poland and from 1981 with the Gdansk University of Technology. In cooperation...
-
Materiały cienkowarstwowe do generowania wodoru w procesie fotorozkładu wody
ProjectsProject realized in Faculty of Chemistry according to UMO-2011/01/N/ST5/05540 agreement from 2011-12-19
-
Noise in semiconductor devices
PublicationOmówiono typowe źródła szumów występujące w przyrządach pólprzewodnikowych, a mianowicie: cieplne, śrutowe, generacyjno-rekombinacyjne, 1/f, 1/f2, wybuchowe (RTS), lawinowe. Przedstawiono szumowe schematy zastępcze tranzystora bipolarnego, JFET i MOSFET oraz opisano wydajności poszczególnych źródeł szumów. Zasugerowano jak dobierać przyrządy półprzewodnikowe do małoszumowych układów w zakresie małych częstotliwości.
-
Rezystor aktywny CMOS oraz jego zastosowanie do budowy wzmacniacza transkonduktancyjnego.
PublicationRezystory aktywne są szeroko stosowane w układach analogowych. Jednym z bardzo ważnych zastosowań jest ich użycie jako elementu linearyzującego stałoprądowe charakterystyki przejściowe wzmacniacza różnicowego wykonanego w postaci pary tranzystorów MOS. W niniejszym artykule przedstawiono w pełni różnicowy, aktywny rezystor MOS. Składa się on z dwóch tranzystorów MOS oraz dwóch nieuziemionych źródeł napięciowych. Jako wykorzystanie...
-
Effect of contactless hybrid current limiter on voltage dips in power system
PublicationW referacie przedstawiono działanie hybrydowego niskonapięciowego ogranicznika prądu zwarciowego, składającego się z ultraszybkiego bezpiecznika, tranzystora mocy i warystora. W szczególności omówiono możliwości polepszenia jakości dostarczanej do odbiorców energii elektrycznej. Zastosowanie hybrydowego ogranicznika prądu znacznie ogranicza czasy trwania zapadów napięcia w systemie elektroenergetycznym. Obliczenia wykonano przy...
-
Effect of contactless hybrid current limiter on voltage dips in power system.
PublicationW referacie przedstawiono działanie hybrydowego niskonapięciowego ogranicznika prądu zwarciowego, składającego się z ultraszybkiego bezpiecznika, tranzystora mocy i warystora. W szczególności omówiono możliwości polepszenia jakości dostarczanej do odbiorców energii elektrycznej. Zastosowanie hybrydowego ogranicznika prądu znacznie ogranicza czasy trwania zapadów napięcia w systemie elektroenergetycznym. Obliczenia wykonano przy...
-
Device characteristics extraction by low frequency noise measurements; Someresults on the state-of-the-art MOSFET´s
PublicationPrzedstawiono wyniki pomiarów i analizy szumów tranzystorów MOSFET z izolatorem bramki wykonanym z SiO2 i HfO2. Wyniki pomiarów wykorzystano do oszacowania gęstości aktywnych stanów na powierzchni użytego tlenku i porównano z wynikami otrzymanymi metodą charge-pumping.
-
Low frequency noise and reliability properties of 0.12um CMOS devices with Ta2O5 as gate dielectrics
PublicationW artykule przedstawiono wyniki badań jakości tranzystorów CMOS 0.12um z Ta2O5 użytym jako dielektryk bramki. Przedstawione są charakterystyki statyczne elementów oraz wyniki pomiarów szumów prowadzonych w celu określenia jakości warstwy dielektrycznej Ta2O5, a także wyniki badań przeciążeniowych elementów.
-
Dynamiczny model uogólnionego łącznika energoelektronicznego do symulacji układów przekształtnikowych
PublicationZaproponowano strategię modelowania, w której po określeniu postaci modelu dobiera się numeryczne metody obliczeniowe stosowane w symulacji. Przedstawiono opracowany uogólniony, nieliniowy model tranzystora mocy IGBT. Przyjęto, że do określenia parametrów tego modelu powinna wystarczać znajomość standardowych, katalogowych para-metrów i charakterystyk. Przedstawiono model zaciskowy o klasycznej strukturze, odwzorowujący z wystarczającą...
-
Nowy sposób generowania wektora napięcia wyjściowego w falowniku napięcia
PublicationW artykule przedstawiono metodę modulacji szerokości impulsów,w której wyeliminowano problemy związane z kompensacją wpływu czasu martwego w zakresie niskich częstotliwości napięcia wyjściowego. W algorytmie modulacji skorygowane zostały błędy generowania napięcia wyjściowego związane z pojemnościami pasożytniczymi tranzystorów mocy.
-
Metodyka oceny bioolejów
PublicationW artykule przedstawiono procedurę kontroli olejów do smarowania układów tnących pilarek i harwesterów. Potrzeba kontroli wynika z rozporządzenia Dyrektora RDLP w Gdańsku z dnia 28.09.2015r., które dotyczy stosowania biodegradowalnych olejów do smarowania układów tnących. Procedura obejmuje wykonanie wstępnego testu kroplowego z zastosowaniem lampy UV oraz badań laboratoryjnych technikami: cienkowarstwowej chromatografii cieczowej...
-
A boost topology active power factor corrector.
PublicationPrzedstawiono układ analogowego aktywnego korektora zbudowanego na układzie scalonym kontrolera PWM oraz tranzystorem MOS jako okresowo przełączonym kluczem. Układ korektora zapewnia pobór prądu z sieci energetycznej w postaci przebiegu prawie sinusoidalnego o małych zniekształceniach i w fazie z sinusoidalnym napięciem sieci.
-
Modelowanie wpływu pojemności pasożytniczych oraz czasu martwego na napięcia wyjściowe falowników wielopoziomowych typu NPC
PublicationPrzedstawiono wpływ pojemności pasożytniczych na zniekształcenia napięcia wyjściowego wielopoziomowych falowników typu NPC spowodowane wprowadzeniem czasu martwego. Opracowany model pozwala na dokładny opis zniekształceń napięcia oraz jego precyzyjną kompensację znacząco poprawiając jakość formowanego napięcia w szczególności w porównaniu z metodami kompensacji nie uwzględniającymi wpływu pojemności Pasożytniczych. Pojemność pasożytnicza...
-
Modulacja szerokości impulsów w falownikach prądu
PublicationW pracy zaproponowano nową metodę modulacji szerokości impulsów dla falowników prądu. Prezentowana metoda modulacj pozwala na eliminację przepięć związanych z obecnością pojemności pasożytniczych tranzystorów mocy i posożytniczymi indukcyjności w obwodzie komutacyjnym. Dodatkowo umożliwia zwiększenie dokładności pomiarów zmiennych wykorzystywanych w układzie sterowania maszyną elektryczną
-
Modulacja szerokości impulsów w falownikach prądu
PublicationW pracy zaproponowano nową metodę modulacji szerokości impulsów dla falowników prądu. Prezentowana metoda modulacj pozwala na eliminację przepięć związanych z obecnością pojemności pasożytniczych tranzystorów mocy i posożytniczymi indukcyjności w obwodzie komutacyjnym. Dodatkowo umożliwia zwiększenie dokładności pomiarów zmiennych wykorzystywanych w układzie sterowania maszyną elektryczną